專利名稱：磁盤驅(qū)動器和制造磁盤驅(qū)動器的彎曲電路的方法
磁盤驅(qū)動器和制造磁盤驅(qū)動器的彎曲電路的方法
背景技術(shù)：
0001圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的磁盤驅(qū)動器，其包括磁盤2和磁頭4， 該磁頭4連接到致動器臂6的末端，該致動器臂6通過音圈電動機(jī) (VCM) 8圍繞樞軸轉(zhuǎn)動以將磁頭4徑向地置于磁盤2上方。磁頭4
可包括使用半導(dǎo)體制作工藝在很小尺度中制作的感應(yīng)寫入元件(寫入 圈)和磁阻讀取元件(MR元件)。 一般使用彎曲電路(flex circuit) 10以將磁頭4電氣耦連到磁盤驅(qū)動器中的控制電路。在圖1A示出的 例子中，第一彎曲電路10A耦連磁頭4到安裝在致動器臂6上的前置 放大器12A，以及第二彎曲電路10B耦連前置放大器12A到安裝在印 刷電路板上的其它控制電路12B，其中第二彎曲電路10B幫助致動器 臂6的運(yùn)動。在其它磁盤驅(qū)動器中，前置放大器12A可能與控制電路 12B集成，以使得彎曲電路IOA直接耦連磁頭IO到安裝在印刷電路板 上的控制電路12B。
0002圖1B示出了彎曲電路1 OA的放大橫截面圖，該彎曲電路1 OA 包括用來傳送差分信號(例如針對磁頭4的差分寫入信號14A和14B 以及差分讀取信號16A和16B)的電引線。電引線被襯底18所支撐， 該襯底18可包括任何合適的材料，諸如聚酰亞胺。電引線一般使用傳 統(tǒng)的蝕刻技術(shù)在襯底18的一側(cè)來形成，以使得用于傳送差分信號的電 引線被空隙(例如，空隙20A和20B)所隔離。
0003當(dāng)磁盤驅(qū)動器中的數(shù)據(jù)速率增長到微波波段時，用于傳送差 分信號的電引線的傳輸性質(zhì)變得更加重要。例如，期望的是降低電引 線的阻抗以增加功率效率和差分信號的信噪比(SNR)。
0004因此，在磁盤驅(qū)動器中需要降低在彎曲電路上制作的電引線 的阻抗以提高沿著電引線傳輸差分信號的功率效率和SNR。


0005圖1A示出了包括在磁盤上致動的磁頭和用于耦連磁頭到控 制電路的彎曲電路的現(xiàn)有技術(shù)磁盤驅(qū)動器。
0006圖IB示出了包括用于傳送差分信號的在襯底的單側(cè)上制作 的電引線的現(xiàn)有技術(shù)彎曲電路。
0007圖2A示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的磁盤驅(qū)動器，其包括在 磁盤上致動的磁頭和用于耦連該磁頭到控制電路的彎曲電路。0008圖2B示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的彎曲電路，其中用于傳
送差分信號的電引線是在襯底的相對側(cè)上制作的，其中第一電引線提 供用于蝕刻第二電引線的蝕刻掩膜。
0009圖3A — 3H示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制作彎曲電路的方 法，其中第一 電引線提供用于蝕刻第二電引線的蝕刻掩膜。
具體實(shí)施例方式
0010圖2A示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的磁盤驅(qū)動器，其包括磁 盤22、在磁盤22上面徑向致動的磁頭24、控制電路26A和26B以及 用于電耦連該磁頭24到控制電路26A (在圖2A中示出的例子中的前 置放大器)的彎曲電路28A。該彎曲電路28A (圖2B)包括襯底30、 耦連到襯底30的第一側(cè)的第一電引線32A以及耦連到襯底30的第二 側(cè)(與第一側(cè)相對)的第二電引線32B，其中第一電引線32A可操作 以引導(dǎo)差分信號的第一信號，第二電引線32B可操作以引導(dǎo)差分信號 的第二信號。第一電引線32A提供用于蝕刻第二電引線32B的蝕刻掩 膜，且第一電引線32A與第二電引線32B基本對準(zhǔn)，從而襯底30形 成電容性電介質(zhì)。
