專利名稱：測(cè)量nand閃存器件中的通道升壓電壓的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及NAND閃存器件。更具體地，本發(fā)明涉及一種測(cè)量通道升壓電壓的方法，所述方法用于估計(jì)NAND閃存器件的編程干擾特性。
背景技術(shù)：
NAND閃存器件包括多個(gè)單元塊。
單元塊具有單元串101和102，其中用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的多個(gè)單元串聯(lián)連接；漏極選擇晶體管110，其連接在單元串101、102和位線BL之間；以及源極選擇晶體管120，其連接在單元串101、102和共源極線CSL之間。這里，單元串101和102的數(shù)目與位線BL的數(shù)目相同。因此，漏極選擇晶體管110和源極選擇晶體管120中的每一個(gè)的數(shù)目與單元串101和102的數(shù)目相同。
第一偏壓通過字線WL被施加到單元的柵極以便操作單元，并且第二偏壓通過位線BL被提供給漏極選擇晶體管110的漏極。另外，第三偏壓通過共源極線CSL被施加到源極選擇晶體管120的源極。
另一方面，在NAND閃存器件的單元中，其中隧道氧化膜、浮動(dòng)?xùn)艠O、介電膜和控制柵極被層壓的柵極形成在半導(dǎo)體基片的區(qū)域中的給定區(qū)域上。另外，接合部形成在半導(dǎo)體基片的第一部分上。這里，該第一部分對(duì)應(yīng)于柵極兩側(cè)的較低部分。
為了編程或擦除單元，上述NAND閃存器件使用FN隧穿在單元的浮動(dòng)?xùn)艠O中注入電子，或者使用FN隧穿從浮動(dòng)?xùn)艠O排出電子。這里，對(duì)塊的單元執(zhí)行擦除，并且對(duì)選擇單元執(zhí)行編程。
為了對(duì)NAND閃存器件中的選擇單元M11進(jìn)行編程，大約18V的編程電壓被施加到選擇的字線Selected WL，并且大約8V的傳遞電壓(passvoltage)被提供給未被選擇的字線Pass WL。進(jìn)一步地，地電壓Vss被施加到選擇的位線Selected BL，并且電源電壓Vcc被施加到未被選擇的位線Unselected BL。這里，電源電壓Vcc被施加到漏極選擇線DSL，并且地電壓Vss被提供給源極選擇線SSL。此外，電源電壓Vcc被施加到共源極線CSL，并且地電壓Vss被提供給阱(體)。
在這種情況下，編程電壓被施加到與未被選擇的位線Unselected BL相關(guān)的單元M14的控制柵極。然而，通道以與編程電壓、傳遞電壓以及從位線BL提供的預(yù)充電電壓之間的耦合相對(duì)應(yīng)的電壓速率被升壓。
升壓通道具有的電壓，亦即通道升壓電壓，防止了與未被選擇的位線Unselected BL相關(guān)的單元的FN隧穿，從而防止了編程干擾。
另一方面，傳遞電壓被施加到的單元可能被編程。這被稱為傳遞干擾。這里，所述單元是與選擇的位線Selected BL相關(guān)的單元中的一個(gè)。
在圖1中，單元M11是將要被編程的單元，單元M12和M13是傳遞干擾單元，并且單元M14是編程干擾單元。
對(duì)于產(chǎn)品的開發(fā)，重要的是保證NAND閃存器件中的編程干擾特性。
諸如編程電壓、傳遞電壓、漏極選擇晶體管的閾值電壓、泄漏電流GIDL(通道泄漏電流)、通道電容、編程時(shí)間、編程N(yùn)OP的數(shù)目等等的因素對(duì)編程干擾特性有影響。
另外，通道升壓電壓取決于所述因素而被確定。因此，可以在測(cè)量了通道升壓電壓的情況下估計(jì)編程干擾特性。
然而，在常規(guī)技術(shù)中并不存在測(cè)量通道升壓電壓的方法。這是因?yàn)楫?dāng)通道被檢查(或探測(cè))以便測(cè)量通道升壓電壓時(shí)，它從浮動(dòng)狀態(tài)變成接地狀態(tài)，所以通道升壓電壓根據(jù)轉(zhuǎn)換的狀態(tài)而改變。
