專利名稱：光拾取器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種光盤裝置所具有的光拾取器，該光盤裝置讀出光盤記錄面上記錄的信息，或在光盤記錄信息。
背景技術：
設于光盤裝置的光拾取器的一般的物鏡驅(qū)動單元由搭載了物鏡的可動部分、支承該可動部分的支承構件、聚焦線圈和光道跟蹤線圈、軛鐵和磁體構成。
當對聚焦線圈加驅(qū)動電流時，通過與來自磁體的磁通的作用而產(chǎn)生電磁力，由該電磁力朝接近或遠離光盤面的方向即聚焦方向驅(qū)動可動部分。同樣，當對光道跟蹤線圈加驅(qū)動電流時，通過與來自磁體的磁通的作用而產(chǎn)生電磁力，由該電磁力朝光盤的半徑方向即光道跟蹤方向驅(qū)動可動部分。
在專利文獻1中記載了具有這樣的構成的光拾取器的現(xiàn)有技術構造的例子。在記載于專利文獻1的光拾取器中，示出了這樣的構成，在該構成中，光道跟蹤線圈和聚焦線圈固定于透鏡保持架，1個磁體交替地被磁化為3組N極和S極。另外，還示出了組合3個磁體的構成。
日本特開平10-334486號公報(第4頁、圖1、圖2)在如上述專利文獻1記載的那樣使用交替地被磁化為N極和S極的磁體的場合，磁極的邊界處于預定的基準位置很重要。當磁極的邊界從基準位置偏移時，相對于聚焦線圈或光道跟蹤線圈的磁通密度分布發(fā)生變化，在聚焦線圈或光道跟蹤線圈發(fā)生的驅(qū)動力分布相對各線圈的中心不對稱。相對該各線圈的中心不對稱的驅(qū)動力分布導致使物鏡傾斜的轉(zhuǎn)矩發(fā)生。當物鏡傾斜時，光學的像差使聚光點模糊，存在不能進行正確的記錄再生的危險。
然而，在記載于上述專利文獻1的光拾取器中，當將1個磁體分割成3個磁極區(qū)域時，從外觀上分不清磁極邊界，所以，只好以磁體的外形為定位基準。然而，考慮到制造誤差，相對磁體的外形，磁極邊界的位置并不確定，存在磁極邊界位置從基準位置偏移的問題。
另外，在記載于上述專利文獻1的光拾取器中，即使是使用3個磁體的場合，如各磁體存在尺寸誤差，則也存在磁體的邊界從基準位置偏移的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種光拾取器，該光拾取器在鄰接地配置不同磁極的磁體的構成中，可提高磁體的邊界位置精度，抑制在線圈產(chǎn)生的轉(zhuǎn)矩，物鏡的傾斜小。
為了達到上述目的，本發(fā)明如以下那樣構成。光拾取器使用物鏡在與光盤間進行信息的讀寫；其中具有保持物鏡的透鏡保持架、分別與上述透鏡保持架的平行于聚焦方向和光道跟蹤方向的2個側(cè)面對置的3個磁體、及安裝上述磁體的軛鐵；上述軛鐵的、安裝上述3個磁體中的中央的磁體的中央軛鐵面與安裝上述3個磁體中的外側(cè)的2個磁體的外側(cè)軛鐵面具有階差。
另外，在光拾取器中，上述外側(cè)的磁體配置成接觸于上述軛鐵的階差。
另外，在光拾取器中，上述中央的磁體的光道跟蹤方向的寬度在上述軛鐵的中央軛鐵面的光道跟蹤方向的寬度以下，上述中央的磁體分別接觸于以上述物鏡為中心處于對角的上述外側(cè)磁體。
另外，在光拾取器中，上述中央的磁體的厚度比上述外側(cè)磁體的厚度薄，與上述透鏡保持架的平行于聚焦方向和光道跟蹤方向的側(cè)面對著的上述3個磁體的面大體為同一面。
按照本發(fā)明，在鄰接地配置多個磁體的光拾取器的構成中，即使為磁體具有尺寸誤差的場合，也可提高磁體的邊界位置的精度，所以，可對稱地保持磁通密度分布，抑制使物鏡傾斜的轉(zhuǎn)矩的發(fā)生。因此，可正確地進行信息在光盤的記錄再生。
