專利名稱：用于在光記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于在光記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的方法和裝置，更確切地說，涉及這樣一種方法和裝置，在其中通過在光盤上形成標(biāo)記(mark)從而在光盤上記錄數(shù)據(jù)。
背景技術(shù)：
在作為光記錄介質(zhì)的光盤上記錄數(shù)據(jù)，是指在光盤上形成的軌道上形成標(biāo)記。在例如為只讀光盤式存儲器(CD-ROM)和只讀數(shù)字多用途盤式存儲器(DVD-ROM)的只讀光盤上，按照凹坑形成標(biāo)記。在例如為CD-R/RW和DVD-R/RW/RAM的可記錄光盤中，在記錄層中形成一相變(phase-change)膜，其可變?yōu)榻Y(jié)晶相和非結(jié)晶相以及利用相變膜的相變形成標(biāo)記。
用于記錄數(shù)據(jù)的方法可以分為標(biāo)記邊沿記錄法和標(biāo)記位置記錄法。按照標(biāo)記位置記錄法，在記錄標(biāo)記的位置，所檢測的射頻(RF)信號的幅值的符號從負(fù)變到正或從正變到負(fù)。按照標(biāo)記邊沿記錄法，在標(biāo)記的兩個(gè)邊沿，所檢測的射頻信號的幅值的符號從負(fù)變到正或從正變到負(fù)。因此在改進(jìn)再現(xiàn)信號的質(zhì)量方面，記錄標(biāo)記的邊沿是重要的因素，然而，在其上涂覆相變膜的光盤中，發(fā)現(xiàn)按照現(xiàn)有技術(shù)記錄方法記錄的標(biāo)記下降緣的形狀會按照標(biāo)記的長度或標(biāo)記之間的間隔即間隙(space)改變。即，形成標(biāo)記的尾緣大于標(biāo)記的前緣，這樣，記錄/再現(xiàn)的特性將惡化。如果標(biāo)記相對長，特性將更惡化。
圖1是按照現(xiàn)有技術(shù)的基準(zhǔn)記錄波形的示意圖。
參照圖1，其示出用于記錄不歸零翻轉(zhuǎn)的(inverted)(NRZI)數(shù)據(jù)的各個(gè)記錄波形(a)、(b)和(c)。記錄波形(a)用于DVD-RAM，記錄波形(b)和(c)用于DVD-RW。這里，T代表基準(zhǔn)時(shí)鐘的周期。按照標(biāo)記邊沿記錄法，將NRZI數(shù)據(jù)的高電平記錄為標(biāo)記，將NRZI數(shù)據(jù)的低電平記錄為間隙。將記錄標(biāo)記時(shí)所用的記錄波形標(biāo)記稱為記錄模式(pattern)，將形成間隙時(shí)所用的記錄波形稱為擦除模式?，F(xiàn)有技術(shù)的記錄波形(a)、(b)和(c)將多個(gè)脈沖用作記錄，以及擦除模式的功率維持在預(yù)定的直流電平，如在間隔E中所示。
由于包含在現(xiàn)有技術(shù)的記錄波形中的擦除模式持續(xù)預(yù)定時(shí)間維持在直流電平，0到200℃下的熱度連續(xù)作用到對應(yīng)的區(qū)域。因此，如果多次重復(fù)進(jìn)行記錄，標(biāo)記的形狀會惡化并畸變，這樣，記錄/再現(xiàn)的特性將惡化。特別是，為了在光盤上記錄更多的數(shù)據(jù)，朝高密度和高線速度的研究開發(fā)使得時(shí)鐘周期T更短，因此，形成記錄波形的脈沖之間的熱干擾增加，引起更嚴(yán)重的惡化。
同時(shí)，在現(xiàn)有技術(shù)中，因?yàn)橛涗浤さ奶匦允遣煌?，根?jù)光盤的種類例如DVD-RAM和DVD-RW以及技術(shù)規(guī)格例如使用不同的記錄波形。特別是，實(shí)際上，對于每種類型的光盤應(yīng)當(dāng)使用不同的記錄波形，這意味著，在制造可以記錄/再現(xiàn)所有技術(shù)規(guī)格的光盤的多驅(qū)動器時(shí)會遇到問題，因?yàn)槎囹?qū)動器要適應(yīng)各種不同的記錄波形。這一問題引起成本的增加。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，本發(fā)明的第一目的是提供一種記錄的方法和裝置，在其中可以防止由于重復(fù)記錄所引起的標(biāo)記的前緣和尾緣的形狀畸變和惡化。
本發(fā)明的第二目的是提供一種記錄的方法和裝置，其中利用一具有能改進(jìn)標(biāo)記形狀的擦除模式的記錄波形來記錄數(shù)據(jù)。
