專利名稱：在記錄載體上記錄信息的方法、記錄載體和記錄裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于在包括由第一材料構(gòu)成的第一層和由第二材料構(gòu)成的第二層的光盤上記錄信息的方法，該方法包括用一劑激光能量照射光盤的一個(gè)區(qū)域，其中在用該劑量的激光能量照射的區(qū)域中第一層的第一材料與第二層的第二材料反應(yīng)，本發(fā)明還涉及一種包括由第一材料構(gòu)成的第一層和由第二材料構(gòu)成的第二層的記錄載體，和用于在光盤上記錄信息的記錄裝置，其包括用于控制由激光器發(fā)射的照射的劑量的控制電路和用于檢測(cè)光盤類型的檢測(cè)電路。
可在包括由Cu構(gòu)成的第一層和由Si構(gòu)成的第二層的記錄載體上記錄信息。
各層彼此緊接著和直接物理接觸的放置。當(dāng)在一個(gè)區(qū)域中用一劑激光能量照射各層時(shí)，在該區(qū)域中的第一層和第二層被加熱。當(dāng)溫度足夠高時(shí)，通過溫度誘發(fā)的或光子誘發(fā)的反應(yīng)兩層都融化或以另一種方式被破壞(break down)，并且在高溫的區(qū)域中，各層的材料彼此反應(yīng)以形成CuSi。CuSi的反射率不同于發(fā)生融化的區(qū)域外的周圍區(qū)域。因此通過記錄材料的反射率差來記錄信息。
該方法具有這樣的缺點(diǎn)即使沒用一劑激光能量進(jìn)行照射，Cu和Si層也彼此發(fā)生反應(yīng)，從而導(dǎo)致對(duì)比度降低，這接下來會(huì)導(dǎo)致較不穩(wěn)健的可讀性和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
本發(fā)明的目的是提供一種除非用一劑激光能量進(jìn)行照射否則各層彼此將不會(huì)發(fā)生反應(yīng)的方法。
為了實(shí)現(xiàn)該目的，本發(fā)明的特征在于當(dāng)用一劑激光能量進(jìn)行照射時(shí)，位于第一層和第二層之間的第三層只在用所述激光劑量進(jìn)行照射的區(qū)域中允許在第一材料和第二材料之間發(fā)生反應(yīng)。
通過用第三層分開各記錄層，就不可能存在反應(yīng)，除非通過用一劑激光能量進(jìn)行照射使第三層被破壞。在第三層被破壞的區(qū)域中，第一層和第二層之間的反應(yīng)能夠發(fā)生。在其它區(qū)域中，所述第一層和第二層保持由第三層分開，并且導(dǎo)致對(duì)比度降低的任何反應(yīng)被防止。由此就可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的可讀性和長(zhǎng)期的穩(wěn)定性。
當(dāng)本說明提及第三層的“破壞”時(shí)，“破壞”必須被理解為其意思是“劣化”、“融化”、“蒸發(fā)”、“化學(xué)破壞”或“機(jī)械破壞”。重要的因素是在第一狀態(tài)下第三層防止第一層的材料和第二層的材料之間發(fā)生反應(yīng)，而在第二，即破壞狀態(tài)下，第三層不再防止在第三層被破壞的區(qū)域中的反應(yīng)。
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的特征在于所述反應(yīng)是化學(xué)反應(yīng)。
對(duì)比度的變化可通過選擇第一層的第一材料和第二層的第二材料使得在混合時(shí)它們將產(chǎn)生對(duì)比度的變化來實(shí)現(xiàn)。其可以是有機(jī)和無機(jī)材料。因?yàn)榈谌龑臃指糸_兩種材料，所以本發(fā)明允許選擇材料的組合，這些材料在接觸時(shí)甚至在常規(guī)的室溫下而非由照射所產(chǎn)生的升高的溫度下彼此通常都可發(fā)生反應(yīng)。
另外可選擇更多的材料組合，在用比使第三層破壞所需的激光能量劑量低的一劑激光能量進(jìn)行照射時(shí)，所述材料組合會(huì)發(fā)生反應(yīng)。
當(dāng)選擇在用比使第三層破壞所需激光能量劑量高的一劑激光能量進(jìn)行照射時(shí)會(huì)發(fā)生反應(yīng)的一種材料組合時(shí)，第三層將在比第一和第二層的材料發(fā)生反應(yīng)大的區(qū)域中破壞。然而這仍舊能提供定義第一和第二層的材料將會(huì)發(fā)生反應(yīng)的最大區(qū)域的優(yōu)點(diǎn)，從而改進(jìn)長(zhǎng)期穩(wěn)定性和給對(duì)比度的降低賦予一個(gè)上限。
廣泛地選擇材料是可行的。
本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的特征在于所述反應(yīng)是用于形成第一材料和第二材料的合金的熔融。
通過升高第三層兩側(cè)的材料的溫度，而與此同時(shí)使第三層破壞，第一層中的融化材料可與第二層中的融化材料形成合金。此外，增加的溫度可引起層間擴(kuò)散。施加給各層的激光能量的劑量具有鐘形曲線的形狀。因?yàn)闇囟仍趨^(qū)域中心最高，并從區(qū)域中心呈放射狀向外逐漸減少，所以熔融和由此形成的合金可能不一致。適當(dāng)選擇材料，第三層在定義發(fā)生熔化反應(yīng)的區(qū)域的各層之間形成一個(gè)孔。由第三層中的孔定義的區(qū)域外側(cè)的其他層中的材料的升高的溫度將不會(huì)在第一層和第二層之間引起任何反應(yīng)，因?yàn)橥暾牡谌龑幼柚沽嗽摲磻?yīng)。這產(chǎn)生一個(gè)較好定義的形成合金的區(qū)域，并因此改進(jìn)了記錄載體上信息的可讀性。使用形成合金的材料允許將信息存儲(chǔ)在穩(wěn)定的合金中，從而能夠阻止記錄載體老化。
本發(fā)明的另一實(shí)施例的特征在于所述反應(yīng)是通過永久改變第三層中的區(qū)域得以實(shí)現(xiàn)的。永久改變可以是機(jī)械變形、熱誘發(fā)降解、或光誘發(fā)降解，等等。通過永久改變第三層中的區(qū)域，可獲得一次寫入記錄載體，從而會(huì)產(chǎn)生永久存儲(chǔ)的信息。