另外，可使各磁體與各線圈的距離均勻，所以，可增大在各線圈發(fā)生的驅(qū)動力，可高速地進行在光盤的信息的記錄再生。


圖1為示出本發(fā)明光拾取器的物鏡驅(qū)動單元的實施例的圖。
圖2為示出圖1所示物鏡驅(qū)動單元的軛鐵的圖。
圖3為說明圖1所示物鏡驅(qū)動單元的軛鐵與磁體的組裝方法的圖。
圖4為示出圖1所示物鏡驅(qū)動單元的磁體的尺寸變化的場合的圖。
圖5為說明與本發(fā)明不同的物鏡驅(qū)動單元的軛鐵和磁體的配置的圖。
圖6為說明與本發(fā)明不同的物鏡驅(qū)動單元的軛鐵和磁體的配置的圖。
圖7為本發(fā)明光盤裝置的實施例的框圖。
具體實施例方式下面根據(jù)

本發(fā)明的光拾取器的實施例。首先，根據(jù)圖7的框圖說明搭載了光拾取器110的光盤裝置100。光盤裝置100具有使光盤101回轉(zhuǎn)的主軸電動機120、從光盤101讀出信息或?qū)⑿畔懭氲焦獗P101的光拾取器110、及對其進行控制的控制器130。光拾取器110具有在后面詳述的物鏡驅(qū)動單元50和激光發(fā)光元件111等光學部件。
連接于控制器130的盤回轉(zhuǎn)控制電路131從控制器130接收指令，對搭載了光盤101的主軸電動機120進行回轉(zhuǎn)驅(qū)動。另外，連接于控制器130的進給控制電路132從控制器130接收指令，使光拾取器110朝光盤101的半徑方向移動。
在搭載于光拾取器110的激光發(fā)光元件111連接發(fā)光元件驅(qū)動電路133。如從控制器130接收指令，從發(fā)光元件驅(qū)動電路133將驅(qū)動信號提供給激光發(fā)光元件111，則激光發(fā)光元件111發(fā)出激光。由物鏡1將激光會聚到光盤101上。會聚的激光由光盤101反射，通過物鏡1，入射到光檢測器112。由光檢測器112獲得的檢測信號134被送到伺服信號檢測電路135和再生信號檢測電路137。根據(jù)送到伺服信號檢測電路135的檢測信號134生成伺服信號，輸入到傳動裝置驅(qū)動電路136。
傳動裝置驅(qū)動電路136將驅(qū)動信號輸入到光拾取器的物鏡驅(qū)動單元50，對物鏡1進行定位控制。
另一方面，根據(jù)輸入到再生信號檢測電路137的檢測信號134生成再生信號，進行光盤101的信息的再生。
下面詳細說明圖7所示光拾取器110所具有的物鏡驅(qū)動單元50。
圖1為本發(fā)明光拾取器110的物鏡驅(qū)動單元50的上面圖。圖中與紙面垂直的方向為沿物鏡1的光軸使物鏡1接近或遠離光盤面的聚焦方向，y方向為使物鏡1朝光盤的半徑方向動作的光道跟蹤方向。與聚焦方向和光道跟蹤方向雙方直交的方向為x方向。
物鏡1搭載于透鏡保持架2。聚焦線圈3包括二個線圈部分3a、3b，以物鏡1為中心在光道跟蹤方向分開安裝。光道跟蹤線圈4安裝于與聚焦方向和光道跟蹤方向平行的透鏡保持架2的兩側(cè)面。
支承構件6分別將一端側(cè)固定于透鏡保持架2，將另一方固定于固定部分7。聚焦線圈3和光道跟蹤線圈4由焊錫等與支承構件6的一端進行電連接。
磁體8a、8b、8c、8d、8e、8f對著與聚焦方向和光道跟蹤方向平行的透鏡保持架2的兩側(cè)面各配置3個，安裝于軛鐵11。
內(nèi)軛鐵12從軛鐵11的底面立起，配置于聚焦線圈3a、3b的內(nèi)側(cè)。在內(nèi)軛鐵12的接近物鏡1的一側(cè)的面安裝內(nèi)磁體9。