本發(fā)明的第二目的是提供一種記錄的方法和裝置，其中利用一可應(yīng)用于包含一具有各種不同特性的記錄膜的光盤的記錄波形來記錄數(shù)據(jù)。
為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述目的，提供一種用于在光記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的的方法，其包括通過利用具有一包含多脈沖的擦除模式的記錄波形來形成標(biāo)記或間隙。
最好，按照Run Length Limited(游程長度受限的)(RLL)(2，10)記錄數(shù)據(jù)，記錄預(yù)定的Non Return to Zero Inverted(不歸零翻轉(zhuǎn)的)(NRZI)的第一電平作為標(biāo)記，記錄預(yù)定的NRZI的第二電平作為間隙。
此外，為了實(shí)現(xiàn)上述本發(fā)明的目的，提供一種用于在光記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的方法，其包括(a)產(chǎn)生信道調(diào)制的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，(b)產(chǎn)生具有一包含多脈沖的擦除模式和記錄模式的記錄波形，(c)通過利用所產(chǎn)生的記錄波形，以形成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的第一電平作為標(biāo)記，形成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的第二電平作為間隙。
最好，基于Run Length Limited(RLL)(2，10)或RLL(1，7)執(zhí)行步驟(a)到(c)。
更為優(yōu)選的是，擦除模式前沿脈沖的功率電平是多脈沖中的低電平，尾沿脈沖的功率電平是多脈沖中的高電平。另外，擦除模式前沿脈沖的功率電平是多脈沖中的高電平，尾沿脈沖的功率電平是多脈沖中的高電平。擦除模式前沿脈沖的功率電平是多脈沖中的低電平，尾沿脈沖的功率電平是多脈沖中的低電平。擦除模式前沿脈沖的功率電平是多脈沖中的高電平，尾沿脈沖的功率電平是多脈沖中的低電平。
最好，多脈沖中高電平的持續(xù)時(shí)間和低電平的持續(xù)時(shí)間的比基本上為1∶1，并且高電平的持續(xù)時(shí)間是時(shí)鐘周期的1/2。
最好，在步驟(a)中，形成NRZI數(shù)據(jù)的第一電平作為標(biāo)記，在步驟(b)中，形成NRZI數(shù)據(jù)的第二電平作為間隙。
記錄波形包括冷卻脈沖(cooling pulse)，擦除模式包括冷卻脈沖中的一部分。最好，如果從NRZI信號的尾沿起的冷卻脈沖的終止時(shí)間小于或大于0.5T形成擦除模式的前沿脈沖的持續(xù)時(shí)間增加超過0.5T。
最好，組成或包含在多脈沖中的單位(unit)脈沖具有可通過該形成記錄模式的前沿脈沖的持續(xù)時(shí)間調(diào)節(jié)的高電平和低電平。
最好，記錄模式具有至少兩個(gè)功率電平。
此外，為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述目的，提供一種用于在光記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的裝置，其包括記錄波形發(fā)生單元，其產(chǎn)生具有一包含多脈沖的擦除模式和記錄模式的記錄波形；和一拾取單元，其根據(jù)所產(chǎn)生的記錄波形將光照射在光記錄介質(zhì)上，以便形成標(biāo)記或間隙。
最好，該裝置還包括信道調(diào)制單元，其對從外側(cè)提供的數(shù)據(jù)進(jìn)行信道調(diào)制，并向記錄波形發(fā)生單元輸出這樣產(chǎn)生的NRZI數(shù)據(jù)。
最好，拾取單位包括使光記錄介質(zhì)旋轉(zhuǎn)的電動機(jī)；光讀寫頭，將光照射在光記錄介質(zhì)上或接收從光記錄介質(zhì)上反射的光；控制電動機(jī)和光讀寫頭的伺服電路；以及激光器驅(qū)動電路，其驅(qū)動安裝在光讀寫頭中的激光器裝置。


