專利名稱：光記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于使用激光束記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的光記錄介質(zhì)，更具 體地講，涉及這樣一種光記錄介質(zhì)，在其中，地址區(qū)域在徑向間隔分布， 通過一種被稱之為分區(qū)法的技術(shù)，光盤的存儲(chǔ)容量得到改進(jìn)。
背景技術(shù)：
為了通過有效使用光盤上的記錄區(qū)增加存儲(chǔ)容量，迄今一直使用一種 被稱為分區(qū)法的方法。在這種方法中，用于記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的基準(zhǔn)記錄頻 率對(duì)例如以恒定的角速度旋轉(zhuǎn)的光盤上的每個(gè)半徑進(jìn)行轉(zhuǎn)換以使整個(gè)光盤 表面具有基本相同的記錄密度。例如，在ISO/IEC14517 (130mm4x), ISO/IEC15286 (130Mm8x)， ISO/IEC15041 (90mm5x)或者類似磁光ISO標(biāo)準(zhǔn)的磁光盤中，通過使用這種 方法光盤存儲(chǔ)容量得到了提高。也就是，如圖1所示，數(shù)據(jù)記錄和再現(xiàn)區(qū)域在徑向被分成許多區(qū)。因 為在這些區(qū)中記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的頻率都各不相同，所以每一圈的扇區(qū)數(shù)目 是變化的。因此， 一個(gè)地址區(qū)部分地顯示出附圖標(biāo)記la所示的每一條半徑 的放射狀。此外，在磁光記錄光盤中，在提供給用戶之前，將記錄膜的磁化方向 設(shè)置為規(guī)定的方向。也就是說，執(zhí)行了被稱為極化的操作，對(duì)于盤片施加 大于記錄層矯頑力的靜磁場，強(qiáng)迫記錄層的磁化方向?qū)?zhǔn)消磁方向。，通常，當(dāng)被極化的記錄層具有低于0.8 x io6 A.m(A.m是/f茲場強(qiáng)度的國 際單位)的矯頑力時(shí)，記錄層可以用低強(qiáng)度的磁場，比如磁石，極化。然而， 當(dāng)具有不低于1.19乂106到1.59x 1(^A.m矯頑力的記錄層被極化時(shí)，記錄層 的溫度上升，導(dǎo)致矯頑力降低。為了極化記錄層，應(yīng)使用不高于0.8 x 106 A.m
的低強(qiáng)度的靜磁場。此外，對(duì)相變型光盤，在提供給用戶之前，要對(duì)光盤施加晶化記錄膜 整個(gè)表面的操作。也就是，記錄膜的溫度上升到規(guī)定的溫度，或者更高，然后逐漸冷卻記錄膜。這樣，光盤被初始化，從一個(gè)被稱為Ad-depo的狀 態(tài)，即記錄膜形成后的晶體和無定形的混合態(tài)，到完全晶體化狀態(tài)。在這樣一個(gè)初始化過程中，為了極化并晶化記錄膜，具有很寬范圍， 比如好幾百個(gè)軌道的記錄膜的溫度同時(shí)升高。這種方法被稱為整體擦除。 在整體擦除方法中， 一個(gè)1到2瓦的半導(dǎo)體激光器被限制為在光盤的徑向 具有主軸的尺寸為10um或者更長的橢圓光束。旋轉(zhuǎn)的盤片被激光照射， 激光束僅聚焦于記錄膜，用來提升記錄膜的溫度。以上描述的激光束如圖2所示設(shè)計(jì)，將從激光器5發(fā)出的一輸出光束 從旋轉(zhuǎn)光盤的閱讀表面6穿過樹脂基片7聚焦到記錄膜8上。上述整體擦除方法不僅有初始化記錄層的目的，而且具有通過預(yù)先取 得在介質(zhì)重復(fù)使用中產(chǎn)生的再現(xiàn)靈敏度或者記錄靈敏度，在用戶使用介質(zhì) 的過程中抑制靈敏性變化(靈敏性偏移)的效果。之所以認(rèn)為這個(gè)操作應(yīng)該進(jìn) 行，是因?yàn)閷?duì)記錄膜施加熱能，以便預(yù)先松弛非晶形的記錄層中的原子并 穩(wěn)定記錄膜。作為整體擦除的參數(shù)，可以列舉出旋轉(zhuǎn)速度或者盤片的線速度，激光 斑點(diǎn)的徑向進(jìn)給量，激光功率，激光束的寬度等等。