專利名稱：一種熔絲電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及的是一種熔絲電路，特別涉及的是一種低功率損耗的熔絲電路。
技術(shù)背景請參閱圖1，圖1為一般熔絲電路(FuseCircuit)100的示意圖。如圖1所示， 熔絲電路100包含有一電壓建立模組110與閂鎖器120。電壓建立模組IIO用來 根據(jù)熔絲I1的熔斷狀態(tài)，用來在節(jié)點A上建立一電壓電位；而閂鎖器120便接著 對節(jié)點A上所建立的電壓電位進行閂鎖處理，以產(chǎn)生一輸出信號。一般來說，熔絲II是在熔絲電路100的初始設(shè)定(initial setting)時決定其熔斷 狀態(tài)，換句話說，使用者可在其初始設(shè)定時，決定是否要熔斷熔絲Il，以使瑢絲 電路100具有不同的輸出。而輸入至電壓建立模組110的晶體管P3的初始設(shè)定信號PU如圖1所示，其 在初始設(shè)定時具有一低電壓電位，而在初始設(shè)定后具有一高電壓電位。因此，在 初始設(shè)定時，晶體管P3(PMOS)會導(dǎo)通，而在初始設(shè)定后，晶體管P3便會形成斷 路。由于熔絲所具有的電阻一般遠小于晶體管P3所具有的等效阻抗，因此，節(jié)點 A的電壓會由熔絲的狀態(tài)所決定。換句話說，當(dāng)初始設(shè)定時，若熔絲Il沒有熔斷， 那么熔絲II便會與第二參考電壓源Vss形成一通路，因此節(jié)點A的電壓電位便會 被拉低至Vss;另一方面，若熔絲I1在初始設(shè)定時被熔斷，那么由于晶體管P3 與第一參考電壓源Vdd也形成一通路，因此節(jié)點A的電壓電位便會被拉升至Vdd。而閂鎖器120便接著將節(jié)點A的電壓電位加以閂鎖，以產(chǎn)生一對應(yīng)的輸出。 閂鎖器120是由一反相器(由晶體管N1、 Pl構(gòu)成)以及一反饋晶體管P2構(gòu)成。如 果當(dāng)熔絲I1未熔斷時，熔絲I1可以將節(jié)點A的電壓電位拉低為Vss，如圖l所 示，如此一來，輸出便對應(yīng)為高電壓Vdd，并且此時晶體管P2不導(dǎo)通，以確保節(jié) 點A的電壓電位Vss。如果當(dāng)熔絲I1熔斷而初始設(shè)定信號PU為低電位時，節(jié)點 A的電壓電位為Vdd，而閂鎖器120的輸出則對應(yīng)低電壓電位Vss，并且此時晶
體管P2導(dǎo)通，以確保節(jié)點A的電壓電位Vdd。然而，前述的熔絲電路架構(gòu)具有一些缺點。首先，在初始設(shè)定時，若熔絲Il無須熔斷，那么熔絲I1與晶體管P3均在此時導(dǎo)通，這意味著電壓建立模組110 會通過一個相當(dāng)大的直流電流，進而增加熔絲電路100的消耗功率。此外，若在 初始設(shè)定時，熔絲I1并未完全熔斷，那么當(dāng)熔絲電路100進行一般運作時，便會 有一漏電流通過未完全熔斷的熔絲II與晶體管P2，更進一步的增加了熔絲電路 100的消耗功率，且也導(dǎo)致初始設(shè)定失敗。為了解決上述的問題，在此請參閱圖2，圖2為另一一般熔絲電路200的示 意圖。如圖2所示，熔絲電路200在熔絲I1與節(jié)點A之間增加了一晶體管 N2(NM0S)。如此一來，在初始設(shè)定時，由于晶體管N2會形成斷路，因此便不會 有電流通過熔絲Il，便解決了前述的一個問題。然而，熔絲電路200的架構(gòu)又衍生出了另一個問題，由于一般熔絲電路200 是以相當(dāng)大的數(shù)量建置在積體電路之中(譬如建置在DRAM中)，因此對于每個熔 絲電路200，皆必須額外設(shè)置一個晶體管N2，無疑地花費了更多的制造成本；此 外，對于漏電流通過未完全熔斷的熔絲I1與晶體管P2的問題，熔絲電路200仍 然沒有提出一個好的解決方式。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的之一在于提供一種低功率損耗的熔絲電路，以解決前述的問題。