專利名稱：具反和邏輯型快閃記憶體的儲(chǔ)存裝置及其資訊儲(chǔ)存方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種儲(chǔ)存裝置及其資訊儲(chǔ)存方法，尤指一種運(yùn)用單級(jí)單元 式執(zhí)行架構(gòu)與多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)以儲(chǔ)存電子資訊的具反和邏輯型快閃記 憶體的儲(chǔ)存裝置及其資訊儲(chǔ)存方法。
背景技術(shù)：
快閃記憶體在市場(chǎng)上已廣泛使用于手機(jī)與數(shù)位相機(jī)等電子裝置中，一 般快閃記憶體多用做隨身碟或記憶卡，而快閃記憶體所搭配的介面主要為
USB或是各式記憶卡定義的介面?，F(xiàn)今快閃記憶體主要分為兩類一反或 (N0R)邏輯型(基于"Not-0R")與反和(NAND)邏輯型(基于"Not-AND")，反 或邏輯型快閃記憶體的平行架構(gòu)具有加速資料讀取與位元重寫的時(shí)間的特 性，而反和邏輯型快閃記憶體的記憶體單元(Memory cell)具有寫入/消除
速度上較快，資料寫入時(shí)耗電率較低，而且其記憶體單元陣列密度較高，能 提升晶片每平方公厘(sqmm)的記憶體容量的特性。
另外，快閃記憶體技術(shù)執(zhí)行架構(gòu)上可分為單級(jí)單元式 (SLC, Single-Level-Cell)、多級(jí)單元式(MLC， Multi-Leve卜Cell)與多位 單元式(MBC， Multi-Bit-Cell)。在使用記憶體單元的方式上，單級(jí)單元式 快閃記憶體裝置與EEPR0M相同,但在晶體管上浮置閘極(Floating gate) 與源極(Source)之中的氧化薄膜更薄。資料的寫入是透過對(duì)浮置閘極的電 荷加電壓，然后可透過源極將所儲(chǔ)存的電荷消除。藉由這樣的方式，便可 儲(chǔ)存一個(gè)個(gè)資訊位元(l代表消除，Q代表寫入)。此種單一位元細(xì)胞方式能 提供快速的程序編程與讀取。此方法受限于低硅效率(Silicon efficiency) 的問題，唯有透過先進(jìn)的流程強(qiáng)化技術(shù)(Process enhancements),才能提 升單級(jí)單元式裝置的應(yīng)用范圍。
多級(jí)單元式快閃記憶體則在浮置閘極中使用不同程度的電荷，因此能 在單一晶體管(transistor)中儲(chǔ)存二位元的資訊，并透過記憶體細(xì)胞的寫 入與感應(yīng)的控制，在單一晶體管中產(chǎn)生4層單元。此種方式的資料讀寫速 度中等，且需要最佳化的感應(yīng)電路(sensing circuitry)。
多位單元式快閃記憶體則將電荷(也就是資料位元)個(gè)別儲(chǔ)存在晶體管 中不同的兩端，而儲(chǔ)存的資料亦可個(gè)別加以讀取、寫入并消除。多位單元 式快閃記憶體將個(gè)別的二位元儲(chǔ)存于一個(gè)細(xì)胞體內(nèi)，所提供的架構(gòu)不僅成 本低，寫入/讀取的速度快，還有每單元儲(chǔ)存資料量密度高等優(yōu)點(diǎn)。
4近年來，由于為快閃記憶體技術(shù)成熟而使得其價(jià)格降至市場(chǎng)合理價(jià)位， 許多儲(chǔ)存裝置相關(guān)廠商便考量將快閃記憶體取代傳統(tǒng)硬盤部份或全部結(jié)
構(gòu)，如一種混合式硬盤(Hybrid Hard Disk Drive)則是將快閃記憶體與傳統(tǒng) 硬盤結(jié)合，利用快閃記憶體當(dāng)作是傳統(tǒng)硬盤的大型快取記憶體(cache);然 而，上述混合式硬盤仍是以傳統(tǒng)硬盤的碟片作為實(shí)體主要儲(chǔ)存裝置，無法完 全發(fā)揮快閃記憶體所具有寫入/讀取的速度快，資料寫入時(shí)耗電率較低，及 碰撞時(shí)不影響寫入/讀取的特性。
或有廠商以運(yùn)用單級(jí)單元式或多級(jí)單元式中單一種快閃記憶體完全取
代傳統(tǒng)硬盤的儲(chǔ)存裝置，俗稱固態(tài)硬盤，然而僅運(yùn)用單級(jí)單元式快閃記憶 體的固態(tài)硬盤雖具有寫入/讀取的速度快，資料寫入時(shí)耗電率較低，及碰撞 時(shí)不影響寫入/讀取的特性，但其每單元儲(chǔ)存資料量密度與傳統(tǒng)硬盤相較而 言過低，導(dǎo)致在相同容量狀態(tài)固態(tài)硬盤相較下，單級(jí)單元式快閃記憶體的 固態(tài)硬盤會(huì)有體積過大與成本過高的隱憂；而僅運(yùn)用多級(jí)單元式快閃記憶 體的固態(tài)硬盤雖能克服上述體積過大與成本過高的隱憂，卻有寫入/讀取的 速度較慢的缺陷。
另于1995年5月3日申請(qǐng)的美國(guó)第US5671388號(hào)專利"METHOD AND APPARATUS FOR PERFORMING WRITE OPERATIONS IN MULTI-LEVEL CELL STORAGE DEVICE",其揭露一種復(fù)合式儲(chǔ)存裝置，其可定義記憶體為單級(jí)單 元式或多級(jí)單元式，藉以兼具單級(jí)單元式與多級(jí)單元式快閃記憶體的優(yōu)點(diǎn)， 然由于此種復(fù)合式儲(chǔ)存裝置架構(gòu)限于可規(guī)畫記憶體為單級(jí)單元式或多級(jí)單 元式的快閃電子4未除式唯讀記憶體(flash EEPROM, flash Electrically Erasable Programmable Read—Only Memory), 而不能運(yùn)用于無法夫見畫i己憶 體為單級(jí)單元式或多級(jí)單元式的反和邏輯型快閃記憶體的記憶體單元，故