亦即，由于在連接探針尖以便測(cè)量通道升壓電壓的情況下，通道升壓電壓通過探針而被放電，所以通道升壓電壓沒有被測(cè)量，直到在產(chǎn)品中發(fā)現(xiàn)故障位為止。具體地，經(jīng)驗(yàn)證，只有當(dāng)在產(chǎn)品中發(fā)現(xiàn)故障位時(shí)，NAND閃存器件中才存在其中通道升壓電壓通過一定泄漏電流而被減小的單元。因此，不能及時(shí)實(shí)現(xiàn)過程的最優(yōu)化。
所以，現(xiàn)有技術(shù)通過仿真來測(cè)量通道升壓電壓，因此難以預(yù)測(cè)被通道的泄漏電流改變的通道升壓電壓。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)特征是提供一種測(cè)量通道升壓電壓的方法。具體地，在具有恒定電平的傳遞電壓被提供給擦除單元中的未選擇單元的條件下，根據(jù)施加到選擇單元的傳遞電壓的變化來測(cè)量傳遞干擾的閾值電壓。隨后，在具有恒定電平的編程電壓被提供給擦除單元中的選擇單元的條件下，根據(jù)施加到未選擇單元的傳遞電壓的變化來測(cè)量編程干擾的閾值電壓。然后，通過使用當(dāng)傳遞干擾的閾值電壓與編程干擾的閾值電壓相同時(shí)所施加的傳遞偏壓，來測(cè)量通道升壓電壓。結(jié)果，當(dāng)執(zhí)行編程操作時(shí)，通道升壓電壓被準(zhǔn)確監(jiān)視。因此，可以容易地檢測(cè)編程干擾特性，并且同樣可以容易地分析良率和故障。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)例實(shí)施例的一種測(cè)量NAND閃存器件中的通道升壓電壓的方法包括將具有恒定電平的傳遞偏壓施加到擦除單元中的未選擇單元，并且根據(jù)施加到選擇單元的第一傳遞偏壓的電平來測(cè)量擦除單元中的選擇單元的第一閾值電壓；將編程偏壓施加到擦除單元中的選擇單元，并且根據(jù)施加到擦除單元中的未選擇單元的第二傳遞偏壓的電平來測(cè)量選擇單元的第二閾值電壓；檢測(cè)當(dāng)具有與編程操作中所施加的傳遞偏壓相同的電平的第二傳遞偏壓被施加時(shí)所測(cè)量的第二閾值電壓，并且檢測(cè)當(dāng)?shù)谝婚撝惦妷号c第二閾值電壓相同時(shí)所施加的第一傳遞偏壓的電平；以及通過使用檢測(cè)的第一傳遞偏壓的電平來測(cè)量通道升壓電壓。
檢測(cè)第一閾值電壓的步驟包括關(guān)于每個(gè)存儲(chǔ)單元執(zhí)行擦除操作；將具有恒定電平的傳遞偏壓施加到未選擇單元，并且將第一傳遞偏壓施加到選擇單元；測(cè)量第一閾值電壓；以及改變第一傳遞偏壓的電平。這里，執(zhí)行、施加、測(cè)量以及改變的步驟被重復(fù)地執(zhí)行，直到第一傳遞偏壓的電平與目標(biāo)電平相同為止。在這種情況下，第一閾值電壓為選擇單元的閾值電壓。
測(cè)量第二閾值電壓的步驟包括關(guān)于每個(gè)存儲(chǔ)單元執(zhí)行擦除操作；將具有恒定電平的編程偏壓施加到選擇單元，并且將第二傳遞偏壓施加到未選擇單元；測(cè)量第二閾值電壓；以及改變第一傳遞偏壓的電平。這里，執(zhí)行、施加、測(cè)量以及改變的步驟被重復(fù)地執(zhí)行，直到第二傳遞偏壓的電平與目標(biāo)電平相同為止。在這種情況下，第二閾值電壓為選擇單元的閾值電壓。
第一傳遞偏壓和第二傳遞偏壓被施加大約30μs到大約40μs的時(shí)間，并且在大約1.5V和大約14.5V的范圍內(nèi)變化。
編程偏壓具有大約21V。
該方法進(jìn)一步包括在執(zhí)行擦除操作之后測(cè)量存儲(chǔ)單元的閾值電壓。
通道升壓電壓等于編程電壓減去檢測(cè)的第一傳遞偏壓。
