專利名稱：：記錄介質(zhì)主盤用正型抗蝕劑組合物以及使用了該組合物的記錄介質(zhì)主盤的制造方法及母...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種在用于制造光盤等記錄介質(zhì)的主盤(master)中有用的正型抗蝕劑組合物、使用該正型抗蝕劑組合物的記錄介質(zhì)主盤的制造方法及使用該正型抗蝕劑組合物的記錄介質(zhì)用母版(stamper)的制造方法。
背景技術(shù)：
：近年來，為了實現(xiàn)光盤等記錄介質(zhì)的大容量化，提出了各種制造高密度的記錄介質(zhì)的技術(shù)。另一方面，作為光盤的一般制造方法，可以舉出首先制作在表面形成了對應(yīng)信息信號的需要的圖案的主盤，由該主盤制作母版，使用該母版，或者使用將該母版作為主盤進一步制作的母版，利用注射模塑成形等大量地制造光盤的方法。具體而言，例如在玻璃基板上涂敷光致抗蝕劑，對應(yīng)信息信號照射激光，顯影曝光后的抗蝕劑膜，形成凹坑、軌道等圖案，得到需要的主盤。接著，可以在該主盤的表面，用濺射法等方法形成鎳等導(dǎo)電膜，進而在導(dǎo)電膜上電鑄鎳，通過將其從主盤剝離，得到母版(例如參照特開2002—150620號公報、特開2001—338444號公報)。特別是在專利文獻1中，使用含有因曝光而產(chǎn)生酸的化合物的正型抗蝕劑組合物。但是，在這些以往的技術(shù)中，還必需改善基于依賴記錄光波長的衍射極限的記錄凹坑(匕°:y卜)尺寸的析像分辨極限或由抗蝕劑組合物得到的圖案(凹坑)向玻璃板等基板的粘附性、在用于向該圖案上形成導(dǎo)電膜的各種處理中的耐久性等方面。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種在用于制造光盤等記錄介質(zhì)的主盤及母版的制造中使用的抗蝕劑組合物，顯示出色的向基板的粘附性、導(dǎo)電膜形成時的耐久性的正型抗蝕劑組合物。本發(fā)明的記錄介質(zhì)主盤用正型抗蝕劑組合物的特征在于，含有乙烯基系聚合物，該乙烯基系聚合物具有如下所述的單體單元，即具有用烷基乙烯基醚嵌段的堿溶性基。本發(fā)明的記錄介質(zhì)主盤的制造方法的特征在于，具有在基板上形成所述正型抗蝕劑組合物的層的工序、向該層的規(guī)定部照射活化能線的工序、利用堿顯影從所述基板上除去照射部從而在該基板上形成對應(yīng)信息信號的所述正型抗蝕劑組合物的圖案的工序。本發(fā)明的記錄介質(zhì)用母版的制造方法的特征在于，具有在基板上形成正型抗蝕劑組合物的層的工序；向該層的規(guī)定部照射活化能線的工序；利用堿顯影從所述基板上除去照射部從而在該基板上形成對應(yīng)信息信號的所述正型抗蝕劑組合物的圖案，由此得到主盤的工序；在該主盤的表面形成導(dǎo)電膜的工序；在該導(dǎo)電膜上電鑄金屬的工序；從該主盤剝離由電鑄后的金屬構(gòu)成的母版的工序。本發(fā)明的正型抗蝕劑組合物顯示出色的耐鍍敷性及與玻璃等基板的粘附性，在用于制造光盤等記錄介質(zhì)的主盤的用途中非常有用。進而，本發(fā)明的記錄介質(zhì)主盤的制造方法及記錄介質(zhì)用母版的制造方法除了上述效果以外，還可以不使用電子束等而形成小的凹坑直徑，作為生產(chǎn)率高的納米加工法非常有用。進而，除了乙烯基系聚合物[(A)成分]，該乙烯基系聚合物具有如下所述的單體單元，即具有用烷基乙烯基醚嵌段的堿溶性基，本發(fā)明的正型抗蝕劑組合物在含有通過活化能線而產(chǎn)生熱的光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)[(B)成分]和通過熱而產(chǎn)生酸的熱產(chǎn)酸劑[(C)成分]的情況下，可以得到理想的靈敏度或析像度，優(yōu)選通過選擇組成，成為可以減低烘焙處理條件或省略烘焙處理的正型抗蝕劑組合物。圖1是例示使用本發(fā)明的正型抗蝕劑組合物制作光盤(記錄介質(zhì))的主盤及母版的工序的示意截面圖。具體實施例方式圖1是表示使用本發(fā)明的正型抗蝕劑組合物制作光盤(記錄介質(zhì))的主盤及母版的工序的一例的示意截面圖。首先，如圖1(a)所示，在已研磨表面的基板1的面涂敷本發(fā)明的正型抗蝕劑組合物，形成抗蝕劑膜2。在此，作為基板l，通常使用玻璃板，特別優(yōu)選使用預(yù)先進行了硅氮垸處理的玻璃板。另外，除了玻璃板以外，還可以使用金屬板等。作為可以使用的金屬基板的具體例，可以舉出由A1、Cu、Ni、Ti等構(gòu)成的金屬板，利用蒸鍍、濺射等在玻璃板等適當(dāng)?shù)幕w表面形成A1、Au、Ag、Ni、Pt等金屬或ITO、ZnO、Si02、Sn02、SiC等無機化合物的薄膜的基板。進而，作為在基板1的表面涂敷正型抗蝕劑組合物形成抗蝕劑膜2的方法，通常使用將正型抗蝕劑組合物溶解于溶劑中，利用旋涂等方法涂敷該抗蝕劑溶液的方法。不過，抗蝕劑膜的形成方法不限定于此，例如也可以干膜化正型抗蝕劑組合物，在基板1的表面設(shè)置，或者水乳化正型抗蝕劑組合物，在基板1的表面涂敷。接著，如圖1(b)所示，對抗蝕劑膜2，以對應(yīng)應(yīng)記錄的信息信號的需要圖案，照射作為活化能線的激光，形成潛像。在此，對曝光波長沒有特別限制，只要用可以產(chǎn)生用堿顯影除去抗蝕劑膜中的活化能線的照射部分(曝光部分)的變質(zhì)作用的波長的活化能線進行曝光即可。作為活化能線，例如可以利用從紫外線、可見光線、近紅外線、紅外線、遠紅外線中選擇的活化能線。為了誘導(dǎo)通過熱而產(chǎn)生酸而在正型抗蝕劑組合物中含有光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)的情況下，可以使用含有從光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)的最大吸收波長(imax)士10nm、其1/n的波長amax/n)及其n倍的波長(nAmax)(n表示1以上的整數(shù))中選擇的任意一種波長或者組合兩種以上的活化能線。進而，該最大吸收波長優(yōu)選在200900nm的范圍。另外，作為激光照射裝置，可以使用脈沖方式及連續(xù)照射方式的任意一種。接著，如圖1(C)所示，通過利用堿顯影從基板上除去抗蝕劑膜2的曝光部，形成凹坑、軌道等需要的凹凸圖案，得到主盤3。根據(jù)需要也可以在向抗蝕劑膜2的曝光的前及后的至少一方進行利用加熱的烘焙處理(預(yù)烘焙及/或后烘焙)。接著，如圖1(d)所示，用濺射法等方法在主盤3表面形成鎳等導(dǎo)電膜4。接著，如圖1(e)所示，通過電鑄，在導(dǎo)電膜上堆積需要的厚度的鎳5。接著，如圖1(f)所示，從主盤9剝離電鑄后的鎳，例如通過研磨背面，對內(nèi)外周進行修整(trimming),得到母版6。在這樣的母版6中形成對應(yīng)信息信號的需要的凹凸圖案。其中，在導(dǎo)電膜4的形成中也可以利用非電解鍍層(化學(xué)鍍層)等方法。將該母版用作記錄介質(zhì)的注射模塑成形的金屬模。這樣，大量生產(chǎn)具有需要的凹凸圖案(凹坑)的記錄介質(zhì)成為可能。對適用本發(fā)明的記錄介質(zhì)的種類沒有特別限制。本發(fā)明中的正型抗蝕劑組合物除了在向設(shè)置有抗蝕劑圖案的基板的表面形成導(dǎo)電膜時的耐久性及與基板的粘附性出色的點以外，還可以不使用電子束等而形成小的凹坑直徑，從可以進行生產(chǎn)率高的納米加工的點出發(fā)，非常有用。本發(fā)明中的正型抗蝕劑組合物至少含有乙烯基系聚合物，該乙烯基系聚合物具有如下所述的單體單元，即具有用垸基乙烯基醚嵌段的堿溶性基。進而，將該乙烯基系聚合物作為(A)成分，也可以進一步至少含有以下的(B)及(C)的各成分。(A)乙烯基系聚合物，該乙烯基系聚合物具有如下所述的單體單元，即具有用垸基乙烯基醚嵌段的堿溶性基。(B)通過活化能線而產(chǎn)生熱的光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)。(C)通過熱而產(chǎn)生酸的熱產(chǎn)酸劑。作為上述的(A)成分的乙烯基系聚合物為至少使用具有聚合性的乙烯性不飽和鍵的化合物作為單體得到的乙烯基系聚合物，作為從具有乙烯性不飽和鍵的單體得到的單元，是具有堿溶性基可以在酸作用下脫離的使用烷基乙烯基醚進行嵌段的基的單元。