專利名稱：高密度盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高密度盤，更具體的說，涉及這樣一種高密度盤在其上的數(shù)據(jù)區(qū)被設(shè)定為在保持高記錄/重現(xiàn)特性和記錄容量的同時(shí)在相同的驅(qū)動(dòng)器中保證兼容性。
背景技術(shù)：
通常，光盤廣泛用作以非接觸方式記錄/重現(xiàn)信息的光拾取裝置的信息記錄介質(zhì)。光盤根據(jù)其信息記錄容量被分為致密盤(CD)和數(shù)字通用盤(DVD)。這里，具有小于等于65mm直徑的小型盤(MD)也可以添加到上述分類中。
這些光盤可以進(jìn)一步分為只讀光盤如CD-ROM(只讀存儲器)以及DVD-ROM，和可記錄光盤如CD-RW和DVD-RAM。
CD有1.2mm厚，由聚碳酸脂(PC)形成。CD由具有780nm波長的激光二極管重現(xiàn)，并在120mm外徑的單面上具有1.6μm的道距和650MB的記錄容量。
在DVD的情況下，具有0.6mm厚度的聚碳酸脂加強(qiáng)面附著在具有0.6mm厚度的基底上，由此形成了1.2mm的厚度，從而使DVD與CD-ROM驅(qū)動(dòng)器兼容。當(dāng)DVD為120mm直徑的單面盤時(shí)，記錄容量達(dá)到4.7GB。而具有記錄容量為9.4GB的雙面DVD由兩張0.6mm的盤組合形成。DVD由波長為650nm的激光二極管和具有0.65NA的物鏡重現(xiàn)，并具有大約0.74μm的道距。而且，具有80mm直徑的DVD具有1.47GB的記錄容量，相當(dāng)于兩張CD的記錄容量。
另外，高密度盤，也就是HD-DVD，在120mm直徑的單側(cè)表面上具有大約25GB的記錄容量。HD-DVD由波長為400nm的激光二極管和0.85NA的物鏡記錄和/或重現(xiàn)，并具有大約0.3μm的道距。并且，具有80mm直徑的HD-DVD具有大約7.8GB的記錄容量。
同時(shí)，HD TV需要可以記錄和/或重現(xiàn)135分鐘的HD電影的盤。盡管還沒有標(biāo)準(zhǔn)化，但是HD盤需要在具有120mm直徑的單面上記錄和/或重現(xiàn)大約23GB或更多容量的記錄容量。
CD和DVD的規(guī)格如表1所示。
表1


圖1示出了盤1如CD或DVD的結(jié)構(gòu)。參考附圖，高密度盤1可以分為中心孔10、用于將高密度盤1容納在后面所述的重現(xiàn)驅(qū)動(dòng)器轉(zhuǎn)盤(圖2的標(biāo)號63)上的夾緊區(qū)20、數(shù)據(jù)開始記錄的導(dǎo)入?yún)^(qū)30、用于記錄用戶數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)40和數(shù)據(jù)區(qū)40結(jié)束的導(dǎo)出區(qū)50。
只是重現(xiàn)的數(shù)據(jù)，如高密度盤1的尺寸、將要讀取的表面的軌道數(shù)目或復(fù)制保護(hù)信息，可以記錄在導(dǎo)入?yún)^(qū)30內(nèi)。數(shù)據(jù)區(qū)40是用戶可以記錄和/或重現(xiàn)信息的區(qū)域。并且，與高密度盤相關(guān)的其它信息記錄在導(dǎo)出區(qū)50。附圖標(biāo)記25表示形成堆積環(huán)(未示出)的區(qū)域，用以避免由于當(dāng)盤注入步驟所制造的盤堆積時(shí)盤表面的接觸而引起的生產(chǎn)率的降低。
圖2示出了盤1的卡盤裝置。這里，高密度盤1的卡盤裝置包括用于旋轉(zhuǎn)高密度盤1的主軸電機(jī)60、固定在主軸電機(jī)60的轉(zhuǎn)軸上的其上安放有高密度盤1的轉(zhuǎn)盤63和相對于轉(zhuǎn)盤63緊密壓緊高密度盤1的夾緊部件65。由于高密度盤1緊密壓緊并固定在轉(zhuǎn)盤63和夾緊部件65之間，因此，當(dāng)高密度盤1由主軸電機(jī)60旋轉(zhuǎn)時(shí)，沒有高密度盤1的顫抖，信息可以被重現(xiàn)。