如上所述，在測(cè)量通道升壓電壓的方法中，在具有一定電平的傳遞電壓被提供給擦除單元中的未選擇單元的條件下，根據(jù)施加到選擇單元的傳遞電壓的變化來測(cè)量傳遞干擾的閾值電壓。隨后，在具有一定電平的編程電壓被提供給擦除單元中的選擇單元的條件下，根據(jù)施加到未選擇單元的傳遞電壓的變化來測(cè)量編程干擾的閾值電壓。然后，通過使用當(dāng)傳遞干擾的閾值電壓與編程干擾的閾值電壓相同時(shí)所施加的傳遞偏壓，來測(cè)量通道升壓電壓。結(jié)果，當(dāng)執(zhí)行編程操作時(shí)，通道升壓電壓被準(zhǔn)確監(jiān)視。因此，可以容易地檢測(cè)編程干擾特性，并且同樣可以容易地分析良率和故障。
另外，當(dāng)測(cè)試產(chǎn)品時(shí)，可以準(zhǔn)確并早期地驗(yàn)證預(yù)期故障的過程，因此可以減少開發(fā)產(chǎn)品所需的時(shí)間和費(fèi)用。
進(jìn)一步，可以提高良率，因?yàn)轭A(yù)期故障的過程在產(chǎn)品的測(cè)試之前就得到驗(yàn)證。此外，由于具有故障的產(chǎn)品在測(cè)試之前被篩出，所以可以減少測(cè)試費(fèi)用。


圖1是圖示與對(duì)NAND閃存器件中的單元進(jìn)行編程的通用方法有關(guān)的電路的視圖；圖2是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)例實(shí)施例的測(cè)量NAND閃存器件的通道升壓電壓的方法的流程圖；圖3是圖示與根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)例實(shí)施例的測(cè)量通道升壓電壓的方法中的測(cè)量傳遞干擾的閾值電壓的方法有關(guān)的電路的視圖；圖4是圖示與根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)例實(shí)施例的測(cè)量通道升壓電壓的方法中的測(cè)量編程干擾的閾值電壓的方法有關(guān)的電路的視圖；以及圖5是圖示與根據(jù)傳遞干擾和編程干擾的閾值電壓的變化有關(guān)的曲線的視圖。
具體實(shí)施例方式
圖2是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的測(cè)量NAND閃存器件的通道升壓電壓的方法的流程圖。
參考圖2，測(cè)量通道升壓電壓的方法包括對(duì)傳遞干擾的閾值電壓進(jìn)行測(cè)量的步驟S201到S209、對(duì)編程干擾的閾值電壓進(jìn)行測(cè)量的步驟S211到S219、以及對(duì)通道升壓電壓進(jìn)行測(cè)量的步驟S221和S223。
在下文中，將參考附圖詳細(xì)地描述這些步驟S201到S223。
對(duì)傳遞干擾的閾值電壓進(jìn)行測(cè)量的過程圖3是圖示與根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)例實(shí)施例的測(cè)量通道升壓電壓的方法中的測(cè)量傳遞干擾的閾值電壓的方法有關(guān)的電路的視圖。
參考圖2和圖3，在步驟S201中，執(zhí)行關(guān)于存儲(chǔ)單元的擦除操作，然后測(cè)量擦除存儲(chǔ)單元的閾值電壓。
在步驟S203中，例如0V的地電壓被施加到位線BL，并且具有例如8.5V的恒定電平的傳遞偏壓被提供給單元串中的那些單元之中的未選擇單元。另外，第一傳遞偏壓從例如1.5V的低電平被施加到單元串中的那些單元之中的選擇單元。
在步驟S205中，在例如50μs或更少的用于共同編程操作(commonprogram operation)的時(shí)間已過去之后，測(cè)量選擇單元的第一閾值電壓。
在步驟S207中，確定第一傳遞偏壓是否增大到了測(cè)量傳遞干擾的第一閾值電壓所需的例如14.5V的電壓(在下文中被稱為“第一電壓”)。