另一個(gè)實(shí)施例的特征在于永久改變是通過照射第三層中的有機(jī)材料實(shí)現(xiàn)的。
通過選擇用于第三層的有機(jī)材料，例如當(dāng)前在光記錄中所通常使用的有機(jī)染料，而能夠形成第三層，使得當(dāng)被照射時(shí)，所述材料被損壞?？蓪⑷玖险{(diào)至激光的顏色以便吸收適當(dāng)數(shù)量的照射。吸收率連同照射劑量都會(huì)影響溫度。第一層的材料和第二層的材料對(duì)于那種材料來說每個(gè)都具有一個(gè)特定的吸收率。通過為第一和第二層選擇材料來確定第一和第二層的吸收率。激光束輻射會(huì)通過三個(gè)層。輻射首先通過第一層，然后通過第三層，最后通過第二層。每層都吸收一部分輻射。因此，隨著輻射進(jìn)一步通過各層，照射會(huì)減少。為了控制由各層的照射引起的溫升，可調(diào)整吸收率使得各層吸收正確數(shù)量的能量并達(dá)到發(fā)生期望反應(yīng)的正確溫度。
本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的特征在于第三層需要比第一材料與第二材料的反應(yīng)所需劑量高的激光能量劑量才能使反應(yīng)發(fā)生。
施加給各層的激光能量的劑量具有鐘形曲線的形狀。因此激光照射的區(qū)域中的溫度是不均勻的，而是具有較高溫度的相對(duì)小中心和圍繞該區(qū)域中心的溫度較低的區(qū)域。當(dāng)為第三層選擇需要較高劑量的激光能量被破壞的材料時(shí)，第三層被破壞的區(qū)域?qū)⒈幌拗朴诩す庹丈涞膮^(qū)域的中心。第三層被破壞的區(qū)域因此將小于照射的總區(qū)域。第一層的材料和第二層的材料之間的反應(yīng)將被限制在第三層被破壞的區(qū)域，使得第一層的材料和第二層的材料之間的反應(yīng)區(qū)域也將小于激光照射的總區(qū)域。這樣第一層的材料和第二層的材料之間的反應(yīng)由第三層中的孔的大小而非第一和第二層的材料的熔融/反應(yīng)特性限制。
由此通過反應(yīng)產(chǎn)生的標(biāo)記也將小于照射的總區(qū)域。
換句話說可在記錄載體上寫入小于用于寫入標(biāo)記的激光光點(diǎn)大小的標(biāo)記。較小的標(biāo)記允許將更多的標(biāo)記記錄在記錄載體上，這導(dǎo)致記錄載體具有較高的存儲(chǔ)容量，因?yàn)樵谇邢蛞约皬较蛏系拿芏榷伎稍黾印］^小的標(biāo)記還能夠允許寫入二維數(shù)據(jù)圖案。
必須注意吸收率在從照射吸收能量方面扮演著重要角色。因此，即使當(dāng)從上面照射時(shí)，第三層接收比第三層上面的層少的照射，較高的吸收率仍將導(dǎo)致第三層的區(qū)域中的溫度分布的偏移，所述第三層的區(qū)域被照射至比那個(gè)區(qū)域中的第一層和第二層高的溫度。在第三(界面)層中引起溫升的第二效應(yīng)是熱擴(kuò)散。該熱擴(kuò)散從第一或第二層發(fā)生。
當(dāng)與作為參考點(diǎn)的第三層的特殊材料進(jìn)行比較時(shí)，該效應(yīng)與第三層被破壞的溫度相結(jié)合可獲得多個(gè)優(yōu)點(diǎn)構(gòu)思是通過適當(dāng)選擇記錄疊層中的材料而使在第三層中產(chǎn)生的孔小于光斑。兩種效應(yīng)在第三層中獲得溫度分布(并因此產(chǎn)生孔)方面扮演著重要角色記錄疊層的熱性質(zhì)(熱擴(kuò)散)和激光吸收率(直接加熱)。破壞溫度在此處被定義為層1和2反應(yīng)形成穩(wěn)定標(biāo)記的溫度。
可區(qū)別兩種不同的情形第三層是吸收性的(熱擴(kuò)散加直接加熱)-當(dāng)對(duì)于同樣的照射，選擇較低的吸收率時(shí)，可為第三層選擇具有較高破壞溫度的材料。
-當(dāng)對(duì)于同樣的照射，選擇較高的吸收率時(shí)，并且如果第三層的目的僅僅是用于在室溫下獲得化學(xué)穩(wěn)定性(阻擋層)，則可為第三層選擇具有較高破壞溫度的材料。
-當(dāng)對(duì)于同樣的照射，選擇較高的吸收率時(shí)，可為第三層選擇具有較低破壞溫度的材料。
-當(dāng)對(duì)于同樣的照射，選擇較低的吸收率時(shí)，并且如果第三層僅僅是用于在較低的溫度下獲得化學(xué)穩(wěn)定性，則可為第三層選擇具有較低破壞溫度的材料。
-當(dāng)選擇較低的吸收率時(shí)，可為第三層選擇具有相同破壞溫度的材料，并且該材料對(duì)于相同的照射將在第三層中產(chǎn)生較小的開口。
-當(dāng)選擇較高的吸收率時(shí)，可為第三層選擇具有相同破壞溫度的材料，并且該材料對(duì)于相同的照射將在第三層中產(chǎn)生較大的開口。
第三層是半透明的(只有熱擴(kuò)散)-可為第三層選擇具有較高破壞溫度的材料。熱擴(kuò)散促使第三層熱破壞。
-倘若在室溫下只想要穩(wěn)定的反應(yīng)阻擋層，則可為第三層選擇具有較低破壞溫度的材料。
-可例如關(guān)于來自激光器的照射的顏色控制有機(jī)染料的吸收率。
第三層需要比第一材料與第二材料的反應(yīng)所需劑量高的激光能量劑量才能進(jìn)行反應(yīng)的情形的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是交叉寫入(cross write)效應(yīng)被最小化。由于溫度分布是鐘形的和對(duì)第三層破壞的照射區(qū)域的中心區(qū)域的限制，鄰接區(qū)域，例如相鄰軌跡并不會(huì)通過照射接收足夠的能量到達(dá)第三層被破壞的溫度點(diǎn)。因此，即使相鄰區(qū)域中的第一和第二層的材料接收足夠的照射而達(dá)到可發(fā)生反應(yīng)的溫度，第三層仍將防止相鄰區(qū)域中發(fā)生任何變化，因?yàn)榈谌龑釉谙噜彽膮^(qū)域中將不會(huì)達(dá)到第三層局部破壞所需的溫度。這樣不但能寫入較小的標(biāo)記，而且能防止由于在相鄰區(qū)域中進(jìn)行寫入所引起的交叉寫入效應(yīng)。