根據(jù)本發(fā)明之一實施例，是一種熔絲電路(fuse circuit),其用來依據(jù)一初始設(shè) 定信號輸出一輸出信號，初始設(shè)定信號包含一設(shè)定區(qū)間與一正常運作區(qū)間。熔絲 電路包含至少一熔絲電路單元與一電流阻斷模組。熔絲電路單元包含一電壓建立模組與一閂鎖器(latch)。該電壓建立模組耦接 至一第一參考電壓源，電壓建立模組包含一可選擇性熔斷的熔絲，其具有一第一 端與一第二端，該第一端耦接于一節(jié)點，且其中該電壓建立模組根據(jù)該熔絲的熔 斷狀態(tài)，在該節(jié)點建立一電壓電位。閂鎖器利用該節(jié)點耦接至電壓建立模組，用 來將該節(jié)點所對應(yīng)的電壓電位進行閂鎖操作，以產(chǎn)生該輸出信號。而電流阻斷模組耦接在一第二參考電壓源與熔絲的第二端之間，用來在初始 設(shè)定信號的設(shè)定區(qū)間阻斷流經(jīng)該熔絲的電流。再者，本發(fā)明的另一目的在于提供一種熔絲電路。依據(jù)本發(fā)明之一實施例，
是一種熔絲電路(fuse circuit),其用來依據(jù)一初始設(shè)定信號產(chǎn)生一輸出信號，該初始設(shè)定信號包含一設(shè)定區(qū)間與一正常運作區(qū)間。該熔絲電路包含一電壓建立模組 與一閂鎖器(latch)。該電壓建立模組耦接至一第一參考電壓源與一第一節(jié)點之間，且其包含一可 選擇性地熔斷的熔絲。該熔絲耦接在第一節(jié)點與一第二節(jié)點之間，其中電壓建立 模組根據(jù)熔絲的熔斷狀態(tài)，用來在第二節(jié)點建立一電壓電位。而閂鎖器耦接至該第二節(jié)點，用來將該第二節(jié)點所對應(yīng)的該電壓電位進行閂 鎖操作，以產(chǎn)生該輸出信號。其中，第一節(jié)點還接收一控制信號，該控制信號在初始設(shè)定信號的設(shè)定區(qū)間 為浮動電位，控制信號在初始設(shè)定信號的正常運作區(qū)間的一第一區(qū)間為一第三電 壓電位，且第一區(qū)間位于設(shè)定區(qū)間之后。為了實現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是一種熔絲電路，其其是依據(jù)一初始設(shè)定信號輸出一輸出信號，所述的初始設(shè) 定信號包含一設(shè)定區(qū)間與一正常運作區(qū)間，所述的熔絲電路包含 至少一熔絲電路單元，所述的熔絲電路單元包含一電壓建立模組，耦接至一第一參考電壓源，所述的電壓建立模組包含 一可選擇性熔斷的熔絲，其具有一第一端與一第二端，所述的第一端耦接于一節(jié)點，所述的電壓建立模組是根據(jù)所述的熔絲的熔斷狀態(tài)，在所述的節(jié)點建立一電壓電位；以及一閂鎖器(latdl)，其通過所述的節(jié)點耦接至所述的電壓建立模組，用來將所 述的節(jié)點所對應(yīng)的電壓電位進行閂鎖操作，以產(chǎn)生所述的輸出信號；以及一電流阻斷模組，耦接于一第二參考電壓源與所述的熔絲的第二端之間，用 來在所述的初始設(shè)定信號的設(shè)定區(qū)間阻斷流經(jīng)所述的熔絲的電流。本發(fā)明采用的技術(shù)方案還包括一種熔絲電路(fuse circuit),其是依據(jù)一初始設(shè)定信號產(chǎn)生一輸出信號，所述 的初始設(shè)定信號包含一設(shè)定區(qū)間與一正常運作區(qū)間，所述的熔絲電路包含一電壓建立模組，耦接至一第一參考電壓源與一第一節(jié)點之間，其特征在于，所述的電壓建立模組包含一可選擇性地熔斷的镕絲，耦接于所述的第一節(jié)點與一第二節(jié)點之間，所述 的電壓建立模組根據(jù)所述的熔絲的熔斷狀態(tài)，用來在所述的第二節(jié)點建立一電壓