作為具有該乙烯性不飽和鍵及堿溶性基的化合物，構(gòu)成為可以使用烷基乙烯基醚對堿溶性基進行嵌段，進而在酸的作用下，該嵌段解離，該部分成為堿溶性的結(jié)構(gòu)單元的化合物即可，沒有特別限定。作為這樣的堿溶性基，可以舉出苯酚性羥基、羧基、磺基、酰亞胺基、磺酰胺基、N—磺酰胺基、N—磺酰胺基、N—砜尿烷基及及活性亞甲基等pKa為11以下的堿溶性基。作為(A)成分的乙烯基系聚合物的結(jié)構(gòu)單元，優(yōu)選含有具有對羧基進行了嵌段的結(jié)構(gòu)單元的下述式(1)所示的結(jié)構(gòu)單元。[化l]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>(1)(式中R1表示氫原子或低級烷基，W表示取代或無取代的垸基。)作為所述通式(1)的W中的低級烷基，可以舉出直鏈或分支鏈的碳原子數(shù)為18的烷基，具體而言，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基等。作為W的烷基，例如可以舉出直鏈或分支狀的碳原子數(shù)為118的垸基。具體而言，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基等、壬基、癸基、十二烷基及十八垸基等，其中，優(yōu)選碳原子數(shù)為16的烷基，進而更優(yōu)選碳原子數(shù)為13的烷基。作為W的取代垸基中的取代基，例如可以舉出低級烷氧基、低級垸?；?TW力乂一々)、氰基、?；?、鹵原子及低級烷氧羰基等。在所述取代基的定義中，作為低級烷基、低級垸氧基、低級垸?；暗图壽豸驶耐榛牟糠郑梢耘e出與在R1的低級垸基中例示的相同的烷基。因而，作為低級垸?；?，例如可以舉出直鏈或分支狀的碳原子數(shù)為29的低級烷?；?，作為其具體例，可以舉出乙?；⒈；?、丁酰基、異丁酰基、戊?；?、異戊酰基、三甲基乙?；⒓乎；⒏；?。作為鹵原子，可以舉出氟、氯、溴、碘的各原子。用于形成所述通式U)表示的結(jié)構(gòu)單元的單體可以通過使下述式(2)CH2=CHOH通式(2)表示的(甲基)丙烯酸及其衍生物、和對應(yīng)的烷基乙烯基醚反應(yīng)，嵌段通式(2)的化合物的羧基，得到下述式(3)的結(jié)構(gòu)的單體。[化3]R(3)作為所述單體的形成反應(yīng)中使用的烷基乙烯基醚，只要能夠嵌段具有構(gòu)成單體單元的乙烯性不飽和鍵及羧基等堿溶性基的化合物的羧基即可，例如優(yōu)選具有下述通式(IV)所示的結(jié)構(gòu)。[化4][式中，W與所述通式(1)為相同定義]用作(A)成分的"具有用烷基乙烯基醚嵌段的結(jié)構(gòu)單元的乙烯基系聚合物"可以在用烷基乙烯基醚嵌段如上所述的具有聚合性的乙烯性不飽和鍵和堿溶性基的化合物的堿溶性基的狀態(tài)下，進行聚合反應(yīng)。堿溶性基的利用烷基乙烯基醚進行的嵌段可以按照國際公開第03/6407號手冊中記載的方法等公知的方法進行。進而，(A)成分的乙烯基系聚合物可以具有作為有兩種以上的結(jié)構(gòu)單元的共聚物的構(gòu)成，在不損壞本發(fā)明的效果的范圍內(nèi)，也可以含有由具有聚合性的乙烯性不飽和鍵和堿溶性基的化合物以外的單體得到的結(jié)構(gòu)單元。另外，乙烯系共聚物的堿溶性基不一定全部被嵌段，只要具有堿溶性基的單體單元的50摩爾％以上、優(yōu)選為70摩爾％以上的堿溶性基被嵌段即可。被嵌段的堿溶性基的比例越多，聚合物自身及含有其的抗蝕劑組合物的貯藏穩(wěn)定性越提高。另外，通過在聚合物中含有用烷基乙烯基醚嵌段堿溶性基的單體單元，可以省略用該聚合物，在曝光前形成由正型抗蝕劑組合物構(gòu)成的感光層時的預(yù)烘焙。即，即使在室溫下形成感光層時，也可以向感光層賦予良好的形狀穩(wěn)定性和向基板的粘附性。特別是，可以排除作為基板使用金屬等的情況下的基板的翹曲或基于熱膨脹和冷卻時的收縮引起的基板的尺寸的變化而在熱處理對母版用主盤的質(zhì)量(版的精密度)的影響。此外，通過在所述共聚物中導(dǎo)入沒有進行嵌段的單體單元來附加需要的特性的情況下，優(yōu)選為用烷基乙烯基醚進行了嵌段的單體單元及沒有進行嵌段的單體單元的總合的5070%。另外，作為所述共聚物的方式，可以利用無規(guī)共聚物、嵌段共聚物等各種方式。其中，在使用前面舉出的通式(3)表示的單體的情況下，在作為(A)成分的乙烯基系聚合物的原料中，在作為(A)成分的乙烯基系聚合物的原料中，通式(3)表示的單體的含量優(yōu)選為260質(zhì)量％，更優(yōu)選為540質(zhì)量。Z。如果通式(3)表示的單體在2質(zhì)量％以上，則得到的正型抗蝕劑組合物的顯影性更出色，如果為60質(zhì)量％以下，則從組合物得到的薄膜(涂膜)的機械特性更出色。作為乙烯基系聚合物形成用的單體，作為除了堿溶性基被嵌段的具有乙烯性不飽和鍵的化合物以外還可以使用的其他單體，可以舉出具有聚合性的乙烯性不飽和鍵的化合物等。這樣的共聚物的情況下的堿溶性基被嵌段的單體單元的共聚物整體中，單體單元所占的比例可以優(yōu)選為5%以上，更優(yōu)選為10%以上。作為具有聚合性的乙烯性不飽和鍵的化合物，沒有特別限制，例如可以舉出醋酸乙烯酯、(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸環(huán)己酯、(甲基)丙烯酸2—乙基己基酯、(甲基)丙烯酸月桂基酯、(甲基)丙烯酸硬脂酸酯等碳原子數(shù)為118的醇與(甲基)丙烯酸構(gòu)成的(甲基)丙烯酸垸基酯類，苯乙烯、a—甲基苯乙烯、對甲基苯乙烯、二甲基苯乙烯、二乙烯基苯等芳香族乙烯化合物類，(甲基)丙烯酸2—羥乙酯、(甲基)丙烯酸2—羥丙酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯，乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等乙二醇二(甲基)丙烯酸酯類，(甲基)丙烯酸酯二甲基氨基乙基酯等(甲基)丙烯酸酯烷基氨基垸基酯類，(甲基)丙烯酸酯三氟乙基酯、(甲基)丙烯酸酯五氟丙基酯、(甲基)丙烯酸酯全氟環(huán)己基酯、(甲基)丙烯酸酯2，2，3，3—四氟丙基酯、(甲基)丙烯酸酯P—(全氟辛基)乙基酯等含氟乙烯系單體，l一[3—(甲基)丙烯酰氧基丙基]一l，1，3，3，3—五甲基二硅氧烷、3—(甲基)丙烯酰氧基丙基三(三甲基硅氧垸)硅烷、AK一5[硅酮大(、乂U〕y7夕口)單體，東亞合成化學(xué)工業(yè)(株)制]等含硅氧烷乙烯系單體，乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基甲基二甲氧基硅烷、3一(甲基)丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅垸、3—(甲基)丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3—(甲基)丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、3—(甲基)丙烯酰氧基丙基二乙氧基硅垸等含水解性甲硅垸基乙烯系單體，乙烯基甲基醚、乙烯基乙基醚、乙烯基異丁基醚等乙烯醚類，富馬酸、馬來酸、馬來酐、亞麻仁油脂肪酸、松漿油脂肪酸或脫水蓖麻油脂肪酸等多元性不飽和羧酸或它們的一元或多元醇的酯，(甲基)丙烯酸二甲基氨基乙基酯甲基氯化物鹽、(甲基)丙烯酸異冰片基酯、烯丙醇、烯丙醇酯、氯乙烯、偏二氯乙烯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、丙酸乙烯酯、(甲基)丙烯腈、大單體AS—6、AN—6、AA—6、AB—6[東亞合成化學(xué)工業(yè)(株)制]等公知的乙烯系單體等。可以選擇使用其中的一種或兩種以上。其中，在本發(fā)明中，"(甲基)丙烯酸"是指丙烯酸及甲基丙烯酸，對于其他(甲基)丙烯酸衍生物也表示相同的意義。通過使具有堿溶性基被嵌段的聚合性不飽和雙鍵的單體的至少一種與根據(jù)需要添加的其他單體的至少一種聚合，可以得到能夠用作(A)成分的乙烯基系聚合物。聚合可以按照公知的方法迸行。聚合中也可以使用反應(yīng)溶劑。