圖2示出軛鐵11的透視圖。軛鐵11在透鏡保持架2的兩側(cè)方，中央軛鐵面11b以及11e與外側(cè)軛鐵面11a、11c以及11d、11f具有階差，該中央軛鐵面11b以及11e用于安裝配置于中央的磁體8b以及8e，該外側(cè)軛鐵面11a、11c以及11d、11f用于安裝配置于外側(cè)的磁體8a、8c以及8d、8f。因此，軛鐵11在中央軛鐵面11b、11e與外側(cè)軛鐵面11a、11c、11d、11f間分別具有階差面20a、20c、20d、20f。
圖3示出軛鐵11與磁體8a～8f的組裝方法。在圖3(a)所示軛鐵11，如最初示于圖3(b)所示那樣，使處于對角的外側(cè)磁體8a、8f接觸于階差面20a、20f，安裝于軛鐵面11a、11f。然后，如圖3(c)所示那樣，使中央磁體8b、8e接觸于已安裝的磁體8a、8f，安裝于軛鐵面11b、11e。然后，如圖3(d)所示那樣，使位于余下的對角的外側(cè)磁體8c、8d接觸于階差面20c、20d，安裝于軛鐵面11c、11d。
在這里，中央磁體8b、8e的光道跟蹤方向的寬度Wmb、Wme在中央軛鐵面11b、11e的光道跟蹤方向的寬度Wyb、Wye以下。在圖3中，示出中央磁體8b、8e的光道跟蹤方向的寬度Wmb、Wme比中央軛鐵面11b、11e的光道跟蹤方向的寬度Wyb、Wye窄的場合。通過使中央磁體8b、8e的光道跟蹤方向的寬度Wmb、Wme在中央軛鐵面11b、11e的光道跟蹤方向的寬度Wyb、Wye以下，從而可使在中央磁體8b、8e后安裝的外側(cè)磁體8c、8d確實地接觸于階差面20c、20d。在該場合，可在中央磁體8b、8e與在其后安裝的外側(cè)磁體8c、8d間相對物鏡1沿對角方向形成間隙。
將磁體8a～8f安裝于軛鐵11的面的階差可通過模壓加工容易地制造。而且，階差面20a、20c、20d、20f的位置由模具的精度決定，所以，可按高精度對準到預定的基準位置。由于使磁體8a、8c、8d、8f接觸在按高精度對準于基準位置的階差面20a、20c、20d、20f，所以，可提高各磁體的邊界位置的精度。因此，磁通密度分布的偏差變少，由聚焦線圈3和光道跟蹤線圈4發(fā)生的驅(qū)動力均勻，可抑制使物鏡1傾斜的轉(zhuǎn)矩的發(fā)生。
另外，通過最先安裝處于對角位置的磁體8a、8f，從而在接下來安裝的中央磁體8b、8e的寬度Wmb、Wme比中央軛鐵面的寬度Wyb、Wye窄的場合，也可相對x軸使中央磁體8b、8e呈線對稱。在該場合，即使磁通密度分布在透鏡保持架2的各側(cè)方分別從x軸中心偏移，該偏移也相對x軸對稱，所以，可在透鏡保持架2的兩側(cè)方抵消由聚焦線圈3和光道跟蹤線圈4發(fā)生的繞x軸的轉(zhuǎn)矩。
與本實施例不同，在接觸于光道跟蹤方向的某一相同側(cè)的磁體8a、8d(或8c、8f)安裝中央磁體8b、8e的場合，如中央磁體8b、8e的寬度Wmb、Wme比中央軛鐵面的寬度Wyb、Wye窄，則透鏡保持架2兩側(cè)方的磁通密度分布都相對x軸朝光道跟蹤方向的相同側(cè)偏移。這樣，在由聚焦線圈3a和3b發(fā)生的驅(qū)動力產(chǎn)生差別，存在產(chǎn)生繞x軸的轉(zhuǎn)矩的問題。
另外，在本實施例中，即使各磁體存在尺寸誤差，也由于各磁體的邊界位置固定于階差面20a、20c、20d、20f，所以，可保持磁通密度分布的對稱性。例如圖4示出各磁體的光道跟蹤方向的寬度比預定寬度窄的場合。在該場合，外側(cè)的磁體8a、8c、8d、8f的兩端位置與基準位置不同。然而，透鏡保持架2兩側(cè)方的磁通密度分布相對x軸對稱，所以，可抑制在聚焦線圈3和光道跟蹤線圈4發(fā)生的繞x軸的轉(zhuǎn)矩。