這些參數(shù)可以很容易 被控制，以便通過設(shè)置合適的整體擦除條件，可以以穩(wěn)定的方式產(chǎn)生極化 或者初始化，以及靈敏性移動(dòng)。因此，整體擦除方法是很有效的。為了進(jìn)行靈敏性移動(dòng)和極化，當(dāng)本發(fā)明的發(fā)明者對(duì)一個(gè)磁光記錄介質(zhì) 運(yùn)行一項(xiàng)整體擦除的測試時(shí)，他們發(fā)現(xiàn)了下面的問題。具體地講，對(duì)光盤 進(jìn)行了充分產(chǎn)生規(guī)定靈敏性移動(dòng)的整體擦除處理。對(duì)在徑向被分區(qū)的和具 有由分別在圖1所示的區(qū)中在徑向設(shè)置的壓刻凹坑所表達(dá)的地址的光盤施 加整體擦除處理以便充分產(chǎn)生規(guī)定靈敏性移動(dòng)。而后，他們?cè)趨^(qū)的邊界處 觀測到跟蹤誤差。因而，分辨出存在一個(gè)跟蹤誤差增加的區(qū)域，如圖3的 信號(hào)波形所示。圖3示出，其整個(gè)表面經(jīng)過整體擦除處理的光盤上從區(qū)邊界算起的10 個(gè)軌道的一個(gè)位置中的一個(gè)地址信號(hào)和一個(gè)跟蹤誤差信號(hào)之間的的關(guān)系。(a) 表示地址信號(hào)，(b)表示跟蹤誤差信號(hào)，(c)表示地址信號(hào)(a)中區(qū)域的F放大
的部分，(d)表示^艮蹤誤差信號(hào)(b)中區(qū)域F的方文大的部分。此外，在圖中， E表示軌道跳躍信號(hào)，G表示區(qū)域F中放大的地址，H表示跟蹤誤差增加的 部分。在圖3的測量條件中包括線速度(CLV)為7.5m/s,激光功率為1.5 mW,盤片直徑為86mm，測量位置R為40mm,以及一個(gè)其上施加了跟蹤 的溝槽間平面部分。如在圖3所分辨出的那樣，圖3中的跟蹤誤差的增加部分H不受地址 G的影響，并且與該跟蹤誤差的增加部分前的一個(gè)區(qū)域10個(gè)軌道中存在的 地址具有相同的位置關(guān)系。被IO條軌道分割的地址從此對(duì)該跟蹤誤差產(chǎn)生 任何可能的影響。軌道錯(cuò)誤增加部分H的軌道錯(cuò)誤增加量，高達(dá)軌道跳躍信號(hào)E幅度的 17%。另外還觀察到這個(gè)現(xiàn)象從區(qū)邊界擴(kuò)散至幾百個(gè)軌道。但是，驅(qū)動(dòng)器 (光盤驅(qū)動(dòng)系統(tǒng))將跟蹤誤差的增加區(qū)域認(rèn)為是有缺陷區(qū)域，并執(zhí)行替換程 序。因此形成在其中存在極多的被替換的扇區(qū)的光盤。在不進(jìn)行整體擦除處理時(shí)，上述跟蹤誤差增加現(xiàn)象就不會(huì)發(fā)生。然而， 在不進(jìn)行整體擦除處理時(shí)，當(dāng)用戶使用光盤時(shí)，記錄靈敏度會(huì)改變。因而， 執(zhí)行最優(yōu)的記錄和再現(xiàn)操作不會(huì)產(chǎn)生誤差。此外，可以建議這樣一種方法，即使用一個(gè)驅(qū)動(dòng)器或者類似裝置通過 一種用于記錄和使每一個(gè)軌道消磁的方法產(chǎn)生靈敏移動(dòng)。然而，根據(jù)這種 方法，同一個(gè)軌道需要被記錄和消磁許多次。因此需要非常多的時(shí)間，使 得該方法不是一種現(xiàn)實(shí)的方法。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種光記錄介質(zhì)，在這種介質(zhì)里，施行了極化或 者晶體化，以及由整體擦除程序規(guī)定的靈敏度偏移。在區(qū)邊界附近跟蹤誤 差的增加可以被抑制，結(jié)果使得生產(chǎn)成本得到抑制，并且實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量。根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)具有螺旋形或者同心圓形的軌道，并且可以 用光學(xué)方法記錄。