該反應(yīng)溶劑只要是對反應(yīng)為惰性即可，沒有特別限定，例如可以舉出苯、甲苯、二甲苯、己烷、環(huán)己烷、醋酸乙酯、醋酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、二噁垸、二噁茂垸、Y一丁內(nèi)酯、3-甲基一3—甲氧基丁基乙酸酯、丙酮、甲基乙基甲酮、甲基異丁基甲酮、二異丁基甲酮、環(huán)己酮、苯甲醚、甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇、N一甲基吡咯烷酮、四氫呋喃、乙腈、乙二醇一丁基醚、乙二醇一丁基醚乙酸酯、二甘醇一丁基醚、二甘醇一丁基醚乙酸酯、丙二醇一甲醚、二丙二醇一甲醚、丙二醇一乙醚、丙二醇一甲醚乙酸酯、二丙二醇一甲醚乙酸酯、甲氧基丁醇、3—甲基一3—甲氧基一1一丁醇、水、二甲亞砜、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺等。作為聚合引發(fā)劑，根據(jù)聚合方式而不同，但例如在自由基聚合中，可以舉出2，2'—偶氮二異丁腈(AIBN)、2，2'—偶氮雙一2—甲基丁腈(AMBN)、2，2'—偶氮雙戊腈、過氧化苯甲酰、過氧化乙酰、過氧化月桂酰、1，l一雙(叔丁基過氧化)一3，3，5—三甲基環(huán)己烷、叔丁基過氧化一2—乙基己酸酯、氫過氧化枯烯、叔丁基過氧化苯甲酸酯、過氧化叔丁基、過氧化甲基乙基甲酮、間氯過苯甲酸、過硫酸鉀、過硫酸鈉、過硫酸銨等，其使用量在全部原料中優(yōu)選為0.0120質(zhì)量％。作為鏈轉(zhuǎn)移劑，例如可以舉出P—萘硫酚、苯硫酚、正丁硫醇、巰基乙酸乙酯、巰基*乙醇、異丙硫醇、叔丁硫醇、二苯基*二硫醚(寸<77一H、)、二巰基乙酸二乙酯、二乙基*二硫醚等，其使用量在全部原料中優(yōu)選為0.015質(zhì)量％。所述乙烯基系聚合物的重均分子量優(yōu)選為2，000300，000，更優(yōu)選為3，000200，000，進而優(yōu)選為5，000100，000。將作為(A)成分的乙烯基系聚合物的單體組成選擇成可以以其自身或與根據(jù)需要添加的(B)及(C)成分的組合，得到作為理想的主盤制造用的正型抗蝕劑組合物的特性即與基板的粘附性、圖案形成靈敏度、形成導(dǎo)電膜時的耐久性、圖案的形狀穩(wěn)定性等特性。優(yōu)選將(B)及(C)成分選擇成在曝光中使用的激光等活化能線的強度中，可以得到理想的靈敏度或析像度。進而，優(yōu)選設(shè)定成無論使用的波長區(qū)域如何，在形成被膜或?qū)訒r都不需要烘焙處理。此外，在配制作為(A)成分的乙烯基系聚合物時，除了至少使用堿溶性基被預(yù)先用垸基乙烯基醚嵌段的具有聚合性的乙烯性雙鍵的單體，利用聚合反應(yīng)配制的方法以外，還可以利用預(yù)先配制具有堿溶性基的乙烯基系聚合物，再用烷基乙烯基醚嵌段該堿溶性基的方法。作為(A)成分的乙烯基系聚合物在正型抗蝕劑組合物中的含量優(yōu)選為190質(zhì)量。X，更優(yōu)選從560質(zhì)量％的范圍中選擇。另外，使用(B)成分及(C)成分的情況下，以(A)成分、(B)成分及(C)成分的總量為標(biāo)準(zhǔn)，優(yōu)選為160質(zhì)量％，更優(yōu)選為350質(zhì)量％。作為正型抗蝕劑組合物中根據(jù)需要含有的光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)，只要是通過活化能線而產(chǎn)生熱的光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)、通過向正型抗蝕劑組合物中配合來寫入信息的、不損壞作為用于制造光記錄介質(zhì)或光磁記錄介質(zhì)的主盤的制造用的用途的光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)即可，沒有特別限定。作為這樣的光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)，可以舉出各種有機或無機染料或顏料、有機色素、金屬、金屬氧化物、金屬碳化物、金屬硼化物等。其中，光吸收性的色素是有用的。作為光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)，優(yōu)選最大吸收波長amax)在200900nm的范圍。作為具體例，可以利用吸收266nm、351nm、355nm、375nm、405nm、436nm、650nm、610nm、760nm或830nm的波長產(chǎn)生熱的光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)。例如在利用405nm的波長的情況下，可以利用在正型抗蝕劑組合物中有效地吸收波長域380430nm(XI)及波長域760860nmaiXn=2)的光的光吸收性的色素。作為用于得到活化能線的熱轉(zhuǎn)換性的色素的具體例，可以舉出炭黑等各種顏料、菁色素、酞菁染料色素、萘花青(少7夕a-^7二o色素、部花青系色素、香豆素色素、偶氮系色素、聚甲炔色素、斯夸琳(^夕7'JU々厶)色素、鉻鎗(croconium7a2二々厶)色素、吡喃鑰色素、硫代吡喃鏠色素等。其中，可以優(yōu)選舉出菁色素、香豆素色素及酞菁染料色素?？梢允褂闷渲械囊环N或根據(jù)需要使用兩種以上。以下舉出色素的具體例。其中，化學(xué)式中附注的波長及溶劑名表示最大吸收波長(Xmax)和利用定法測定最大吸收波長時的溶劑。作為菁色素的具體例，可以舉出以下菁色素。[化5]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>813nm826nm(所述4種色素的波長均為在甲醇(MeOH)中的測定值。)作為酞菁染料色素的具體例，可以舉出以下酞菁染料色素。[化8]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula>其中，特別優(yōu)選染料16。在這些染料中，從貯存穩(wěn)定性的點出發(fā)，進而優(yōu)選平衡離子為-的染料。J網(wǎng)J刀cr4進而，可以例示以下所示的染料。[化15]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula>[化16]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage28</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula><table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table><formula>formulaseeoriginaldocumentpage34</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage35</formula>[化24]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage36</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage37</formula>另外，作為市售的優(yōu)選光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)，可以舉出"KAYASORB"系列的CY—IO、CY—17、CY—5、CY—4、CY—2、CY—20及CY30以及IRG—002(以上為日本化藥株式會社制)；YKR—4010、YKR—3030、YKR—3070、YKR2900、SIR—159、PA—1005、SIR—128、YKR—2080及PA—1006(以上為山本化成株式會社制)；"PROJECT"825LDI、"PROJECT"830NP、S174963、S174270(以上為AveciaLimited制)；NK—2014、NK—2911、NK—2912、NK—4432、NK—4474、NK—4489、NK—4680、NK—4776、NK—5020、NK—5036及NK—5042、NK—1342、NK—1977、NK—1886、NK—1819、NK—1331、NK—1837、NK—863、NK—3213、NK—88、NK—3989、NK—1204、服一723、NK—3984、NKX—1316、NKX—1317、NKX—1318、NKX—1320、NKX—1619、NKX—1767、NKX—1768(以上為(株)林原生物化學(xué)研究所制)；IR2T、IR3T(以上為昭和電工(株)制)；"EXCOLOR"801K、IR—1、IR—2、"TX一EX—801B"及"TX—EX—805K"(以上為日本觸媒(株)制)；CIR—1080(日本力一！