對(duì)于現(xiàn)今儲(chǔ)存裝置主流的反和邏輯型快閃記憶體而言，實(shí)有極大改進(jìn)空間。 由此可見，上述現(xiàn)有的快閃記憶體的儲(chǔ)存裝置顯然仍存在有不便與缺 陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi) 盡心思來謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而 一般產(chǎn)品及方法又沒有適切的結(jié)構(gòu)及方法能夠解決上述問題，此顯然是相 關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的具反和邏輯型快閃記憶 體的儲(chǔ)存裝置及其資訊儲(chǔ)存方法，實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前 業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。
有鑒于上述現(xiàn)有的快閃記憶體的儲(chǔ)存裝置存在的缺陷，本發(fā)明人基于 從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn) 用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的具反和邏輯型快閃記憶體的儲(chǔ)存 裝置及其資訊儲(chǔ)存方法，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的快閃記憶體的儲(chǔ)存裝置，使其 更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用<介值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的快閃記憶體的儲(chǔ)存裝置存在的缺 陷，而提供一種在于提供一種具反和邏輯型快閃記憶體的儲(chǔ)存裝置，所要解 決的技術(shù)問題是使其運(yùn)用 一單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)以提供資訊快速存取進(jìn)而 提升處理效能，并運(yùn)用一多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)以增加每單元儲(chǔ)存資料量密 度而達(dá)到降低每單位資訊的成本與體積，藉以平衡儲(chǔ)存裝置的成本、體積 與存取速度，非常適于實(shí)用。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種資訊儲(chǔ)存方法，所要解決的技術(shù)問題 是將如作業(yè)系統(tǒng)程序、應(yīng)用程序等重要資訊或存取次數(shù)頻繁的資訊儲(chǔ)存于 單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)以提高存取速度與處理效能，而將一般性資訊儲(chǔ)存于 多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)以降低每單位資訊的成本與體積，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù) 本發(fā)明提出的 一種具反和邏輯型快閃記憶體的儲(chǔ)存裝置，該儲(chǔ)存裝置包括
有 一單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)，其透過對(duì)一第一晶體管的浮置閘極的電荷施加 電壓以儲(chǔ)存單一位元資訊，且藉由對(duì)該第 一 晶體管的源極將所儲(chǔ)存的電荷 消除以抹除該單一位元資訊；及一多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)，其透過對(duì)一第二 晶體管的浮置閘極的復(fù)數(shù)相異電位電荷施加電壓以儲(chǔ)存二位元資訊，且藉 由對(duì)該第二晶體管的源極將所儲(chǔ)存的電荷消除以抹除該二位元資訊。 本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。 前述的具反和邏輯型快閃記憶體的儲(chǔ)存裝置，其中所述的多級(jí)單元式 執(zhí)行架構(gòu)作為一主要資訊儲(chǔ)存區(qū)，且該單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)作為一緩沖資 訊儲(chǔ)存區(qū)?！∏笆龅木叻春瓦壿嬓涂扉W記憶體的儲(chǔ)存裝置，其中所述的緩沖資訊儲(chǔ) 存區(qū)提供資訊優(yōu)先存取，直到該緩沖資訊儲(chǔ)存區(qū)的儲(chǔ)存空間不足時(shí)再將該 緩沖資訊儲(chǔ)存區(qū)的內(nèi)存資料更新到該主要資訊儲(chǔ)存區(qū)，最后釋放該緩沖資 訊儲(chǔ)存區(qū)的儲(chǔ)存空間。