電位；以及一閂鎖器(latch)，其耦接至所述的第二節(jié)點，用來將所述的第二節(jié)點所對應(yīng) 的電壓電位進行閂鎖操作，以產(chǎn)生所述的輸出信號；其中所述的第一節(jié)點接收一控制信號，所述的控制信號在所述的初始設(shè)定信 號所述的設(shè)定區(qū)間為浮動電位，所述的控制信號在所述的初始設(shè)定信號所述的正 常運作區(qū)間的一第一區(qū)間為一第三電壓電位，且所述的第一區(qū)間位于所述的設(shè)定 區(qū)間之后。通過實施上述技術(shù)方案，本發(fā)明熔絲電路可以在低成本下，消除熔絲電路在 初始設(shè)定的直流電流，進而達成低功率消耗的目的，且也可于正常運作時消除熔 絲電路的漏電流，更進一步降低功率的消耗。


圖1為一般的一熔絲電路的示意圖；圖2為一般的另一熔絲電路的示意圖；圖3為本發(fā)明熔絲電路的一第一實施例的示意圖；圖4為具有多個熔絲電路單元的熔絲電路的示意圖；圖5為本發(fā)明熔絲電路的一第二實施例的示意圖；圖6為本發(fā)明熔絲電路的一第三實施例的示意圖；圖7為本發(fā)明熔絲電路的一第四實施例的示意圖。附圖標(biāo)記說明100、 200、 300、 400、 500、 600、 700-熔絲電路；120、 320、 520、 620-閂鎖器；110、 310、 510、 610-電壓建立模組；300a、 500a-熔絲電路單元；300b、 500b-電流阻斷模組；PU-初始設(shè)定信號；輸出信號-O; Il-熔絲；A、 B-節(jié)點；a-第一端；b-第二端；Pl、 P2、 P3-PMOS晶體管；NS 、 Nl、 N2、 N3-NMOS晶體管；Vdd-第一參考電壓源；Vss-第二參考電壓源；FC-控制信號。
具體實施方式
圖3為本發(fā)明熔絲電路300的一第一實施例的示意圖。如圖3所示，熔絲電 路300包含有一熔絲電路單元300a與一電流阻斷模組300b。該熔絲電路300用 來根據(jù)一初始設(shè)定信號PU輸出一輸出信號O，且初始設(shè)定信號PU包含一設(shè)定區(qū) 間與一正常運作區(qū)間。
熔絲電路單元300a包含有一電壓建立模組310與一閂鎖器320。電壓建立模 組310用來根據(jù)可選擇性熔斷的熔絲I1的熔斷狀態(tài)，在節(jié)點A上建立一電壓電位。 其中熔絲ii具有一第一端a與一第二端b;而閂鎖器320便接著對節(jié)點A上所建 立的電壓電位進行閂鎖操作，以產(chǎn)生一輸出信號。其中，由圖示可知，閂鎖器320 的晶體管Pl與Nl的連接將構(gòu)成一反相器。在此請注意，電流阻斷模組300b用來在初始設(shè)定信號PU的設(shè)定區(qū)間，阻斷 通過熔絲I1的電流，以降低熔絲電路300的功率消耗。在此，由于各元件的耦接 方式已在圖3顯示，故不在此另述。此外，如圖3所示，在初始設(shè)定時(即位于初始設(shè)定信號PU的設(shè)定區(qū)間)，初 始設(shè)定信號PU對應(yīng)一低電壓電位，而在初始設(shè)定之后(即位于初始設(shè)定信號PU 的正常運作區(qū)間)，初始設(shè)定信號PU對應(yīng)一高電壓電位。而在本實施例中，電流 阻斷模組300b包含有一晶體管NS(NMOS)，其耦接于第二參考電壓源Vss與熔絲 II的第二端b之間。在此請注意，晶體管P3與晶體管NS皆作為開關(guān)使用，其柵 極皆耦接至初始設(shè)定信號PU，其中晶體管P3其耦接于第一參考電壓源Vdd與節(jié) 點A之間，晶體管P3為第一開關(guān)模組，晶體管NS為第二開關(guān)模組；因此，晶體 管P3與晶體管NS根據(jù)初始設(shè)定信號PU的電壓電位來決定其導(dǎo)通狀況。其中， 晶體管P3為一 P型金氧半場效應(yīng)管PMOS;晶體管NS為一 N型金氧半場效應(yīng)管 NMOS。而熔絲電路300的運作如下所述。