另一個(gè)實(shí)施例的特征在于第一材料是Si，而所述第二材料是Cu。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)Si和Cu是合適的無機(jī)記錄材料。第三層增加了使用Si和Cu作為記錄材料的記錄載體的穩(wěn)定性，這導(dǎo)致更加耐用的記錄載體。
另一個(gè)實(shí)施例的特征在于所述第一材料是Bi，而所述第二材料是Sn。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)Bi和Sn是合適的無機(jī)記錄材料。第三層增加了使用Bi和Sn作為記錄材料的記錄載體的穩(wěn)定性，這導(dǎo)致更加耐用的記錄載體。
另一個(gè)實(shí)施例的特征在于所述第一材料是In，而所述第二材料是Sn。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)In和Sn是合適的無機(jī)記錄材料。第三層增加了使用Bi和Sn作為記錄材料的記錄載體的穩(wěn)定性，這導(dǎo)致更加耐用的記錄載體。
另一個(gè)實(shí)施例的特征在于所述第三層包括從ZnS-SiO2、SiC、Al2O3、Si3N4、SiO2、C、KCl、LiF、NaCl、Pt、Au、Ag的組中選擇的第三材料，所述應(yīng)用取決于所需的光學(xué)性質(zhì)(系統(tǒng)波長(zhǎng))。
發(fā)現(xiàn)ZnS-SiO2、SiC、Al2O3和Si3N4等的組中的每一項(xiàng)都是合適的將記錄載體上的第一層從第二層分離開的第三層的材料。只要第三層在一個(gè)區(qū)域中不發(fā)生局部破壞，它就形成防止第一層和第二層之間發(fā)生反應(yīng)的阻擋層。一旦第三層在一個(gè)區(qū)域中被破壞，第三層的材料就不再在那個(gè)區(qū)域中防止第一層和第二層之間發(fā)生反應(yīng)。發(fā)現(xiàn)用一劑激光能量照射材料ZnS-SiO2、SiC、Al2O3、Si3N4等時(shí)可使它們破壞。第三層的材料是根據(jù)第一和第二層的材料的反應(yīng)溫度從ZnS-SiO2、SiC、Al2O3、Si3N4的組中選出的，使得在適當(dāng)?shù)臏囟认聲?huì)被破壞。如前所述，第三層的材料被破壞的溫度優(yōu)選的高于第一和第二層的材料之間發(fā)生反應(yīng)的溫度以便獲得比在沒有第三層時(shí)獲得的標(biāo)記小的標(biāo)記，但也可有利的使用第三層被破壞的較低溫度，例如用于獲得更加耐用的記錄載體。
另一個(gè)實(shí)施例的特征在于第三層包括選自組Pt、Au、Ag的第三材料。(吸收第三層)這些成分是合適的用于界面層的材料。
另一個(gè)實(shí)施例的特征在于使用多級(jí)記錄來記錄信息。
當(dāng)使用根據(jù)本發(fā)明的方法時(shí)，使用該方法對(duì)標(biāo)記大小進(jìn)行的精確控制允許使用多級(jí)記錄。另外，因?yàn)榭色@得較小的標(biāo)記，所以在與常規(guī)大小的標(biāo)記相同的區(qū)域中可使用一系列直接連續(xù)相鄰的標(biāo)記獲得多級(jí)記錄。
另一個(gè)實(shí)施例的特征在于通過寫入多個(gè)重疊的標(biāo)記來執(zhí)行多級(jí)記錄。
一旦第三層在一個(gè)區(qū)域中被破壞，它就保持破壞狀態(tài)并且不會(huì)受施加給該區(qū)域的另外劑量的激光能量的顯著影響。
因此通過寫入第一標(biāo)記和在記錄載體具有圓形或螺旋軌跡的情況下連續(xù)的、或立即在寫入第一標(biāo)記之后或在記錄載體一轉(zhuǎn)或多轉(zhuǎn)之后寫入與第一標(biāo)記重疊的另一個(gè)標(biāo)記至期望的數(shù)量而能夠調(diào)整標(biāo)記的大小。
通過使第二標(biāo)記與第一標(biāo)記基本重疊可略微增加標(biāo)記的大小，例如，如果重疊為90％，則最終標(biāo)記的大小將是第一標(biāo)記大小的110％。通過在100％和0％之間改變重疊量，可在第一標(biāo)記的100％和200％之間調(diào)整最后標(biāo)記的大小。當(dāng)然可將第三或另一標(biāo)記加至最終標(biāo)記的大小直到達(dá)到標(biāo)記的期望大小。
根據(jù)本發(fā)明的記錄載體的特征在于由第三材料構(gòu)成的第三層位于第一層和第二層之間，其在一個(gè)區(qū)域中進(jìn)行照射時(shí)，允許在那個(gè)區(qū)域中的第一材料和第二材料之間發(fā)生反應(yīng)。
通過用第三層分開各記錄層，就不可能發(fā)生反應(yīng)，除非第三層在用一劑激光能量進(jìn)行照射時(shí)被破壞。在第三層被破壞的區(qū)域中，在第一層和第二層之間可發(fā)生反應(yīng)。在另外的區(qū)域中，第一層和第二層保持由第三層分隔開，并且任何導(dǎo)致對(duì)比度降低的反應(yīng)都被禁止。由此可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的可讀性和長(zhǎng)期的穩(wěn)定性。
記錄載體的另一實(shí)施例的特征在于所述反應(yīng)是化學(xué)反應(yīng)。
對(duì)比度的變化可通過選擇第一層的第一材料和第二層的第二材料使得在混合時(shí)它們將產(chǎn)生對(duì)比度的變化來實(shí)現(xiàn)。其可以是有機(jī)和無機(jī)材料。因?yàn)榈谌龑臃指糸_兩種材料，所以本發(fā)明允許選擇材料的組合，這些材料在接觸時(shí)甚至在常規(guī)的室溫下而非由照射所產(chǎn)生的升高的溫度下彼此通常都可發(fā)生反應(yīng)。
另外可選擇更多的材料組合，在用比使第三層破壞所需的激光能量劑量低的一劑激光能量進(jìn)行照射時(shí)，所述材料組合會(huì)發(fā)生反應(yīng)。