在步驟S209中，在第一傳遞偏壓沒有增大到第一電壓的情況下，調(diào)整第一傳遞偏壓的電平。具體地，以0.1V和2.0V之間的一個(gè)電壓的步長(zhǎng)增量來增加第一傳遞偏壓的電平。隨后，執(zhí)行步驟S201，然后在步驟S203中，將已改變的第一傳遞偏壓施加到選擇單元。接著，在步驟S205中測(cè)量傳遞干擾的第一閾值電壓，然后確定第一傳遞偏壓是否增大到了第一電壓。亦即，重復(fù)地執(zhí)行步驟S201到S209，直到第一偏壓增大到第一電壓為止(亦即在第一傳遞偏壓小于第一電壓期間)。
簡(jiǎn)言之，利用增加的第一傳遞偏壓來測(cè)量第一閾值電壓。然而，可以利用減小的第一傳遞偏壓來測(cè)量第一閾值電壓。例如，可以利用從14.5V減小到1.5V的第一傳遞偏壓來測(cè)量第一閾值電壓。
亦即，作為目標(biāo)電壓的第一電壓為1.5V。在這種情況下，重復(fù)地執(zhí)行步驟S201到S209，直到第一傳遞偏壓具有第一電壓為止(亦即在第一傳遞偏壓高于第一電壓期間)，以便測(cè)量第一閾值電壓。
在第一閾值電壓的測(cè)量完成的情況下，如下所述地測(cè)量編程干擾的第二閾值電壓。
對(duì)編程干擾的閾值電壓進(jìn)行測(cè)量的過程圖4是圖示與根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)例實(shí)施例的測(cè)量通道升壓電壓的方法中的測(cè)量編程干擾的閾值電壓的方法有關(guān)的電路的視圖。
參考圖2和圖4，在步驟S211中，執(zhí)行關(guān)于存儲(chǔ)單元的擦除操作，然后測(cè)量擦除存儲(chǔ)單元的閾值電壓。
在步驟S213中，例如Vcc的電源電壓被施加到位線BL，并且具有例如21V的恒定電平的編程偏壓被提供給選擇單元。另外，第二傳遞偏壓從例如1.5V的低電平被施加到單元串中的那些單元之中的未選擇單元。這里，以大約21V的高電壓來施加編程偏壓，以便關(guān)于單元的編程干擾被充分執(zhí)行，亦即單元具有-2V以上的閾值電壓。
在步驟S215中，在例如不大于50μs的用于共同編程操作的時(shí)間已過去之后，測(cè)量選擇單元的第二閾值電壓。
在步驟S217中，確定第二傳遞偏壓是否增大到了測(cè)量編程干擾的第二閾值電壓所需的例如14.5V的電壓(在下文中被稱為“第二電壓”)。
在步驟S219中，在第二傳遞偏壓沒有增加到第二電壓的情況下，調(diào)整第二傳遞偏壓的電平。具體地，以0.1V和2.0V之間的電壓的步長(zhǎng)來增加第二傳遞偏壓的電平。隨后，執(zhí)行步驟S211，然后在步驟S213中，將具有改變電平的第二傳遞偏壓施加到未選擇單元。接著，在步驟S217中測(cè)量編程干擾的第二閾值電壓，然后確定第二傳遞偏壓是否增大到了第二電壓。亦即，重復(fù)地執(zhí)行步驟S211到S219，直到第二偏壓增大到第二電壓為止(亦即在第二傳遞偏壓小于第二電壓期間)。
簡(jiǎn)言之，利用增加的第二傳遞偏壓來測(cè)量第二閾值電壓。然而，可以利用減小的第二傳遞偏壓來測(cè)量第二閾值電壓。例如，可以利用從14.5V減小到1.5V的第二傳遞偏壓來測(cè)量第二閾值電壓。
換言之，作為目標(biāo)電壓的第二電壓為1.5V。在這種情況下，重復(fù)地執(zhí)行步驟S211到S219，直到第二傳遞偏壓具有第二電壓為止(亦即在第二傳遞偏壓高于第二電壓期間)，以便測(cè)量第二閾值電壓。
在第二閾值電壓的測(cè)量完成的情況下，如下所述地測(cè)量通道升壓電壓。
對(duì)通道升壓電壓進(jìn)行測(cè)量的過程圖5是圖示與根據(jù)傳遞干擾和編程干擾的閾值電壓的變化有關(guān)的曲線的視圖。