J、;/卜(株)制)；IR98011、IR98030KIR980401、IR980402、IR980405、IR980406及IR980504(以上為YAMADACHEMICAL(株)制)；及"EPOLIGHT"V—149、V—129、V—63、III—184、m—192、IV—62B、IV—67、VI—19、VI—148(以上為EPOLIN.,INC.制)等，但不被這些所限定。在使用光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)的情況下的正型抗蝕劑組合物中，以(A)成分、(B)成分及(C)成分的總量為標(biāo)準(zhǔn)，光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)的含量可以優(yōu)選為0.540質(zhì)量％、更優(yōu)選為135質(zhì)量％、也將光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)的種類及其配合量選擇成以其自身或者與(A)及(C)成分的組合，得到作為理想的正型抗蝕劑組合物的特性，設(shè)定成在曝光中使用的激光等活化能線的強度中，可以得到理想的靈敏度或析像度。進而，可以通過調(diào)整正型抗蝕劑組合物的組成，來選擇利用正型抗蝕劑組合物形成的被膜或?qū)拥男纬蓵r(曝光前)或者曝光后進行烘焙處理的情況和不進行烘焙處理的情況。作為(C)成分的熱產(chǎn)酸劑可以為在利用曝光從光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)產(chǎn)生的熱的作用下，向作為(A)成分的乙烯基系聚合物作用，產(chǎn)生向其賦予對顯影液的溶解性的酸的熱產(chǎn)酸劑，例如可以利用在有機锍鹽、苯并噻唑鹽(benzothiazolium《>'/*7、/u厶)、銨鹽、膦鹽等鎿鹽等的抗蝕劑組合物或感光性的組合物等中作為熱產(chǎn)酸劑含有的熱產(chǎn)酸劑。進而，在各種正型抗蝕劑組合物中含有的光產(chǎn)酸劑中，可以利用在前面舉出的可以在光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)的發(fā)熱下產(chǎn)生酸的光產(chǎn)酸劑。作為這樣的光產(chǎn)酸劑，可以例示重氮鑰、膦、锍及碘鎗與氟離子、氯離子、溴離子、碘離子、高氯酸離子、高碘酸離子、六氟化磷酸離子、六氟化銻酸離子、六氟化錫酸離子、磷酸離子、氟硼氫酸離子、四氟硼酸離子等無機酸陰離子，或硫氰酸離子、苯磺酸離子、萘磺酸離子、萘二磺酸離子、對甲苯磺酸離子、烷基磺酸離子、苯甲酸離子、烷基碳酸離子、三鹵代垸基碳酸離子、垸基硫酸離子、三鹵代烷基硫酸離子、尼克酸離子等有機酸陰離子，進而偶氮系、雙苯基二硫醇系、硫代兒茶酚螯合物系、硫代雙苯酚鹽系、雙二醇一a—二酮系等有機金屬配位化合物非離子之間的鹽；有機鹵化物；鄰醌一二疊氮基磺酰氯；噁唑衍生物；三嗪衍生物；二砜衍生物；磺酸鹽衍生物；重氮基砜衍生物；芳香族砜衍生物；有機金屬；及有機鹵化物等。作為噁唑衍生物及三嗪衍生物，可以優(yōu)選舉出三鹵代甲基取代的下述通式(PAG1)表示的噁唑衍生物及通式(PAG2)表示的S—三嗪衍生物。式中，R^表示取代或無取代的芳基、鏈烯基，R^表示取代或無取代的芳基、鏈烯基、烷基、一C(Y)3。Y表示氯原子或溴原子。具體而言可以舉出以下化合物，但不限定于這些。NC(Y)s(PA助)(PAG1)<table>tableseeoriginaldocumentpage40</column></row><table>作為碘鑰鹽及锍鹽，可以優(yōu)選舉出下述通式(PAG3)表示的碘錄鹽及通式(PAG4)表示的锍鹽。[化28]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage41</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage42</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage43</formula>\<formula>formulaseeoriginaldocumentpage44</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage45</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage46</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage47</formula>PA64-37GFaS05用通式(PAG3)、(PAG4)所示的所述鎗鹽為公知的，例如可以利用J.W.Knapczyketal，J.Am.Chem.Soc.，91,145(1969)、A.L.Maycoketal，J.Org.Chem.，35,2532，(1970)、E.Goethasetal，Bull，Soc.Chem.Belg"73,546，(1964)、H.M丄eicester、J.Ame.Chem.Soc"51,3587(1929)、J.V.Crinelloetal，J.Polym,Chem.Ed,,18,2677(1980)、美國專利第2,807,648號及美國專利第4,247,473號、特開昭53—101，331號等中記載的方法合成。作為二砜衍生物及酰亞胺磺酸鹽衍生物，可以優(yōu)選舉出下述通式(PAG5)表示的二砜衍生物及通式(PAG6)表示的酰亞胺磺酸鹽衍生物。[化36]A^—S。2-S02—Ar'(PA防)OR^—S。2—0—N》丫,、o(PA郎)式中，Ar3、A/彼此獨立，表示取代或無取代的芳基，R^表示取代或無取代的垸基、芳基。A表示取代或無取代的亞烷基、亞鏈烯(7》夂二py)基、芳烯基。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage49</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage50</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage51</formula>作為重氮基二砜衍生物，可以優(yōu)選舉出下述通式(PAG7)表示的重氮基二砜衍生物。[化40]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage51</formula>在此，R表示直鏈、分支或環(huán)狀垸基或者可取代的芳基。作為具體例，可以舉出以下所示的化合物，但不被這些所限定。[化41]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage52</formula>作為磺酸鹽衍生物，進而可以優(yōu)選舉出下述式(i)表示的化合物,<formula>formulaseeoriginaldocumentpage53</formula>式(I)中，Y,Y4彼此獨立，表示氫原子、烷基、芳基、鹵原子、烷氧基或具有一OS02R的基。其中，Y,Y4的至少一個為具有一OS02R的基。Y,Y4的至少兩個可以彼此結(jié)合形成環(huán)結(jié)構(gòu)。R表示垸基、芳基或樟腦殘基。X表示一O—、—S—、—NH—、一NR^—或一CHn(R^)in—。在此，R6i表示烷基，m、n分別表示0、l或2。其中，m+n=2。