當(dāng)選擇在用比使第三層破壞所需激光能量劑量高的一劑激光能量進(jìn)行照射時(shí)會(huì)發(fā)生反應(yīng)的一種材料組合時(shí)，第三層將在比第一和第二層的材料發(fā)生反應(yīng)大的區(qū)域中被破壞。然而這仍舊能提供定義第一和第二層的材料將會(huì)發(fā)生反應(yīng)的最大區(qū)域的優(yōu)點(diǎn)，從而改進(jìn)長(zhǎng)期穩(wěn)定性和給對(duì)比度的降低賦予一個(gè)上限。
廣泛地選擇材料是可行的。
記錄載體的另一個(gè)實(shí)施例的特征在于所述第三層需要比第一材料與第二材料的反應(yīng)所需劑量高的激光能量劑量才能使反應(yīng)得以進(jìn)行。
施加給各層的激光能量的劑量具有鐘形曲線的形狀。因此激光照射的區(qū)域中的溫度是不均勻的，而是具有較高溫度的相對(duì)小中心和圍繞該區(qū)域中心的溫度較低的區(qū)域。當(dāng)為第三層選擇需要較高劑量的激光能量被破壞的材料時(shí)，第三層被破壞的區(qū)域?qū)⒈幌拗朴诩す庹丈涞膮^(qū)域的中心。第三層被破壞的區(qū)域因此將小于照射的總區(qū)域。第一層的材料和第二層的材料之間的反應(yīng)將被限制在第三層被破壞的區(qū)域，使得第一層的材料和第二層的材料之間的反應(yīng)區(qū)域也將小于激光照射的總區(qū)域。這樣第一層的材料和第二層的材料之間的反應(yīng)由第三層中的孔的大小而非第一和第二層的材料的熔融/反應(yīng)特性限制。
由此通過反應(yīng)產(chǎn)生的標(biāo)記也將小于照射的總區(qū)域。
換句話說可在記錄載體上寫入小于用于寫入標(biāo)記的激光光點(diǎn)大小的標(biāo)記。較小的標(biāo)記允許將更多的標(biāo)記記錄在記錄載體上，這導(dǎo)致記錄載體具有較高的存儲(chǔ)容量，因?yàn)樵谇邢蛞约皬较蛏系拿芏榷伎稍黾印?br> 必須注意吸收率在從照射吸收能量方面扮演著重要角色。因此，即使當(dāng)從上面照射時(shí)，第三層接收比第三層上面的層少的照射，較高的吸收率仍將導(dǎo)致第三層的區(qū)域中的溫度分布的偏移，所述第三層的區(qū)域被照射至比那個(gè)區(qū)域中的第一層和第二層高的溫度。當(dāng)與作為參考點(diǎn)的第三層的特殊材料進(jìn)行比較時(shí)，該效應(yīng)與第三層被破壞的溫度相結(jié)合可獲得多個(gè)優(yōu)點(diǎn)(參見上面評(píng)論)-當(dāng)對(duì)于同樣的照射，選擇較高的吸收率時(shí)，可為第三層選擇具有較高破壞溫度的材料。
-當(dāng)對(duì)于同樣的照射，選擇較低的吸收率時(shí)，可為第三層選擇具有較低破壞溫度的材料。
-當(dāng)選擇較低的吸收率時(shí)，可為第三層選擇具有相同破壞溫度的材料，并且該材料對(duì)于相同的照射將在第三層中產(chǎn)生較小的開口。
-當(dāng)選擇較高的吸收率時(shí)，可為第三層選擇具有相同破壞溫度的材料，并且該材料對(duì)于相同的照射將在第三層中產(chǎn)生較大的開口。
可例如關(guān)于來自激光器的輻射的顏色控制有機(jī)染料的吸收率。
第三層需要比第一材料與第二材料的反應(yīng)所需劑量高的激光能量劑量才能進(jìn)行反應(yīng)的情形的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是交叉寫入效應(yīng)被最小化。由于溫度分布是鐘形的和對(duì)第三層破壞的輻射區(qū)域的中心區(qū)域的限制，鄰接區(qū)域，例如相鄰軌跡并不會(huì)通過照射接收足夠的能量到達(dá)第三層被破壞的溫度點(diǎn)。因此，即使相鄰區(qū)域中的第一和第二層的材料接收足夠的照射而達(dá)到可發(fā)生反應(yīng)的溫度，第三層仍將防止相鄰區(qū)域中發(fā)生任何變化，因?yàn)榈谌龑釉谙噜彽膮^(qū)域中將不會(huì)達(dá)到第三層局部破壞所需的溫度。這樣不但能寫入較小的標(biāo)記，而且能防止由于在相鄰區(qū)域中進(jìn)行寫入所引起的交叉寫入效應(yīng)。
記錄載體的另一個(gè)實(shí)施例的特征在于第一材料是Si，而所述第二材料是Cu。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)Si和Cu是合適的無機(jī)記錄材料。第三層增加了使用Si和Cu作為記錄材料的記錄載體的穩(wěn)定性，這導(dǎo)致更加耐用的記錄載體。
記錄載體的另一個(gè)實(shí)施例的特征在于所述第一材料是Bi，而所述第二材料是Sn。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)Bi和Sn是合適的無機(jī)記錄材料。第三層增加了使用Bi和Sn作為記錄材料的記錄載體的穩(wěn)定性，這導(dǎo)致更加耐用的記錄載體。
記錄載體的另一個(gè)實(shí)施例的特征在于所述第一材料是In，而所述第二材料是Sn。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)In和Sn是合適的無機(jī)記錄材料。第三層增加了使用Bi和Sn作為記錄材料的記錄載體的穩(wěn)定性，這導(dǎo)致更加耐用的記錄載體。