參考圖2和圖5，曲線A指示通過以下測(cè)量的選擇單元的閾值電壓的變化將具有21V的編程偏壓施加到擦除單元的選擇單元的柵極以便測(cè)量編程干擾，并且將傳遞偏壓可變地施加到未選擇單元的柵極。另外，曲線B圖示通過以下測(cè)量的選擇單元的閾值電壓的變化將傳遞偏壓可變地施加到擦除單元的選擇單元的柵極以便測(cè)量傳遞干擾，并且將具有恒定電平的傳遞偏壓施加到未選擇單元的柵極。
在步驟S221中，通過與編程干擾有關(guān)的曲線A來檢測(cè)當(dāng)提供了具有與實(shí)際編程操作中所施加的傳遞偏壓相同的電平的傳遞偏壓時(shí)的閾值電壓，并且通過與傳遞干擾有關(guān)的曲線B來檢測(cè)以具有與檢測(cè)的閾值電壓相同的電平的閾值電壓所施加的傳遞偏壓。
具體地，在C1中，通過曲線A來檢測(cè)當(dāng)提供了具有與實(shí)際編程操作中所施加的傳遞偏壓相同的電平的傳遞偏壓時(shí)的閾值電壓。
例如，在實(shí)際編程操作中的傳遞偏壓為8.5V的情況下，檢測(cè)的閾值電壓為-1V。
另外，當(dāng)閾值電壓在檢測(cè)傳遞干擾的閾值電壓特性的操作中為-1V(在C2中)時(shí)，在C3中檢測(cè)施加的傳遞偏壓。這里，當(dāng)閾值電壓為-1V時(shí)所施加的傳遞干擾的傳遞偏壓具有12V。
在S223的步驟中，在通過傳遞干擾特性來測(cè)量傳遞偏壓的情況下，通過使用測(cè)量的傳遞偏壓來測(cè)量通道升壓電壓。在這種情況下，通道升壓電壓等于編程偏壓減去檢測(cè)的傳遞偏壓。這里，編程偏壓是指為了檢測(cè)編程干擾的閾值電壓特性而向選擇單元施加的電壓。
另外，編程干擾的第二閾值電壓等于編程偏壓減去通道升壓電壓。在這種情況下，由于傳遞干擾的第一閾值電壓等于傳遞偏壓減去0V，所以在第一閾值電壓具有與編程偏壓相同電平的情況下，通道升壓電壓對(duì)應(yīng)于編程電壓和檢測(cè)的傳遞偏壓之差。
例如，當(dāng)通過曲線B檢測(cè)的傳遞偏壓具有大約12V時(shí)，通道升壓電壓具有21V的編程偏壓減去12V的傳遞偏壓，亦即9V。
當(dāng)閾值電壓為-1V時(shí)，在傳遞偏壓沒有通過傳遞干擾特性檢測(cè)的情況下，傳遞偏壓變化的范圍增加，以便傳遞偏壓增加到較高電平。然后，再次執(zhí)行步驟S201到S219。
在這個(gè)說明書中對(duì)“一個(gè)實(shí)施例”、“實(shí)施例”、“實(shí)例實(shí)施例”等等的任何引用都是指結(jié)合實(shí)施例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。這樣的措詞在說明書中各種地方的出現(xiàn)不一定都指同一實(shí)施例。另外，當(dāng)結(jié)合任何實(shí)施例描述具體特征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，可以認(rèn)為，它在本領(lǐng)域技術(shù)人員結(jié)合其它實(shí)施例實(shí)現(xiàn)這樣的特征、結(jié)構(gòu)或特性的范圍之內(nèi)。
盡管已參考其若干示范性實(shí)施例描述了實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠作出許多其它修改和實(shí)施例，它們將落在本公開的原理的精神和范圍之內(nèi)。更加具體地，對(duì)公開、附圖和附加權(quán)利要求的范圍之內(nèi)的主題組合布置的組成部分和/或布置的各種變化和修改都是可能的。除了對(duì)組成部分和/或布置的變化和修改之外，替換使用對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員也是明顯的。
權(quán)利要求