與此相對，在現(xiàn)有技術例的將分割成3個磁極區(qū)域的磁體38安裝于平板狀軛鐵31的場合，軛鐵31和磁體38的外形成為安裝基準。然而，如圖5所示那樣，當在磁極邊界位置存在制造誤差時，磁極邊界位置從基準位置偏移，透鏡保持架2兩側(cè)方的磁通密度分布都相對x軸朝光道跟蹤方向的相同側(cè)偏移。這樣，在聚焦線圈3a和3b發(fā)生的驅(qū)動力產(chǎn)生差，存在產(chǎn)生繞x軸的轉(zhuǎn)矩的問題。
另外，在現(xiàn)有技術例的將磁體48a～48f各3個地安裝于平板狀軛鐵31的場合，也如圖6所示那樣，當制造誤差使各磁體的尺寸變化時，各磁體的邊界位置從基準位置偏移，與上述同樣地存在產(chǎn)生繞x軸的轉(zhuǎn)矩的問題。
以上，按照本發(fā)明，在鄰接地配置多個磁體的光拾取器的構成中，即使在磁體具有尺寸誤差的場合，也可提高磁體的邊界位置的精度，所以，可對稱地保持磁通密度分布，抑制使物鏡傾斜的轉(zhuǎn)矩的發(fā)生。因此，可正確地進行信息在光盤的記錄再生。
另外，在本實施例中，使中央磁體8b、8e的厚度Tb、Te比外側(cè)磁體8a、8c、8d、8f的厚度Ta、Tc、Td、Tf薄，薄的量為軛鐵11的階差量。因此，磁體8a、8b、8c的與透鏡保持架2對著的面和磁體8d、8e、8f的與透鏡保持架2對著的面分別大體成為同一面。這樣，可使從各磁體到聚焦線圈3或光道跟蹤線圈4的距離均勻，所以，可增大在聚焦線圈3和光道跟蹤線圈4發(fā)生的驅(qū)動力，可高速地進行對光盤的信息的記錄再生。
本發(fā)明可用于光盤裝置的光拾取器。
權利要求
1.一種光拾取器，使用物鏡在與光盤間進行信息的讀寫；其特征在于具有保持物鏡的透鏡保持架、分別與上述透鏡保持架的平行于聚焦方向和光道跟蹤方向的2個側(cè)面對置的3個磁體、及安裝上述磁體的軛鐵；上述軛鐵的、安裝上述3個磁體中的中央的磁體的中央軛鐵面與安裝上述3個磁體中的外側(cè)的2個磁體的外側(cè)軛鐵面具有階差。
2.根據(jù)權利要求1所述的光拾取器，其特征在于上述外側(cè)的磁體配置成接觸于上述軛鐵的階差。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的光拾取器，其特征在于上述中央的磁體的光道跟蹤方向的寬度在上述軛鐵的中央軛鐵面的光道跟蹤方向的寬度以下，上述中央的磁體分別接觸于以上述物鏡為中心處于對角的上述外側(cè)的磁體。
4.根據(jù)權利要求1～3中任一項所述的光拾取器，其特征在于上述中央的磁體的厚度比上述外側(cè)的磁體的厚度薄，與上述透鏡保持架的平行于聚焦方向和光道跟蹤方向的側(cè)面對著的上述3個磁體的面大體為同一面。
全文摘要
本發(fā)明的光拾取器使用物鏡在與光盤間進行信息的讀寫；其中具有保持物鏡的透鏡保持架、分別與上述透鏡保持架的平行于聚焦方向和光道跟蹤方向的2個側(cè)面對置的3個磁體、及安裝上述磁體的軛鐵；上述軛鐵的、安裝上述3個磁體中的中央磁體的中央軛鐵面與安裝上述3個磁體中的外側(cè)2個磁體的外側(cè)軛鐵面具有階差。這樣，在光拾取器的物鏡驅(qū)動單元中，可提高磁體的邊界位置精度，抑制在線圈產(chǎn)生的轉(zhuǎn)矩，減小物鏡的傾斜。
文檔編號G11B7/12GK101013578SQ20061014133
公開日2007年8月8日 申請日期2006年9月29日 優(yōu)先權日2006年1月31日
發(fā)明者木村勝彥, 千賀淳一 申請人:株式會社日立媒介電子