通過參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)說明，將會使本發(fā)明的上述目的和優(yōu)點(diǎn)變得更明顯，其中
圖1是按照現(xiàn)有技術(shù)的基準(zhǔn)記錄波形的示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的記錄裝置的方塊圖；圖3是實(shí)現(xiàn)圖2中的記錄裝置的一個(gè)實(shí)例；圖4是由記錄波形發(fā)生電路產(chǎn)生的波形的一個(gè)實(shí)例；圖5是由記錄波形發(fā)生電路產(chǎn)生的波形的另一個(gè)實(shí)例；圖6a-6d是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的擦除模式的4種類型的波形；圖7e-7f是圖6a中的LH的另一個(gè)實(shí)例；圖8-10是以模擬方式記錄的標(biāo)記的形狀；圖11-15是表示DVD-RAM特性的曲線圖；圖16-20是表示DVD-RW特性的曲線圖；圖21是表示根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
圖2是根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的記錄裝置的方塊圖。參照圖2，能在光記錄介質(zhì)200上形成標(biāo)記的記錄裝置具有拾取單元1、記錄波形發(fā)生單元2和信道(channel)調(diào)制單元3。
信道調(diào)制單元3將從外側(cè)輸入的數(shù)據(jù)調(diào)制為信道比特流(bit stream)。記錄波形發(fā)生單元2接收信道比特流并產(chǎn)生用于記錄所接收的信道比特流的記錄波形。根據(jù)本發(fā)明產(chǎn)生的記錄波形具有一擦除模式，其含有擦除多脈沖。后面將解釋波形。拾取單元1根據(jù)所產(chǎn)生的記錄波形將光照射在光記錄介質(zhì)1上，以便形成標(biāo)記或間隙。
圖3是實(shí)現(xiàn)圖2中的記錄裝置的一個(gè)實(shí)例。利用相同的標(biāo)號代表相同的組件并略去相同的解釋。
參照圖3，記錄裝置包括拾取單元1、記錄波形發(fā)生電路2和信道調(diào)制單元3。拾取單元1具有一用于旋轉(zhuǎn)光盤200的電動機(jī)、用于接收從光盤200反射的光的光讀寫頭13、用于伺服控制的伺服電路12和用于驅(qū)動安裝在光讀寫頭13中的激光器的激光器驅(qū)動電路14。
信道調(diào)制單元3將從外側(cè)輸入的數(shù)據(jù)調(diào)制為信道比特流并輸出NRZI數(shù)據(jù)。記錄波形發(fā)生電路2產(chǎn)生用于記錄NRZI數(shù)據(jù)的記錄波形并將記錄波形提供到激光器驅(qū)動電路14。
通過利用所接收的記錄波形控制激光器，激光器驅(qū)動電路14形成標(biāo)記或間隙。
圖4是由記錄波形發(fā)生電路產(chǎn)生的波形的一個(gè)實(shí)例。
參照圖4，NRZI數(shù)據(jù)按照信道調(diào)制單元3的調(diào)制方法變化。即，如果調(diào)制方法是Run Length Limited(RLL)串級(serires)法，即按照8到14(EFM)調(diào)制、8到14(EFM)調(diào)制正(EFM+)、D(8-15)和雙重調(diào)制(Dual Modulation)，最小標(biāo)記長度為3T，最大標(biāo)記長度為11T。這里，D(8-15)是一種在光數(shù)據(jù)存儲裝置(ODS)2001中以Matsushita命名的“25GB容量的光盤記錄系統(tǒng)”中公開的方法。雙重調(diào)制公開在99-42032號韓國專利申請“RLL代碼分配法、調(diào)制和解調(diào)法以及具有改進(jìn)的直流控制能力的解調(diào)裝置”，該申請是由本申請人于1999年9月30日申請并在2000年11月25日公開的。如果利用RLL(1，7)串級法記錄數(shù)據(jù)，最小標(biāo)記標(biāo)記為2T，最大標(biāo)記標(biāo)記為8T。
當(dāng)按NRZI數(shù)據(jù)，形成高電平記錄作為標(biāo)記和形成低電平記錄作為間隙時(shí)，記錄波形包括用于記錄的7T長度的標(biāo)記的記錄模式和用于形成3T長度的的間隙的擦除模式以及用于記錄的3T長度的標(biāo)記的記錄模式。