在初始設(shè)定信號PU的設(shè)定區(qū)間，晶體管 P3導(dǎo)通而與第一參考電壓源Vdd形成一通路，因此節(jié)點A的電壓電位便會被拉 升至Vdd;然而，由于晶體管NS為一NMOS，因此其在初始狀態(tài)時不導(dǎo)通，形 成斷路，因此便阻斷了通過熔絲Il的電流。換言之，在本實施例中，電壓建立模 組310在初始設(shè)定信號PU的設(shè)定區(qū)間并不會有大量的直流電流通過，因此解決 了一般技術(shù)的問題。在本實施例中，若熔絲I1在初始設(shè)定信號PU的設(shè)定區(qū)間被熔斷，則在初始 設(shè)定結(jié)束后(初始設(shè)定信號PU正常運作區(qū)間)晶體管P3與熔絲I1皆形成斷路， 因此節(jié)點A的電壓電位便會維持在初始設(shè)定結(jié)束時的第一參考電壓源Vdd;而另 一方面，若熔絲I1在初始設(shè)定信號PU的設(shè)定區(qū)間并未熔斷，那么在初始設(shè)定結(jié) 束后(初始設(shè)定信號PU的正常運作區(qū)間)，由于晶體管NS會導(dǎo)通而與熔絲II形成 一通路，因此節(jié)點A的電壓便會被熔絲Il與晶體管NS迅速地拉低至第二參考電
壓源Vss。接著，其后的閂鎖器320便可將節(jié)點A的電壓電位加以閂鎖，以根據(jù) 節(jié)點A的電壓電位來產(chǎn)生一對應(yīng)輸出。在此請注意，閂鎖器320與一般技術(shù)的閂 鎖器120具有相同的電路結(jié)構(gòu)與操作，閂鎖器320包括一反相器，其耦接節(jié)點A， 以產(chǎn)生輸出信號；以及一第三開關(guān)模組P2，該第三開關(guān)模組P2的一第一端耦接 至節(jié)點A與上述反相器的一輸入端，其一第二端耦接該反相器的一輸出端。該反 相器由晶體管P1和晶體管N1組成。舉例來說，在本實施例中，閂鎖器320的輸 出信號O也為節(jié)點A的反向信號，并且若節(jié)點A的信號對應(yīng)電壓電位Vdd時， 閂鎖器320便會將該電壓電位Vdd加以閂鎖。另外，由于晶體管NS耦接于第二參考電壓源Vss與熔絲Il之間，因此熔絲 電路300可具有另一個優(yōu)點。請參閱圖4，圖4為具有多個烙絲電路單元300a的 熔絲電路400的示意圖。如前所述，由于在積體電路(DRAM)中，可能需要建置 大量的熔絲電路單元300a，其個數(shù)視實際需要而定，以作為修補電路(repair circuit) 之用。然而，如圖4所示，對于整體熔絲電路400來說，本發(fā)明并無須在每個熔 絲電路單元300a之中均增加一個晶體管NS(總共N個)，而只須使用一個晶體管 NS，便可在初始設(shè)定時，阻斷所有熔絲電路400中全部熔絲電路單元300a的直 流電流。換句話說，請同時參考圖3、圖4，該電流阻斷模組300b(本實施例的晶 體管NS)耦接于第二參考電壓源Vss與該多個熔絲電路單元300a中每一熔絲II 的第二端b之間，所以每個鉻絲電路單元300a可共用同一個電流阻斷模組300b， 如此一來，本發(fā)明可以在低成本的前提下(只增加一個晶體管NS)，成功地消除初 始設(shè)定信號PU的設(shè)定區(qū)間的直流電流。須注意的是，雖然前述的電流阻斷模組300b是以一NMOS實現(xiàn)的，然而， 本發(fā)明并不以此為限，在實際應(yīng)用上，只須其能在初始設(shè)定信號PU的設(shè)定區(qū)間 形成斷路，并且在初始設(shè)定信號PU的正常運作區(qū)間導(dǎo)通，電流阻斷模組可以利 用各式各樣的電路元件實現(xiàn)(譬如開關(guān)或繼電器等等)，如此的相對應(yīng)變化，也屬 本發(fā)明的范疇。請參閱圖5，圖5為本發(fā)明一第二實施例的熔絲電路500的示意圖。熔絲電 路500包含一熔絲電路單元500a與一電流阻斷單元500b。而熔絲電路單元500a 包含一閂鎖器520與一電壓建立模組510。在此請注意，熔絲電路500與熔絲電 路300具有類似的功能與操作。其差異為在熔絲電路500中，可選擇性地熔斷 的熔絲I1耦接至節(jié)點A與第一參考電壓源Vdd之間，而--晶體管N3 (第一開關(guān)