前述的具反和邏輯型快閃記憶體的儲(chǔ)存裝置，其中所述的緩沖資訊儲(chǔ) 存區(qū)中釋放儲(chǔ)存空間是依照資訊被使用的頻率來決定優(yōu)先順序。
前述的具反和邏輯型快閃記憶體的儲(chǔ)存裝置，其中所述的緩沖資訊儲(chǔ) 存區(qū)中釋放儲(chǔ)存空間是當(dāng)該緩沖資訊儲(chǔ)存區(qū)內(nèi)存資訊在閑置一段時(shí)間沒有 存取之后，自行更新到該主要資訊儲(chǔ)存區(qū)上。
前述的具反和邏輯型快閃記憶體的儲(chǔ)存裝置，其中所述的多級(jí)單元式 執(zhí)行架構(gòu)作為 一第 一主要資訊儲(chǔ)存區(qū)及一第二主要資訊儲(chǔ)存區(qū)，且該單級(jí) 單元式執(zhí)行架構(gòu)作為一第一優(yōu)先資訊儲(chǔ)存區(qū)及一第二優(yōu)先資訊儲(chǔ)存區(qū)，并將該第 一主要資訊儲(chǔ)存區(qū)與第 一優(yōu)先資訊儲(chǔ)存區(qū)定義為 一第 一儲(chǔ)存槽，而 將該第二主要資訊儲(chǔ)存區(qū)與第二優(yōu)先資訊儲(chǔ)存區(qū)定義為 一第二儲(chǔ)存槽。
前述的具反和邏輯型快閃記憶體的儲(chǔ)存裝置，其中所述的儲(chǔ)存裝置搭 配一資訊儲(chǔ)存系統(tǒng)，該資訊儲(chǔ)存系統(tǒng)依據(jù)一優(yōu)先權(quán)設(shè)定將不同類別的資訊 定義出一優(yōu)先順序，且根據(jù)優(yōu)先順序決定資訊儲(chǔ)存于該單級(jí)單元式執(zhí)行架 構(gòu)與該多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)之其一。
,、、前述"具反和邏輯型快閃記憶，的:者存，置，，t7述的資訊,f系 及應(yīng)用程序。
前述的具反和邏輯型快閃記憶體的儲(chǔ)存裝置，其中所述的資訊儲(chǔ)存系 統(tǒng)將原儲(chǔ)存于該多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)且存取次數(shù)頻繁的資訊設(shè)為優(yōu)先儲(chǔ)存 于該單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)。
前述的具反和邏輯型快閃記憶體的儲(chǔ)存裝置，其中所述的資訊儲(chǔ)存系 統(tǒng)將原儲(chǔ)存于該多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)且存取次數(shù)頻繁的資訊轉(zhuǎn)儲(chǔ)存于該單 級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本 發(fā)明提出的 一種資訊儲(chǔ)存方法，適用于一具反和邏輯型快閃記憶體的儲(chǔ)存 裝置，該儲(chǔ)存裝置設(shè)有一提供單一位元資訊儲(chǔ)存的單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)及 一提供二位元資訊儲(chǔ)存的多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)，其特征在于，該資訊儲(chǔ)存方
法包含有取得一資訊；依據(jù)一優(yōu)先權(quán)設(shè)定將該資訊定義出一優(yōu)先順序，該 優(yōu)先順序決定該資訊儲(chǔ)存于該單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)或該多級(jí)單元式執(zhí)行架 構(gòu)的順序；及取得該單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)與該多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)內(nèi)的剩 余儲(chǔ)存空間狀態(tài)，并根據(jù)該資訊的優(yōu)先順序決定將該資訊儲(chǔ)存于該單級(jí)單 元式執(zhí)行架構(gòu)與該多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)之其一。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的資訊儲(chǔ)存方法，該優(yōu)先權(quán)設(shè)定將高優(yōu)先順序指向該單級(jí)單元式 執(zhí)行架構(gòu)，藉以令具高優(yōu)先順序的該資訊優(yōu)先儲(chǔ)存于該單級(jí)單元式執(zhí)行架 構(gòu)的剩余儲(chǔ)存空間。