記錄模式由脈沖鏈組成。另外擦除模式由如間隔F中所示的脈沖鏈組成。Tmp代表形成記錄模式的多脈沖的寬度。這里，多脈沖指具有相同寬度和功率的至少一個(gè)脈沖。Tlp代表形成記錄模式的最后的脈沖的寬度。Tcp代表冷卻脈沖的寬度(持續(xù)時(shí)間)。冷卻脈沖從記錄模式延伸到擦除模式。Temp代表形成擦除模式的多脈沖的的寬度。在本實(shí)施例中，Temp為0.5T。Tsfp代表從NRZI數(shù)據(jù)從低電平轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娖降乃查g到形成記錄模式的第一脈沖開始的瞬間的一個(gè)時(shí)間段。Tsfp對擦除模式的功率電平有影響。即，如在圖4中所示，如果Tsfp大于0.5T，且包含在擦除模式中的多脈沖按低電平Pb1終止，則下一個(gè)Tsfp從多脈沖的高電平Pb2開始。同時(shí)，如果Tsfp小于0.5T，且包含在擦除模式中的多脈沖按低電平Pb1終止，則下一個(gè)Tsfp維持多脈沖的低電平Pb1開始。
圖5是由記錄波形發(fā)生電路產(chǎn)生的波形的另一個(gè)實(shí)例。
參照圖5，當(dāng)形成NRZI數(shù)據(jù)的高電平作為標(biāo)記和形成低電平作為間隙時(shí)，記錄波形包括用于記錄的7T長度的標(biāo)記的記錄模式和用于形成5T長度的的間隙的擦除模式以及用于記錄的3T長度的標(biāo)記的記錄模式。
記錄模式由脈沖鏈組成。此外，另外擦除模式由如圖所示按間隔G的脈沖鏈組成。Tmp代表形成記錄模式的多脈沖的寬度。這里，多脈沖指具有相同寬度和功率的至少一個(gè)脈沖。在本發(fā)明中，Temp為0.5T。Tlp代表形成記錄模式的最后的脈沖的寬度。Tcp代表冷卻脈沖的寬度(持續(xù)時(shí)間)。冷卻脈沖從記錄模式延伸到擦除模式。Temp代表形成擦除模式的擦除多脈沖的的寬度。在本實(shí)施例中，Temp為0.5T。Tsfp代表從NRZI數(shù)據(jù)從低電平轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娖降乃查g到形成記錄模式的第一脈沖開始的瞬間(第一脈沖開始點(diǎn))的一個(gè)時(shí)間段。Tsfp對擦除模式的功率電平有影響。即，如在圖4中所示，如果Tsfp大于0.5T，且包含在擦除模式中的多脈沖按低電平Pb1終止，則下一個(gè)Tsfp從多脈沖的高電平Pb2開始。同時(shí)，如果Tsfp小于0.5T，且包含在擦除模式中的多脈沖按低電平Pb1終止，則下一個(gè)Tsfp維持多脈沖的低電平Pb1開始。
圖6a-6d是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的擦除模式的4種類型的波形。
參照圖6a-6d，根據(jù)本發(fā)明的分為4種類型(a)LH，(b)HH，(c)HL和(d)LL。利用圓標(biāo)記擦除模式的差別，以便可以更容易地理解這些差別。首先，(a)LH代表形成擦除模式的多脈沖的前沿脈沖的功率電平與跟隨的擦除多脈沖的低電平Pb1相同，和在形成擦除模式的最后擦除多脈沖之后按低電平Pb1終止。跟隨的Tsfp的功率電平與擦除多脈沖的高電平Pb2相同。(b)HH代表形成擦除模式的前沿脈沖的功率電平與跟隨的擦除多脈沖的高電平Pb2相同，和在形成擦除模式的最后擦除多脈沖之后按高電平Pb2終止。跟隨的Tsfp的功率電平按照擦除多脈沖的高電平Pb2持續(xù)。(c)HL代表形成擦除模式的多脈沖的前沿脈沖的功率電平與跟隨的擦除多脈沖的高電平Pb2相同，和在形成擦除模式的最后擦除多脈沖之后按高電平Pb2終止。跟隨的Tsfp的功率電平與擦除多脈沖的低電平Pb1相同。最后，(d)LL代表形成擦除模式的前沿脈沖的功率電平與跟隨的擦除多脈沖的低電平Pb1相同，和在形成擦除模式的最后擦除多脈沖之后按低電平Pb1終止。跟隨的Tsfp的功率電平按照擦除多脈沖的低電平Pb1持續(xù)。