模組)耦接在第二參考電壓源VSS與節(jié)點A之間，此外，輸入至晶體管N3的控制信號為初始設(shè)定信號PU的反向信號^7。因此，當(dāng)熔絲ii在反向信號Z7的設(shè)定區(qū)間熔斷時，節(jié)點A可建立一低電壓電位；而當(dāng)熔絲未熔斷時，在初始設(shè)定后 (反向信號^7的正常運作區(qū)間)節(jié)點A則建立起一高電壓電位；而電流阻斷模組500b(晶體管PS或第二開關(guān)模組)也用來在反向信號^的設(shè)定區(qū)間，阻斷通過熔 絲I1的電流，以降低熔絲電路500的功率消耗。其中晶體管N3為一N型金氧半 場效應(yīng)管NMOS，晶體管PS為一 P型金氧半場效應(yīng)管PMOS。而閂鎖器520則根據(jù)電壓建立模組510的架構(gòu)而相對應(yīng)地修改，因此，在本 實施例中，為了將通過晶體管N3建立的低電壓電位Vss加以閂鎖，因此反饋的 晶體管N2(第三開關(guān)模組)便修改為連接至第二參考電壓源Vss的NMOS。至此， 此領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)可理解熔絲電路500的運作原理與相關(guān)功能，故不在此另 述。請參閱圖6，圖6為本發(fā)明一第三實施例的熔絲電路600的示意圖。如圖6 所示，熔絲電路600包含有一電壓建立模組610與一閂鎖器620;電壓建立模組 610用來根據(jù)可選擇性地熔斷的熔絲I1的熔斷狀態(tài)，在節(jié)點A上建立一電壓電位； 而閂鎖器620便接著對節(jié)點A上所建立的電壓電位進行閂鎖處理，以產(chǎn)生一輸出 信號。然而在本實施例中，熔絲I1耦接于第一節(jié)點B和第二節(jié)點A之間，且第一 節(jié)點B并非耦接至第二參考電壓源Vss，而是耦接至另一控制信號FC，而控制信 號FC則根據(jù)熔絲電路600所處的不同狀態(tài)而具有其對應(yīng)的電壓電位。初始設(shè)定 信號PU與控制信號FC的時序顯示在圖6中；在本實施例中，初始設(shè)定信號PU 分為設(shè)定區(qū)間與正常運作區(qū)間。而正常運作區(qū)間中進一步分為第一區(qū)間與第二區(qū) 間，其中第一區(qū)間位于設(shè)定區(qū)間之后，如圖6所示。初始設(shè)定信號PU在設(shè)定區(qū) 間對應(yīng)一低電壓電位，而在其后的正常運作區(qū)間則對應(yīng)一高電壓電位；另一方面， 控制信號FC在設(shè)定區(qū)間與第二區(qū)間對應(yīng)一浮動電位，且在第一區(qū)間為對應(yīng)一低 電壓電位(第三電壓電位)。熔絲電路600的運作如下所述。一金氧半場效應(yīng)管P3耦接于所述的第一參考 電壓源Vdd與第二節(jié)點A之間，首先，在設(shè)定區(qū)間時，晶體管P3導(dǎo)通，因此節(jié) 點A的電壓會被拉升至Vdd。此時，若熔絲Il已在初始設(shè)定的設(shè)定區(qū)間熔斷，那么在初始設(shè)定結(jié)束之后(正
常運作區(qū)間)，節(jié)點A便會對應(yīng)高電壓電位Vdd;另一方面，若熔絲I1并未在設(shè) 定區(qū)間熔斷，那么在正常運作區(qū)間的第一區(qū)間內(nèi)，節(jié)點A便會通過熔絲I1耦接至 對應(yīng)低電壓電位的控制信號FC，因此節(jié)點A便會被拉低至低電壓電位。在此請注意，有別于第一實施例的熔絲電路300，其在熔絲I1不熔斷時，節(jié) 點A的電壓會持續(xù)的耦接至參考電壓源Vss而維持在電壓電位Vss;但在本實施 例中，第二節(jié)點A的電壓卻僅在第一區(qū)間內(nèi)，由控制信號FC加以拉低。因此， 為了保險起見，其后的閂鎖器620為一全閂鎖器(fulllatch)，其包含有兩個輸出端 與輸入端相互耦接的反相器。