專利名稱：與溫度有關(guān)的動態(tài)隨機存取存貯器自刷新電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種動態(tài)隨機存取存貯器自刷新電路，且特別是關(guān)于一種與溫度有關(guān)的動態(tài)隨機存取存貯器自刷新電路以及產(chǎn)生與溫度有關(guān)的自刷新信號之方法的發(fā)明。
背景技術(shù)：
動態(tài)隨機存取存貯器(DRAM)裝置是持續(xù)成為熱門的存貯器，用以把數(shù)據(jù)存貯在電子系統(tǒng)里。由于他們的存貯單元(memory cell)尺寸，動態(tài)隨機存取存貯器能在非常小的裝置中存貯大量數(shù)據(jù)。同時，由于低功率電子裝置(例如手提電腦等等)的出現(xiàn)，對于動態(tài)隨機存取存貯器的設(shè)計者而言降低功率消耗的需求便繼續(xù)成為重要的目標(biāo)。
不過，當(dāng)訪問兩個二者擇一之目標(biāo)時必須進行刷新(refresh)操作。首先，刷新操作必須恢復(fù)數(shù)據(jù)值。頻繁的刷新操作是合乎需要的，以保證數(shù)據(jù)沒被毀壞。同時，給存貯單元充電所需的電流量導(dǎo)致增加的功率消耗。因此，頻繁的刷新操作沒合乎其消耗功率的需要。這些二者擇一之目標(biāo)導(dǎo)致在最大假設(shè)的「暫?！箷r間結(jié)束之前在每個存貯單元中進行刷新。
在典型的動態(tài)隨機存取存貯器陣列中，通過啟動同列(row)共同的字線(word line)而存取該列的存貯單元。因此，以逐列方式刷新各存貯單元。為了保證每一列都被刷新，動態(tài)隨機存取存貯器通常包括一個「刷新」計數(shù)器。此刷新計數(shù)器被設(shè)定至初始列地址而導(dǎo)致初始列被刷新。在刷新頻率的控制下，然后改變刷新計數(shù)器(通常以上數(shù)或下數(shù)操作)到下一列地址。這導(dǎo)致下一列地址被刷新。一旦達(dá)到最后一列地址，刷新計數(shù)器返回初始列地址。如此，在刷新頻率的控制下，刷新計數(shù)器循環(huán)記憶裝置中的所有列。因此，刷新計數(shù)器的速度決定刷新存貯單元的速率。為了符合最大的暫停時間，刷新計數(shù)器通常必須在最大的暫停時間內(nèi)循環(huán)所有列地址。刷新頻率控制刷新計數(shù)器的速度。如果最大暫停時間(所存數(shù)據(jù)尚未毀壞之最大時間)為T并且共有X列，則計數(shù)器周期是T/X。
動態(tài)隨機存取存貯器裝置能預(yù)計在一溫度范圍內(nèi)操作。這引起與相關(guān)的公知刷新電路的問題。當(dāng)最大的暫停時間在某一溫度上可能是確定值時，其在另一溫度卻是不同的值。可以發(fā)現(xiàn)溫度每下降12-15℃，動態(tài)隨機存取存貯器存貯單元之暫停時間大略加倍。因此，當(dāng)操作溫度下降，存貯單元不需要那么頻繁地刷新。因此，如果可以依溫度調(diào)整刷新速率，則可以減少動態(tài)隨機存取存貯器之功率消耗，尤其合乎電池供電裝置的需要。
專利號為56560164、6281760和5278796的美國專利(其在此被參考，特此合并)描述基于環(huán)境溫度調(diào)整動態(tài)隨機存取存貯器刷新速率的電路，以降低因刷新存貯單元之功率消耗。公知的電路的溫度傳感器持續(xù)檢測溫度，總是使溫度傳感器保持「開啟」或「啟動」?fàn)顟B(tài)，故持續(xù)消耗功率。
因此，仍然存在著改進與溫度有關(guān)刷新電路和與溫度有關(guān)刷新存貯單元的方法使功率消耗較少的需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出一種裝置，包括與溫度有關(guān)的自刷新電路，用于存貯器裝置。其中自刷新電路包括用以提供反映出操作溫度的輸出之溫度傳感器電路；用于在自刷新操作期間切換溫度傳感器電路至低功率狀態(tài)之手段；用以將來自該輸出的溫度數(shù)據(jù)進行編碼之編碼器；以及響應(yīng)于已編碼數(shù)據(jù)之可編程振蕩器，以于自刷新操作中提供與溫度有關(guān)的刷新信號。