Y,Y4的垸基優(yōu)選碳原子數(shù)為130的烷基，例如可以舉出甲基、乙基、丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基等直鏈狀或分支狀的烷基及環(huán)丙基、環(huán)戊基、環(huán)己基、金剛烷基、降冰片基(norbomyl/少求二D、冰片基(bomyl求口二》)等環(huán)狀垸基，它們也可以進一步具有取代基。Y,Y4的芳基優(yōu)選碳原子數(shù)為614的芳基，例如可以舉出苯基、甲苯基、萘基等，它們也可以進一步具有取代基。作為Y,Y4的鹵原子，例如可以舉出氯原子、溴原子、氟原子、碘原子等。作為Y,Y4的垸氧基，例如優(yōu)選碳原子數(shù)為15的烷氧基，例如可以舉出甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等。它們也可以進一步具有取代基。Y,Y4的至少兩個可以彼此結(jié)合形成環(huán)結(jié)構(gòu)，但優(yōu)選相鄰的兩個形成芳香環(huán)。該環(huán)也可以含有雜原子、氧代基。另外，也可以進一步被取代。Y!Y4的具有—OS02R—的基是指用一OS02R表示的基自身或者作為取代基具有用一0S02R表示的基的有機基。作為取代基的具有一OS02R的有機基，例如可以舉出0S02R在作為Y廣Y4的烷基、芳基、烷氧基取代的基。R的垸基優(yōu)選碳原子數(shù)為130的垸基，例如可以舉出甲基、乙基、丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基等直鏈狀或分支狀的烷基及環(huán)丙基、環(huán)戊基、環(huán)己基、金剛烷基、降冰片基基、冰片基等環(huán)狀垸基，它們也可以進一步具有取代基。R的芳基優(yōu)選碳原子數(shù)為614的芳基，例如可以舉出苯基、甲苯基、萘基等，它們也可以進一步具有取代基。X表示—O—、一S—、—NH—、一NR^—或—CHn(&。m—。在此，Rw表示烷基，m、n分別表示O、l或2。其中，m+n=2。R^優(yōu)選碳原子數(shù)為130的烷基，例如可以舉出甲基、乙基、丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基等直鏈狀或分支狀的垸基及環(huán)丙基、環(huán)戊基、環(huán)己基、金剛烷基、降冰片基基、冰片基等環(huán)狀烷基，它們也可以進一步具有取代基。Y,與Y2優(yōu)選彼此結(jié)合成為如下述式(II)的結(jié)構(gòu)。R4上述式(II)中，X表示一O—、一S—、一NH—、一NR^—或一CHn(R61)m—。Y3及Y4彼此獨立，表示氫原子、烷基、芳基、鹵原子、烷氧基或具有一0S02R的基。在此，R表示烷基、芳基或樟腦殘基。另外，R6,表示垸基，m、n分別表示0、1或2。其中，m+n=2。R!R4彼此獨立，表示氫原子、烷基、垸氧基、鹵原子、羥基、硝基、氰基、芳基、芳氧基、烷氧羰基、酰基、酰氧基或具有一0S02R的基。其中，R,R4、Y3、Y4的至少一個為具有一OS02R的基。Y3優(yōu)選為具有一OS02R的基。因而，在上述式(I)的化合物中，更優(yōu)選下述式(III)表示的化合物，進而優(yōu)選下述式(IV)表示的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage55</formula>式(III)及式(IV)中，Y!、Y2、Y4、R、X的定義與式(1)、式(II)相同。R,R4表示氫原子、烷基、烷氧基、鹵原子、羥基、硝基、氰基、芳基、芳氧基、垸氧羰基、?；?、酰氧基或具有一OS02R的基。R!R4的烷基優(yōu)選碳原子數(shù)為130的烷基，例如可以舉出甲基、乙基、丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基等直鏈狀或分支狀的烷基及環(huán)丙基、環(huán)戊基、環(huán)己基、金剛烷基、降冰片基基、冰片基等環(huán)狀烷基，它們也可以進一步具有取代基。RiR4的芳基優(yōu)選碳原子數(shù)為614的芳基，例如可以舉出苯基、甲苯基、萘基等，它們也可以進一步具有取代基。作為RR4的卣原子，例如可以舉出氯原子、溴原子、氟原子、碘原子等。作為&R4的烷氧基，例如優(yōu)選碳原子數(shù)為15的垸氧基，例如可以舉出甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等。它們也可以進一步具有取代基。R，R4的具有一OS02R—的基是指用—OS02R表示的基自身或者作為取代基具有用一OS02R表示的基的有機基。作為取代基的具有一OS02R的有機基，例如可以舉出OS02R在作為RiR4的垸基、烷氧基、羥基、硝基、氰基、芳基、芳氧基、烷氧羰基、?；蝓Ｑ趸〈幕?。R,R4的至少兩個可以彼此結(jié)合形成環(huán)結(jié)構(gòu)Y,Y4、R、X、R,R2進一步具有取代基的情況下，例如可以具有芳基(例如苯基)、硝基、鹵原子、羧基、羥基、氨基、氰基、垸氧基(優(yōu)選碳原子數(shù)為15)等的取代基。對于芳基及亞芳基，可以進一步舉出垸基(優(yōu)選碳原子數(shù)為15)。以下顯示式(I)的化合物的優(yōu)選具體例，但本發(fā)明不被這些所限定。其中，式(I)表示的光產(chǎn)酸劑可以單獨使用一種或組合兩種以上使ffl。進而，作為光產(chǎn)酸劑，特別優(yōu)選雙(4一叔丁基苯基)碘鏠對甲苯磺<formula>formulaseeoriginaldocumentpage57</formula>酸鹽、4一甲氧基苯基一苯基碘鎗樟腦磺酸鹽、雙(4一叔丁基苯基)碘鑰樟腦磺酸鹽、二苯基碘鑰對甲苯磺酸鹽、雙(4一叔丁基苯基)碘錄全氟丁基磺酸鹽、雙(4一叔丁基苯基)碘鎗環(huán)己基氨基磺酸鹽、琥珀酰亞胺酰(imidyl一$-少)對甲苯磺酸鹽、萘二甲亞胺酰樟腦磺酸鹽、2—[(三溴甲基)磺酸基]吡啶、三溴甲基苯基砜等?？梢允褂闷渲械囊环N或根據(jù)需要使用兩種以上。以(A)成分、(B)成分及(C)成分的總量為標(biāo)準(zhǔn)，作為(C)成分的熱產(chǎn)酸劑在本發(fā)明的正型抗蝕劑組合物中的含量，可以優(yōu)選為0.520質(zhì)量％、更優(yōu)選為115質(zhì)量％、也將熱產(chǎn)酸劑的種類及其配合量選擇成以其自身或者與(A)及(B)成分的組合，得到作為理想的母版制造用的特性，設(shè)定成在曝光中使用的激光等活化能線的強度中，可以得到理想的靈敏度或析像度。另外，還優(yōu)選將配合量設(shè)定成無論使用的波長域如何，在形成被膜或?qū)訒r都不需要烘焙處理。也可以進一步在正型抗蝕劑組合物中添加酸。通過適量添加該酸，可以利用與熱產(chǎn)酸劑的相乘作用提高感光性等特性，可以進一步提高析像度或靈敏度等。作為由于這種目的可以利用的酸，可以舉出鹽酸、硝酸、硫酸、磷酸等無機酸或醋酸、草酸、酒石酸、苯甲酸等羧酸、磺酸、亞磺酸、苯酚類、酰亞胺類、肟類、芳香族磺酰胺類等有機酸，可以根據(jù)需要目的添加從中選擇的酸的一種或兩種以上。其中，特別優(yōu)選對甲苯磺酸。酸可以相對1摩爾熱產(chǎn)酸劑優(yōu)選為0.0011摩爾、更優(yōu)選為0.050.5摩爾的范圍中選擇使用。進而，除了上述各成分，在正型抗蝕劑組合物中，也可以根據(jù)需要添加從粘附性改良劑、金屬螯合防止劑、表面加工劑等中選擇的一種或兩種以上。進而，為了防止產(chǎn)酸劑在明室中的分解，也可以添加UV吸收劑。正型抗蝕劑組合物也可以通過添加溶劑而成為液態(tài)組合物。作為溶齊lj，例如可以舉出水、己烷、甲苯、二甲苯等烴系溶劑，二噁垸、四氫呋喃等醚系溶劑，丙酮、甲基乙基甲酮、甲基異丁基甲酮等酮系溶劑，醋酸乙酯、丙二醇一甲醚乙酸酯等醋酸酯系溶劑等，可以根據(jù)正型抗蝕劑組合物的用途使用它們的一種或組合兩種以上。例如在利用涂敷的成膜用途中，溶劑固體成分優(yōu)選以150質(zhì)量％、更優(yōu)選220質(zhì)量％左右的量使用。此外，根據(jù)溶劑的種類不同，也可以添加用于保持液態(tài)的狀態(tài)的成分。例如可以用乳化劑，在水或以水為主體的溶劑中含有必要的成分，成為作為乳劑的液態(tài)組合物。另一方面，也可以在基板上薄膜化根據(jù)需要用溶劑得到的液態(tài)組合物，作為干膜利用。