為了區(qū)分，將這兩個反相器分為第一反相器和第二 反相器，其中該第一反相器，具有一第一輸入端與一第一輸出端，該第一輸入端 耦接至第一節(jié)點A;第二反相器，具有一第二輸入端與一第二輸出端，該第二輸入端耦接至第一反相器的第一輸出端，該第二輸出端耦接至第一節(jié)點A;閂鎖器620在該第一輸出端產(chǎn)生輸出信號0。全閂鎖器代表著無論節(jié)點A的電壓對應(yīng)高電壓電位或低電壓電位，閂鎖器620 皆可將其加以閂鎖，以維持節(jié)點A的電壓電位。如此一來，閂鎖器620便可根據(jù) 節(jié)點A的電壓電位來產(chǎn)生一對應(yīng)輸出。在此請注意，在本實施例中，閂鎖器620 是輸出節(jié)點A的反向信號，以作為熔絲電路600的輸出。由于控制信號FC除了在第一區(qū)間之外，設(shè)定區(qū)間和第二區(qū)間均對應(yīng)浮動電 位，且第二區(qū)間位于第一區(qū)間之后，因此在設(shè)定區(qū)間時，不會有直流電流流過熔 絲Il，而在第一區(qū)間時，由于晶體管P3形成斷路，也不會有直流電流；如此可 知，在設(shè)定區(qū)間電壓建立模組610并不會發(fā)生一般直流電流流過的問題。此外， 若在設(shè)定區(qū)間時，熔絲I1并未完全熔斷，則因為在第二區(qū)間控制信號FC仍對應(yīng) 浮動電位，因此也不會有電流流過熔絲I1;換言之，在第二區(qū)間，并不會有來自 晶體管P2的漏電流流經(jīng)熔絲II，進而解決了一般漏電流的問題。在此請注意，本發(fā)明并未限制第一區(qū)間的持續(xù)時間，原則上，只須持續(xù)時間 足以使節(jié)點A的電壓拉低，使其足以驅(qū)動閂鎖器620即可。此外，對于節(jié)點B而 言，雖然在前述的實施例之中，節(jié)點B耦接于一控制信號FC，然而，這樣的作 法僅為本發(fā)明的一實施例，而非本發(fā)明的限制。在實際應(yīng)用上，節(jié)點B可以利用 一切換電路，根據(jù)前述的時序選擇性地浮接或耦接至參考電壓源Vss上，如此的 相對應(yīng)變化，也屬本發(fā)明的范疇。圖7為本發(fā)明一第四實施例的熔絲電路700的示意圖?；旧?，熔絲電路700
的功能與操作與熔絲電路600大致上相同，其不同之處在于熔絲電路700改用晶 體管N3(NMOS)以替代晶體管P3，而晶體管N3則耦接于參考電壓源Vss與節(jié)點 A之間。因此，其所采用的控制信號便要相對應(yīng)地設(shè)定為前述初始設(shè)定信號PU 與FC的反向信號^7與元；至此，此領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)可理解其功能與運作， 故其詳細操作并不在此另述。相較于一般的技術(shù)，在本發(fā)明的一實施例中，本發(fā)明熔絲電路可以在低成本 的前提下，可消除熔絲電路在初始設(shè)定的直流電流，進而達成低功率消耗的目的;而在本發(fā)明的另一實施例中，本發(fā)明不但可以消除熔絲電路在初始設(shè)定的直流電 流，也可消除熔絲電路正常運作時的漏電流，更降低了功率消耗。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，對本發(fā)明而言僅僅是說明性的，而非限 制性的。本專業(yè)技術(shù)人員理解，在本發(fā)明權(quán)利要求所限定的精神和范圍內(nèi)可對其 進行許多改變，修改，甚至等效，如將觸控板改為觸控屏幕所作的種種變化實施, 