本發(fā)明再提出一種產(chǎn)生與溫度有關(guān)的刷新信號之方法，用于信號記憶裝置。此方法包含之步驟有提供溫度傳感器，用以提供輸出以反映出裝置操作溫度；在自刷新操作期間切換溫度傳感器到低功率狀態(tài)；將來自該輸出之溫度數(shù)據(jù)進行編碼；以及利用已編碼數(shù)據(jù)編程設(shè)定振蕩器以提供用于自刷新操作中與溫度有關(guān)的刷新信號。
為讓本發(fā)明之上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。
具體實施例方式
圖1是與溫度有關(guān)之刷新信號發(fā)生器10實施例的電路圖。電路10產(chǎn)生與溫度有關(guān)的刷新信號REF去控制在存貯器陣列中各存貯單元之刷新速率。在示范用途里，刷新產(chǎn)生電路10被包括在動態(tài)隨機存取存貯器中，此動態(tài)隨機存取存貯器被應(yīng)用在電池供電的裝置中，尤其是便攜式裝置，例如筆記本電腦或者其它任何電池供電并且有顧慮功率消耗的裝置。
參考信號發(fā)生器10包括溫度傳感器電路12，用以產(chǎn)生溫度檢測輸出信號并經(jīng)由比較器電路16提供給取樣與閂鎖電路14。刷新信號發(fā)生器10也包括編碼電路18，用以接收以及編碼來自取樣與閂鎖電路14所取樣和閂鎖的數(shù)據(jù)，以及可編程振蕩器線路20，其由編碼信號(編碼器18所提供)所控制之時鐘信號(振蕩器22所提供)而提供與溫度有關(guān)的刷新信號(REF)。
傳感器電路12的操作應(yīng)已被此領(lǐng)域的專業(yè)人員所熟知，故該操作將不在本發(fā)明中詳細(xì)說明。電壓信號VT1、VT2和VT3是由阻抗階梯(包括參考電阻器R3、R2和R1)所產(chǎn)生的固定參考電壓。此電壓被提供到比較器電路16，用以與電壓VD相比較以決定電壓VD落在什么范圍。電壓VD是與溫度有關(guān)的電壓。如果這傳感器電路被開啟，則有電流流過二極管A。因此，二極管A產(chǎn)生電壓VD。
圖4是電壓溫度特性曲線圖表。VD的斜率(即d VD/dT)大約是-0.0015V/℃，即電壓VD隨溫度增加而下降(由模擬結(jié)果而得知)。VTn的斜率(例如VT3、VT2和VT1)滿足下列方程式dVT(n)dT=Kp·ln(B)·Σ1nRnR0]]>其中K為常數(shù)，q為電荷，以及B是在圖1的電路12中二極管部件BA的二極管A數(shù)量。B＝1，2，3....，在本實施例中B＝50。因此，電阻器Rn的阻抗(即R1、R2和R3)可以被選擇以符合圖4中所示電壓溫度特性曲線的要求。
當(dāng)起動信號ENB轉(zhuǎn)態(tài)為低準(zhǔn)位，溫度傳感器電路12即被啟動。在一個實施例中，在比較器電路16里有3個比較器，其耦接如圖1中所示，其負(fù)(-)電壓輸入端(Vn)均連接至與溫度有關(guān)的電壓節(jié)點以接收電壓VD，并且其正(+)電壓輸入端(Vp)分別耦接于VT3、VT2和VT1。如果比較器的Vp＞Vn，則比較器的輸出為邏輯高位。相反，如果Vp＜Vn，則比較器的輸出為邏輯低位。圖4說明下列條件(i)如果T＞T1，則VT3＞VT2＞VT1＞VD并且比較器電路16中三個比較器皆輸出邏輯高位；(ii)如果T1＞T＞T2，則VT3＞VT2＞VD＞VT1并且耦接VT1之比較器輸出邏輯低位，其它兩個比較器則輸出邏輯高位；
(iii)如果T2＞T＞T3，則VT3＞VD＞VT2＞VT1并且耦接VT1和VT2之比較器輸出邏輯低位，而其它比較器輸出邏輯高位；以及(iv)如果T＜T3，則VD＞VT3＞VT2＞VT1并且全部三個比較器均輸出邏輯低位。
