專利名稱：納米尺度交叉棒的多路復用器接口的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及電子器件和電路，尤其涉及用于讀取存儲在納米線交叉棒(nanowire-crossbar )存儲器中的信息并用于將納米線交叉棒接口 到亞微米尺度和/或微米尺度的電子器件的多路復用器。 政府利益的聲明本發(fā)明是在政府的支持下做出的，合同號并MDA972-01-3-005 ，由 DARPA Moletronics (國防預先研究計劃局分子電子學)給予的。政府 對本發(fā)明享有 一定的權利。
背景技術：
近來，通過常規(guī)的基于光刻的方法對電子器件和電路進行設計與制 造，逐漸接近到進一步減小元件尺寸的物理極限，因此發(fā)展了制造納米 尺度的電子電路的其它的方法。納米線交叉棒技術是一種制造尺寸遠小 于而元件密度相應大于當前采用光刻方法制造的亞微米尺度的電路和元 件的電子電路和器件的特別有希望的新的方法圖l是典型的納米線交叉棒。圖1中的納米線交叉棒實現(xiàn)了一種簡 單的存儲器件。該納米線交叉棒包括(l)第1組平行納米線102; (2) 雙穩(wěn)態(tài)的比特存儲層104;和(3)垂直于第1層平行納米線102的第2 層平行納米線106。在第1層納米線102中的納米線和第2層納米線106 中的納米線之間的每個最小間距的點或交叉點處，在比特存儲層104的 每個小區(qū)域內(nèi)存儲單一比特的信息。例如，在納米線110上面和納米線 112下面的比特存儲層104的小區(qū)域108(如圖1中的交叉陰影線所示)， 連同和該小區(qū)域接觸的納米線110和112的部分一起，形成用作納米尺 度存儲器內(nèi)的單一比特的存儲元件114的納米線結。在許多納米尺度存儲器的實施例中，單一比特存儲元件(例如圖1 中的單一比特存儲元件114 )的內(nèi)容，可以通過給相交形成單一比特存儲 元件的納米線中的一個或兩個都施加電壓或電流信號來#~改，以改變納 米線結內(nèi)的雙穩(wěn)態(tài)比特存儲層的物理狀態(tài)，例如電阻率。圖1中，例如， 可以給納米線110和112中的一個或者兩個都施加信號，以fl"改單一比 特存儲元件114，如圖1中的箭頭所示，例如箭頭116。通常，對其余的
納米線不施加信號或施加不同的信號，以區(qū)別該尋址的單一比特存儲元 件與所有其它的單一比特存儲元件。在許多的實施例中，施加振幅相對大的信號以進行"寫"操作，其中物理狀態(tài)改變了，而施加振幅相對較 小的信號以進行"讀，，操作，通常其中的物理狀態(tài)并不改變，而只是確 定。在"讀，，操作中，通過給納米線交叉棒的納米線施加一個或多個信 號，而從相交形成單一比特存儲元件的兩個納米線中的一個或它們兩個 上的信號的存在、不存在或強度，來確定單一比特存儲元件的物理狀態(tài)。 由納米線交叉棒實現(xiàn)的納米尺度存儲器可以看作是單一比特存儲元件的 二維陣列，每個單一比特存儲元件都可以通過相交形成單一比特存儲元 件的兩個納米線，被獨立且唯一地尋址。在某些情形下，二維納米尺度 存儲器內(nèi)的單一比特存儲元件的全部的行、列或較大的組都可以在單個 操作中存取。圖1是典型的納米線交叉棒的簡單的示意圖。雖然圖1中的各個納 米線的橫截面是矩形的，納米線的橫截面也可也是圓形的、橢圓形或較 復雜的形狀，納米線可以有很多不同的寬度或直徑以及長寬比或離心 率。可以通過表面上的化學自組裝和向襯底的遷移、通過原位化學合成、 以及通過多種其它的技術，使用金屬的和/或半導體的元素或化合物、摻 雜的有機聚合物、復合材料、納米管和摻雜的納米管，以及使用其它類 型的導電或半導體材料，采用壓印光刻來制造納米線。