從轉(zhuǎn)盤63的中心突出的突出部分63a插入到高密度盤1的中心孔10內(nèi)。磁體64設(shè)置在轉(zhuǎn)盤63或夾緊部件65上，以使高密度盤1由磁體64的磁力固定。這里，高密度盤1接觸夾緊部件65的區(qū)域是夾緊區(qū)20。
在傳統(tǒng)的CD或DVD中，當(dāng)整個(gè)盤的外徑(φt)為120mm或80mm時(shí)，中心孔的尺寸規(guī)定直徑(φh)為15mm。并且，夾緊區(qū)20的外徑規(guī)定直徑(φc)為大約32.7mm。
對于CD或DVD來說，導(dǎo)入?yún)^(qū)30各具有46-50mm的直徑或45.2-48mm的直徑。數(shù)據(jù)區(qū)40的內(nèi)徑(φd)為48.2mm。在DVD+RW的情況下，導(dǎo)入?yún)^(qū)30的內(nèi)徑(φi)規(guī)定為44.0mm。對于具有120mm直徑的盤來說，導(dǎo)出區(qū)50的外徑(φoe)達(dá)到117mm。對于具有80mm直徑的盤來說，導(dǎo)出區(qū)50的外徑(φoe)達(dá)到78mm。
然而，當(dāng)盤的全徑很小時(shí)，例如，盤的全徑(φt)為64mm時(shí)，如果在CD或DVD內(nèi)用戶數(shù)據(jù)開始的位置(φd)被設(shè)定為直徑為48.2mm的位置處，那么數(shù)據(jù)記錄容量將不足。另外，如果上述規(guī)定應(yīng)用在全徑為50mm的盤上，基本上將不存在數(shù)據(jù)區(qū)。如果形成小于15mm中心孔，以補(bǔ)償不足的數(shù)據(jù)區(qū)，則將產(chǎn)生與全徑為120mm或80mm盤的盤驅(qū)動(dòng)器的兼容性問題。
這里提供了一種減小夾緊區(qū)20的尺寸以保證盤的記錄容量的方法。然后，由于夾緊區(qū)20的直徑(φc)限制在33.0mm的范圍內(nèi)，以致難于保證與盤驅(qū)動(dòng)器兼容并同時(shí)增加記錄容量。夾緊區(qū)20的尺寸由盤的歧離因數(shù)、主軸電機(jī)60的轉(zhuǎn)數(shù)或盤的夾緊力決定。由于夾緊區(qū)20減小時(shí)盤的振動(dòng)特性劣化，因此，減小夾緊區(qū)20存在一定限制。目前，大多數(shù)用于CD-ROM或DVD-RAM的主軸電機(jī)60具有小于等于28.0mm的外徑，轉(zhuǎn)盤63的外徑小于等于30.0mm，其滿足了盤的夾緊區(qū)的尺寸，即，直徑為小于等于33.0mm。
由于高密度盤如CD或DVD很大，因此，用于高密度盤的驅(qū)動(dòng)器也因而變大，難于攜帶。首先考慮到輕便性，必須使用具有較小直徑的高密度盤。當(dāng)盤的直徑減小時(shí)，記錄容量減小，從而使數(shù)據(jù)不能被充分記錄。并且，記錄的重復(fù)受到限制，靈活的編輯也由此受到限制，其妨害了數(shù)據(jù)數(shù)值的增加。由此，需要制定高密度盤的新規(guī)格，從而在保證高密度記錄容量的同時(shí)小型盤可以在相同的驅(qū)動(dòng)器中兼容地記錄/重現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種小型而高密度的盤，其可以在保證高密度記錄容量的同時(shí)兼容用于傳統(tǒng)的盤驅(qū)動(dòng)器內(nèi)。
因此，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種高密度盤，具有直徑為大于等于10mm的中心孔，夾緊區(qū)，記錄有用戶數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)，位于數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)側(cè)的導(dǎo)入?yún)^(qū)，和位于數(shù)據(jù)區(qū)外側(cè)的導(dǎo)出區(qū)，其中，夾緊區(qū)的內(nèi)徑在20-26mm的范圍內(nèi)。