圖7e-7f是圖6a中的LH的另一個(gè)實(shí)例。參照圖7e-7f，除了形成一個(gè)圓的擦除多脈沖的高電平Pb2的持續(xù)時(shí)間Temp1是0.7T以外以及擦除多脈沖的低電平Pb1的持續(xù)時(shí)間Temp2是0.3T，(e)LH2與圖6中的(a)LH相同。此外，除了擦除多脈沖的高電平Pb2的持續(xù)時(shí)間或低電平Pb1的持續(xù)時(shí)間是1.0T以外，(f)LH3與圖6中的(a)LH相同。這里，Temp1和Temp2的比，即形成一個(gè)圓的擦除多脈沖的高電平Pb2的持續(xù)時(shí)間和低電平Pb1的持續(xù)時(shí)間的比，可以各種方式按照m∶n變化。(這里m，n是整數(shù))。因此，根據(jù)本發(fā)明的記錄波形具有一包括其功率為高電平Pb2和低電平Pb1的擦除多脈沖的擦除模式，因此，防止了標(biāo)記的尾沿的畸變并改進(jìn)了再現(xiàn)特性。特別是，在如上所述的實(shí)施例中所示的記錄波形中，在時(shí)鐘周期T的0.25T-0.75T之間的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)擦除多脈沖中的高電平Pb2的持續(xù)時(shí)間和低電平Pb1的持續(xù)時(shí)間，并選擇一個(gè)適合于光盤200熱特性的持續(xù)時(shí)間。因此進(jìn)一步改進(jìn)了再現(xiàn)特性。
同時(shí)，可以將關(guān)于4種類型的擦除模式的信息(類型信息)記錄在可記錄光盤的引入?yún)^(qū)，或者可以作為其中一個(gè)首標(biāo)信息項(xiàng)包含在擺動信號中。在這種情況下，當(dāng)記錄數(shù)據(jù)時(shí)，記錄裝置從引入?yún)^(qū)中或擺動信號中讀出類型信息，并通過產(chǎn)生對應(yīng)的波形形成標(biāo)記或間隙。
此外，當(dāng)記錄數(shù)據(jù)和再現(xiàn)數(shù)據(jù)時(shí)，可以將4種類型的擦除模式用作一代表光盤的速度的倍數(shù)或標(biāo)記的類型的符號。例如，擦除模式可以代表“利用LH類型的擦除模式光盤的速度是20倍的速度”。
為了測試本發(fā)明的效果，觀測以模擬形式記錄的標(biāo)記的形狀。模擬中使用的結(jié)構(gòu)列在表1中。模擬中使用的光盤具有4層膜的結(jié)構(gòu)。
表1

模擬的條件包括波長為405納米，數(shù)字孔徑(NA)為0.65，線速度為6米/秒。為了觀測標(biāo)記的形狀，在記錄了8T的記錄標(biāo)記之后，通過重疊前一8T的記錄標(biāo)記中的4T來記錄下一個(gè)8T的記錄標(biāo)記。圖8-10表示當(dāng)使用現(xiàn)有技術(shù)記錄波形時(shí)的標(biāo)記形狀和當(dāng)使用根據(jù)本發(fā)明的記錄波形時(shí)的標(biāo)記形狀的比較結(jié)果。在圖8中，(a)表示通過該模擬形成的結(jié)果，(b)表示在(a)利用根據(jù)本發(fā)明的記錄波形形成的標(biāo)記，(c)表示在(a)利用現(xiàn)有技術(shù)的記錄波形形成的標(biāo)記。與之相似，在圖9中，(d)表示通過該模擬形成的結(jié)果，(e)表示利用根據(jù)本發(fā)明的具有擦除模式的記錄波形所形成的標(biāo)記，(f)表示利用現(xiàn)有技術(shù)具有直流擦除模式的記錄波形所形成的標(biāo)記。在圖10中，(g)表示通過模擬形成的結(jié)果，(h)表示利用根據(jù)本發(fā)明的擦除模式擦除(g)中的標(biāo)記的結(jié)果，(i)表示利用現(xiàn)有技術(shù)的直流擦除模式擦除(g)中的標(biāo)記的結(jié)果。
表2表示在對驗(yàn)證熱量模擬中采用的這些膜的參數(shù)。
表2

再次對照圖8-10中的模擬結(jié)果，其表明，利用具有圖8(b)中所示根據(jù)本發(fā)明的擦除模式的記錄波形形成的標(biāo)記的尾沿，好于利用具有圖8(c)中所示現(xiàn)有技術(shù)方法的現(xiàn)有技術(shù)直流擦除模式的記錄波形形成的標(biāo)記的尾沿。與該尾沿相似，如圖9中所示，當(dāng)采用根據(jù)本發(fā)明的擦除模式時(shí)標(biāo)記的前沿的形狀更好。模擬的結(jié)果表明，與現(xiàn)有技術(shù)相比較，當(dāng)采用具有按照多脈沖形成的擦除模式的記錄波形時(shí)改進(jìn)了時(shí)標(biāo)記的形狀。通過調(diào)節(jié)該形狀，可以進(jìn)一步降低擦除多脈沖的寬度和功率、標(biāo)記形狀的畸變。