1.一種測(cè)量NAND閃存器件中的通道升壓電壓的方法，所述方法包含向擦除單元之中的未選擇單元施加傳遞偏壓，并且根據(jù)向擦除單元之中的選擇單元施加的第一傳遞偏壓的電平來測(cè)量所述選擇單元的第一閾值電壓；向擦除單元之中的選擇單元施加編程偏壓，并且根據(jù)向所述未選擇單元施加的第二傳遞偏壓的電平來測(cè)量所述選擇單元的第二閾值電壓；檢測(cè)當(dāng)具有與編程操作中施加的傳遞偏壓相同的電平的所述第二傳遞偏壓被施加時(shí)已測(cè)量的所述第二閾值電壓，并且檢測(cè)當(dāng)所述第一閾值電壓與所述第二閾值電壓相同時(shí)已施加的所述第一傳遞偏壓的電平；以及通過使用所述檢測(cè)的第一傳遞偏壓的電平來測(cè)量所述通道升壓電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述編程偏壓具有大約21V。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，檢測(cè)所述第一閾值電壓的步驟包括對(duì)塊中的全部存儲(chǔ)單元執(zhí)行擦除操作；向所述未選擇單元施加具有恒定電平的所述傳遞偏壓，并且向所述選擇單元施加所述第一傳遞偏壓；測(cè)量所述第一閾值電壓；以及增加所述第一傳遞偏壓的電平，其中，當(dāng)所述第一傳遞偏壓小于目標(biāo)電平時(shí)，重復(fù)所述執(zhí)行、所述施加、所述測(cè)量以及所述增加的步驟。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述目標(biāo)電壓為大約14.5V。
5.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述第一傳遞偏壓和所述第二傳遞偏壓被施加大約30μs到大約40μs的時(shí)間。
6.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述第一傳遞偏壓和所述第二傳遞偏壓在大約1.5V和大約14.5V的范圍內(nèi)變化。
7.如權(quán)利要求3所述的方法，進(jìn)一步包括在執(zhí)行所述擦除操作之后測(cè)量所述存儲(chǔ)單元的閾值電壓。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述測(cè)量所述第一閾值電壓的步驟包括對(duì)塊中的全部存儲(chǔ)單元執(zhí)行擦除操作；向所述未選擇單元施加具有恒定電平的所述傳遞偏壓，并且向所述選擇單元施加所述第一傳遞偏壓；測(cè)量所述第一閾值電壓；以及減小所述第一傳遞偏壓的電平，其中，在所述第一傳遞偏壓高于目標(biāo)電平期間，重復(fù)地執(zhí)行所述執(zhí)行、所述施加、所述測(cè)量以及所述增加的步驟。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述目標(biāo)電壓為大約1.5V。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第一傳遞偏壓和所述第二傳遞偏壓被施加大約30μs到大約40μs的時(shí)間。
11.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第一傳遞偏壓和所述第二傳遞偏壓在大約1.5V和大約14.5V的范圍內(nèi)變化。
12.如權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括在執(zhí)行所述擦除操作之后測(cè)量所述存儲(chǔ)單元的閾值電壓。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述檢測(cè)所述第二閾值電壓的步驟包括關(guān)于每個(gè)存儲(chǔ)單元執(zhí)行擦除操作；向所述選擇單元施加具有恒定電平的所述編程偏壓，并且向所述未選擇單元施加所述第二傳遞偏壓；測(cè)量所述第二閾值電壓；以及增加所述第二傳遞偏壓的電平，其中，在所述第二傳遞偏壓小于目標(biāo)電平期間，重復(fù)地執(zhí)行所述執(zhí)行、所述施加、所述測(cè)量以及所述增加的步驟。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述目標(biāo)電壓為大約14.5V。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述第一傳遞偏壓和所述第二傳遞偏壓被施加大約30μs到大約40μs的時(shí)間。