圖1中雙穩(wěn)態(tài)的比特存儲層104是在兩組平行的納米線之間的連續(xù)層，然而可選的，也 可以是不連續(xù)的，或者是環(huán)繞納米線的鞘狀的分子涂層，或納米線內(nèi)的 組成原子或分子，而不是單獨的層。雙穩(wěn)態(tài)的比特存儲層104也可以由 許多種不同的金屬的、半導體的、摻雜的聚合物的和復合的材料組成。為了將納米線交叉棒結合到常規(guī)的電子器件中，而將納米線交叉棒 的各個納米線引線互連到亞微米尺度和微米尺度的信號線時，會遇到很 大的問題，也包括識別和操作各個納米線。對這些問題的一個解決方案 是，使用與納米線交叉棒集成的具有微米尺度或亞微米尺度的地址線的 去復用器。圖2是與納米尺度/亞微米尺度的去復用器集成的納米線交叉 棒存儲器，納米線交叉棒存儲器的各個比特存儲元件可以通過微米尺度 或亞微米尺度的地址線唯一地進行存取。圖2中，16 x 16的納米線交叉 棒202具有平行的納米線層，其中的納米線延伸穿過納米線交叉棒陣列 202的邊界，形成第一去復用器204和第二去復用器206。去復用器204
包括從納米線交叉棒的笫一平行納米線層延伸的納米線，例如納米線208，其上面或下面是垂直的微米尺度或亞微米尺度的源-電壓線210和 四對垂直的微米尺度或亞微米尺度的地址線212-215。同樣，笫二去復 用器206由納米線交叉棒的第二平行納米線層延伸的納米線實現(xiàn)。某些 實現(xiàn)方式中，例如圖2給出的實現(xiàn)方式，地址線作為互補對出現(xiàn)，每對 表示1比特，相反的是多比特地址，然而在其它的實現(xiàn)方式中，也可以 使用單個地址線。通過四對地址線212-215輸入的四比特地址，足以給 16根納米線中的每一根(例如納米線208 )都提供唯一的地址；兩個四 比特的地址同時輸入到兩個去復用器204和206中每一個的四對地址 線，可以在納米線交叉棒陣列202的256個納米線結中唯一地尋址某個 納米線結。通過在某個單一比特存儲元件處相交的納米線交叉棒存儲器的納米 線上加上"寫"信號，單一比特存儲元件的狀態(tài)可以設定為對二進制數(shù) 值"0"和"1"進行編碼的兩個雙穩(wěn)態(tài)中所希望的一個。然而通過施加 "讀"信號確定給定的單一比特存儲元件的狀態(tài)是非常困難的。納米線 交叉棒存儲器的設計者、制造者、銷售商和綜合者，以及這種器件的最 終用戶，都已經(jīng)意識到需要可靠的和有效地制造的裝置來讀取納米線交 叉棒存儲器內(nèi)的單一比特存儲元件的狀態(tài)。其它類型的實現(xiàn)納米線交叉 棒器件的設計者、制造者、銷售商、綜合者和用戶已經(jīng)意識到需要可靠 的和有效地制造的接口來將實現(xiàn)納米線交叉棒的器件與亞微米尺度和微 米尺度的電子器件互連。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的各個實施例都涉及到用于讀取納米線交叉棒存儲器的內(nèi)容 的電子裝置。本發(fā)明的一個實施例中，微米尺度或亞微米尺度的信號線 通過可配置的納米線結開關與來自納米線交叉棒存儲器的一組平行的納 米線互連。微米尺度或亞微米尺度的信號線作為單線路的多路復用器， 使納米線交叉棒存儲器內(nèi)的任何的一個單一比特存儲元件的內(nèi)容可以在 三個周期的"讀，，操作中被讀取。


圖1是示例性的納米線交叉棒；圖2是與納米尺度或微米尺度的去復用器集成的納米線交叉棒存儲 器，納米線交叉棒存儲器的各個比特存儲元件可以通過微米尺度或亞微米尺度的地址線唯一地進行存?。粓D3A-D是第一電子多路復用器裝置，使用電子多路復用器裝置的"讀"操作，電子多路復用器裝置的不足和缺點；圖4A-E是單線路多路復用器的實現(xiàn)，其有助于對納米線交叉棒存儲 器內(nèi)被選擇的單一比特存儲元件的"讀"操作，其代表本發(fā)明的一個實 施例。