但都將落入本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種熔絲電路，其其是依據(jù)一初始設(shè)定信號輸出一輸出信號，所述的初始設(shè)定信號包含一設(shè)定區(qū)間與一正常運作區(qū)間，其特征在于，所述的熔絲電路包含至少一熔絲電路單元，所述的熔絲電路單元包含一電壓建立模組，耦接至一第一參考電壓源，所述的電壓建立模組包含一可選擇性熔斷的熔絲，其具有一第一端與一第二端，所述的第一端耦接于一節(jié)點，所述的電壓建立模組是根據(jù)所述的熔絲的熔斷狀態(tài)，在所述的節(jié)點建立一電壓電位；以及一閂鎖器(latch)，其通過所述的節(jié)點耦接至所述的電壓建立模組，用來將所述的節(jié)點所對應(yīng)的電壓電位進行閂鎖操作，以產(chǎn)生所述的輸出信號；以及一電流阻斷模組，耦接于一第二參考電壓源與所述的熔絲的第二端之間，用來在所述的初始設(shè)定信號的設(shè)定區(qū)間阻斷流經(jīng)所述的熔絲的電流。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的熔絲電路，其特征在于其包含有多個所述的熔絲 電路單元，所述的電流阻斷模組耦接于所述的第二參考電壓源與所述的多個熔絲 電路單元中所述的每一熔絲的第二端之間。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的熔絲電路，其特征在于所述的電壓建立模組進一 步包含一第一開關(guān)模組，其耦接于所述的第一參考電壓源與所述的節(jié)點之間，用來 接收所述的初始設(shè)定信號，所述的第一開關(guān)模組在所述的初始設(shè)定信號所述的設(shè) 定區(qū)間導(dǎo)通，并在所述的初始設(shè)定信號所述的正常運作區(qū)間不導(dǎo)通。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的熔絲電路，其特征在于，所述的電流阻斷模組包含 一第二開關(guān)模組，其耦接于所述的第二參考電壓源與所述的熔絲的第二端之間，用來接收所述的初始設(shè)定信號，所述的第二開關(guān)模組在所述的初始設(shè)定信號 所述的設(shè)定區(qū)間不導(dǎo)通，并在所述的初始設(shè)定信號所述的正常運作區(qū)間導(dǎo)通。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的熔絲電路，其特征在于所述的第一開關(guān)模組與所 述的第二開關(guān)模組皆為金氧半場效應(yīng)管。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的熔絲電路，其特征在于所述的第一開關(guān)模組為一 N型金氧半場效應(yīng)管，其柵極耦接至所述的初始設(shè)定信號，所述的第二開關(guān)模組 為一 P型金氧半場效應(yīng)管，其柵極耦接至所述的初始設(shè)定信號。
7、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的熔絲電路，其特征在于所述的第一開關(guān)模組為一 P型金氧半場效應(yīng)管，其柵極耦接至所述的初始設(shè)定信號，以及所述的第二開關(guān) 模組為一N型金氧半場效應(yīng)管，其柵極耦接至所述的初始設(shè)定信號。
8、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的熔絲電路，其特征在于，所述的閂鎖器(latch)包含: 一反相器，其耦接所述的節(jié)點，以產(chǎn)生所述的輸出信號；以及一第三開關(guān)模組，所述的第三開關(guān)模組的一第一端耦接至所述的節(jié)點與所述 的反相器的一輸入端，所述的第三開關(guān)模組的一第二端耦接所述的反相器的一輸 出端。
9、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的熔絲電路，其特征在于所述的熔絲的第二端接收一控制信號，所述的控制信號在所述的初始設(shè)定信號的設(shè)定區(qū)間為浮動電位，所 述的控制信號在所述的初始設(shè)定信號的正常區(qū)間的一第一區(qū)間為一第三電壓電 位，所述的控制信號在所述的初始設(shè)定信號所述的正常區(qū)間的一第二區(qū)間為浮動 電位，且所述的第一區(qū)間位于所述的第二區(qū)間與所述的設(shè)定區(qū)間之間。