在本發(fā)明中，最好導(dǎo)入?yún)^(qū)的內(nèi)徑在33-36mm的范圍內(nèi)。
在本發(fā)明中，最好數(shù)據(jù)區(qū)的內(nèi)徑在35-40mm的范圍內(nèi)。
在本發(fā)明中，最好當(dāng)數(shù)據(jù)區(qū)的內(nèi)徑在36mm時(shí)，其外徑在39-40mm的范圍內(nèi)。
在本發(fā)明中，最好當(dāng)數(shù)據(jù)區(qū)的內(nèi)徑在40mm時(shí)，其外徑在42-48mm的范圍內(nèi)。
在本發(fā)明中，高密度盤最好具有至少一個(gè)透明基底和至少一個(gè)記錄層，透明基底的厚度為小于等于0.2mm。
在本發(fā)明中，數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)之間的邊界最好在62-64mm的范圍內(nèi)。
在本發(fā)明中，數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)之間的邊界最好在76-79mm的范圍內(nèi)。
在本發(fā)明中，數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)之間的邊界最好在116-119mm的范圍內(nèi)。
在本發(fā)明中，最好將一金屬片插入到中心孔中。
在本發(fā)明中，高密度盤最好具有紋跡和槽跡，可以在紋跡和槽跡的至少一個(gè)上執(zhí)行記錄過程。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種高密度盤，具有直徑為大于等于10mm的中心孔，夾緊區(qū)，記錄有用戶數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)，位于數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)側(cè)的導(dǎo)入?yún)^(qū)，和位于數(shù)據(jù)區(qū)外側(cè)的導(dǎo)出區(qū)，其中，數(shù)據(jù)區(qū)的內(nèi)徑在35-40mm的范圍內(nèi)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種高密度盤，具有直徑為大于等于10mm的中心孔，夾緊區(qū)，記錄有用戶數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)，位于數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)側(cè)的導(dǎo)入?yún)^(qū)，和位于數(shù)據(jù)區(qū)外側(cè)的導(dǎo)出區(qū)，其中，夾緊區(qū)的直徑在23-26mm的范圍內(nèi)，導(dǎo)入?yún)^(qū)的直徑在33-36mm的范圍內(nèi)。


本發(fā)明的上述目的和優(yōu)點(diǎn)通過參考附圖對優(yōu)選實(shí)施例的描述將更加明顯，其中圖1是傳統(tǒng)光盤的透視圖；圖2是高密度盤夾緊在盤驅(qū)動(dòng)器內(nèi)的狀態(tài)的橫截面圖；圖3是由夾緊力產(chǎn)生的FRF