記錄載體的另一個(gè)實(shí)施例的特征在于所述第三層包括從ZnS、SiO2、SiC、Al2O3、SiN的組中選擇的第三材料。發(fā)現(xiàn)ZnS、SiO2、SiC、Al2O3和SiN的組中的每一項(xiàng)都是合適的將記錄載體上的第一層從第二層分離開的第三層的材料。只要第三層在一個(gè)區(qū)域中不發(fā)生局部破壞，它就形成防止第一層和第二層之間發(fā)生反應(yīng)的阻擋層。一旦第三層在一個(gè)區(qū)域中被破壞，第三層的材料就不再在那個(gè)區(qū)域中防止第一層和第二層之間發(fā)生反應(yīng)。發(fā)現(xiàn)用一劑激光能量照射材料ZnS、SiO2、SiC、AlxO3、SiN時(shí)可使它們破壞。第三層的材料是根據(jù)第一和第二層的材料的反應(yīng)溫度從ZnS、SiO2、SiC、Al2O3、SiN的組中選出的，使得在適當(dāng)?shù)臏囟认聲?huì)被破壞。如前所述，第三層的材料被破壞的溫度優(yōu)選的高于第一和第二層的材料之間發(fā)生反應(yīng)的溫度以便獲得比在沒有第三層時(shí)獲得的標(biāo)記小的標(biāo)記，但也可有利的使用第三層被破壞的較低溫度，例如用于獲得更加耐用的記錄載體。
記錄裝置的一個(gè)實(shí)施例的特征在于當(dāng)檢測(cè)電路檢測(cè)到包括由第一材料構(gòu)成的第一層和由第二材料構(gòu)成的第二層的記錄載體時(shí)，其中第三材料的第三層位于所述第一層和第二層之間，并且當(dāng)在一個(gè)區(qū)域中用一劑照射來照射所述第三層時(shí)，所述第三層允許所述區(qū)域中的第一材料和第二材料發(fā)生反應(yīng)，所述控制電路調(diào)節(jié)照射劑量使得所述第三層允許發(fā)生反應(yīng)。
記錄裝置必須調(diào)節(jié)與寫入策略相關(guān)的參數(shù)以使其適應(yīng)將在其上記錄數(shù)據(jù)的記錄載體的要求。
為此，記錄裝置必須能夠檢測(cè)記錄載體的類型。可選擇的，可將記錄裝置制成僅適用于單一類型的記錄載體，使得并不需要檢測(cè)，或者可應(yīng)用其它已知的方法來確定用于記錄處理的適當(dāng)參數(shù)。
然后將所述參數(shù)提供給用于控制發(fā)射所述劑量的激光能量的激光裝置的控制電路以調(diào)節(jié)記錄處理使其適用于將要進(jìn)行記錄的記錄載體。
現(xiàn)在將根據(jù)


本發(fā)明。
圖1表示現(xiàn)有的記錄載體的截面圖2表示照射現(xiàn)有的記錄載體以在其上寫入標(biāo)記的情況；圖3表示根據(jù)本發(fā)明的記錄載體的截面圖；圖4表示照射根據(jù)本發(fā)明的記錄載體的情況；圖4a表示對(duì)于變化的第一I層厚度執(zhí)行的對(duì)比度測(cè)量；圖5表示基于Si-Cu的記錄載體上的標(biāo)記形式，其示出了劑量對(duì)標(biāo)記形式的影響；圖6表示對(duì)于第一和第二記錄層使用各種材料的記錄載體的調(diào)制測(cè)量；圖7表示作為基于Bi-Sn和Sn-Bi的記錄載體的溫度函數(shù)的反射率和透射率測(cè)量；圖8表示使用根據(jù)本發(fā)明的記錄載體進(jìn)行的一次記錄多級(jí)寫入的實(shí)施情況；圖8a表示用于單個(gè)標(biāo)記的寫入策略；圖8b表示用于雙標(biāo)記的寫入策略。
圖1表示現(xiàn)有技術(shù)的記錄載體的截面圖。記錄載體1具有第一層2和與第一層2鄰接的第二層3。所述第一和第二層2、3被施加于載體4上。應(yīng)用保護(hù)層5以防止第一和第二層2、3損壞。保護(hù)層5還可以是以第二載體的形式形成使得第一和第二層2、3被夾在兩個(gè)載體之間，其中每個(gè)載體都提供機(jī)械穩(wěn)定性和保護(hù)。
圖2表示照射記錄載體以在現(xiàn)有技術(shù)的記錄載體上寫入標(biāo)記的情況。
在圖2中，只示出了第一層2和第二層3。為了清楚起見省略了載體4和保護(hù)層5。
當(dāng)通過光束9用一劑激光能量照射第一和第二層的區(qū)域6、10時(shí)，該區(qū)域6、10的溫度被升高到記錄載體的平均溫度以上。
記錄載體1的較小區(qū)域6、10中的溫度被提高至第一層2的材料和第二層3的材料開始反應(yīng)并形成一種新材料的點(diǎn)。區(qū)域6、10中的這種新材料具有不同于未接收一劑激光能量的原始材料的反射率。這樣就將標(biāo)記寫在記錄載體上。
激光能量的劑量7并不是跨越激光束9平均分布，而是具有高斯曲線的形狀。用高于激光劑量7的某一等級(jí)8的激光劑量照射的區(qū)域6、10中的材料將反應(yīng)并形成一個(gè)標(biāo)記。
因?yàn)榈谝粚?的材料和第二層3的材料在整個(gè)記錄載體上彼此接觸，所以在例如室溫下在未用一劑激光能量進(jìn)行照射的區(qū)域中進(jìn)行的慢反應(yīng)將導(dǎo)致記錄載體1的對(duì)比度緩慢降低，并且因此在記錄載體的可讀性和耐用性方面可靠性都將降低。
圖3表示根據(jù)本發(fā)明的記錄載體的截面圖。第一層2和第二層3現(xiàn)在由第三層11分隔開。第三層防止第一層2的材料和第二層3的材料彼此接觸。因?yàn)闆]有接觸，所以在兩個(gè)層2、3之間將不會(huì)發(fā)生反應(yīng)。
圖4表示照射根據(jù)本發(fā)明的記錄載體的情況。為了在圖3的盤上寫入標(biāo)記，通過激光束9將一劑激光能量7施加于區(qū)域6、6A、10、10A、12、14、15。第一層2中的區(qū)域10、10A、12從所述激光束吸收能量，并且第一層的區(qū)域10、10A、12的溫度升高。第一層2未吸收的能量傳遞給第三層11。第三層11的區(qū)域15、15A、15B也從所述激光束吸收能量并且區(qū)域15、15A、15B的溫度升高。第三層11未吸收的能量傳遞給第二層3。
第二層的區(qū)域6、6A、12也從所述激光束吸收能量并且區(qū)域6、6A、12的溫度升高。
激光能量的劑量7跨越激光束9并不是均勻的。只有當(dāng)激光能量7的劑量超過一確定值8時(shí)，第一層2的區(qū)域10、10A、12的溫度才升高至足以允許第一層2的材料和第二層3的材料發(fā)生反應(yīng)。另外，只有當(dāng)激光能量的劑量7超過一確定值8時(shí)，第二層3的區(qū)域6、6A、14的溫度才升高至足以允許第二層3的材料與第一層2的材料反應(yīng)。