為了通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證本發(fā)明的效果，在獲得如圖4和5中所示的記錄波形時(shí)所需的參數(shù)，即持續(xù)時(shí)間和功率電平，通過利用一DVD鑒別器，其激光波長為650納米，NA為0.60，4.7GB的DVD-RAM和4.7GB DVD-RW盤獲得。然后，將根據(jù)本發(fā)明的重復(fù)記錄/再現(xiàn)的特性與現(xiàn)有技術(shù)相比較。
圖11-15是表示DVD-RAM特性的曲線圖。圖11-13表示通過利用具有現(xiàn)有技術(shù)的直流擦除模式的記錄波形進(jìn)行記錄的功率和時(shí)間的特征；圖14-15表示通過利用本發(fā)明的記錄波形進(jìn)行記錄的改進(jìn)的特征。在圖11中，(a)和(b)分別表示對于前沿和尾沿的關(guān)于記錄功率和擦除功率的抖動特性，現(xiàn)有技術(shù)的直流擦除模式中標(biāo)記的前沿和尾沿。根據(jù)(a)和(b)，為了實(shí)驗(yàn)選擇14.5毫瓦的記錄功率和6毫瓦的擦除功率。
圖12-13表示現(xiàn)有技術(shù)的直流擦除中的測量結(jié)果。
參照在圖12中的(a)、(b)和(c)以及圖13中的(a)和(b)，它們表示當(dāng)Tsfp＝0.5T時(shí)和當(dāng)Tsfp＝0.4T時(shí)的最為優(yōu)選的抖動特性。Tle不影響抖動特性，當(dāng)周期為0.7T時(shí)，Tlp良好。
根據(jù)按這種方式通過實(shí)驗(yàn)得到的參數(shù)，按照具有如上所述的4種類型擦除模式的記錄波形形成標(biāo)記，所形成的標(biāo)記的特性測量如下。
圖14表示根據(jù)本發(fā)明的如圖6中所示的4種類型的抖動特性。
參照圖14，可以推斷，當(dāng)利用本發(fā)明具有擦除模式(即圖6中所示的4種類型中的任何一個(gè))的記錄波形記錄時(shí)的抖動特性良好。特別是，參照圖14(a)，其表明LH是4種類型中的最好的一種。參照圖14(b)，表示當(dāng)在擦除一標(biāo)記中采用根據(jù)本發(fā)明的按照擦除多脈沖形成的擦除模式時(shí)，作為擦除多脈沖高電平和低電平之間的差ΔPb(Pb2-Pb1)的抖動特性。其表明，在高達(dá)5毫瓦的情況下，都沒有大的差。
圖15表示與現(xiàn)有技術(shù)相比較，通過利用具有根據(jù)本發(fā)明的的擦除模式的記錄波形重復(fù)記錄/再現(xiàn)結(jié)果的抖動特性。
參照圖15，可以易于理解，當(dāng)利用根據(jù)本發(fā)明的擦除模式擦除標(biāo)記時(shí)，特別是在相應(yīng)記錄特性方面結(jié)果是良好的。
圖16-20是表示DVD-RW特性的曲線圖。圖16-18表示通過利用按照現(xiàn)有技術(shù)的直流擦除模式的記錄波形的記錄功率和時(shí)間的特征，圖119-20表示通過利用根據(jù)本發(fā)明的記錄波形的改進(jìn)的特征。
在圖16中，(a)和(b)分別表示對于前沿和尾沿的關(guān)于記錄功率和擦除功率的抖動特性，標(biāo)記的前沿和尾沿現(xiàn)有技術(shù)直流擦除中。根據(jù)(a)和(b)，選擇14.0毫瓦的記錄功率和6毫瓦的擦除功率。
圖17和18表示現(xiàn)有技術(shù)直流擦除中的測量結(jié)果。
參照圖17和18，它們表示當(dāng)Tsfp＝0.3T和Tsfp＝0.05T時(shí)的最為優(yōu)選的抖動特性。在0.55T時(shí)Tle良好，在1.0T和1.1T時(shí)Tlp良好。
根據(jù)按這種方式通過實(shí)驗(yàn)得到的參數(shù)，按照具有如上所述的4種類型擦除模式的記錄波形形成標(biāo)記，所形成的標(biāo)記的記錄特性測量如下。
圖19表示根據(jù)本發(fā)明的如圖6中所示的4種類型的抖動特性。
參照圖19，其表明LH是4種類型中的最好的一種。當(dāng)在擦除一標(biāo)記中采用根據(jù)本發(fā)明的按照擦除多脈沖形成的擦除模式時(shí)，表示作為擦除多脈沖高電平和低電平之間的差ΔPb(Pb2-Pb1)的抖動特性。由于該特性從3毫瓦起突然惡化，所以選擇1毫瓦作為重復(fù)記錄/再現(xiàn)實(shí)驗(yàn)的條件。
