技術(shù)編號：6777964
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及NAND閃存器件。更具體地，本發(fā)明涉及一種測量通道升壓電壓的方法，所述方法用于估計(jì)NAND閃存器件的編程干擾特性。背景技術(shù) NAND閃存器件包括多個(gè)單元塊。單元塊具有單元串101和102，其中用于存儲數(shù)據(jù)的多個(gè)單元串聯(lián)連接；漏極選擇晶體管110，其連接在單元串101、102和位線BL之間；以及源極選擇晶體管120，其連接在單元串101、102和共源極線CSL之間。這里，單元串101和102的數(shù)目與位線BL的數(shù)目相同。因此，漏極選擇晶體管110和源...
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