對(duì)于第三層11，激光能量的劑量必須達(dá)到比第一和第二層2、3所需要的值高的值13，以便將第三層11的區(qū)域15、15A、15B的溫度提高至區(qū)域15中的第三層11的材料被破壞的點(diǎn)。這可通過選擇第三層的材料或通過控制第三層11的材料的吸收情況進(jìn)行控制。
因?yàn)橹挥性诘谌龑?1的較小區(qū)域15中才會(huì)達(dá)到較高值的能量劑量，而第三層11的周圍區(qū)域15A、15B不會(huì)達(dá)到，所以第三層只有一較小區(qū)域15會(huì)被破壞。該區(qū)域小于第一和第二層2、3的材料達(dá)到反應(yīng)溫度的區(qū)域10、10A、12、6、6A、14。因此，只有第一層2的較小區(qū)域12中的材料與第三層的較小區(qū)域14的材料反應(yīng)。
已經(jīng)提議Cu-Si系統(tǒng)作為一次寫入記錄系統(tǒng)。系統(tǒng)Bi-Sn和In-Sn已經(jīng)被提議作為一次寫入記錄系統(tǒng)。尤其是如果用于二維數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，這些系統(tǒng)的一個(gè)重要缺陷是熱交叉寫入和熱軌跡間干擾。所提議的阻擋層關(guān)于這些熱效應(yīng)提供了好得多的穩(wěn)定性。一個(gè)額外的優(yōu)點(diǎn)是提高了在升高溫度下的穩(wěn)定性。
已知有多種體積比來提供穩(wěn)定的反應(yīng)產(chǎn)物SinCum。以50-50％的體積比進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)至少顯示出這種無機(jī)記錄系統(tǒng)的可行性。其他體積比也是可行的。對(duì)于I-Si-Cu-IAg樣本(I代表ZnS-SiO2介電層)，對(duì)初始狀態(tài)和記錄狀態(tài)進(jìn)行的對(duì)比度測(cè)量是用反射-透射測(cè)量系統(tǒng)(RTM)執(zhí)行的。在疊層熱退火之后獲得記錄狀態(tài)以初始化化學(xué)反應(yīng)(熱退火是在熱RTM結(jié)構(gòu)上執(zhí)行的)。Si和Cu層厚度等于且被取作5、7和9nm。對(duì)于三Si-Cu層厚度來說(所有都具有50-50％的體積比)，圖4a中示出了對(duì)于可變的第一I層厚度(在20和100nm之間變化)執(zhí)行的對(duì)比度測(cè)量。9nm的Si和Cu在約50nm的II層厚度下幾乎導(dǎo)致80％的對(duì)比度。
圖5表示基于Si-Cu的記錄載體上的標(biāo)記形式，其顯示出劑量對(duì)標(biāo)記形式的影響。
對(duì)于M-I2-P-I1記錄疊層已經(jīng)執(zhí)行了標(biāo)記形式的數(shù)字模擬以便解釋所提出的記錄疊層的超分辨率性質(zhì)(I1和I2代表ZnS-SiO2介電層，P代表混合記錄層(P＝Si-I-Cu)，且M代表金屬散熱層(在Ag的情況下)。各層的層厚度是Ag-I2-(Cu-I-Si)-11＝60-44-(5-2-5)-20nm。標(biāo)記形式被定義為記錄疊層中超過Si和Cu層之間的界面阻擋層的融化溫度的平面區(qū)域。圖5中給出了對(duì)于六個(gè)寫入脈沖的序列作為阻擋層融化溫度函數(shù)的半平面標(biāo)記尺寸。注意這種寫入策略用于在游程長(zhǎng)度調(diào)制碼中寫入較長(zhǎng)的標(biāo)記。與計(jì)算的標(biāo)記的前沿相應(yīng)的所述序列中的第一寫入脈沖的結(jié)果或多或少的表示單寫入脈沖策略的結(jié)果，所述單寫入脈沖策略例如用在使用固定單元長(zhǎng)度的多級(jí)記錄方案中。標(biāo)記分布圖50是相對(duì)較低的融化溫度的結(jié)果，而標(biāo)記分布圖51是相對(duì)較高的融化溫度的結(jié)果。標(biāo)記大小的差別表示實(shí)際上融化溫度與記錄標(biāo)記的寫入功率和光學(xué)性質(zhì)結(jié)合可用于控制標(biāo)記大小。藍(lán)圈52(半徑為R0)代表藍(lán)色激光點(diǎn)的1/e大小。應(yīng)該清楚對(duì)于相對(duì)較高的融化溫度，在阻擋層中只產(chǎn)生非常小的孔徑以允許兩個(gè)反應(yīng)記錄層Si和Cu之間的物理接觸。
可能用于薄的阻擋層的材料是例如ZnS-SiO2、SiC、Al2O3、Si3N4、SiO2、C、KCl、LiF、NaCl、Pt、Au、Ag等。對(duì)于阻擋層的要求是1.阻擋層的融化溫度應(yīng)該高于Cu-Si或Bi-Sn或In-Sn系統(tǒng)的混合溫度。能夠預(yù)見等于或略微小于Cu-Si、Bi-Sn或In-Sn系統(tǒng)的反應(yīng)溫度的融化溫度還導(dǎo)致較小的位，但不同層之間的可能不完全的反應(yīng)/混合可導(dǎo)致較低的調(diào)制。
2.在室溫下的化學(xué)穩(wěn)定性。
3.強(qiáng)烈的閾值性能在沒有層間擴(kuò)散的中等溫升情況下融化可能促使孔徑形成。
圖6表示對(duì)于第一和第二層具有各種不同材料的記錄載體的調(diào)制測(cè)量。
在圖6中，關(guān)于Cu-Si盤和關(guān)于(ZnS-SiO2)-Cu-Si-(ZnS-SiO2)和SiN-Bi-Sn-SiN盤的靜態(tài)測(cè)試儀測(cè)量的結(jié)果與對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)相變藍(lán)光盤獲得的結(jié)果進(jìn)行比較。所示出的是作為寫脈沖長(zhǎng)度函數(shù)的信號(hào)調(diào)制(最長(zhǎng)游程長(zhǎng)度(在本情況中為I8)的峰峰信號(hào)與信號(hào)幅度的比)。標(biāo)準(zhǔn)藍(lán)光盤是基于能夠在非晶態(tài)和晶態(tài)之間可逆變換的GeInSbTe相變材料制成的。藍(lán)光Cu-Si是測(cè)試盤，CuSi是層厚度為7nm的自制盤，并且BiSn系統(tǒng)具有15nm的層厚度。從圖中能夠看出使用所提出的一次寫入系統(tǒng)能夠獲得等于或甚至大于標(biāo)準(zhǔn)藍(lán)光盤的調(diào)制的調(diào)制。