這種光記錄介質(zhì)包括一個(gè)在徑向被劃分為多個(gè)區(qū)的記錄 數(shù)據(jù)和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的區(qū)域。 一個(gè)區(qū)被劃分成多個(gè)扇區(qū)，這些扇區(qū)分別具有一 個(gè)地址區(qū)域和一個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)域。地址區(qū)域包括含有地址信息的凹坑，數(shù)據(jù)區(qū) 域只由溝槽組成并能夠記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)，而且組成每個(gè)區(qū)的扇區(qū)數(shù)目是不
同的。光記錄介質(zhì)中地址區(qū)的反射光的平均量Iemboss和數(shù)據(jù)區(qū)的反射光的 平均量Idata滿足關(guān)系式0.7 ￡ (Iemboss/Idata) 5 1,3。此外，依照本發(fā)明的光記錄介質(zhì)具有螺旋形或者同心圓形的軌道，能 用于光學(xué)記錄。這種光記錄介質(zhì)包括一個(gè)在徑向被劃分成多個(gè)區(qū)的數(shù)據(jù)記 錄和再現(xiàn)區(qū)域。 一個(gè)區(qū)被劃分成多個(gè)扇區(qū)，每個(gè)扇區(qū)分別具有一個(gè)地址區(qū) 域和一個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)域。地址區(qū)域包括含有地址信息的凹坑，數(shù)據(jù)區(qū)域只由溝 槽組成并能夠記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)。，而且組成每個(gè)區(qū)的扇區(qū)數(shù)目是不同的。光 記錄介質(zhì)中地址區(qū)的反射光的平均量Iemboss和數(shù)據(jù)區(qū)的反射光的平均量 Idata滿足關(guān)系式0.8 ^ (Iemboss/Idata)S 1.2。此外，依照本發(fā)明的光記錄介質(zhì)能夠同時(shí)在溝槽間平面和溝槽上記錄 數(shù)據(jù)，在光記錄介質(zhì)上，溝槽形成在鄰近于溝槽軌道地址區(qū)域的平面軌道 上。此外，依照本發(fā)明的光記錄介質(zhì)，其中光記錄介質(zhì)利用包括使用激光 束照射記錄膜的方法制造，該激光束直徑比軌距長，以便提高記錄膜的溫 度。此外，依據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)，其中地址區(qū)域的光反射平均量Iemboss 和數(shù)據(jù)區(qū)域的光反射平均量Idata滿足關(guān)系式0.7 ￡ (Iemboss/Idata) S 1.3 。此外，依據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)，其中地址區(qū)域的光反射平均量Iemboss 和數(shù)據(jù)區(qū)域的光反射平均量Idata滿足關(guān)系式0.8 S (lemboss/Idata) S 1.2。此外，依據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)，其中使用磁光記錄膜制造光記錄介質(zhì)。此外，依據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)，其中使用相變記錄膜制造光記錄介質(zhì)。