具體實施方式
本發(fā)明的各個實施例包括用于讀取納米線交叉棒存儲器內(nèi)選擇的單 一比特存儲元件的內(nèi)容的電子多路復用器。當前的討論中，術語"納米 線"是指寬度小于目前可以使用常規(guī)的光刻技術制造的亞微米尺度的信 號信的寬度的信號線，其小于50納米、小于20納米或小于IO納米。術 語納米線結是指在納米線與另外的元件之間的互連，另外的元件可以是 第二個納米線或信號信或其它較大尺度的元件。圖3A-D是第一電子多路 復用器裝置，使用電子多路復用器裝置的"讀"操作，電子多路復用器 裝置的不足和缺點。圖3A使用圖3A-D中都使用的圖示慣例。圖3A中， 6 x 6的納米線交叉棒存儲器302在互連第一組垂直平行的納米線304 -309中的納米線和第二組水平平行的納米線310-315中的納米線的納米 線結的地方制造的36個單一比特存儲元件中的每一個處都存儲單一比特 的信息。在圖3A-D中，每個納米線結都表示為二極管，例如二極管316， 定向地將水平納米線互連到垂直納米線。對于納米線結316，水平納米 線311和垂直納米線305是互連的，電流或電壓信號通常可通過納米線 結316從水平納米線311傳送到垂直納米線305，但在正常的操作條件 下，不能沿反方向傳送。納米線交叉棒的雙穩(wěn)態(tài)存儲層包括半導電的子 層、薄膜或其它的能使信號在由二極管符號的箭頭方向所示的正方向上 通過而阻止信號在反方向上通過的化學或物理裝置。納米線交叉棒存儲 器優(yōu)選使用二極管納米線結，這是因為它們能避免在納米線交叉棒存儲 器中使用不必要的電路，下面會對此進一步討論。第一去復用器318控制電壓或電流信號到水平組的納米線310-315 的輸入，笫二去復用器320控制信號到垂直組的納米線304-309的輸入。 因此，某個單一比特存儲元件，例如單一比特存儲元件316，可以通過去 復用器318向納米線311施加第一 "寫"信號和通過去復用器320向納 米線305施加相應的第二 "寫"信號而被寫入。在納米線交叉棒存儲器 的某些實施例中，第一 "寫，，信號可以是振幅相對大的正電壓信號，而 第二 "寫"信號可以是振幅相對大的負電壓信號。第一和第二 "寫"信 號施加的結果是單一比特存儲元件上產(chǎn)生相當大的電壓降，從而使單一比特存儲元件處于兩個穩(wěn)定的物理狀態(tài)中的一個。通過向水平納米線311 施加第二 "寫"信號并向垂直納米線305施加第一 "寫"信號，或者換 句話說，將施加到納米線的電壓信號反轉(zhuǎn)，這樣可以使單一比特存儲元 件處于兩個穩(wěn)定的物理狀態(tài)中的另一個。如圖3A所示，使用通過二極管類的納米線結324 - 329與水平組的 納米線310-315互連的單線路多路復用器322，讀取在納米線交叉棒存 儲器內(nèi)選擇的單一比特存儲元件的內(nèi)容。單線路多路復用器322可以與 放大器330連接，以放大"讀"操作產(chǎn)生的信號，它還通過電阻器332 互連到地334。電阻器332的電阻需要認真的選擇，既要足夠高以引導 信號從水平納米線310-315輸入到單線路多路復用器322，到放大器 330，但也要足夠低以在沒有輸入信號的時候?qū)尉€路多路復用器322拉 到低電壓或低電流的狀態(tài)。此外，電阻可以需要是可變的，以阻止將水 平納米線310 - 315與單線路多路復用器322互連的二極管類的納米線結 324 - 329出現(xiàn)不希望的狀態(tài)改變或損傷。