前述的資訊儲(chǔ)存方法，該優(yōu)先權(quán)設(shè)定將低優(yōu)先順序指向該多級(jí)單元式 執(zhí)行架構(gòu)，藉以令具低優(yōu)先順序的該資訊優(yōu)先儲(chǔ)存于該多級(jí)單元式執(zhí)行架 構(gòu)的剩余儲(chǔ)存空間。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案 可知，本發(fā)明提供一種具反和邏輯型快閃記憶體的儲(chǔ)存裝置，包括有 一單 級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)，透過對(duì)一第一晶體管的浮置閘極的電荷施加電壓以儲(chǔ) 存單一位元資訊，且藉由對(duì)該晶體管的源極將所儲(chǔ)存的電荷消除以抹除該 單一位元資訊；及一多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)，透過對(duì)一第二晶體管的浮置閘極的復(fù)數(shù)相異電位電荷施加電壓以儲(chǔ)存二位元資訊，且藉由對(duì)該晶體管的 源極將所儲(chǔ)存的電荷消除以抹除該二位元資訊。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種資訊儲(chǔ)存方法，適用于一具反 和邏輯型快閃記憶體的儲(chǔ)存裝置，該儲(chǔ)存裝置設(shè)有一提供單一位元資訊儲(chǔ) 存的單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)及一提供二位元資訊儲(chǔ)存的多級(jí)單元式執(zhí)行架
構(gòu)，包含有取得一資訊;依據(jù)一優(yōu)先權(quán)設(shè)定將該資訊定義出一優(yōu)先順序，該 ,先順序決定該，iK儲(chǔ)，于，單級(jí)，，式執(zhí)，架:勾或，多級(jí)，，，執(zhí)行，
余儲(chǔ)存空間狀態(tài)，并根據(jù)該資訊的優(yōu)先順序決定將該資訊儲(chǔ)存于該單級(jí)單 元式執(zhí)行架構(gòu)與該多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)之其一，
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明具反和邏輯型快閃記憶體的儲(chǔ)存裝置及其 資訊儲(chǔ)存方法至少具有下列優(yōu)點(diǎn)及有益效果由于本發(fā)明具反和邏輯型快 閃記憶體的儲(chǔ)存裝置運(yùn)用該單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)以提供資訊快速存取進(jìn)而 提升處理效能，并運(yùn)用該多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)以增加每單元儲(chǔ)存資料量密 度而達(dá)到降低每單位資訊的成本與體積，藉以平衡儲(chǔ)存裝置整體的成本、體 積與存取速度；此夕卜，本發(fā)明的資訊儲(chǔ)存方法則提供如作業(yè)系統(tǒng)程序、應(yīng)用 程序等重要資訊或存取次數(shù)頻繁的資訊儲(chǔ)存于單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)，進(jìn)而 提高上述重要資訊或存取次數(shù)頻繁資訊的存取速度與處理效能， 一般性資 訊則儲(chǔ)存于多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)以降低儲(chǔ)存裝置整體的每單位資訊成本與 體積。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和 其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附 圖，詳細(xì)說明如下。


圖1為本發(fā)明一第一較佳實(shí)施例的架構(gòu)方塊示意圖。 圖2為本發(fā)明一第二較佳實(shí)施例的架構(gòu)方塊示意圖。 圖3為本發(fā)明一第三較佳實(shí)施例的流程示意圖一。 圖4為本發(fā)明一第三較佳實(shí)施例的流程示意圖二。 圖5為本發(fā)明一第三較佳實(shí)施例的流程示意圖三。
具體實(shí)施例方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功 效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的具反和邏輯型快閃記 憶體的儲(chǔ)存裝置及其資訊儲(chǔ)存方法其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、方法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)i兌明如后。請(qǐng)參閱圖l所示，為本發(fā)明一第一較佳實(shí)施例的架構(gòu)方塊示意圖，如圖所示本發(fā)明提供一種具反和(NAND)邏輯型快閃記憶體的儲(chǔ)存裝置，包括 有一單級(jí)單元式(SLC， Single-Level-Cell)執(zhí)行架構(gòu)10,透過對(duì)一第 一晶體管(圖中未示)的浮置閘極(F 1 oa t i ng ga t e)的電荷施加電壓以儲(chǔ)存單 一位元資訊，且藉由對(duì)該第一晶體管的源極(Source)將所儲(chǔ)存的電荷消除 以抹除該單一位元資訊；及一多級(jí)單元式(MLC， Multi-Level-Cell)執(zhí)行架構(gòu)20，透過對(duì)一第二 晶體管(圖中未示)的浮置閘極的復(fù)數(shù)相異電位電荷施加電壓以儲(chǔ)存二位元 資訊，且藉由對(duì)該第二晶體管的源極將所儲(chǔ)存的電荷消除以抹除該二位元 資訊，上述反和邏輯型快閃記憶體、單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)10與多級(jí)單元式 執(zhí)行架構(gòu)20的實(shí)體物理結(jié)構(gòu)與電路結(jié)構(gòu)已為習(xí)知，非為本發(fā)明限定項(xiàng)目， 以下不再贅述。