圖1是在本發(fā)明中使用的光盤的平面圖。圖2是顯示實(shí)施整體擦除程序的設(shè)備結(jié)構(gòu)的說明圖。圖3a-3d是信號(hào)波形圖，顯示在一張完整應(yīng)用了整體擦除程序的光盤 上，從區(qū)邊界計(jì)起的第十個(gè)軌道位置處的地址信號(hào)和跟蹤誤差信號(hào)之間的 關(guān)系。圖4是本發(fā)明使用的光盤的一個(gè)扇區(qū)結(jié)構(gòu)說明圖。 圖5是表格，顯示本發(fā)明使用的具有單層結(jié)構(gòu)磁薄膜的光盤的一個(gè)扇 區(qū)的結(jié)構(gòu)。圖6是表格，顯示本發(fā)明使用的具有多層結(jié)構(gòu)磁薄膜的光盤的一個(gè)扇區(qū)的結(jié)構(gòu)。圖7是表格，顯示本發(fā)明中使用的具有相變薄膜的光盤的一個(gè)扇區(qū)的 結(jié)構(gòu)。圖8是表格，顯示本發(fā)明中使用的各種不同襯底樣品的情況。圖9是顯示在使用各種不同的襯底的光盤中，從TES噪聲的0/1帶邊界起的外圓周方向上軌道的數(shù)目的說明性視圖。圖10是顯示光盤中TES噪聲和地址區(qū)與數(shù)據(jù)區(qū)反射系數(shù)比值之間關(guān)系的特性圖。圖11是顯示光盤中TES噪聲和地址區(qū)與數(shù)據(jù)區(qū)反射系數(shù)比值之間的關(guān) 系的特性圖，是圖IO的部分放大。圖12表示各種不同種類光盤的平均反射系數(shù)。圖12A是信號(hào)波形圖， 表示1至3號(hào)樣品的襯底平均反射系數(shù)。圖12B是信號(hào)波形圖，表示4號(hào) 樣品的村底反射系數(shù)。圖13表示不同種類光盤的軌道曲線狀態(tài)。圖13A是樣品1到3的襯底的平面圖。圖13B是樣品4的襯底的平面圖。圖14表示一種磁光光盤的格式。圖14A是常規(guī)格式的說明圖。圖14B 是本發(fā)明所適用的格式的說明圖。圖15是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的光盤的TES噪聲特性圖。圖16是根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的光盤的平面圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在，將參照附圖描述本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例。用于該實(shí)施例的的光盤 的格式應(yīng)用了分區(qū)制的方法安排地址。即，如圖1所示，數(shù)據(jù)記錄和再現(xiàn) 區(qū)域在徑向被分成多個(gè)區(qū)。 一個(gè)區(qū)里，壓刻的凹坑行(地址區(qū)域)具有地 址信息，作為扇區(qū)的頭部，在徑向排列。至少一組或者更多的地址區(qū)域交 替安排在相鄰的區(qū)之間。本實(shí)施例中，對(duì)地址部分(地址區(qū)域)的凹坑和溝槽的排列加以控制， 使得制造的三種類型的光盤，相對(duì)于數(shù)據(jù)部分(數(shù)據(jù)區(qū)域)的平均反射系
數(shù)，其地址部分的平均反射系數(shù)(Iadd)分別-40。/。，+13 %和+30 % 。作為一種控制局部平均反射系數(shù)的方法，可以建議一種改變凹坑的深 度的方法，和 一種在相鄰軌道的凹坑之間插入溝槽的方法。例如，在圖4中示出用于本實(shí)施例的光盤的斷面。在具有圖1所示的 地址分布的樹脂襯底10a上，利用賊射法，將保護(hù)層10b，記錄層10c,保 護(hù)層10d,以及反射層10e按順序?qū)盈B成型。記錄層10c可以由具有磁光特 性的磁性薄膜制作，或者由表現(xiàn)出晶體-非晶體特性的相變薄膜制作。另外， 記錄層10c可以具有多層結(jié)構(gòu)。反射層10e可以覆蓋一層紫外線固化樹脂薄 膜或者類似物。樹脂襯底10a可覆蓋一層透明保護(hù)膜。^磁薄膜單層結(jié)構(gòu)的記錄層的光盤斷面結(jié)構(gòu)如圖5中的表格所示。此外，磁薄膜多層記錄層的光盤斷面結(jié)構(gòu)如圖6中的表格所示。此外，用相變膜 制作記錄層的光盤斷面結(jié)構(gòu)如圖7中的表格所示。對(duì)于這些樣品盤，按照這樣一種方式進(jìn)行了整體擦除處理，使得光源 波長為810nm,在記錄表面上的尺寸在光盤的徑向是200nm,在圓周方向 上是1 nm的橢圓形光束在1000mW功率，線速度7.5m/s的條件下，旋轉(zhuǎn)一 周，在徑向上移動(dòng)20nm。