圖2顯示用于溫度傳感器12之示范起動信號(ENB)。ENB在存貯器的正常操作(即非自刷新操作)期間為邏輯低位，以及在自刷新操作的開始將ENB轉(zhuǎn)態(tài)為邏輯高位。在自刷新循環(huán)后ENB返回低位。當(dāng)ENB為低位時，PMOS晶體管開關(guān)24被導(dǎo)通，此時溫度傳感器電路12被通電，因此產(chǎn)生參考電壓信號VT1、VT2和VT3以及與溫度有關(guān)的電壓信號VD。當(dāng)ENB是高位時，將比較器的輸出取樣并且閂鎖在取樣與閂鎖電路14。將P型金屬-氧化物半導(dǎo)體晶體管(PMOS)開關(guān)24關(guān)閉并且溫度傳感器電路12進入低功率狀態(tài)，例如，切斷電源，因此節(jié)省在自刷新循環(huán)期間的功率消耗。在正常操作期間可選擇是否打開ENB，因為溫度傳感器之功率消耗與其余電路操作相比較是可以忽視的。
在一個實施例中，在刷新循環(huán)期間，信號ENB周期性地(即每一個周期Tp)在短時周期中轉(zhuǎn)態(tài)為低位以便再供應(yīng)電力給溫度傳感器電路12來檢測在刷新循環(huán)期間的溫度變化，因此可在刷新操作期間依照芯片溫度動態(tài)地改變刷新循環(huán)時間。或者，可以在整個刷新循環(huán)中使起動信號保持高位。
圖3(a)和3(b)說明一種產(chǎn)生在圖2所示起動信號ENB的示范方法。固定頻率的自刷新信號SR(不可與溫度有關(guān)的刷新信號REF相混淆)可能被提供自，例如，微控制器。此信號SR如圖3(b)所示。在一個實施例中，可能由微控制器提供固定的自刷新信號SR。傳統(tǒng)的微控制器為了節(jié)省電流而控制SR狀態(tài)。例如，在移動電話之待機狀態(tài)時，信號SR可能被設(shè)定為保持「高位」。在圖3(a)和3(b)中，周期Tp可以等于，例如，126*Tosc，而Tw可以等于2*Tosc。因為Tw控制使溫度傳感器開啟電源，故Tw不可太短以免傳感器沒有足夠的時間被打開。如果Tw太短，傳感器不會被啟動而保持在電源關(guān)閉之狀態(tài)，此時取樣與閂鎖電路14可能接收到錯誤數(shù)據(jù)。信號X2至X64將以圖7和8說明如下。在本實施例中，Tp＝126*Tosc(即周期信號總合X2+X4+X8+X16+X32+X64)，以及Tw＝2*Tosc。具有最小周期的信號X2周期之Tw提供到圖3(a)的電路。
請參考圖5，該圖顯示取樣/閂鎖50的示范實施例。在圖1的實施例中，取樣與閂鎖電路14最好包括三個取樣/閂鎖電路50，每一個皆各自耦接至比較器電路16之輸出，并且各自提供電路14之取樣與閂鎖輸出SLn(在圖1中標(biāo)示為輸出SL1、SL2和SL3)。每個取樣/閂鎖50包括傳輸門52，傳輸門52包括PMOS晶體管和N型金屬-氧化物半導(dǎo)體晶體管(NMOS)。傳輸門被打開(即「on」)以便電路取樣數(shù)據(jù)，以及關(guān)閉(即「off」)以便電路閂鎖并保持?jǐn)?shù)據(jù)。傳輸門52被連接到一對交叉連接的反相器54和56，在依次被連接到反相器58。反相器56同時耦接ENB以及反相之ENB并且工作于當(dāng)ENB在邏輯高位時。反相器54和58永遠(yuǎn)保持開啟。當(dāng)ENB轉(zhuǎn)態(tài)為低位時，取樣/閂鎖50接收所連接之比較器的輸出信號。當(dāng)ENB轉(zhuǎn)態(tài)為高位時，比較器的輸出是未定的(因為溫度傳感器電路如上述般被關(guān)閉)，并且閂鎖50將最后接收所連接之比較器的輸出信號閂鎖住。使用取樣與閂鎖電路是因為傳感器電路并非永遠(yuǎn)保持開啟。因此，當(dāng)傳感器電路被關(guān)上時，取樣與閂鎖電路鎖住最后的輸入數(shù)據(jù)并把它傳送到編碼電路，直到傳感器電路再度被開啟。取樣與閂鎖電路14，通過多個取樣/閂鎖電路50，從傳感器電路12之輸出取樣溫度數(shù)據(jù)，同比較器電路16之說明，以通過編碼器18加以編碼。當(dāng)溫度傳感器為關(guān)閉狀態(tài)(即當(dāng)ENB為邏輯高位時)，取樣與閂鎖電路14鎖住最后接收的溫度數(shù)據(jù)以通過編碼器18進行編碼。