圖7表示作為基于Bi-Si和Sn-Bi的記錄載體的溫度函數(shù)的反射率和透射率測(cè)量。已知多種體積比來提供穩(wěn)定的反應(yīng)產(chǎn)物SinCum，以50-50％的體積進(jìn)行試驗(yàn)。使用I-Si-Cu-I-Ag樣本的反射率和透射率測(cè)量來執(zhí)行對(duì)初始狀態(tài)和記錄狀態(tài)的對(duì)比度測(cè)量，I代表ZnS-SiO2介電層。對(duì)比度被定義為下述比對(duì)比度＝(Rinit-R-written)/Rinit。在圖9中給出了在三層厚度為5、7和9nm的情況下作為介電層I1函數(shù)的對(duì)比度測(cè)量?？梢钥闯鲈谌齻€(gè)所示層厚度的情況下對(duì)于50％的體積比可獲得良好的對(duì)比度。
在對(duì)疊層進(jìn)行熱退火以初始化化學(xué)反應(yīng)之后就獲得了記錄狀態(tài)。在圖7中示出了這些關(guān)于Bi-Sn系統(tǒng)的熱反射率和透射率測(cè)量(RTM測(cè)量)的結(jié)果。所示出的是對(duì)于兩層厚度為15/15和30/30nm的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，所有試驗(yàn)結(jié)果對(duì)于50％體積比和兩種取向都具有SiBi和BiSn。在約140℃下發(fā)生一種臨界反應(yīng)。反射率初始在70％左右，用70表示，但它會(huì)降至大約10-15％的值，用72表示。相反，透射率初始低于5％，用71表示，但它可增加到30％以上，用73表示。
初始和寫入狀態(tài)的低透射率都表示這些記錄疊層也可在透明的模式中使用，例如雙層盤中的第一記錄疊層。
圖8表示使用根據(jù)本發(fā)明的記錄載體進(jìn)行多級(jí)寫入一次記錄的實(shí)施例。
在圖8中示意的示出了2D多級(jí)記錄。我們考慮了矩形柵格，但六角形結(jié)構(gòu)(蜂巢式結(jié)構(gòu))也是可能的(這樣一種方法被用在2DOS方案中)。在初始階段，由軌跡N-1、N和N+1及隨后的單元M-1、M和M+1表示的9單元的矩陣是未寫入的(軌跡N-2也是未寫入的)。在步驟1，數(shù)據(jù)被寫入到軌跡N1中。標(biāo)記尺寸僅受寫入功率的控制。在步驟2，數(shù)據(jù)被寫入到軌跡N中。在步驟3，數(shù)據(jù)被寫入到軌跡N+1中。
所提出的記錄疊層和方法的一個(gè)極大優(yōu)點(diǎn)是能夠以超分辨率寫入標(biāo)記，即比光點(diǎn)小。這允許極大的減小軌跡間距。那么一種可能性就是使用所述方法和記錄載體寫入二維數(shù)據(jù)圖案。
如果軌跡間距被極大的減小，則從軌跡N測(cè)量的反射率也包括來自軌跡N-1和N+1的作用(光學(xué)串?dāng)_)。光點(diǎn)強(qiáng)度典型的為高斯(Gauss)分布(介于高斯分布和埃里(Airy)分布之間的分布)。因此讀出信號(hào)應(yīng)被看作為強(qiáng)度分布和目前數(shù)據(jù)的卷積。典型的，中央軌跡中的標(biāo)記將比鄰近軌跡中的標(biāo)記對(duì)總的反射信號(hào)具有更大的影響。在大多數(shù)光記錄應(yīng)用中，來自邊軌跡的影響是不想要的，但我們?cè)O(shè)計(jì)所述系統(tǒng)使得它最佳的使用光學(xué)串?dāng)_。
可通過適當(dāng)選擇的寫策略(脈沖次數(shù)和脈沖功率)來控制凹坑形式。需要至少對(duì)于三個(gè)隨后的單元(M-1、M和M+1)最佳化寫入策略。如果對(duì)先前的單元M-1進(jìn)行寫入，則該位置中散失的熱量也會(huì)影響單元M的寫入(預(yù)熱效應(yīng))。此外，單元M+1的寫入也會(huì)影響先前寫入的單元M，(所謂的后熱效應(yīng))。需要對(duì)后熱和預(yù)熱效應(yīng)進(jìn)行控制以便控制單元M的寫入。
播放用的可能參數(shù)是寫入脈沖的功率和長(zhǎng)度，和一種用于下一個(gè)將要寫入的標(biāo)記的預(yù)熱脈沖和可能的冷卻間隙。在圖8a中給出了這種寫入策略的一個(gè)例子。脈沖高度Pmelt用于確定融化區(qū)域的大小。Pdiffuse的持續(xù)時(shí)間和功率可用于控制層1和層2的擴(kuò)散程度。需要冷卻間隙來將記錄疊層冷卻下來，并且可使用冷卻間隙來控制記錄疊層中的熱干擾(預(yù)熱效應(yīng))。(偏置電平)。軌跡間距、功率電平和脈沖持續(xù)時(shí)間被緊密相關(guān)并且因此需要以一種組合最佳算法對(duì)其進(jìn)行最佳化。
凹坑同步是非常重要的，因?yàn)樾枰P(guān)于中心軌跡中的凹坑以非常高的精度放置鄰近軌跡中的凹坑。我們(至少)考慮兩點(diǎn)1.對(duì)于同步預(yù)先控制的脊或尖峰信號(hào)。2.能夠重構(gòu)同步圖案的寫入長(zhǎng)(例如120)凹坑/標(biāo)記。通過光學(xué)串?dāng)_測(cè)量鄰近軌跡中的長(zhǎng)同步(syncs)來執(zhí)行同步。因?yàn)檐壽E間距遠(yuǎn)小于光點(diǎn)尺寸(衍射極限)，所以期望當(dāng)聚焦在中心軌跡上時(shí)將檢測(cè)鄰近軌跡。
通過寫入重疊標(biāo)記而能夠產(chǎn)生多級(jí)圖案，例如80是單標(biāo)記，而81是雙標(biāo)記(2個(gè)重疊標(biāo)記)，兩種標(biāo)記在圖8中都示出了。在下一個(gè)寫周期中，寫入圖案83和82。在第三寫入周期中，在軌跡N+1中寫入圖案85和84。在圖8b中示出了一種用于寫入雙標(biāo)記的典型寫入策略。
權(quán)利要求