圖3B是通過單線路多路復用器幫助的讀操作，對對應于納米線結的 高電阻率狀態(tài)的單一比特存儲元件或納米線結316的打開狀態(tài)(open state)的檢測。當單一比特存儲元件316處于打開狀態(tài)時，如在水平納 米線311和垂直納米線305的交叉處的未填充的圓336所示，相對弱的 電壓或電流信號由第一去復用器318施加到納米線311，如圖3B中的符 號"H" 338和疊加在對應于納米線311的線上的黑色粗線340所示，輸 入信號一直通到單線路多路復用器322 ，從而引起單線路多路復用器對信 號進行檢測，如圖3B中的從放大器330輸出的信號線上的符號"H" 342 所示。施加到水平納米線311上的相對弱的電壓電流信號通過納米線結 344 - 348，由于二極管類的納米線結不是正向偏置的，作為匹配輸入的 結果，相對弱的電壓或電流信號由第二多路復用器320施加到垂直的納 米線304和306-309。雖然第二去復用器給垂直納米線305施加低電壓， 如圖3B中的符號"L" 350所示，由于打開狀態(tài)中的納米線結316的高 電阻，由第一去復用器318施加給水平納米線311的弱電壓或電流信號 不能通過納米線結316到達由去復用器320保持在低狀態(tài)的垂直納米線 305。因為第一去復用器318保持水平納米線310和312 - 315處于低電 壓狀態(tài)，所有其余的將垂直納米線304和306 - 309與水平納米線310 和312 - 315互連的納米線結都不是正向偏置的，因此電流或電壓不會通 過這些納米線泄漏到水平納米線310和312-315。因此，只有由第一去 復用器318施加到水平納米線311的相對弱的電壓或電流信號才能到達 單線路多路復用器322。還要注意，電阻器332的電阻足夠高，使得由 第一去復用器318施加給水平納米線311的信號大部分都被引向了放大 器330，而不是耗散到地334。當單一比特存儲元件316處于低電阻率狀態(tài)或閉合狀態(tài)(closed state)時，如圖3C中的水平納米線311和垂直納米線305的相交處的 實圓352所示，由第一去復用器318施加給水平納米線311的相對弱的 電壓或電流信號通過納米線結316到達由第二去復用器320保持在低電 壓或低電流狀態(tài)的垂直納米線305，而不是通到單線路多路復用器322。 因此，低信號354由與單線路多路復用器322互連的放大器330輸出。不幸的是，會有上面參考圖3A-C討論的與單線路多路復用器的實現(xiàn) 相關的問題。這些問題主要涉及到將水平納米線310-315與單線路多路 復用器322互連的二極管類的納米線結324 - 329。上面討論的與單線路多路復用器的實現(xiàn)相關的第一個問題是，制造 在水平納米線和單線路多路復用器之間的二極管類的納米線結在技術上 或經(jīng)濟上不切實際。單線路多路復用器可以在單獨的步驟中制造，部分 或完全處于納米線交叉棒存儲器的外部。在納米線和微米尺度或亞微米 尺度的單線路多路復用器之間的二極管類的納米線結的可靠制造，在技 術上不可行，在某些情形下，或許會產(chǎn)生大量的額外制造費用，這使單 線路多路復用器的實現(xiàn)對大量制造來說太昂貴了。在某些情形下，在納 米線交叉棒存儲器內(nèi)的任何地方制造可靠的二極管類的納米線結甚至是 不切實際的和不可能的，更不用說在納米線和微米尺度或亞微米尺度的 單線路多路復用器的相交處。上面討論的與單線路多路復用器的實現(xiàn)相關的第二個問題是，即使 將水平納米線與單線路多路復用器互連的二極管類的納米線結可以制 造，它們也必須在相對精密的公差內(nèi)制造，以確保在納米線交叉棒存儲器 內(nèi)不出現(xiàn)不符合要求的電路。