0011在圖2A的實(shí)施例中，磁頭24被連接到致動器臂36的末端， 該致動器臂36通過音圈電動機(jī)38圍繞樞軸轉(zhuǎn)動以使磁頭24在磁盤22 的上方徑向致動。第一彎曲電路28A耦連磁頭24到安裝在致動器臂 36上的前置放大器26A，而第二彎曲電路28B耦連前置放大器26A到 安裝在印刷電路板上的其它控制電路26B。隨著致動器臂36旋轉(zhuǎn)，第 二彎曲電路28B彎曲以幫助致動器臂36的運(yùn)動。在替代性實(shí)施例中， 前置放大器與其它的控制電路26B集成，以使得彎曲電路28A直接耦連磁頭24到安裝在印刷電路板上的控制電路26B。
0012彎曲電路28A可包括用于傳送任何合適差分信號的電引線。 在一個實(shí)施例中，磁頭24包括磁阻(MR)磁頭，該磁阻磁頭包括具 有第一差分信號接口 (例如，32A和32B)的寫入元件以及具有第二 差分信號接口 (例如，34A和34B)的讀取元件。如上所述，期望的 是降低傳送差分信號的電引線的阻抗以增加功率效率和信號的信噪比
(SNR)。該阻抗可以通過增加電引線之間的電容來降低，在圖2B示 出的實(shí)施例中，該阻抗由于襯底30的增加電容而降低。然而，為了充 分利用襯底30的電容性電介質(zhì)屬性，在一個實(shí)施例中，第一電引線(例 如，32A)與第二電引線(例如，32B)基本對準(zhǔn)。
0013圖3A—3H示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制作彎曲電路28A的 方法，從而基本對準(zhǔn)傳送差分信號的電引線。參考圖3A，電涂層40 被施加到合適的襯底30 (例如，聚酰亞胺)的第一表面，其中電涂層 40可包括任何合適的材料，諸如包括銅、銅鈹合金、鎳或其組合物的 金屬合金。合適的光致抗蝕劑42 (諸如合適的聚酰亞胺)被施加在電 涂層40上，以及掩膜44被放置在光致抗蝕劑42上(圖3B)。合適 的輻射源(例如，紫外光或可見光)被指向第一表面以固化沒有被掩 膜44所覆蓋的光致抗蝕劑42。參考圖3C，未被固化的光致抗蝕劑42 和下面的電涂層40使用合適的蝕刻溶液(諸如酸性氯化鐵)來去除(蝕 刻)。然后使用合適的溶液比如有機(jī)溶劑(例如，二氯甲垸)來去除 圖3C中示出的被固化的光致抗蝕劑42 (圖3D)，留下圖2B中示出 的第一電引線32A。
0014如上文參考圖3A—3D所述，在蝕刻施加在襯底30的第一 側(cè)上的電涂層40以形成第一電引線32A的步驟期間，如果采用正性光 致抗蝕劑，掩膜44可能被顛倒。在該實(shí)施例中，光致抗蝕劑42的掩 膜部分在顯影時被固化，而未掩膜(和未固化)的光致抗蝕劑42連同 如圖3所示的下面電涂層40 —起被去除。
0015現(xiàn)在接著圖3E，襯底30被翻轉(zhuǎn)以使第二側(cè)朝上，并且光致 抗蝕劑46被施加在第二側(cè)上。如圖3E所示，襯底30的第一側(cè)接著被 照射，從而第一電引線32A遮掩射線通過襯底30以防止固化施加于襯 底30的第二側(cè)上的光致抗蝕劑46，由此在襯底的第二側(cè)上形成未固化的光致抗蝕劑和固化的光致抗蝕劑。在該實(shí)施例中，襯底30充分透明 以穿過射線，而第一引線32A遮掩射線。參考圖3F，未固化的光致抗 蝕劑46從襯底30的第二側(cè)去除以形成溝槽48。參考圖3G，使用任何 合適的技術(shù)比如合適的沉積工藝(例如，液浴電鍍工藝或?yàn)R射工藝)， 溝槽48被充滿導(dǎo)電材料50。如圖3H所示，圖3G所示的固化光致抗 蝕劑46接著被去除，從而形成圖2B中示出的第二電引線32B。0016如圖3H示出的，第一電引線32A與第二電引線32B基本對 準(zhǔn)，從而襯底30形成電容電介質(zhì)。在一個實(shí)施例中，與圖1B的現(xiàn)有 技術(shù)中示出的空氣電介質(zhì)相比，襯底30的電容性電介質(zhì)增加了電引線 32A和32B的電容。電容的增加降低了電引線的阻抗從而增加功率效 率和差分信號的信噪比(SNR)。
權(quán)利要求