16.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述第一傳遞偏壓和所述第二傳遞偏壓在大約1.5V和大約14.5V的范圍內(nèi)變化。
17.如權(quán)利要求13所述的方法，進(jìn)一步包括在執(zhí)行所述擦除操作之后測(cè)量所述存儲(chǔ)單元的閾值電壓。
18.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述編程偏壓具有大約21V。
19.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述檢測(cè)所述第二閾值電壓的步驟包括對(duì)塊中的全部存儲(chǔ)單元執(zhí)行擦除操作；向所述選擇單元施加具有恒定電平的所述編程偏壓，并且向所述未選擇單元施加所述第二傳遞偏壓；測(cè)量所述第二閾值電壓；以及減小所述第二傳遞偏壓的電平，其中，當(dāng)所述第二傳遞偏壓高于目標(biāo)電平時(shí)，重復(fù)所述執(zhí)行、所述施加、所述測(cè)量以及所述增加的步驟。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述目標(biāo)電壓為大約1.5V。
21.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述第一傳遞偏壓和所述第二傳遞偏壓被施加大約30μs到大約40μs的時(shí)間。
22.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述第一傳遞偏壓和所述第二傳遞偏壓在大約1.5V和大約14.5V的范圍內(nèi)變化。
23.如權(quán)利要求19所述的方法，進(jìn)一步包括在執(zhí)行所述擦除操作之后測(cè)量所述存儲(chǔ)單元的閾值電壓。
24.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述編程偏壓具有大約21V。
25.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述通道升壓電壓等于所述編程電壓減去所述檢測(cè)的第一傳遞偏壓。
全文摘要
在測(cè)量通道升壓電壓的方法中，在具有一定電平的傳遞電壓被提供給擦除單元中的未選擇單元的條件下，根據(jù)向選擇單元施加的傳遞電壓的變化來測(cè)量傳遞干擾的閾值電壓。隨后，在具有一定電平的編程電壓被提供給擦除單元中的選擇單元的條件下，根據(jù)向未選擇單元施加的傳遞電壓的變化來測(cè)量編程干擾的閾值電壓。然后，通過使用當(dāng)傳遞干擾的閾值電壓與編程干擾的閾值電壓相同時(shí)施加的傳遞偏壓，來測(cè)量通道升壓電壓。結(jié)果，當(dāng)執(zhí)行編程操作時(shí)，通道升壓電壓被準(zhǔn)確監(jiān)視。因此，可以容易地檢測(cè)編程干擾特性，并且同樣可以容易地分析良率和故障。
文檔編號(hào)G11C16/34GK101051529SQ200710090410
公開日2007年10月10日 申請(qǐng)日期2007年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月6日
發(fā)明者沈根守 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司