隨后，對(duì)從區(qū)邊界起的外圓周方向第IO個(gè)軌道位置，通過使用波長( i) 為660 nm，物鏡的數(shù)字光圏(NA)為0.57的光盤再現(xiàn)設(shè)備施加了尋址程 序，來測量跟蹤誤差信號(hào)，也就是推挽信號(hào)。根據(jù)結(jié)果可以分辨出，在地址部分的平均反射系數(shù)為40%的樣品中， 相對(duì)于軌道跳躍信號(hào)從底部到峰頂?shù)闹?，跟蹤誤差改變20%，并且由跟蹤 誤差的極性判斷，軌道在內(nèi)圓周方向上彎曲。此外，可以分辨出，在地址部分平均反射系數(shù)+30%的樣品中，剩余的 跟蹤誤差為15%，并且軌道在外圓周方向上彎曲。此外，可以分辨出，在地址部分平均反射系數(shù)+13%的樣品中，剩余跟 蹤誤差為7%,并且軌道以與地址部分平均反射系數(shù)+30%的例子相同的方 式在外圓周方向上彎曲。有待于確認(rèn)的是，在進(jìn)行整體擦除處理之前，這些位置的殘余跟蹤誤 差是O。從這些事實(shí)顯然易見，當(dāng)?shù)刂凡糠值姆瓷湎禂?shù)低于數(shù)據(jù)部分的反射系 數(shù)時(shí)，位于地址外圓周的軌道預(yù)計(jì)會(huì)向內(nèi)圓周方向彎曲。當(dāng)前者高于后者
時(shí)，預(yù)計(jì)軌道會(huì)在外圓周方向上彎曲。當(dāng)反射系數(shù)相等時(shí)，預(yù)計(jì)軌道不會(huì) 彎曲因此認(rèn)為，為了減少由于整體擦除處理引起的剩余跟蹤誤差，地址部 分的平均反射系數(shù)最好接近于溝槽部分的平均反射系數(shù)(數(shù)據(jù)部分僅僅由 溝沖曹組成)?，F(xiàn)在，按照和上述相同的方式，使用不同種類襯底作為樣品的更多詳 盡的例子，應(yīng)用了整體擦除程序。然后，在對(duì)在外圓周方向上從區(qū)邊界起 的一些規(guī)定的軌道位置應(yīng)用跟蹤程序時(shí)，以上述相同的方式測量跟蹤誤差。這時(shí)的樣品情況如圖8中的表格所示。在這種情況下，整體擦除的條件包括800mW, CLV7.5m/s, 10pm/周， 以及4次整體擦除。測試條件包括X= 640nm, NA = 0.575, D/W: 0.677 (丄).0/614 (ll)。作為以圖8表中樣品為基礎(chǔ)測量的結(jié)果，跟蹤誤差信號(hào)地址的噪聲狀 態(tài)(下文中簡寫為TES噪聲)以及測量條件如圖9到11所示。圖9示出對(duì)于 每個(gè)樣品襯底，每個(gè)軌道位置的TES噪聲。圖10表明TES噪聲和地址部 分的平均反射系數(shù)Iadd和數(shù)據(jù)部分的平均反射系數(shù)Idata之比(Iadd/Idata) 有關(guān)系。圖ll是圖10中樣品1到3放大圖，特別地，顯示了TES噪聲和 圖8表中所列1到3號(hào)樣品襯底的反射系數(shù)比之間的關(guān)系。圖9顯示TES噪聲對(duì)地址平均反射系數(shù)的依賴性。X軸上的軌道數(shù)分 別把一個(gè)溝槽間平面和一個(gè)溝槽記做一個(gè)。此外，圖9中的方形標(biāo)志表示1 號(hào)樣品，三角標(biāo)志表示2號(hào)樣品，圓圈標(biāo)志表示3號(hào)樣品，菱形標(biāo)志表示4 號(hào)樣品。此外，圖10中的箭頭標(biāo)記O表示在外圓周方向的偏移，箭頭標(biāo)記I表 示在內(nèi)圓周方向的偏移。圓圈標(biāo)志表示第20個(gè)軌道的數(shù)據(jù)。方形標(biāo)志表示 第40個(gè)軌道的數(shù)據(jù)。SN0 1到3表示1到3號(hào)樣品，SN0 4表示4號(hào)樣品。在圖10所示的樣品SN0 1到3中，左邊的圓圈標(biāo)志和方形標(biāo)志表示1 號(hào)樣品(也就是，光盤上地址部分的平均反射系數(shù)相對(duì)于數(shù)據(jù)部分的平均 反射系數(shù)是+13% )。