可以用如上所述的溶劑使正型抗蝕劑組合物成為液態(tài)，在基板上涂敷成膜，向其對應(yīng)規(guī)定的圖案的位置照射具有圖案形成所必需的波長的激光等活化能線，進一步顯影處理，得到規(guī)定的抗蝕劑圖案。此時，也可以通過調(diào)整正型抗蝕劑組合物的組成，而不需要利用成膜時的加熱的烘焙處理(預(yù)烘焙)。通過這樣省略烘焙處理，可以提高具有正型抗蝕劑組合物的膜或?qū)拥哪赴嬷圃煊玫闹鞅P的制造效率。此外，對于曝光后的烘焙(后烘焙)也可以根據(jù)正型抗蝕劑組合物的組成選擇是否進行后烘焙。作為成膜正型抗蝕劑組合物的基板，可以利用玻璃、金屬等材料構(gòu)成的母版制造用的基板。基板的表面也可以根據(jù)需要進行用于進一步提高正型抗蝕劑組合物向基板的粘附性的表面處理。作為這樣的表面處理，可以優(yōu)選舉出用硅烷偶合劑處理。作為在基板上用正型抗蝕劑組合物形成感光層的方法，可以舉出作為液態(tài)組合物，在基板上涂敷規(guī)定量以得到理想的干燥后的層厚，使溶劑蒸發(fā)，得到感光層的方法，或在干膜形成用的基板上涂敷成為干膜，將其層疊于應(yīng)形成感光層的基板上的方法等。向基板上的涂敷可以使用旋涂法、刀涂法、噴涂法、拉絲錠涂敷法、浸涂法、氣刀刮涂法、輥涂法、簾涂法等。感光層的厚度根據(jù)作為母版制造用的主盤所要求的特性等設(shè)定，例如可以從0.10.3pm的范圍中選擇。向在基板上設(shè)置的感光層的曝光可以利用能夠照射含有感光波長的活化能線的曝光裝置進行。另外，向感光層的圖案狀的曝光例如可以使用經(jīng)由具有對應(yīng)需要的圖案的光透過部的掩模的曝光、直接向基板上的感光層的規(guī)定部照射活化能線的方法等通常的曝光方法。使用激光裝置的情況下，可以為脈沖照射方式或連續(xù)照射式的激光裝置。在使用發(fā)光二極管陣列等陣列型光源的情況下或用液晶、PLZT等光學(xué)開閉器(shutter)對卣素?zé)?、金屬卣化物燈、鉤絲燈等光源進行曝光控制的情況下，可以進行對應(yīng)圖像信號的數(shù)字曝光，這種情況下，可以不使用掩模材料而直接寫入。但是，在該方法中，由于除了光源以外，還必需新的光學(xué)開閉器材料，所以在進行數(shù)字曝光的情況下，優(yōu)選將激光用作光源。在將激光用作光源的情況下，可以將光集中成束狀，用對應(yīng)圖像數(shù)據(jù)的掃描曝光進行潛像記錄，如果進一步將激光用作光源，則可以容易地將曝光面積集中在微小尺寸，從而高析像度的圖像記錄成為可能。在將激光裝置用于曝光時，對照射的激光的波長沒有特別限定，例如可以利用照射266nm、351nm、355nm、375nm、405nm、436nm、650nm、610nm、760nm或830nm的波長的激光的激光裝置。作為在本發(fā)明中使用的激光光源，可以舉出通常公知的紅寶石激光器、YAG激光器、玻璃激光器等固體激光器；He—Ne激光器、Ar離子激光器、Kr離子激光器、C02激光器、CO激光器、He—Cd激光器、N2激光器、激元激光器等氣體激光器；InGaP激光器、AlGaAs激光器、GaAsP激光器、InGaAs激光器、InAsP激光器、CdSnP2激光器、GaSb激光器等半導(dǎo)體激光器；化學(xué)激光器、染料激光器等。作為激光裝置，沒有特別限定，可以小型化的半導(dǎo)體激光是有用的。照射裝置的輸出功率可以使用能夠得到基于感光層的組成或?qū)雍竦榷枰撵`敏度例如在明室內(nèi)處理的有效果的析像度的輸出功率，也可以利用高達20W左右的高輸出功率激光器。另外，照射用的光源的光強度可以為1.0Xl(^mJ/s"cr^以上，優(yōu)選為1.0X103mJ/scm2以上。作為用于在曝光后從基板上除去曝光部分的顯影液，可以利用能夠溶解酸作用于具有聚合性乙烯不飽和鍵及堿溶性基的構(gòu)成單元的部分的堿顯影液。作為顯影液中使用的堿成分，例如可以舉出硅酸鈉、硅酸鉀、硅酸鋰、硅酸銨、正硅酸鈉、正硅酸鉀、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰、碳酸鈉、碳酸氫鈉、碳酸鉀、磷酸氫鈉、磷酸鈉、磷酸氫銨、磷酸銨、硼酸鈉、硼酸鉀、硼酸銨等無機堿鹽，一甲胺、二甲胺、三甲胺、一乙胺、二乙胺、三乙胺、一異丙胺、二異丙基胺、一丁胺、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、一異丙醇胺、二異丙醇胺等有機胺化合物。其中，優(yōu)選正硅酸鈉等堿金屬的硅酸鹽。根據(jù)需要也可以在顯影液中加入各種表面活性劑(陰離子性表面活性劑、非離子性表面活性劑、兩性表面活性劑)或醇等有機溶劑。另外，堿成分的含量也可以根據(jù)正型抗蝕劑組合物的組成等選擇，例如可以為0.15質(zhì)量％左右。實施例聚合物(1)及其原料的制造法的參考例參考例中的聚合物的重均分子量(Mw)在以下的條件下，利用凝膠滲透色譜法(GelPermeationChromatography)測定。柱串聯(lián)連接TSKgelSuperHM—M(2根)、固一H(l根)[全部為東y—(株)制]。柱保留溫度40°C檢測器RI展開溶劑四氫呋喃(流速0.5ml/分鐘)標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)聚苯乙烯。參考例l:單體的合成添加甲基丙烯酸50g和乙基乙烯基醚42g及磷酸0.4g，在室溫下使其反應(yīng)3小時。甲基丙烯酸的轉(zhuǎn)化率為82%，對甲基丙烯酸l一乙氧基乙酯的選擇系數(shù)為85%。用5%碳酸鈉水溶液中和反應(yīng)液之后，通過減壓濃縮利用分液得到的有機層，獲得甲基丙烯酸l一乙氧基乙酯74g。以下記載目的物質(zhì)的'H—HMR光譜。H—HMR光譜(400MHz)測定儀器日本電子GSX—400測定溶劑重氯仿5:6.16—6.14(m，1H)、6.00(q，J=5.4Hz，H)、5.60—5.59(m,1H)、3.73(dq，J=9.5，7.1Hz，1H)、3.56(dq，J=9.6，7.1Hz，1H)、1.95—1.94(m，3H)、1.44(d，J=5.1Hz，3H)、1.22(t，J=7.1Hz，3H)。參考例2:乙烯基系聚合物的制造(Q—l)在備有滴加裝置、攪拌裝置、溫度計、冷卻管和氮氣導(dǎo)入管的燒瓶中，投入環(huán)己醇200.0g，加熱至80°C，在氮氣氣氛下攪拌，同時利用滴加裝置用2小時滴加已均一地溶解甲基丙烯酸l一乙氧基乙酯40g、甲基丙烯酸丁酯160g及2，2'—偶氮雙一2—甲基異丁腈(AMBN)16g的混合液。滴加結(jié)束后，每30分鐘添加3次AMBN/丙二醇一甲醚乙酸酯二0,2g/1.8g的混合溶液，在8(TC下熟化3.5小時，結(jié)束聚合反應(yīng)。得到所得的聚合物溶液的固體成分為53質(zhì)量％、重均分子量為13,000的乙烯基系聚合物(Q—1)。實施例1向甲基乙基甲酮中添加乙烯基系聚合物(Q—l)IOO質(zhì)量份、下述所示的菁色素20質(zhì)量份、下述所示的熱產(chǎn)酸劑IO質(zhì)量份、對甲苯磺酸0.5質(zhì)量份，使固體成分成為3質(zhì)量％，得到液態(tài)組合物。菁色素?zé)岙a(chǎn)酸劑將該液態(tài)組合物涂敷于玻璃基板上，使干燥膜厚成為O.lpm，使其在室溫下干燥，形成感光層。以與實施例1同樣的條件向該感光層進行激光照射、顯影及清洗干燥之后，對得到的抗蝕劑圖案進行評價。結(jié)果，確認(rèn)為可以進行0.8(imLine/Space的析像。實施例3向甲基乙基甲酮中添加乙烯基系聚合物(Q—OIOO質(zhì)量份、下述所示的菁色素20質(zhì)量份、下述所示的熱產(chǎn)酸劑IO質(zhì)量份，使固體成分成為3質(zhì)量％，得到液態(tài)組合物。菁色素?zé)岙a(chǎn)酸劑將該液態(tài)組合物涂敷于玻璃基板上，使干燥膜厚成為0.1nm，使其在室溫下干燥，形成感光層。以與實施例1同樣的條件向該感光層進行激光照射、顯影及清洗干燥之后，對得到的抗蝕劑圖案進行評價。結(jié)果，確認(rèn)為可以進行0.8pm線/空間的析像。