圖6說明編碼電路18的優(yōu)選實施例。在本實施例中，編碼電路包括電路60，此電路60包括多個與非門(NAND)電路，其輸出OT0、OT1、OT2和OT3反映了由溫度傳感器12所檢測并且通過取樣與閂鎖電路14從比較器電路16加以取樣并閂鎖住的溫度狀態(tài)T。有3個取樣與閂鎖輸出SL1、SL2和SL3指出溫度T落于哪個溫度范圍內(nèi)。如上所述，如果T1＜T，則所有三個輸出SL為邏輯「1」(因為當(dāng)溫度傳感器在這種溫度狀態(tài)上時，全部三個比較器輸出都是來自比較器電路16產(chǎn)生邏輯「1」)，并且只有OT3是邏輯「1」。如果T2＜T＜T1，則SL1和SL2為邏輯「1」并且SL3為邏輯「0」。只有OT2是邏輯「1」。如果T3＜T＜T2，則SL1是邏輯「1」并且SL2和SL3為邏輯「0」。只有OT1是邏輯「1」。最后，如果T＜T3，則全部輸出SL皆為邏輯「0」并且只有OT1為邏輯「1」。因此，通過電路60之與門輸出反映出范圍溫度。
圖7說明可編程振蕩器70的優(yōu)選實施例。振蕩器70包括多個與非(NAND)門72a至72d，分別耦接控制信號OT0至OT3。每個與非門72的輸出均被連接到與非門74，與非門74則被連接到邊緣觸發(fā)脈沖發(fā)生器76。每個與非門72連接具有不同的時鐘周期的時鐘信號，例如信號X2、X4、X8與X4和X8。時鐘信號Xn的時鐘周期T(Xn)有下列關(guān)系T(X2)＜T(X4)＜T(X8)。因此，時鐘信號X2的頻率大于時鐘信號X4等等的頻率。當(dāng)T1＜T，則只有OT3是高位，并且邊緣觸發(fā)脈沖發(fā)生器76從與非門72通過與非門74接收高頻時鐘信號X2。邊緣觸發(fā)脈沖發(fā)生器76根據(jù)頻率X2(具有短周期但高頻率)產(chǎn)生與溫度有關(guān)刷新信號REF，用以刷新動態(tài)隨機存取存貯器的字線。本質(zhì)上，因為溫度很高，刷新頻率一定是高的。在另一個例子中，當(dāng)T＜T3，則只有OT0為高位，并且邊緣觸發(fā)脈沖發(fā)生器76接收信號X12，即與非門72d從信號OT0(為高位)、信號X4和X8提供信號X12給邊緣觸發(fā)脈沖發(fā)生器76。邊緣觸發(fā)脈沖發(fā)生器76產(chǎn)生對應(yīng)于低頻時鐘信號X12之與溫度有關(guān)刷新信號REF。在這個例子里，因為溫度較低，所以REF具有較低的頻率。邊緣觸發(fā)脈沖發(fā)生器76的操作和設(shè)計應(yīng)該為此領(lǐng)域的專業(yè)人員所熟知。
圖9是圖1電路取樣示范數(shù)據(jù)之刷新周期對溫度(T)的曲線圖。如圖所示，當(dāng)溫度增加時減少刷新周期(即增加刷新頻率的意思)。
圖8說明產(chǎn)生時鐘信號X2、X4等等的電路80。信號X2、X4等等之速率可以通過設(shè)計而被改變并設(shè)定。電路80包括多個串聯(lián)之二進制計數(shù)器，將每一接收到的信號頻率除以2(如圖12所示之實施例)。這電路被連接到振蕩器信號OSC，在一個實施例中振蕩器信號OSC由振蕩器22(圖1)所提供。第一個二進制計數(shù)器接收時鐘信號OSC并且在下級中以時鐘信號的1/n頻率輸出信號Xn，如圖8與12所示。
如圖8所示，在實施例中，信號SR也被使用作為重置信號，用以重置二進制計數(shù)器。當(dāng)信號SR轉(zhuǎn)態(tài)為高位時，二進制計數(shù)器被重置到其初始狀態(tài)以便決定新的ENB信號(參照圖3(b))，其相依于REF，以控制該傳感器電路。如果二進制計數(shù)器沒被重置，隨后的輸出將照著相除。
在選擇的溫度狀況下，圖7與非門72的輸入和圖8OSC的頻率可以被選擇以提供所需頻率控制信號給脈沖發(fā)生器76。例如，若控制信號的四個頻率選擇為X2、X4、X6和X8，則比較器72a被連接到X2，比較器72b被連接到X4，比較器72c被連接到X2與X4以及比較器72d被連接到X8?？梢酝瑫r依照所需之刷新特性和溫度范圍選擇控制信號。
圖10是示范振蕩器100的電路圖，其可以被包含在圖1之振蕩器方塊22中。振蕩器100的設(shè)計應(yīng)該為此領(lǐng)域的專業(yè)人員所熟知而未于此中詳述。振蕩器100經(jīng)由反饋電路提供恒定的時鐘信號OSC給可編程振蕩器20。