RMS數(shù)值隨高密度盤的夾緊區(qū)的尺寸改變的曲線圖；圖4是由夾緊力產(chǎn)生的第一諧振頻率隨高密度盤的夾緊區(qū)的尺寸改變的曲線圖；圖5A、5B和5C是改變高密度盤的夾緊力的同時(shí)由夾緊區(qū)的尺寸決定的振幅隨主軸電機(jī)的旋轉(zhuǎn)頻率改變的曲線圖；圖6A、6B和6C是改變高密度盤的夾緊區(qū)的尺寸的同時(shí)由旋轉(zhuǎn)速度決定的振幅隨主軸電機(jī)的旋轉(zhuǎn)頻率改變的曲線圖；圖7A、7B和7C是改變高密度盤的旋轉(zhuǎn)速度的同時(shí)由夾緊區(qū)的尺寸決定的振幅隨主軸電機(jī)的旋轉(zhuǎn)頻率改變的曲線圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明的高密度盤的平面圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的高密度盤的橫截面圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明的高密度盤的部分橫截面圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例的高密度盤裝載在盤驅(qū)動(dòng)器內(nèi)的狀態(tài)橫截面圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參考附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的高密度盤。
參考圖8，根據(jù)本發(fā)明的高密度盤包括中心孔100、夾緊力施加到其上的夾緊區(qū)110、記錄有用戶數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)130、靠近數(shù)據(jù)區(qū)130內(nèi)側(cè)的導(dǎo)入?yún)^(qū)120和靠近數(shù)據(jù)區(qū)130外側(cè)的導(dǎo)出區(qū)140。這里數(shù)據(jù)的記錄從導(dǎo)入?yún)^(qū)120開始。
當(dāng)中心孔100的直徑為dH時(shí)，dH可以設(shè)定為大于等于10mm?？紤]到傳統(tǒng)盤驅(qū)動(dòng)器的兼容性，中心孔100的直徑最好設(shè)定為15mm。夾緊區(qū)220的尺寸減小到最小值，以確保盤的高密度記錄容量。然而，即使當(dāng)夾緊區(qū)10的尺寸減小時(shí)，也必須保持或提高盤的記錄和/或重現(xiàn)特性。主要由夾緊區(qū)的尺寸影響的記錄和/或重現(xiàn)特性是盤旋轉(zhuǎn)期間盤的振動(dòng)特性。也就是說，隨夾緊區(qū)的增加，可以確保更多的數(shù)據(jù)區(qū)。然而，盤的振動(dòng)特性劣化，從而使盤的記錄和/或重現(xiàn)特性受到壞的影響。因此，為了設(shè)定最佳夾緊區(qū)110，盤旋轉(zhuǎn)期間盤的振特性隨夾緊區(qū)110的尺寸、施加到夾緊區(qū)110上的夾緊力和盤旋轉(zhuǎn)速度的改變被測量出來。
FRF RMS、第一諧振頻率和振幅相應(yīng)于夾緊區(qū)110的外徑dC為20＜dC＜23、23＜dC＜26和26＜dC＜29的情況隨將夾緊力分別改變?yōu)?.5N、3.5N和4.5N時(shí)被測定。FRF(頻率響應(yīng)函數(shù))RMS示出了輸出加速度相應(yīng)于輸入加速度的RMS(均方根)，以表明盤旋轉(zhuǎn)期間全部振動(dòng)的總和。并且，主軸電機(jī)(圖2的60)的旋轉(zhuǎn)頻率為20Hz、60Hz或100Hz的情況也被測定。相應(yīng)于夾緊區(qū)110的直徑分別為20＜dC＜23、23＜dC＜26和26＜dC＜29的情況的檢測結(jié)果如表1、2和3所示。
表2


表3


表4


圖3是在檢測的結(jié)果中當(dāng)盤的旋轉(zhuǎn)頻率為60Hz(3600r.p.m)時(shí)關(guān)于夾緊區(qū)110的直徑分別為20＜dC＜23、23＜dC＜26和26＜dC＜29的情況的測量的FRF數(shù)值曲線圖。并且，圖4是當(dāng)盤的旋轉(zhuǎn)頻率為60Hz(3600r.p.m)時(shí)相應(yīng)于夾緊區(qū)110的直徑分別為20＜dC＜23、23＜dC＜26和26＜dC＜29的情況第一諧振頻率的改變的曲線圖。在上述檢測中，夾緊力被設(shè)定在盤在使用的旋轉(zhuǎn)速度下不滑動(dòng)或脫離的范圍內(nèi)。