圖3D給出了，當將納米線與單線路多路復 用器互連的二極管類的納米線結并沒有以指定方向的信號傳送特性來工 作時，在"讀，，操作期間，在納米線交叉棒存儲器內(nèi)的不符合需求的電路。圖3D中，單一比特存儲元件316處于打開狀態(tài)，引起由第一去復用 器318施加給納米線311， 一直到單線路多路復用器322的弱的電壓或 電流信號的傳送。可是，納米線結324和326-329按照它們的規(guī)范，盡 管不是正向偏置的，而是沿從單線路多路復用器322反向到水平納米線 310和312-315的反方向通過電流。因此，由第一去復用器318施加到 納米線311的信號通過納米線310和312 - 315返回到第一去復用器，而 不是通到放大器330，因此，單線路多路復用器輸出低信號356，而不是 當單一比特存儲元件處于打開狀態(tài)時將檢測到的高信號，如在上文參考 圖3B討論的。上面討論的與單線路多路復用器的實現(xiàn)相關的第三個問題是，將水 平納米線與單線路多路復用器互連的二極管類的納米線結的電特性相對 于單線路多路復用器和納米線交叉棒存儲器的其它電子元件的電特性需 要細致地平衡。例如，將水平納米線與單一比特多路復用器互連的二極 管類的納米線結需要通過由第一去復用器給水平納米線施加的信號而被 正向偏置，但是在沒有施加的信號時，不應被正向配置，或是處于低電 阻狀態(tài)。很難將二極管類的納米線結的特性與單線路多路復用器的特性 進行匹配。圖4A-E示出了適合于便于對納米線交叉棒存儲器內(nèi)被選擇的單一 比特存儲元件的"讀"操作的單線路多路復用器的實現(xiàn)，其代表本發(fā)明 的一個實施例。圖4A-E使用與圖3A-D中的類似的圖示慣例，為了簡明 而不重復說明。在代表本發(fā)明的一個實施例的第二單線路多路復用器的 實現(xiàn)中，水平納米線310-315沒有通過二極管類的納米線結與單線路多 路復用器402互連(如前面的上文所討論的實現(xiàn)中)，而是通過開關類 的納米線結互連。這些開關類的納米線結由圖4A中未填充的圓所示，例 如在水平納米線310 - 315和單線路多路復用器402的相交處的未填充的 圓404。開關類的二極管結是可配置的。通過水平納米線施加第一復位信號 并通過單線路多路復用器施加第二復位信號可以使它們打開，通過給水 平納米線施加第一置位信號并給單線路多路復用器施加第二置位信號可 以使它們閉合。復位和置位信號的符號和大小可以改變，這依賴于開關 類的納米線結的獨特的化學和物理特性。例如，在某些情形下，第一復 位信號可以構成施加給納米線的振幅相對較大的正電壓，第二復位信號可以構成施加給單線路多路復用器402的振幅相對較大的負電壓。在這 種情況下，相反的笫一和第二置位信號大小相近，極性相反。圖4B-E是用來讀取納米線交叉棒存儲器內(nèi)被選擇的單一比特存儲 元件的內(nèi)容的三個周期的"讀"操作。例參考圖4B-E討論的例子，讀取 單一比特存儲元件316的內(nèi)容。第一步，如圖4B所示，第一復位信號， 如圖4B中的符號"R"(例如符號406 )所示，施加給所有的水平納米 線310-315，第二復位信號408施加給單線路多路復用器402。接著， 如圖4C所示的第二步，第一去復用器318給水平納米線311施加第一置 位信號，給單線路多路復用器402施加第二置位信號410。接著，如圖 4D-E所示，如前面參考圖3A-C討論過的，由笫一和笫二去復用器施加 給納米線的低的弱電壓或電流信號的模式被再次應用以讀取單一比特存 儲元件316的內(nèi)容。當單一比特存儲元件316處于打開狀態(tài)時，如圖4D 所示，由第一去復用器318施加給納米線311的弱的電壓或電流信號通 過閉合的開關類二極管404通到單線路多路復用器402。