請參考圖11，溫度傳感器12A的另一個較佳實施例被指明。圖11之傳感器電路12A與圖1的傳感器電路12相同，不同在于提供起動電路114。當(dāng)ENB轉(zhuǎn)態(tài)為低位時，線A被提供電壓(通過PMOS晶體管開關(guān)24)以啟動溫度傳感器110。但是在一些情況下，因為存在的寄生電容可以通過線A將所設(shè)計之線B電壓拉高，導(dǎo)致溫度傳感器未被開啟。在這實施例中，起動電路114被提供以拉低線B之電壓(即邏輯0)，然后當(dāng)溫度傳感器開啟時關(guān)閉之。當(dāng)其輸入為相同邏輯(皆為低位或高位)時，溫度傳感器電路中運算放大器(OP AMP)的輸出將是高的。首先，運算放大器輸入皆為低位并且導(dǎo)致運算放大器輸出高位。如此，B點為高位并且表示傳感器電路保持關(guān)閉。在啟動時起動電路強使點B轉(zhuǎn)態(tài)為低位，以保證先開啟傳感器電路。
雖然上述實施例說明四種可能的溫度條件，即(i)T＜T3、(ii)T3＜T＜T2＜T1、(iii)T3＜T2＜T＜T1以及(iv)T1＜T，但這只是為了方便說明而已。可以通過加(或者減)溫度傳感器12中阻抗階梯的電阻器使用其它許多可能的溫度結(jié)合，并且在比較器電路16添加相應(yīng)的比較器、在取樣與閂鎖電路14添加相應(yīng)的取樣/閂鎖電路50、在編碼器60添加相應(yīng)的與門、以及在可編程振蕩器70添加相應(yīng)的輸入與非門。
雖然未顯示，與溫度有關(guān)的刷新時鐘信號REF被提供以啟動字線并觸發(fā)刷新地址計數(shù)器，如在背景技術(shù)一節(jié)中所述以及發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通專業(yè)人員所知一樣，根據(jù)刷新時鐘信號將被存貯之?dāng)?shù)據(jù)重新寫入存貯單元(例如動態(tài)隨機存取存貯器)。REF被用來控制位線刷新。此外，在集成電路中，刷新時鐘信號發(fā)生器為較佳實施例。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通專業(yè)人員，在不脫離本發(fā)明之思想和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許之更動與改進，因此本發(fā)明之保護范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。


圖1是用以產(chǎn)生與溫度有關(guān)存貯單元的刷新信號之示范電路圖。
圖2是用于圖1刷新信號產(chǎn)生電路的溫度傳感器的起動信號的時序圖。
圖3A是說明產(chǎn)生圖2起動信號的電路圖，以及圖3B是顯示所產(chǎn)生之起動信號、自刷新信號和時鐘信號的時序圖。
圖4是圖1產(chǎn)生電路的溫度傳感器之溫度電壓特性圖。
圖5是取樣與閂鎖電路的電路圖。
圖6說明示范編碼電路的實施例。
圖7說明示范可編程脈沖發(fā)生器的實施例。
圖8說明用以產(chǎn)生不同頻率的時鐘信號之示范電路的實施例。
圖9是圖1電路的示范溫度-刷新周期特性圖。
圖10是示范振蕩器線路的電路圖。
圖11是溫度感應(yīng)器電路的可選擇實施例之電路圖。
圖12是顯示幾個相關(guān)時鐘信號的時序圖。
主要元件標(biāo)記說明10與溫度有關(guān)之刷新信號發(fā)生器
12、12A溫度傳感器電路14取樣與閂鎖電路16比較器電路18編碼電路20可編程振蕩器線路22、100振蕩器24晶體管開關(guān)50取樣/閂鎖電路52傳輸門54、56、58反相器60編碼電路70可編程振蕩器72a~72d、74與非(NAND)門76邊緣觸發(fā)脈沖發(fā)生器80產(chǎn)生時鐘信號的電路114起動電路
權(quán)利要求