根據(jù)影響盤的振動(dòng)特性的測量結(jié)果，即使在夾緊區(qū)的外徑減小到20-29mm的范圍內(nèi)時(shí)，振動(dòng)特性也不會(huì)受到強(qiáng)烈影響。參考圖3，F(xiàn)RF RMS的測量數(shù)值顯示出相應(yīng)于夾緊區(qū)110的改變基本上沒有顯著的不同，并且當(dāng)夾緊力為3.5N時(shí)該數(shù)值較高。并且，參考圖4，隨著夾緊區(qū)尺寸的減小，盤的第一諧振頻率輕微降低。可以看出，相應(yīng)于夾緊力的改變，測量結(jié)果幾乎沒有差別。根據(jù)上述測量結(jié)果，F(xiàn)RF RMS數(shù)值和盤的第一諧振頻率強(qiáng)烈影響了主軸電機(jī)的旋轉(zhuǎn)頻率，但是在相同的旋轉(zhuǎn)頻率下沒有受到夾緊區(qū)尺寸改變的影響。這種改變量幾乎不影響高密度盤的記錄/重現(xiàn)特性。
下面，作為對高密度盤振幅的檢測，從信號掃描振動(dòng)激勵(lì)得到的振幅在5-10KHz的頻率范圍內(nèi)相對于相同夾緊區(qū)和相同主軸電機(jī)的旋轉(zhuǎn)速度而被測定。測量結(jié)果顯示在以夾緊力顯示的曲線圖中。圖5A、5B和5C分別示出了20＜dC＜23、23＜dC＜26和26＜dC＜29的情況。特別的，大約100Hz的光盤第一諧振頻率處的放大部分在每張附圖內(nèi)示出。可以看出，相應(yīng)于夾緊力的改變，測量結(jié)果沒有實(shí)質(zhì)上的不同。
下面，從信號掃描振動(dòng)激勵(lì)得到的振幅在5-10KHz的頻率范圍內(nèi)相對于相同夾緊區(qū)和相同主軸電機(jī)的旋轉(zhuǎn)速度由夾緊區(qū)的尺寸示出。圖6A示出了旋轉(zhuǎn)速度為1200r.p.m.并且夾緊力為3.5N的情況。圖6B示出了旋轉(zhuǎn)速度為3600r.p.m.并且夾緊力為3.5N的情況。圖6A示出了旋轉(zhuǎn)速度為6000r.p.m.并且夾緊力為3.5N的情況。這里，大約100Hz的光盤第一諧振頻率處的放大的部分在每張附圖內(nèi)示出?？梢钥闯?，相應(yīng)于夾緊區(qū)的改變，測量結(jié)果沒有實(shí)質(zhì)上的不同，振幅在允許范圍內(nèi)。
下面，從信號掃描振動(dòng)激勵(lì)得到的振幅在5-10KHz的頻率范圍內(nèi)相對于相同夾緊區(qū)和相同主軸電機(jī)的旋轉(zhuǎn)速度由夾緊區(qū)的尺寸示出。圖7A示出了夾緊區(qū)的尺寸為20＜dC＜23并且夾緊力為3.5N的情況。圖7B示出了夾緊區(qū)的尺寸為23＜dC＜26并且夾緊力為3.5N的情況。圖7C示出了夾緊區(qū)的尺寸為26＜dC＜29并且夾緊力為3.5N的情況。這里，F(xiàn)RF的測量數(shù)值相對于盤旋轉(zhuǎn)速度的改變顯示出微小的差別。然而，該差別是由光記錄/重現(xiàn)裝置的盤旋轉(zhuǎn)速度引起的，而不是由于夾緊區(qū)和夾緊力的不同而引起的。由此，基于上述測試結(jié)果，夾緊區(qū)110的外徑(dC)可以被設(shè)定在20-26mm的范圍內(nèi)，最好23-26mm。因此，導(dǎo)入?yún)^(qū)120開始的內(nèi)徑(dI)和數(shù)據(jù)區(qū)130開始的內(nèi)徑(dD)可以分別減小到33-36mm和35-40mm。通過共同使用這些條件，作為數(shù)據(jù)區(qū)130和導(dǎo)出區(qū)120之間的邊界的數(shù)據(jù)區(qū)130的外徑(dO)被限制在62-64mm、76-79mm或116-119mm，以實(shí)現(xiàn)具有全徑為65mm、80mm或120mm的高密度盤。