藉此，本發(fā)明具反和邏輯型快閃記憶體的儲(chǔ)存裝置運(yùn)用該單級(jí)單元式 執(zhí)行架構(gòu)10以提供資訊快速存取進(jìn)而提升處理效能，并運(yùn)用該多級(jí)單元式 執(zhí)行架構(gòu)20以增加每單元儲(chǔ)存資料量密度而達(dá)到降低每單位資訊的成本與 體積，藉以平衡儲(chǔ)存裝置整體的成本、體積與存取速度。該多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)20于邏輯層設(shè)有一主要(MASTER)資訊儲(chǔ)存區(qū)3, 藉以取代傳統(tǒng)硬盤的磁片，且該單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)10于邏輯層設(shè)有一緩 沖(BUFFER)資訊儲(chǔ)存區(qū)4,該緩沖資訊儲(chǔ)存區(qū)4用以取代傳統(tǒng)硬盤內(nèi)如快取 記憶體(cache memory)的緩沖儲(chǔ)存裝置，其作動(dòng)方式如下所述當(dāng)讀取資 料時(shí)，使用者的作業(yè)系統(tǒng)會(huì)先尋找該緩沖資訊儲(chǔ)存區(qū)4,如果沒有搜尋到才 至該主要資訊儲(chǔ)存區(qū)3讀取，而當(dāng)寫入資料時(shí)，使用者的作業(yè)系統(tǒng)優(yōu)先寫 入該緩沖資訊儲(chǔ)存區(qū)4，由于該緩沖資訊儲(chǔ)存區(qū)4的寫入速度較快，所以在 使用者端的作業(yè)系統(tǒng)將可以很快的結(jié)束寫入的動(dòng)作而從事其他工作，一直 到當(dāng)該緩沖資訊儲(chǔ)存區(qū)4的儲(chǔ)存空間不足時(shí)再將該緩沖資訊儲(chǔ)存區(qū)4的內(nèi) 存資料更新到該主要資訊儲(chǔ)存區(qū)3,然后釋放該緩沖資訊儲(chǔ)存區(qū)4的儲(chǔ)存空 間以便使用者的作業(yè)系統(tǒng)后續(xù)使用，資料從該緩沖資訊儲(chǔ)存區(qū)4中釋放的 原則可以是依照資料被使用的頻率來決定優(yōu)先順序，另外一種方式是當(dāng)該 緩沖資訊儲(chǔ)存區(qū)4的資料在閑置一段時(shí)間沒有存取之后，由韌體以背景的 方式自行更新到該主要資訊儲(chǔ)存區(qū)3上。請(qǐng)參閱圖2所示，為本發(fā)明一第二較佳實(shí)施例的架構(gòu)方塊示意圖，本實(shí) 施例與第一較佳實(shí)施例的差異處在于該多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)20于邏輯層設(shè) 有一第一主要資訊儲(chǔ)存區(qū)30及一第二主要資訊儲(chǔ)存區(qū)32,且該單級(jí)單元式 執(zhí)行架構(gòu)10于邏輯層設(shè)有一第一優(yōu)先資訊儲(chǔ)存區(qū)40及一第二優(yōu)先資訊儲(chǔ)存區(qū)42,并將該第一主要資訊儲(chǔ)存區(qū)30與第一優(yōu)先資訊儲(chǔ)存區(qū)40定義為 一第一儲(chǔ)存槽A(disk)，而將該第二主要資訊儲(chǔ)存區(qū)32與第二優(yōu)先資訊儲(chǔ) 存區(qū)42定義為一第二儲(chǔ)存槽B。另外，該儲(chǔ)存裝置可搭配一資訊儲(chǔ)存系統(tǒng)(圖中未示)，該資訊儲(chǔ)存系 統(tǒng)依據(jù)一優(yōu)先權(quán)設(shè)定將不同類別的資訊定義出 一優(yōu)先順序，且根據(jù)優(yōu)先順 序決定資訊儲(chǔ)存于該單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)10與該多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)20 之其一，舉例而言，該資訊儲(chǔ)存系統(tǒng)將如作業(yè)系統(tǒng)(Operating System)程 序與應(yīng)用程序(Application Program)的重要資訊設(shè)為優(yōu)先儲(chǔ)存于該單級(jí)單 元式執(zhí)行架構(gòu)10，亦可將原儲(chǔ)存于該多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)20且存取次數(shù)頻 繁的資訊轉(zhuǎn)設(shè)其優(yōu)先順序，而令存取次數(shù)頻繁的資訊設(shè)為優(yōu)先儲(chǔ)存于該單 級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)10并隨后轉(zhuǎn)存于該多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)20。