1. 一種制作磁盤驅(qū)動器的彎曲電路的方法，所述磁盤驅(qū)動器包括磁盤、在所述磁盤上方徑向致動的磁頭以及控制電路，其中所述彎曲電路用于電耦連所述磁頭到所述控制電路并且包括襯底，所述方法包括蝕刻被施加到所述襯底的第一側(cè)的電涂層以形成第一電引線；用射線照射所述襯底的所述第一側(cè)以便所述第一電引線遮掩通過所述襯底的所述射線以防止固化被施加到所述襯底的所述第二側(cè)的光致抗蝕劑，從而在所述襯底的所述第二側(cè)上形成未固化的光致抗蝕劑和固化的光致抗蝕劑；從所述襯底的所述第二側(cè)去除所述未固化的光致抗蝕劑以形成溝槽；以及使用導(dǎo)電材料填充溝槽以形成第二電引線。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一電引線與所述第二電 弓I線基本對準(zhǔn)以使得所述襯底形成電容性電介質(zhì)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述襯底包括聚酰亞胺。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述聚酰亞胺充分透明以通過 所述射線。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述射線包括紫外線。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述射線包括可見光。
7. —種磁盤驅(qū)動器，其包括磁盤；在所述磁盤上方徑向致動的磁頭； 控制電路；以及用于電耦連所述磁頭到所述控制電路的彎曲電路，所述彎曲電路包括襯底；耦連到所述襯底的第一側(cè)的第一電引線，其中所述第一電引線 可操作以引導(dǎo)差分信號的第一信號；耦連到所述襯底的第二側(cè)的第二電引線，其中所述第二電引線 可操作以引導(dǎo)所述差分信號的第二信號；以及其中所述第一電引線提供用于蝕刻所述第二電引線的蝕刻掩 膜并且所述第一電引線與所述第二電引線基本對準(zhǔn)以使得所述襯底形成 電容性電介質(zhì)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁盤驅(qū)動器，其中所述襯底包括聚酰亞胺。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁盤驅(qū)動器，其中所述聚酰亞胺充分透明 以通過固化射線。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁盤驅(qū)動器，其中所述射線包括紫外線。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁盤驅(qū)動器，其中所述射線包括可見光。
12. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁盤驅(qū)動器，其進(jìn)一步包括致動器臂，其中所述磁頭被耦連到所述致動器臂的末端；所述控制電路包括安裝在所述致動器臂上的前置放大器電路；以及所述彎曲電路用于電耦連所述磁頭到所述前置放大器電路。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁盤驅(qū)動器，其中所述控制電路被安裝在 印刷電路板上。
全文摘要
公開了一種用于磁盤驅(qū)動器的彎曲電路的制作方法，該磁盤驅(qū)動器包括磁盤、在所述磁盤上方徑向致動的磁頭以及控制電路。該彎曲電路用來電耦連磁頭到控制電路并且包括襯底。被施加在襯底的第一側(cè)的電涂層被蝕刻以形成第一電引線。襯底的第一側(cè)被射線照射以致第一電引線遮掩通過襯底的射線以防止對施加在襯底的第二側(cè)的光致抗蝕劑進(jìn)行固化，從而在襯底的第二側(cè)上形成未固化的光致抗蝕劑和固化的光致抗蝕劑。未固化的光致抗蝕劑被從襯底的第二側(cè)去除以形成溝槽，以及該溝槽被導(dǎo)電材料填充以形成第二電引線。
文檔編號G11B5/48GK101425297SQ20081016902
公開日2009年5月6日 申請日期2008年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月1日
發(fā)明者D·W·霍格 申請人:西部數(shù)據(jù)技術(shù)公司