信號由與單線 路多路復用器404互連的放大器410放大以輸出高信號412。其余的開 關類的納米線結403和405-408是打開的，在其余的水平納米線310和 312 - 315和單線路多路復用器402之間的任一方向都沒有電流通過。因 此，避免了上面討論過的與在納米線和單線路多路復用器之間的二極管 類納米線結相關的問題。相反，如圖4E所示，當單一比特存儲元件316 處于閉合狀態(tài)時，由第一去復用器318施加給水平納米線311的弱的電 壓或電流信號通過現(xiàn)在處于低電阻率狀態(tài)的納米線結316，到達笫二去復 用器320，而不是到達單線路多路復用器，結果由單線路多路復用器輸出 低信號414。將其余的水平納米線310和312 - 315互連到單線路多路復 用器402的開關類二極管是打開的，防止電流通過水平納米線310和312 - 315到第一去復用器318的任何非故意的回流。雖然，以特別的實施例描述了本發(fā)明，但本發(fā)明并不受這些實施例 的限制。在本發(fā)明的精神范圍內(nèi)的任何的修改，對本領域的技術人員來 說都是顯而易見的。例如許多不同技術和材料中的任何一種都可以制造 開關類的納米線結，以將納米線交叉棒中一個平面的平行納米線中的納 米線互連到單線路多路復用器。另一個實施例中，單線路多路復用器可 以用來從任何數(shù)目的實現(xiàn)納米線交叉棒的器件(包括存儲器)中提取信
息。依賴于開關類的納米線結的實現(xiàn)，在其它的實施例中可以使用不同 的讀周期序列。在另外的實施例中，多路復用器線路也可以是與其它的 納米尺度、亞微米尺度或微米尺度的元件互連的納米線。前面的說明中，為了解釋，使用了具體的術語以使本發(fā)明得到透徹 的理解。然而對本領域的技術人員顯而易見的是，實施本發(fā)明并不需要 這些具體的細節(jié)。前面本發(fā)明具體實施例的說明是為了說明和描述的目 的。它們并不是窮盡的，也不是用來將本發(fā)明限制到公開的明確的形式。 明顯的，參照上面的教導可以有許多的修改或改變。展示并描述實施例 是為了更好的解釋本發(fā)明的原理和實際應用，從而使本領域的其它的技例。本發(fā)明的范圍由下面的權利要求和它們的等同物來定義。
權利要求
1、一種用于納米線交叉棒的多路復用器接口，該多路復用器接口包括多路復用器線路(402)；具有至少兩組由納米線結互連的平行納米線的納米線交叉棒；以及開關類的納米線結(404)，每一個納米線結都將納米線交叉棒的至少兩組平行納米線中的一組中的一個納米線(311)與多路復用器線路互連。
2、 如權利要求l所述的多路復用器接口，其中多路復用器線路連接 到產(chǎn)生輸出信號的放大器(410)。
3、 如權利要求l所述的多路復用器接口，其中每個開關類的納米線 結(404 )都能夠通過給在納米線結處與多路復用器線路相交的納米線交 叉棒的納米線(311 )施加第一復位信號并且同時給多路復用器線路(402 )施加第二復位信號而被設置為打開狀態(tài)；以及其中每個開關類的納米線結(404 )都能夠通過給在納米線結處與多 路復用器線路(402 )相交的納米線交叉棒的納米線(311)施加第一置 位信號并且同時給多路復用器線路施加第二置位信號而被設置為閉合狀 態(tài)。