請(qǐng)參閱圖3所示，為本發(fā)明一第三較佳實(shí)施例的流程示意圖一，如圖所示本實(shí)施例提供一種資訊儲(chǔ)存方法，適用于一上述具反和邏輯型快閃記 憶體的儲(chǔ)存裝置，該資訊儲(chǔ)存方法包含有 取得一資訊S1;依據(jù)一優(yōu)先權(quán)設(shè)定將該資訊定義出一優(yōu)先順序S2,該優(yōu)先順序決定該 資訊儲(chǔ)存于該單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)10或該多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)20的順序； 及取得該單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)10與該多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)20內(nèi)的剩余 儲(chǔ)存空間狀態(tài)S3，并根據(jù)該資訊的優(yōu)先順序決定將該資訊儲(chǔ)存于該單級(jí)單 元式執(zhí)行架構(gòu)10與該多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)20之其一 S4。舉例而言，若該優(yōu)先權(quán)設(shè)定將高優(yōu)先順序指向該單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu) 10,藉以令具高優(yōu)先順序的資訊(如上述作業(yè)系統(tǒng)程序、應(yīng)用程序或存取次 數(shù)頻繁等)優(yōu)先儲(chǔ)存于該單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)10的剩余儲(chǔ)存空間，且將低優(yōu) 先順序指向該多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)20,藉以令具低優(yōu)先順序的資訊(如一般 資訊)優(yōu)先儲(chǔ)存于該多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)20的剩余儲(chǔ)存空間，第4圖表示 具高優(yōu)先順序的資訊經(jīng)上述步驟S1、 S2后，再判別該單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu) 10的剩余儲(chǔ)存空間是否足以儲(chǔ)存該筆高優(yōu)先順序的資訊S30,若是，則將該 筆資訊儲(chǔ)存于該單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)10(S40)，若否，則將該筆資訊儲(chǔ)存于 該多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)20的剩余儲(chǔ)存空間(S42),第5圖表示具低優(yōu)先順 序的資訊經(jīng)上述步驟Sl、 S2后，再判別該多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)20的剩余 儲(chǔ)存空間是否足以儲(chǔ)存該筆低優(yōu)先順序的資訊S32，若是，則將該筆資訊儲(chǔ) 存于該多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)20(S42),若否，則將該筆資訊儲(chǔ)存于該單級(jí)單 元式執(zhí)行架構(gòu)10的剩余儲(chǔ)存空間(S40)。藉此，運(yùn)用本發(fā)明的資訊儲(chǔ)存方法，即可將如作業(yè)系統(tǒng)程序、應(yīng)用程序等重要資訊或存取次數(shù)頻繁的資訊儲(chǔ)存于單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)io，進(jìn)而 提高上述重要資訊或存取次數(shù)頻繁資訊的存取速度與處理效能， 一般性資訊則儲(chǔ)存于多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)20以降低儲(chǔ)存裝置整體的每單位資訊成本 與體積。綜上所述，由于本發(fā)明具反和邏輯型快閃記憶體的儲(chǔ)存裝置運(yùn)用該單 級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)10以提供資訊快速存取進(jìn)而提升處理效能，并運(yùn)用該多 級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)20以增加每單元儲(chǔ)存資料量密度而達(dá)到降低每單位資訊 的成本與體積，藉以平衡儲(chǔ)存裝置整體的成本、體積與存取速度；此外，本 發(fā)明的資訊儲(chǔ)存方法則提供如作業(yè)系統(tǒng)程序、應(yīng)用程序等重要資訊或存取 次數(shù)頻繁的資訊儲(chǔ)存于單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)10，進(jìn)而提高上述重要資訊或 存取次數(shù)頻繁資訊的存取速度與處理效能， 一般性資訊則儲(chǔ)存于多級(jí)單元 式執(zhí)行架構(gòu)20以降低儲(chǔ)存裝置整體的每單位資訊成本與體積。