中間部分的圓圈標(biāo)志和方形標(biāo)志表示2號(hào)樣品(也就是, 光盤上地址部分的平均反射系數(shù)相對(duì)于數(shù)據(jù)部分的平均反射系數(shù)是+19%)。 右邊的圓圈標(biāo)志和方形標(biāo)志表示3號(hào)樣品(也就是，光盤上地址部分的平 均反射系數(shù)相對(duì)于數(shù)據(jù)部分的平均反射系數(shù)是+25% )。圖上實(shí)線顯示的叉形標(biāo)志(x)表示在其中記錄層是由相變薄膜構(gòu)成的 襯底樣品的數(shù)據(jù)。圖11中的圓圈標(biāo)志表示第20個(gè)軌道，方形標(biāo)志表示第40個(gè)軌道。此 外，"40nm"和"45nm"分別指出溝槽的深度。從圖9到圖11顯而易見，當(dāng)?shù)刂凡糠值钠骄瓷湎禂?shù)和數(shù)據(jù)部分的平 均反射系數(shù)差別大時(shí)，TES噪聲增加。當(dāng)兩個(gè)平均反射系數(shù)之比接近于1 時(shí)，TES噪聲變小。溝槽深度和TES噪聲數(shù)量之間沒有直接的聯(lián)系(存在 間接的聯(lián)系)。此外，TES噪聲的極性依賴于地址部分和數(shù)據(jù)部分反射能力 的差別(對(duì)于1到3號(hào)樣品的襯底，地址部分的反射系數(shù)比數(shù)據(jù)部分的大。 對(duì)于4號(hào)樣品的襯底，地址部分的反射系數(shù)比數(shù)據(jù)部分的小)。因此，在這個(gè)實(shí)施例中，光盤的制作使得地址部分的平均反射系數(shù)Iadd 和數(shù)據(jù)部分的平均反射系數(shù)之間的關(guān)系滿足關(guān)系式0.7 S(Iadd/Idata) ^ 1.3， 或者更為優(yōu)選，滿足關(guān)系式0.8 S(Iadd/Idata) $1.2。正如TES噪聲的數(shù)據(jù)與圖10和11所示的反射系數(shù)的比有關(guān)那樣，對(duì) 于具有如圖5到7表中所示結(jié)構(gòu)的光盤分別得到了同樣的結(jié)果。在圖8表中所示的1到3號(hào)樣品的襯底中，認(rèn)為TES噪聲由圖12和13 所示的偶數(shù)扇區(qū)(以下稱之為E扇區(qū))的地址部分所產(chǎn)生。圖12A顯示在1到3號(hào)樣品襯底中的平均反射系數(shù)(地址部分的平均 反射系數(shù)高)。圖12B顯示4號(hào)樣品襯底中的平均反射系數(shù)(地址部分的平 均反射系數(shù)低)。圖12中顯示的平均反射系數(shù)是通過利用一個(gè)監(jiān)測信號(hào)測量整體擦除器 的反射系數(shù)得到。此外，圖13A顯示在1到3號(hào)樣品襯底中軌道向外圓周彎曲的情形。 圖13B顯示在4號(hào)樣品襯底中軌道向內(nèi)圓周彎曲的情形。從圖12A顯而易見，E扇區(qū)地址部分的平均反射系數(shù)Iadd(e)高于奇數(shù) 扇區(qū)(以下稱為O扇區(qū))地址部分的平均反射系數(shù)。因此，數(shù)據(jù)部分的平 均反射系數(shù)Idata和地址部分的平均反射系數(shù)之間的差別非常大。如上所述，TES噪聲是由具有很高的反射系數(shù)的E扇區(qū)的地址部分引 起的。為克服這個(gè)問題，例如，可以建議一個(gè)用于減少保護(hù)層的厚度的方 法，但是這種方法不好，因?yàn)榇當(dāng)_也趨向于增加。作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，在圖14所示的光盤中部分格式被改變。圖14A顯示當(dāng)前的格式，圖14B顯示本實(shí)物的格式，其中實(shí)施了針對(duì)TES 噪聲的措施。也就是說，在圖14B所示的E扇區(qū)的地址部分中，在兩個(gè)溝槽軌道之 間的溝槽間平面軌道(鏡面部分)里形成一個(gè)細(xì)的溝槽。圖15顯示在細(xì)溝槽形成時(shí)，按照與以上所述同樣的測量方法下，通過分別 在每一個(gè)軌道位置測量TES噪聲獲得的結(jié)果。