4、 如權利要求l所述的多路復用器接口，其中納米線交叉棒中被選 擇的納米線結(316)的電流狀態(tài)可以通過下述方法確定通過納米線結給與多路復用器線路互連的納米線(310-315)中的 每一個施加第一復位信號，并給多路復用器線路(402 )施加第二復位信 號；給與多路復用器線路(402 )和被選擇的納米線結(404 )互連的納 米線(311 )施加第一置位信號，并給多路復用器線路施加第二置位信號； 以及給與多路復用器線路(402 )和被選擇的納米線結(316)互連的納 米線(311)施加弱的信號，保持與多路復用器線路互連的納米線交叉棒 中任何余下的納米線處于低狀態(tài)，保持與被選擇的納米線結互連而不與 多路復用器線路互連的任何其它的納米線處于低狀態(tài)，保持與被選擇的 納米線結互連而不與多路復用器線路互連的任何其它的納米線處于低狀 態(tài)，并給余下的納米線施加弱的信號。
5 、如權利要求4所述的多路復用器接口 ，其中給納米線(310 - 315 ) 和多路復用器線路施加電壓信號或電流信號中的一個以確定所選擇的納 米線結的電流狀態(tài)。
6、 如權利要求l所述的多路復用器接口，其中互連納米線交叉棒中 的納米線的納米線結(316)是二極管類的納米線結；以及其中納米線交叉棒是存儲器，信息存儲在互連納米線交叉棒中的納 米線的納米線結的物理狀態(tài)中。
7、 如權利要求1所述的多路復用器接口，其中多路復用器線路 (402 )是亞微米尺度或更大的信號線路。
8、 一種確定具有通過納米線結互連的至少兩組平行納米線的納米 線交叉棒中互連兩個納米線的所選擇的納米線結(316)的當前狀態(tài)的方 法，該方法包括通過開關類的納米線結(404 )提供納米線交叉棒中的一組平行納米 線(310-315)到多路復用器線路(402 )的互連；以及給一組平行納米線和多路復用器線路施加信號以通過從多路復用器 線路(412， 414 )輸出的信號確定所選擇的納米線結(316 )的當前狀態(tài)。
9、 如權利要求8所述的方法，其中給一組平行納米線和多路復用器 線路(402 )施加信號還包括通過開關類的納米線結(404 )給與多路復用器線路互連的納米線交 叉棒的納米線(310-315)中的每一個施加第一復位信號，并給多路復 用器線路(402 )施加第二復位信號；給與多路復用器線路(402 )和被選擇的納米線結(316)互連的納 米線(311)施加第一置位信號，給多路復用器線路施加第二置位信號； 以及給與多路復用器線路(402 )和被選擇的納米線結(316)互連的納 米線(311)施加弱的信號，保持與多路復用器線路互連的納米線交叉棒 中任何余下的納米線處于低狀態(tài)，保持與被選擇的納米線結(316)互連 而不與多路復用器線路(402 )互連的任何其它的納米線處于低狀態(tài)，保 持與被選擇的納米線結(316)互連而不與多路復用器線路(402 )互連 的任何其它的納米線處于低狀態(tài)，并給納米線交叉棒的余下的納米線施 加弱的信號。
10、 如權利要求9所述的方法， 其中給納米線和多路復用器線路(402 )施加電壓信號或電流信號中 的一個以確定所選擇的納米線結(316)的當前狀態(tài)其中互連納米線交叉棒中的納米線的納米線結(316 )是二極管類的 納米線結；以及其中多路復用器線路(402 )是亞微米尺度或更大的信號線路。
全文摘要
本發(fā)明的各個實施例都涉及到用于讀取納米線交叉棒存儲器的內(nèi)容的電子裝置。本發(fā)明的一個實施例中，微米尺度或亞微米尺度的信號線通過可配置的納米線結開關(404)與來自納米線交叉棒存儲器的一組平行納米線互連。微米尺度或亞微米尺度的信號線作為單線路多路復用器，使納米線交叉棒存儲器內(nèi)的任何的一個單一比特存儲元件(316)的內(nèi)容被讀取。
文檔編號G11C13/02GK101164117SQ200680013546
公開日2008年4月16日 申請日期2006年4月19日 優(yōu)先權日2005年4月22日
發(fā)明者P·J·屈克斯, S·R·威廉斯 申請人:惠普開發(fā)有限公司