實施例4向甲基乙基甲酮中添加乙烯基系聚合物(Q—l)IOO質(zhì)量份、下述所示的菁色素20質(zhì)量份、下述所示的熱產(chǎn)酸劑10質(zhì)量份，使固體成分成為3質(zhì)量％，得到液態(tài)組合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage64</formula>菁色素?zé)岙a(chǎn)酸劑將該液態(tài)組合物涂敷于玻璃基板上，使干燥膜厚成為0.1pm,使其在室溫下干燥，形成感光層。以與實施例1同樣的條件向該感光層進行激光照射、顯影及清洗干燥之后，對得到的抗蝕劑圖案進行評價。結(jié)果，確認(rèn)為可以進行0.8pm線/空間的析像。實施例5向甲基乙基甲酮中添加乙烯基系聚合物(Q—l)IOO質(zhì)量份、下述所示的菁色素20質(zhì)量份、下述所示的熱產(chǎn)酸劑10質(zhì)量份、對甲苯磺酸0.5質(zhì)量份，使固體成分成為3質(zhì)量％，得到液態(tài)組合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage64</formula>菁色素?zé)岙a(chǎn)酸劑將該液態(tài)組合物涂敷于玻璃基板上，使干燥膜厚成為0.1pm，使其在室溫下干燥，形成感光層。以與實施例1同樣的條件向該感光層進行激光照射、顯影及清洗干燥之后，對得到的抗蝕劑圖案進行評價。結(jié)果，確認(rèn)為可以進行0.8pm線/空間的析像。實施例6向甲基乙基甲酮中添加乙烯基系聚合物(Q—l)IOO質(zhì)量份、下述所示的菁色素20質(zhì)量份、下述所示的熱產(chǎn)酸劑10質(zhì)量份、對甲苯磺酸0.5質(zhì)量份，使固體成分成為3質(zhì)量％，得到液態(tài)組合物。[化52]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage65</formula>菁色素?zé)岙a(chǎn)酸劑將該液態(tài)組合物涂敷于玻璃基板上，使干燥膜厚成為O.lpm，使其在室溫下干燥，形成感光層。以與實施例1同樣的條件向該感光層進行激光照射、顯影及清洗干燥之后，對得到的抗蝕劑圖案進行評價。結(jié)果，確認(rèn)為可以進行0.8,線/空間的析像。實施例7向甲基乙基甲酮中添加乙烯基系聚合物(Q—l)IOO質(zhì)量份、下述所示的菁色素20質(zhì)量份、下述所示的熱產(chǎn)酸劑10質(zhì)量份，使固體成分成為3質(zhì)量％，得到液態(tài)組合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage65</formula>色素?zé)岙a(chǎn)酸劑將該液態(tài)組合物涂敷于玻璃基板上，使干燥膜厚成為0.1pm,使其在室溫下干燥，形成感光層。以與實施例1同樣的條件向該感光層進行激光照射、顯影及清洗干燥之后，對得到的抗蝕劑圖案進行評價。結(jié)果，確認(rèn)為可以進行0.8pm線/空間的析像。實施例8向甲基乙基甲酮中添加乙烯基系聚合物(Q—l)100質(zhì)量份、下述所示的菁色素20質(zhì)量份、下述所示的熱產(chǎn)酸劑10質(zhì)量份，使固體成分成為3質(zhì)量％，得到液態(tài)組合物。[化54]"3^40CH3B《ItH3色素?zé)岙a(chǎn)酸劑將該液態(tài)組合物涂敷于玻璃基板上，使干燥膜厚成為O.lnm，使其在室溫下干燥，形成感光層。以與實施例1同樣的條件向該感光層進行激光照射、顯影及清洗干燥之后，對得到的抗蝕劑圖案進行評價。結(jié)果，確認(rèn)為可以進行0.8pm線/空間的析像。實施例9向甲基乙基甲酮中添加乙烯基系聚合物(Q—l)IOO質(zhì)量份、下述所示的菁色素20質(zhì)量份、下述所示的熱產(chǎn)酸劑10質(zhì)量份，使固體成分成為3質(zhì)量％，得到液態(tài)組合物。H3COCH3C2H4OCH3ICH3C2H40CH3色素?zé)岙a(chǎn)酸劑將該液態(tài)組合物涂敷于玻璃基板上，使干燥膜厚成為O.lpm，使其在室溫下干燥，形成感光層。以與實施例1同樣的條件向該感光層進行激光照射、顯影及清洗干燥之后，對得到的抗蝕劑圖案進行評價。結(jié)果，確認(rèn)為可以進行0.8pm線/空間的析像。實施例10向甲基乙基甲酮中添加乙烯基系聚合物(Q—l)100質(zhì)量份、下述所示的菁色素20質(zhì)量份、下述所示的熱產(chǎn)酸劑10質(zhì)量份、對甲苯磺酸0.5質(zhì)量份，使固體成分成為3質(zhì)量％，得到液態(tài)組合物。[化56]色素?zé)岙a(chǎn)酸劑將該液態(tài)組合物涂敷于玻璃基板上，使干燥膜厚成為0.1pm，使其在室溫下干燥，形成感光層。以與實施例1同樣的條件向該感光層進行激光照射、顯影及清洗干燥之后，對得到的抗蝕劑圖案進行評價。結(jié)果，確認(rèn)為可以進行0.8pm線/空間的析像。實施例11向甲基乙基甲酮中添加乙烯基系聚合物(Q—l)IOO質(zhì)量份、下述所示的菁色素20質(zhì)量份、下述所示的熱產(chǎn)酸劑10質(zhì)量份、對甲苯磺酸0.5質(zhì)量份，使固體成分成為3質(zhì)量％，得到液態(tài)組合物。C2H4OCH3色素?zé)岙a(chǎn)酸劑將該液態(tài)組合物涂敷于玻璃基板上，使干燥膜厚成為O.lpm，使其在室溫下干燥，形成感光層。以與實施例1同樣的條件向該感光層進行激光照射、顯影及清洗干燥之后，對得到的抗蝕劑圖案進行評價。結(jié)果，確認(rèn)為可以進行0.8pm線/空間的析像。實施例12向甲基乙基甲酮中添加乙烯基系聚合物(Q—l)IOO質(zhì)量份、下述所示的菁色素20質(zhì)量份、下述所示的熱產(chǎn)酸劑10質(zhì)量份、對甲苯磺酸0.5質(zhì)量份，使固體成分成為3質(zhì)量％，得到液態(tài)組合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage68</formula>色素?zé)岙a(chǎn)酸劑將該液態(tài)組合物涂敷于玻璃基板上，使干燥膜厚成為O.lpm，使其在室溫下干燥，形成感光層。以與實施例1同樣的條件向該感光層進行激光照射、顯影及清洗千燥之后，對得到的抗蝕劑圖案進行評價。結(jié)果，確認(rèn)為可以進行0.8pm線/空間的析像。實施例13向甲基乙基甲酮中添加乙烯基系聚合物(Q—l)IOO質(zhì)量份、下述所示的菁色素20質(zhì)量份、下述所示的熱產(chǎn)酸劑10質(zhì)量份、對甲苯磺酸0.5質(zhì)量份、UV吸收劑1.5質(zhì)量份，使固體成分成為3質(zhì)量％，得到液態(tài)組合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage68</formula>色素?zé)岙a(chǎn)酸劑將該液態(tài)組合物涂敷于玻璃基板上，使干燥膜厚成為0.1pm，使其在室溫下干燥，形成感光層。以與實施例1同樣的條件向該感光層進行激光照射、顯影及清洗干燥之后，對得到的抗蝕劑圖案進行評價。結(jié)果，確認(rèn)為可以進行0.8pm線/空間的析像。實施例1426使用實施例113的液態(tài)組合物(正型抗蝕劑組合物)，激光波長從830nm變更為405nm，除此以外，同樣地形成、評價抗蝕劑圖案。結(jié)果，確認(rèn)為可以進行0.2pm線/空間的析像。實施例2739使用實施例113的液態(tài)組合物(正型抗蝕劑組合物)，激光波長從830nm變更為375nm，除此以外，同樣地形成、評價抗蝕劑圖案。結(jié)果，確認(rèn)為可以進行0.1pmLine/Space的析像。實施例4045代替實施例16的菁色素，使用香豆素色素((株)林原生物化學(xué)研究所制，NKX—1619)，除此以外，與實施例16同樣地配制液態(tài)組合物。將該液態(tài)組合物涂敷于玻璃基板上，使干燥膜厚成為O.l!im，使其在室溫下干燥，形成感光層。以與實施例1同樣的條件向該感光層進行激光照射、顯影及清洗干燥之后，對得到的抗蝕劑圖案進行評價。結(jié)果，確認(rèn)為可以進行0.8pm線/空間的析像。權(quán)利要求1.一種記錄介質(zhì)主盤用正型抗蝕劑組合物，其特征在于，含有乙烯基系聚合物，該乙烯基系聚合物具有如下所述的單體單元，即具有用烷基乙烯基醚嵌段的堿溶性基。