下面，將詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。
如圖8所示，根據(jù)本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施方式的高密度盤101包括中心孔100、夾緊區(qū)110、導(dǎo)入?yún)^(qū)120、用戶數(shù)據(jù)區(qū)130和導(dǎo)出區(qū)140。中心孔100的直徑(dH)為15mm。夾緊區(qū)110的直徑(dC)為23-26mm。導(dǎo)入?yún)^(qū)120的直徑(dI)為33-36mm。數(shù)據(jù)區(qū)130的直徑(dD)為36-116mm。導(dǎo)出區(qū)140的直徑(dO)為116-118mm。盤101的全徑(dT)為120mm。
這里，非記錄區(qū)115設(shè)置在夾緊區(qū)110和導(dǎo)入?yún)^(qū)120之間，其具有堆積環(huán)(未示出)，以避免由于當(dāng)盤注入步驟所制造的盤堆積時(shí)盤表面的接觸而引起的生產(chǎn)率的降低。
圖9示出了高密度盤的剖面圖。參考附圖，高密度盤包括至少一個(gè)透明基底55和至少一個(gè)記錄層157。透明基底155的厚度(t)可以小于等于0.2mm。特別的，當(dāng)透明基底155的厚度為0.1mm時(shí)，考慮到與用于記錄和/或重現(xiàn)傳統(tǒng)CD或DVD的相同驅(qū)動(dòng)器的兼容性，具有1.1mm厚度的聚碳酸脂盤用作加強(qiáng)板，從而使盤具有1.2mm的厚度。作為制造0.1mm透明基底的方法，這里提供了在具有1.1mm厚度的聚碳酸脂盤上執(zhí)行旋涂以具有0.1mm厚度的方法和通過UV硬化合成0.1mm厚度的薄層的方法。該盤可以是相變盤或磁光盤。
并且，如圖10所示，紋跡L和槽跡G形成在透明基底155和記錄層157中至少一個(gè)上。數(shù)據(jù)可以記錄在至少一個(gè)紋跡L和槽跡G上。也可以在透明基底155和記錄層157上實(shí)現(xiàn)多層記錄。作為增加高密度盤的記錄密度的方法，這里提供了縮小軌道之間的間距即道距的方法和減小最小標(biāo)記長度(MML)的方法。
然而，道距或MML可以相應(yīng)于糾錯(cuò)碼(ECC)和調(diào)制的設(shè)計(jì)而改變。例如，當(dāng)數(shù)據(jù)記錄在紋跡L和槽跡G上時(shí)，道距為小于等于0.6μm，MML為小于等于0.22μm。當(dāng)數(shù)據(jù)記錄在槽跡G上時(shí)，道距為小于等于0.35μm，MML為小于等于0.22μm。并且，具有0.85NA的物鏡和具有400nm波長的激光二極管用在光拾取器(未示出)中，以記錄和/或重現(xiàn)高密度盤。
當(dāng)數(shù)據(jù)在上述條件下記錄在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的高密度盤上時(shí)，就只有一面記錄的單面盤來說，可以保證25GB的記錄容量。
根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施方式的高密度盤101包括中心孔100、夾緊區(qū)110、導(dǎo)入?yún)^(qū)120、用戶數(shù)據(jù)區(qū)130和導(dǎo)出區(qū)140。中心孔100的直徑(dH)為15mm。夾緊區(qū)110的直徑(dC)為23-26mm。導(dǎo)入?yún)^(qū)120的直徑(dI)為33-36mm。數(shù)據(jù)區(qū)130的直徑(dD)為36-76mm。導(dǎo)出區(qū)140的直徑(dO)為76-78mm。盤101的全徑(dT)為80mm。