圖20表示利用具有根據(jù)本發(fā)明的擦除模式的記錄脈沖的重復(fù)記錄/再現(xiàn)結(jié)果的抖動特性。
參照圖20，可以易于理解，當(dāng)利用根據(jù)本發(fā)明的擦除模式擦除標(biāo)記時(shí)，特別是在相應(yīng)記錄特性方面結(jié)果是良好的。然而，該抖動特性從2000次起突然惡化。因此，其表明，根據(jù)本發(fā)明的脈沖擦除方法其優(yōu)點(diǎn)是重復(fù)記錄高達(dá)1000次，在通常的DVD-RW中是得到保證的。
同時(shí)，上述實(shí)驗(yàn)遵循格式并因此使用EFM+調(diào)制法。然而，如果使用任何其它通常使用的方法例如RLL(1，7)、D(8-15)和雙重調(diào)制法，結(jié)果將是相同的。
下面將解釋按照上述結(jié)構(gòu)的根據(jù)本發(fā)明的的優(yōu)選實(shí)施例的記錄方法。
圖21是表示根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的方法的流程圖。
參照圖21，在步驟1801，記錄裝置從外側(cè)接收數(shù)據(jù)、調(diào)制數(shù)據(jù)和產(chǎn)生NRZI數(shù)據(jù)。然后，在步驟1802，記錄裝置產(chǎn)生具有該包含擦除多脈沖的擦除模式的記錄波形。在步驟1803，通過利用所產(chǎn)生的記錄波形，在光盤200上形成標(biāo)記或間隙。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，提供了用于記錄數(shù)據(jù)的方法和裝置，其中采用了能防止當(dāng)記錄數(shù)據(jù)時(shí)由于熱影響和熱積累引起的標(biāo)記形狀畸變的記錄波形并改進(jìn)了標(biāo)記的形狀，使得改進(jìn)了記錄/再現(xiàn)特性。
權(quán)利要求
1.一種用于在光記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的方法，包括(b)通過利用具有一包含多脈沖的擦除模式的記錄波形來形成標(biāo)記或間隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在步驟(b)中，按照Run LengthLimited(RLL)(2，10)記錄數(shù)據(jù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在步驟(b)中，記錄預(yù)定的NonReturn to Zero Inverted(NRZI)的第一電平作為標(biāo)記，記錄預(yù)定的NRZI的第二電平作為間隙。
4.一種用于在光記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的方法，包括(a)產(chǎn)生信道調(diào)制的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)；(b)產(chǎn)生具有一包含多脈沖的擦除模式和記錄模式的記錄波形；(C)通過利用所產(chǎn)生的記錄波形形成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的第一電平作為標(biāo)記，形成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的第二電平作為間隙。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，基于Run LengthLimited(RLL)(2，10)或RLL(1，7)執(zhí)行步驟(a)到(c)
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，基于RLL(1，7)執(zhí)行步驟(a)到(c)。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，擦除模式前沿脈沖的功率電平是多脈沖中的低電平，尾沿脈沖的功率電平是多脈沖中的高電平。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，擦除模式前沿脈沖的功率電平是多脈沖中的高電平，尾沿脈沖的功率電平是多脈沖中的高電平。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，擦除模式前沿脈沖的功率電平是多脈沖中的低電平，尾沿脈沖的功率電平是多脈沖中的低電平。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，擦除模式前沿脈沖的功率電平是多脈沖中的高電平，尾沿脈沖的功率電平是多脈沖中的低電平。