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式 上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利 用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí) 施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以 上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方 案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種具反和邏輯型快閃記憶體的儲(chǔ)存裝置，其特征在于，該儲(chǔ)存裝置包括有一單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)(10)，其透過對(duì)一第一晶體管的浮置閘極的電荷施加電壓以儲(chǔ)存單一位元資訊，且藉由對(duì)該第一晶體管的源極將所儲(chǔ)存的電荷消除以抹除該單一位元資訊；及一多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)(20)，其透過對(duì)一第二晶體管的浮置閘極的復(fù)數(shù)相異電位電荷施加電壓以儲(chǔ)存二位元資訊，且藉由對(duì)該第二晶體管的源極將所儲(chǔ)存的電荷消除以抹除該二位元資訊。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的儲(chǔ)存裝置，其特征在于該多級(jí)單元式執(zhí)行架 構(gòu)(20)作為一主要資訊儲(chǔ)存區(qū)(3),且該單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)(IO)作為一緩 沖資訊儲(chǔ)存區(qū)(4)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的儲(chǔ)存裝置，其特征在于該緩沖資訊儲(chǔ)存區(qū)(4) 提供資訊優(yōu)先存取，直到該緩沖資訊儲(chǔ)存區(qū)(4)的儲(chǔ)存空間不足時(shí)再將該緩 沖資訊儲(chǔ)存區(qū)(4)的內(nèi)存資料更新到該主要資訊儲(chǔ)存區(qū)(3)，最后釋放該緩 沖資訊儲(chǔ)存區(qū)(4)的儲(chǔ)存空間。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的儲(chǔ)存裝置，其特征在于該緩沖資訊儲(chǔ)存區(qū)(4) 中釋放儲(chǔ)存空間是依照資訊被使用的頻率來決定優(yōu)先順序。
5、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的儲(chǔ)存裝置，其特征在于該緩沖資訊儲(chǔ)存區(qū)(4) 中釋放儲(chǔ)存空間是當(dāng)該緩沖資訊儲(chǔ)存區(qū)(4)內(nèi)存資訊在閑置一段時(shí)間沒有 存取之后，自行更新到該主要資訊儲(chǔ)存區(qū)(3)上。
6、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的儲(chǔ)存裝置，其特征在于該多級(jí)單元式執(zhí)行架 構(gòu)(20)作為一第一主要資訊儲(chǔ)存區(qū)(30)及一第二主要資訊儲(chǔ)存區(qū)(32)，且 該單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)(IO)作為一第一優(yōu)先資訊儲(chǔ)存區(qū)(40)及一第二優(yōu)先 資訊儲(chǔ)存區(qū)(42),并將該第一主要資訊儲(chǔ)存區(qū)(30)與第一優(yōu)先資訊儲(chǔ)存區(qū) (40)定義為一第一儲(chǔ)存槽(A),而將該第二主要資訊儲(chǔ)存區(qū)(32)與第二優(yōu)先 資訊儲(chǔ)存區(qū)(42)定義為一第二儲(chǔ)存槽(B)。
7、 根據(jù)權(quán)利要求l、 2、 3、 4、 5或6所述的儲(chǔ)存裝置，其特征在于該 儲(chǔ)存裝置搭配一資訊儲(chǔ)存系統(tǒng)，該資訊儲(chǔ)存系統(tǒng)依據(jù)一優(yōu)先權(quán)設(shè)定將不同 類別的資訊定義出一優(yōu)先順序，且根據(jù)優(yōu)先順序決定資訊儲(chǔ)存于該單級(jí)單 元式執(zhí)行架構(gòu)(10)與該多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)(20)之其一。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的儲(chǔ)存裝置，其特征在于該資訊儲(chǔ)存系統(tǒng)將下 述類別資訊設(shè)為優(yōu)先儲(chǔ)存于該單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)(10):作業(yè)系統(tǒng)程序及 應(yīng)用程序。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的儲(chǔ)存裝置，其特征在于該資訊儲(chǔ)存系統(tǒng)將原儲(chǔ)存于該多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)(20)且存取次數(shù)頻繁的資訊設(shè)為優(yōu)先儲(chǔ)存于 該單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)(10)。