在圖15中，方形標(biāo)志表示細(xì)溝槽沒有在其中形成(Tp-0.65)的光盤(Gl-1104) 的數(shù)據(jù)。圓圈標(biāo)志表示細(xì)溝槽在其中形成的(Tp = 0.65)的光盤(G1-1118)的數(shù)據(jù)。 三角標(biāo)志表示細(xì)溝槽在其中形成的(Tp = 0.67)的光盤(G1-1117)的數(shù)據(jù)。在圖15 中每個(gè)光盤的整體擦除條件包括LD功率為800mW, CLV7.5M/S和10—周， 整體擦除進(jìn)行4次。從圖15中顯而易見，在其中形成細(xì)溝槽的光盤的TES噪聲大大低于在其 中沒有形成細(xì)溝槽的光盤的TES噪聲。在上述的實(shí)施例中，光盤被制作得使得地址部分的平均反射系數(shù)Iadd和數(shù) 據(jù)部分的平均反射系數(shù)Idata之間的關(guān)系滿足關(guān)系式0.7 -Iadd/Idata) ￡ 1.3,或者 更適宜地，滿足關(guān)系式0.8^(Iadd/Idata)S1.2。然而，本發(fā)明的光盤可以被加工 得使得地址區(qū)域的反射光平均量Iemboss和數(shù)據(jù)區(qū)域的反射光平均量Idata滿足 關(guān)系0.7 Slemboss/Idata)Sl .3,或者位于一個(gè)滿足關(guān)系0.8 ^ (Iemboss/Idata)蘭1.2 的范圍之內(nèi)。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，光記錄介質(zhì)地址區(qū)域的平均光反射量(也就是， 例如，地址部分的平均反射系數(shù))和數(shù)據(jù)區(qū)域的平均光反射量(也就是，比如， 數(shù)據(jù)部分的平均反射系數(shù))之比得到了控制，使得可以生產(chǎn)幾乎沒有跟蹤誤差 的光i己錄介質(zhì)。因此，在給定的軌道中，可以實(shí)現(xiàn)同時(shí)極化，同時(shí)靈每文度偏移以及同時(shí)晶 化。因此，可以減少初始化的時(shí)間。此外，可進(jìn)行功率得到更大提高的整體擦除過程，使得整體擦除時(shí)間可 以進(jìn)一步減少。本發(fā)明的光記錄介質(zhì)具有工業(yè)適用性本發(fā)明的光記錄介質(zhì)可以通過使用磁光記錄膜或者相變記錄膜來制作。 本發(fā)明的光記錄介質(zhì)不像光盤一樣限于圓形，它的外形可以是非圓形。也 就是，例如，它的外圍形狀可以被切割為直線或者橢圓形狀。 對(duì)于本發(fā)明的光記錄介質(zhì)，如圖16所示，數(shù)據(jù)記錄和再現(xiàn)區(qū)域(光學(xué)記錄 和再現(xiàn)區(qū)域)11可以安裝到一張明信片或者名片的大小的卡片主體12中。
權(quán)利要求
1.一種光記錄介質(zhì)，能在溝槽間平面和溝槽上記錄數(shù)據(jù)，其中溝槽形成在與溝槽軌道的地址部分相鄰的溝槽間平面軌道中。
全文摘要
一種具有螺旋形或者同心圓軌道的光記錄介質(zhì)，可以用于光學(xué)記錄。這種光記錄介質(zhì)包括一個(gè)數(shù)據(jù)記錄和再現(xiàn)區(qū)域，該區(qū)域在徑向被分成多個(gè)區(qū)。一個(gè)區(qū)又分成許多扇區(qū)，各自有一個(gè)包括含有地址信息的凹坑的地址部分，和一個(gè)只由溝槽組成的數(shù)據(jù)部分。組成每個(gè)區(qū)的扇區(qū)數(shù)目是不同的。光盤制作得使得地址部分的平均反射系數(shù)Iadd和數(shù)據(jù)部分的平均反射系數(shù)Idata滿足關(guān)系式0.7≤(Iadd/Idata)≤1.3或者0.8≤(Iadd/Idata)≤1.2。
文檔編號(hào)G11B7/24GK101118754SQ20061007152
公開日2008年2月6日 申請(qǐng)日期2002年6月12日 優(yōu)先權(quán)日2001年6月22日
發(fā)明者中山比呂史, 有馬光雄, 竹內(nèi)厚 申請(qǐng)人:索尼公司