11.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，多脈沖中高電平的持續(xù)時(shí)間和低電平的持續(xù)時(shí)間的比基本上為1∶1。
12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，高電平的持續(xù)時(shí)間是時(shí)鐘周期的1/2。
13.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，多脈沖中高電平的持續(xù)時(shí)間和低電平的持續(xù)時(shí)間的比基本上為m∶n(這里m、n是整數(shù))。
14.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，在步驟(a)中，形成NRZI數(shù)據(jù)的第一電平作為標(biāo)記，在步驟(b)中，形成NRZI數(shù)據(jù)的第二電平作為間隙。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，記錄波形包括冷卻脈沖，擦除模式包括冷卻脈沖中的一部分。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，如果從NRZI信號的尾沿起的冷卻脈沖的終止時(shí)間小于或大于0.5T，形成擦除模式的前沿脈沖的持續(xù)時(shí)間增加超過0.5T。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，組成或包含在多脈沖中的單位脈沖具有可通過該形成記錄模式的前沿脈沖的持續(xù)時(shí)間調(diào)節(jié)的高電平和低電平。
18.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，記錄模式具有至少兩個(gè)功率電平。
19.一種用于在光記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的裝置，其包括記錄波形發(fā)生單元，其產(chǎn)生具有產(chǎn)生具有一包含多脈沖的擦除模式和記錄模式的記錄波形；和一拾取單元，其根據(jù)所產(chǎn)生的記錄波形將光照射在光記錄介質(zhì)上，以便形成標(biāo)記或間隙。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的裝置，還包括信道調(diào)制單元，其對從外側(cè)提供的數(shù)據(jù)進(jìn)行信道調(diào)制，并向記錄波形發(fā)生單元輸出因此產(chǎn)生的NRZI數(shù)據(jù)。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的裝置，其中，拾取單位包括使光記錄介質(zhì)旋轉(zhuǎn)的電動機(jī)；光讀寫頭，將光照射在光記錄介質(zhì)上或接收從光記錄介質(zhì)上反射的光；控制電動機(jī)和光讀寫頭的伺服電路；以及激光器驅(qū)動電路，其驅(qū)動安裝在光讀寫頭中的激光器裝置。
全文摘要
一種用于在光記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的方法和裝置。該方法包括通過利用具有一包含多脈沖的擦除模式的記錄波形來形成標(biāo)記或間隙。通過這樣操作，該方法能防止標(biāo)記形狀的畸變并改進(jìn)標(biāo)記形狀，從而改進(jìn)了記錄/再現(xiàn)特性。
文檔編號G11B7/0045GK1410973SQ0214445
公開日2003年4月16日 申請日期2002年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2001年9月29日
發(fā)明者安龍津, 樸仁植, 李坰根, 楊蒼鎮(zhèn), 大塚達(dá)宏, 尹斗燮, 金成洙 申請人:三星電子株式會社