10、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的儲(chǔ)存裝置，其特征在于該資訊儲(chǔ)存系統(tǒng)將 原儲(chǔ)存于該多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)(20)且存取次數(shù)頻繁的資訊轉(zhuǎn)儲(chǔ)存于該單 級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)(IO)。
11、 一種資訊Y者存方法，適用于一具反和邏輯型快閃記憶體的儲(chǔ)存裝 置，該儲(chǔ)存裝置設(shè)有一提供單一位元資訊儲(chǔ)存的單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)(10) 及一提供二位元資訊儲(chǔ)存的多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)(20)，其特征在于，該資訊 儲(chǔ)存方法包含有取得一資訊；依據(jù)一優(yōu)先權(quán)設(shè)定將該資訊定義出一優(yōu)先順序，該優(yōu)先順序決定該資 訊儲(chǔ)存于該單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)(10)或該多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)(20)的順序；及取得該單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)(10)與該多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)(20)內(nèi)的剩余儲(chǔ)存空間狀態(tài)，并根據(jù)該資訊的優(yōu)先順序決定將該資訊儲(chǔ)存于該單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)(10)與該多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)(20)之其一。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的資訊儲(chǔ)存方法，其特征在于該優(yōu)先權(quán)設(shè)定 將高優(yōu)先順序指向該單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)(10)，藉以令具高優(yōu)先順序的該 資訊優(yōu)先儲(chǔ)存于該單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)(10)的剩余儲(chǔ)存空間。
13、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的資訊儲(chǔ)存方法，其特征在于該優(yōu)先權(quán)設(shè)定 將低優(yōu)先順序指向該多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)(20),藉以令具低優(yōu)先順序的該 資訊優(yōu)先儲(chǔ)存于該多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)(20)的剩余儲(chǔ)存空間。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種具反和邏輯型快閃記憶體的儲(chǔ)存裝置及其資訊儲(chǔ)存方法。該具反和邏輯型快閃記憶體的儲(chǔ)存裝置運(yùn)用一單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)以提供資訊快速存取進(jìn)而提升處理效能，并運(yùn)用一多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)以增加每單元儲(chǔ)存資料量密度而達(dá)到降低每單位資訊的成本與體積；該資訊儲(chǔ)存方法將如作業(yè)系統(tǒng)程序、應(yīng)用程序等重要資訊或存取次數(shù)頻繁的資訊儲(chǔ)存于單級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)以提高存取速度與處理效能，而將一般性資訊儲(chǔ)存于多級(jí)單元式執(zhí)行架構(gòu)以降低每單位資訊的成本與體積。
文檔編號(hào)G11C16/00GK101281787SQ20071009076
公開日2008年10月8日 申請(qǐng)日期2007年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月2日
發(fā)明者章耀勛, 龔榮華 申請(qǐng)人:宇瞻科技股份有限公司