1.一種裝置，該裝置包括用于存貯器裝置之與溫度有關(guān)的自刷新電路，其特征是該自刷新電路包括溫度傳感器電路，用以提供反映出操作溫度之輸出；手段(means)，用以在自刷新操作期間切換該溫度傳感器電路至低功率狀態(tài)；編碼器，用以將來自該輸出之溫度數(shù)據(jù)編碼；以及可編程振蕩器，用以依照該已編碼數(shù)據(jù)于該自刷新操作中提供與溫度有關(guān)自刷新信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述之裝置，其特征是該自刷新電路還包括取樣與閂鎖電路，耦接在該溫度傳感器電路與該編碼器之間，該取樣與閂鎖電路把指出該溫度傳感器電路之該輸出之信號加以取樣，以提供該溫度數(shù)據(jù)給該編碼器，當(dāng)該溫度傳感器電路被切換至該低功率狀態(tài)時，該取樣與閂鎖電路還閂鎖住該溫度數(shù)據(jù)給該編碼器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述之裝置，其特征是該溫度傳感器電路包括提供與溫度有關(guān)的電壓信號之手段，該裝置還包括比較電路，用以比較該與溫度有關(guān)的電壓信號與多個參考電壓，憑此該比較電路提供指出該溫度傳感器電路之該輸出之該信號。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述之裝置，其特征是切換之該手段包括開關(guān)，耦接在電源與該傳感器電路之間，該開關(guān)響應(yīng)于起動信號，該起動信號指出該自刷新操作。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述之裝置，其特征是該開關(guān)包括金屬-氧化物半導(dǎo)體晶體管，由指出該自刷新操作之該起動信號對該金屬-氧化物半導(dǎo)體晶體管施加偏壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述之裝置，其特征是切換之該手段響應(yīng)于指出該自刷新操作之該起動信號，其中在上述自刷新操作期間，該起動信號至少一次切換邏輯狀態(tài)達(dá)一時間周期，使得切換之該手段開啟該傳感器電路達(dá)該時間周期。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述之裝置，其特征是還包括產(chǎn)生該起動信號之手段。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述之裝置，其特征是該編碼器包括多個與非門，每一上述這些與非門提供代表在各自的溫度范圍內(nèi)該操作溫度之輸出。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述之裝置，其特征是該可編程振蕩器包括響應(yīng)于該編碼數(shù)據(jù)之脈沖發(fā)生器以及手段，該脈沖發(fā)生器耦接多個控制時鐘信號中之一個。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述之裝置，其特征是還包括產(chǎn)生上述這些控制時鐘信號的手段。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述之裝置，其特征是還包括動態(tài)隨機存取存貯器陣列。
12.一種產(chǎn)生與溫度有關(guān)刷新信號的方法，用于存貯器裝置，其特征是該產(chǎn)生與溫度有關(guān)刷新信號的方法包括下列步驟提供溫度傳感器，用以提供輸出以反映出該存貯器裝置之操作溫度；在自刷新操作期間切換該溫度傳感器至低功率狀態(tài)；將來自該輸出之溫度數(shù)據(jù)進行編碼；以及利用該已編碼數(shù)據(jù)程序設(shè)定振蕩器于該自刷新操作中提供與溫度有關(guān)之刷新信號。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述之產(chǎn)生與溫度有關(guān)刷新信號的方法，其特征是還包括下列步驟對信號取樣，該信號指出來自該溫度傳感器之該輸出，以提供用以編碼之該溫度數(shù)據(jù)；以及當(dāng)該溫度傳感器電路被切換至該低功率狀態(tài)時，閂鎖住用以編碼之該溫度數(shù)據(jù)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述產(chǎn)生與溫度有關(guān)刷新信號的方法，其特征是來自該溫度傳感器電路之該輸出包括與溫度有關(guān)的電壓信號，該方法還包括比較該與溫度有關(guān)的電壓信號與多個參考電壓，使得指出該溫度傳感器電路之該輸出之該信號被提供。