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的記錄介質(zhì)主盤用正型抗蝕劑組合物，其中，還含有通過活化能線而產(chǎn)生熱的光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)和通過熱而產(chǎn)生酸的熱產(chǎn)酸劑。3.根據(jù)權(quán)利要求l所述的記錄介質(zhì)主盤用正型抗蝕劑組合物，其中，所述堿溶性基為羧基。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的記錄介質(zhì)主盤用正型抗蝕劑組合物，其中，所述乙烯基系聚合物為具有下述通式(1)[化l]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>(式中W表示氫原子或低級烷基，f表示取代或無取代的垸基)表示的結(jié)構(gòu)單元的乙烯基系聚合物。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的記錄介質(zhì)主盤用正型抗蝕劑組合物，其中，具有通式(1)表示的結(jié)構(gòu)單元的乙烯基系聚合物的重均分子量為2，000300，000。6.根據(jù)權(quán)利要求15中任意一項所述的記錄介質(zhì)主盤用正型抗蝕劑組合物，其中，所述乙烯基系聚合物是通過至少使用用烷基乙烯基醚嵌段堿溶性基所得的單體而得到的。7.根據(jù)權(quán)利要求16中任意一項所述的記錄介質(zhì)主盤用正型抗蝕劑組合物，其中，還含有酸。8.—種記錄介質(zhì)主盤的制造方法，其是具有在基板上形成正型抗蝕劑組合物的層的工序、向該層的規(guī)定部照射活化能線的工序、和利用堿顯影從所述基板上除去照射部從而在該基板上形成對應(yīng)信息信號的所述正型抗蝕劑組合物的圖案的工序的記錄介質(zhì)主盤的制造方法，其特征在于，所述正型抗蝕劑組合物含有乙烯基系聚合物，該乙烯基系聚合物具有如下所述的單體單元，g卩具有用烷基乙烯基醚嵌段的堿溶性基。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記錄介質(zhì)主盤的制造方法，其中，還含有通過活化能線而產(chǎn)生熱的光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)和通過熱而產(chǎn)生酸的熱產(chǎn)酸劑。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的記錄介質(zhì)主盤的制造方法，其中，所述活化能線是至少包括所述光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)的最大吸收波長士10nm、該最大吸收波長的1/n的波長及該最大吸收波長的n倍的波長(n表示1以上的整數(shù))的任意一種波長的活化能線。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的記錄介質(zhì)主盤的制造方法，其中，所述最大吸收波長在200900nm的范圍。12.根據(jù)權(quán)利要求811中任意一項所述的記錄介質(zhì)主盤的制造方法，其中，'還具有在所述顯影工序之前將照射了所述活化能線的正型抗蝕劑組合物的層加熱的工序。13.根據(jù)權(quán)利要求812中任意一項所述的記錄介質(zhì)主盤的制造方法，其中，所述堿溶性基為羧基。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的記錄介質(zhì)主盤的制造方法，其中，所述乙烯基系聚合物為具有下述通式(1)[化2]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>通式(2)(式中R'表示氫原子或低級烷基，W表示取代或無取代的烷基)表示的結(jié)構(gòu)單元的乙烯基系聚合物。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的記錄介質(zhì)主盤的制造方法，其中，具有通式(1)表示的結(jié)構(gòu)單元的乙烯基系聚合物的重均分子量為2，000300，000。16.根據(jù)權(quán)利要求815中任意一項所述的記錄介質(zhì)主盤的制造方法，其中，所述乙烯基系聚合物是通過至少使用用'烷基乙烯基醚嵌段堿溶性基所得的單體而得到的。17.根據(jù)權(quán)利要求816中任意一項所述的記錄介質(zhì)主盤的制造方法，其中，還含有酸。18.—種記錄介質(zhì)用母版的制造方法，其是具有在基板上形成正型抗蝕劑組合物的層的工序；向該層的規(guī)定部照射活化能線的工序；利用堿顯影從所述基板上除去照射部從而在該基板上形成對應(yīng)信息信號的所述正型抗蝕劑組合物的圖案，由此得到主盤的工序；在該主盤的表面形成導(dǎo)電膜的工序；在該導(dǎo)電膜上電鑄金屬的工序；從該主盤剝離由電鑄后的金屬構(gòu)成的母版的工序的記錄介質(zhì)用母版的制造方法，其特征在于，所述正型抗蝕劑組合物含有乙烯基系聚合物，該乙烯基系聚合物具有如下所述的單體單元，即具有用烷基乙烯基醚嵌段的堿溶性基。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的母版的制造方法，其中，還含有通過活化能線而產(chǎn)生熱的光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)和通過熱而產(chǎn)生酸的熱產(chǎn)酸劑。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的母版的制造方法，其中，所述活化能線是至少包括所述光熱轉(zhuǎn)換物質(zhì)的最大吸收波長士10nm、該最大吸收波長的1/n的波長及該最大吸收波長的n倍的波長(n表示1以上的整數(shù))的任意一種波長的活化能線。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的母版的制造方法，其中，所述最大吸收波長在200900nm的范圍。22.根據(jù)權(quán)利要求1821中任意一項所述的母版的制造方法，其中，還具有在所述顯影工序之前將照射了所述活化能線的正型抗蝕劑組合物的層加熱的工序。23.根據(jù)權(quán)利要求1822中任意一項所述的母版的制造方法，其中，所述堿溶性基為羧基。24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的母版的制造方法，其中，所述乙烯基系聚合物為具有下述通式(1)[化3]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>(式中R'表示氫原子或低級烷基，W表示取代或無取代的烷基)表示的結(jié)構(gòu)單元的乙烯基系聚合物。25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的母版的制造方法，其中，具有通式(1)表示的結(jié)構(gòu)單元的乙烯基系聚合物的重均分子量為2，000300，000。26.根據(jù)權(quán)利要求1825中任意一項所述的母版的制造方法，其中，所述乙烯基系聚合物是通過至少使用用烷基乙烯基醚嵌段堿溶性基所得的單體而得到的。27.根據(jù)權(quán)利要求1826中任意一項所述的母版的制造方法，其中，還含有酸。全文摘要本發(fā)明提供一種顯示出色的耐鍍敷性及與玻璃等基板的粘附性的記錄介質(zhì)主盤用正型抗蝕劑組合物以及使用該正型抗蝕劑組合物的記錄介質(zhì)主盤(master)或母版(stamper)的制造方法，其中的記錄介質(zhì)主盤用正型抗蝕劑組合物的特征在于，含有乙烯基系聚合物，該乙烯基系聚合物具有如下所述的單體單元，即具有用烷基乙烯基醚嵌段的堿溶性基。文檔編號G11B7/26GK101185132SQ20068001357公開日2008年5月21日申請日期2006年4月18日優(yōu)先權(quán)日2005年4月20日發(fā)明者今井玄兒,小島大輔申請人:關(guān)西油漆株式會社