10、 一種熔絲電路(fuse circuit),其是依據(jù)一初始設(shè)定信號產(chǎn)生一輸出信號， 所述的初始設(shè)定信號包含一設(shè)定區(qū)間與一正常運作區(qū)間，其特征在于，所述的熔 絲電路包含一電壓建立模組，耦接至一第一參考電壓源與一第一節(jié)點之間，其特征在于，所述的電壓建立模組包含一可選擇性地熔斷的镕絲，耦接于所述的第一節(jié)點與一第二節(jié)點之間，所述 的電壓建立模組根據(jù)所述的熔絲的熔斷狀態(tài)，用來在所述的第二節(jié)點建立一電壓 電位；以及一閂鎖器(latch)，其耦接至所述的第二節(jié)點，用來將所述的第二節(jié)點所對應(yīng) 的電壓電位進行閂鎖操作，以產(chǎn)生所述的輸出信號；其中所述的第一節(jié)點接收一控制信號，所述的控制信號在所述的初始設(shè)定信 號所述的設(shè)定區(qū)間為浮動電位，所述的控制信號在所述的初始設(shè)定信號所述的正 常運作區(qū)間的一第一區(qū)間為一第三電壓電位，且所述的第一區(qū)間位于所述的設(shè)定 區(qū)間之后。
11、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的熔絲電路，其特征在于，所述的電壓建立模組進一步包含一開關(guān)模組，其耦接于所述的第一參考電壓電位與所述的第二節(jié)點之間，所 述的開關(guān)模組于所述的初始設(shè)定信號的設(shè)定區(qū)間導(dǎo)通，并于所述的初始設(shè)定信號 所述的正常運作區(qū)間不導(dǎo)通。
12、 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的熔絲電路，其特征在于所述的開關(guān)模組為一金 氧半場效應(yīng)管。
13、 根據(jù)權(quán)利要求IO項所述的熔絲電路，其特征在于所述的閂鎖器包含 一第一反相器，其具有一第一輸入端與一第一輸出端，所述的第一輸入端耦接至所述的第一節(jié)點；以及一第二反相器，其具有一第二輸入端與一第二輸出端，所述的第二輸入端耦 接至所述的第一反相器的第一輸出端，所述的第二輸出端耦接至所述的第一節(jié)點；其中所述的閂鎖器在所述的第一輸出端產(chǎn)生所述的輸出信號。
14、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的熔絲電路，其特征在于所述的控制信號在所述 的初始設(shè)定訊號的正常運作區(qū)間的一第二區(qū)間為浮動電位，且所述的第二區(qū)間位 于所述的第一區(qū)間之后。
全文摘要
本發(fā)明是一種熔絲電路，其包含有至少一熔絲電路單元以及一電流阻斷模組。該熔絲電路單元包含有一電壓建立模組，耦接至一第一參考電壓源，該電壓建立模組包含有一熔絲，其一端耦接于一節(jié)點，用來根據(jù)一初始設(shè)定信號選擇性地熔斷，其中該電壓建立模組是根據(jù)該熔絲的熔斷狀態(tài)，在該節(jié)點建立一電壓電位；以及一閂鎖器，利用該節(jié)點耦接至該電壓建立模組，用來將該節(jié)點所對應(yīng)的該電壓電位進行閂鎖操作，以產(chǎn)生該輸出信號。該電流阻斷模組耦接在一第二參考電壓源與該熔絲的另一端之間，用來在進行該初始設(shè)定時，阻斷流經(jīng)該熔絲的電流。
文檔編號G11C17/14GK101119108SQ20071015218
公開日2008年2月6日 申請日期2007年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月18日
發(fā)明者施正宗 申請人:鈺創(chuàng)科技股份有限公司