1.一種用于在包括由第一材料構(gòu)成的第一層和由第二材料構(gòu)成的第二層的光盤上記錄信息的方法，該方法包括用一劑激光能量照射光盤的一個(gè)區(qū)域，其中在用該劑激光能量照射的區(qū)域中第一層的第一材料與第二層的第二材料反應(yīng)，其特征在于當(dāng)用一劑激光能量進(jìn)行照射時(shí)，位于第一層和第二層之間的第三層只允許在用該激光劑量照射的區(qū)域中的第一材料和第二材料之間發(fā)生反應(yīng)。
2.如權(quán)利要求1所述的用于在光盤上記錄信息的方法，其特征在于所述反應(yīng)是化學(xué)反應(yīng)。
3.如權(quán)利要求1所述的用于在光盤上記錄信息的方法，其特征在于所述反應(yīng)是用于形成第一材料和第二材料的合金的熔融。
4.如權(quán)利要求1所述的用于在光盤上記錄信息的方法，其特征在于所述反應(yīng)是有機(jī)反應(yīng)。
5.如權(quán)利要求1所述的用于在光盤上記錄信息的方法，其特征在于所述反應(yīng)是通過永久改變第三層中的所述區(qū)域得以實(shí)現(xiàn)的。
6.如權(quán)利要求1所述的用于在光盤上記錄信息的方法，其特征在于所述永久改變是通過照射第三層中的有機(jī)材料實(shí)現(xiàn)的。
7.如權(quán)利要求1所述的用于在光盤上記錄信息的方法，其特征在于第三層需要比第一材料與第二材料的反應(yīng)所需劑量高的激光能量劑量才能使反應(yīng)得以進(jìn)行。
8.如權(quán)利要求1所述的用于在光盤上記錄信息的方法，其特征在于所述第一材料是Si，而所述第二材料是Cu。
9.如權(quán)利要求1所述的用于在光盤上記錄信息的方法，其特征在于所述第一材料是Bi，而所述第二材料是Sn。
10.如權(quán)利要求1所述的用于在光盤上記錄信息的方法，其特征在于所述第一材料是In，而所述第二材料是Sn。
11.如權(quán)利要求1所述的用于在光盤上記錄信息的方法，其特征在于所述第三層包括從ZnS、SiO2、SiC、Al2O3、SiN的組中選擇的第三材料。
12.如權(quán)利要求1所述的用于在光盤上記錄信息的方法，其特征在于使用多級(jí)記錄來記錄信息。
13.如權(quán)利要求1所述的用于在光盤上記錄信息的方法，其特征在于通過寫入多個(gè)重疊的標(biāo)記來執(zhí)行多級(jí)記錄。
14.一種包括由第一材料構(gòu)成的第一層和由第二材料構(gòu)成的第二層的記錄載體，其特征在于由第三材料構(gòu)成的第三層位于第一層和第二層之間，其在一個(gè)區(qū)域中進(jìn)行照射時(shí)，允許在那個(gè)區(qū)域中的第一材料和第二材料之間發(fā)生反應(yīng)。
15.如權(quán)利要求14所述的記錄載體，其特征在于所述反應(yīng)是化學(xué)反應(yīng)。
16.如權(quán)利要求14所述的記錄載體，其特征在于所述反應(yīng)是用于形成第一材料和第二材料的合金的熔融。
17.如權(quán)利要求14所述的記錄載體，其特征在于所述反應(yīng)是通過永久改變第三層實(shí)現(xiàn)的。
18.如權(quán)利要求14所述的記錄載體，其特征在于所述第三層需要比第一材料與第二材料的反應(yīng)所需劑量高的激光能量劑量才能使反應(yīng)得以進(jìn)行。
19.如權(quán)利要求14所述的記錄載體，其特征在于所述第一材料是Si，而所述第二材料是Cu。
20.如權(quán)利要求14所述的記錄載體，其特征在于所述第一材料是Bi，而所述第二材料是Sn。
21.如權(quán)利要求14所述的記錄載體，其特征在于所述第一材料是In，而所述第二材料是Sn。
22.如權(quán)利要求14所述的記錄載體，其特征在于所述第三層包括從ZnS-SiO2、SiC、Al2O3、Si3N4、SiO2、C、KCl、LiF、NaCl、Pt、Au、Ag的組中選擇的第三材料。
23.如權(quán)利要求14到20中所述的記錄載體，其特征在于所述記錄載體包括另一記錄層。
24.一種用于在光盤上記錄信息的記錄裝置，其包括用于控制由激光器發(fā)射的照射的劑量的控制電路和用于檢測(cè)光盤類型的檢測(cè)電路，其特征在于當(dāng)所述檢測(cè)電路檢測(cè)到包括由第一材料構(gòu)成的第一層和由第二材料構(gòu)成的第二層的記錄載體時(shí)，其中第三層位于所述第一層和第二層之間，并且當(dāng)在一個(gè)區(qū)域中以照射劑量照射所述第三層時(shí)，所述第三層允許所述區(qū)域中的第一材料和第二材料發(fā)生反應(yīng)，所述控制電路調(diào)節(jié)照射劑量使得所述第三層允許發(fā)生反應(yīng)。
25.如權(quán)利要求24所述的用于在光盤上記錄信息的記錄裝置，其特征在于所述記錄是多級(jí)記錄。
26.如權(quán)利要求25所述的用于在光盤上記錄信息的記錄器，其特征在于所述記錄器的控制電路控制由激光器發(fā)射的輻射，使得一個(gè)區(qū)域被照射或多個(gè)重疊區(qū)域被照射。
全文摘要
一種記錄載體包括兩層，當(dāng)進(jìn)行照射時(shí)所述兩層彼此發(fā)生反應(yīng)以在記錄載體上形成標(biāo)記。所述兩層由第三層分隔開，所述第三層防止所述兩層直接接觸，由此對(duì)記錄載體提供穩(wěn)定性。通過照射第三層，第三層的一個(gè)區(qū)域被損壞或改變，由此產(chǎn)生一個(gè)開口，在那個(gè)區(qū)域中不再防止所述兩層的反應(yīng)并且能夠形成標(biāo)記。最終開口的大小確定了標(biāo)記的大小，并且因此能夠產(chǎn)生允許高密度記錄的非常小的標(biāo)記。
文檔編號(hào)G11B7/125GK1809876SQ200480017032
公開日2006年7月26日 申請(qǐng)日期2004年6月10日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月17日
發(fā)明者E·R·梅德斯, A·米吉利特斯基 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司