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述之產(chǎn)生與溫度有關(guān)刷新信號的方法，其特征是該切換步驟依照起動信號而被執(zhí)行，該起動信號指出該自刷新操作。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述之產(chǎn)生與溫度有關(guān)刷新信號的方法，其特征是該起動信號在該自刷新操作期間至少一次切換邏輯狀態(tài)達(dá)一時間周期，以此該傳感器電路被打開達(dá)該時間周期。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述之產(chǎn)生與溫度有關(guān)刷新信號的方法，其特征是該存貯器裝置包括動態(tài)隨機存取存貯器裝置。
18.一種存貯器裝置，其特征是包括動態(tài)隨機存取存貯器陣列；以及與溫度有關(guān)的自刷新電路，用于該動態(tài)隨機存取存貯器陣列，該自刷新電路包括溫度傳感器電路，用以提供輸出，該輸出反映出該動態(tài)隨機存取存貯器陣列之操作溫度；手段(means)，用于依照起動信號切換該溫度傳感器電路至低功率狀態(tài)，該起動信號指出自刷新操作；編碼器，用以將來自該輸出之溫度數(shù)據(jù)進行編碼；取樣與閂鎖電路，用以將指出該溫度傳感器電路之該輸出之信號進行取樣，以提供溫度數(shù)據(jù)給該編碼器，當(dāng)該溫度傳感器電路被切換為該低功率狀態(tài)時，該取樣與閂鎖電路還閂鎖住該溫度數(shù)據(jù)給該編碼器；以及可編程振蕩器，響應(yīng)于該編碼數(shù)據(jù)于該自刷新操作中提供與溫度有關(guān)的刷新信號。
19.根據(jù)權(quán)利要求18項所述之存貯器裝置，其特征是該溫度傳感器電路的該輸出包括與溫度有關(guān)的電壓信號，該存貯器裝置還包括比較電路，用以比較該與溫度有關(guān)的電壓信號與多個參考電壓，以此該比較電路提供指出該溫度傳感器電路之該輸出之該信號給該取樣與閂鎖電路。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述之存貯器裝置，其特征是該起動信號在該自刷新操作期間至少一次切換邏輯狀態(tài)達(dá)一時間周期，以此切換之該手段開啟該傳感器電路達(dá)該時間周期。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述之存貯器裝置，其特征是還包括產(chǎn)生該起動信號之手段。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述之存貯器裝置，其特征是該編碼器包括多個與非門，每一上述這些與非門提供代表在各自溫度范圍內(nèi)之該操作溫度之輸出。
23.根據(jù)權(quán)利要求18所述之存貯器裝置，其特征是該可編程振蕩器包括響應(yīng)于該已編碼數(shù)據(jù)之脈沖發(fā)生器與手段，該脈沖發(fā)生器耦接至多個控制時鐘信號中之一個。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述之存貯器裝置，其特征是還包括產(chǎn)生上述這些控制時鐘信號的手段。
全文摘要
一種裝置，包括與溫度有關(guān)的自刷新電路，用于存貯器裝置。其中自刷新電路包括用以提供反映出操作溫度的輸出之溫度傳感器電路；用于在自刷新操作期間切換溫度傳感器電路至低功率狀態(tài)之手段；用以將來自該輸出的溫度數(shù)據(jù)進行編碼之編碼器；以及響應(yīng)于已編碼數(shù)據(jù)之可編程振蕩器，以于自刷新操作中提供與溫度有關(guān)的刷新信號。
文檔編號G11C11/406GK1801394SQ20041010357
公開日2006年7月12日 申請日期2004年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月31日
發(fā)明者張健怡 申請人:晶豪科技股份有限公司