在這種情況下，物鏡的NA、激光二極管的波長、道距和最小標(biāo)記長度與上述實(shí)施例中所采用的相同。就單面來說，可以保證7.8GB的記錄容量。由此，根據(jù)本發(fā)明的高密度盤的記錄容量與具有相同直徑的傳統(tǒng)盤相比可以顯著增加。
根據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選實(shí)施方式的高密度盤101包括中心孔100、夾緊區(qū)110、導(dǎo)入?yún)^(qū)120、用戶數(shù)據(jù)區(qū)130和導(dǎo)出區(qū)140。中心孔100的直徑(dH)為15mm。夾緊區(qū)110的直徑(dC)為23-26mm。導(dǎo)入?yún)^(qū) 20的直徑(dI)為33-36mm。數(shù)據(jù)區(qū)130的直徑(dD)為35-40mm。當(dāng)數(shù)據(jù)區(qū)130的內(nèi)徑(dD)為36mm時(shí)，外徑(dO)可以在39-40mm范圍內(nèi)。當(dāng)數(shù)據(jù)區(qū)130的內(nèi)徑(dD)為40mm時(shí)，外徑(dO)可以在42-48mm范圍內(nèi)。
中心孔的直徑(dH)最好為15mm。夾緊區(qū)110的直徑(dC)為23-26mm。導(dǎo)入?yún)^(qū)120的直徑(dI)為33-36mm。數(shù)據(jù)區(qū)130的直徑(dD)為36-42mm。導(dǎo)出區(qū)140的直徑(dO)為42-44mm。盤101的全徑(dT)為45mm。這里，當(dāng)光拾取器的物鏡NA為0.85時(shí)，激光二極管的波長為400nm。紋跡和槽跡記錄方法中的道距小于等于0.6μm，最小標(biāo)記長度小于等于0.22μm，就單面盤來說，可以保證650GB的記錄容量。
因此，可以保證具有45mm的全徑(dT)的小型盤并且同時(shí)具有大約650MB的記錄容量，該記錄容量是傳統(tǒng)CD的記錄容量。
根據(jù)本發(fā)明的第一到第三優(yōu)選實(shí)施方式的高密度盤的規(guī)格如表5所示。
表5



同時(shí)，當(dāng)盤安裝在轉(zhuǎn)盤(圖2的標(biāo)號63)上時(shí)，轉(zhuǎn)盤-63的突出部分63a插入到中心孔100內(nèi)，以使盤穩(wěn)定裝載。然而，如圖11所示，金屬片150可以插入到中心孔100內(nèi)。在這種情況下，由于磁體164設(shè)置在轉(zhuǎn)盤163上，磁體164附著在金屬片150上，因此，盤可以穩(wěn)定安裝在轉(zhuǎn)盤63上。當(dāng)盤容納在轉(zhuǎn)盤163內(nèi)時(shí)，盤被夾緊部件165下壓，以使盤固定。當(dāng)金屬片150設(shè)置在盤的中心孔100內(nèi)時(shí)，由于不需要提供具有附加金屬部件的夾緊部件165，因此盤驅(qū)動(dòng)器裝置可以很小巧。這里，附圖標(biāo)記160代表主軸電機(jī)。
根據(jù)本發(fā)明的高密度盤使得盤的中心孔直徑為15mm，可以兼容地用在傳統(tǒng)的光盤驅(qū)動(dòng)器中，并新規(guī)定了夾緊區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)，在保持盤的記錄和/或重現(xiàn)特性的同時(shí)保證了盤的記錄容量。由此，通過減小高密度盤尺寸的同時(shí)使用傳統(tǒng)的盤驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)了高密度記錄容量和輕便性。
權(quán)利要求
1.一種高密度盤，具有直徑為大于等于10mm的中心孔，夾緊區(qū)，記錄有用戶數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)，位于數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)側(cè)的導(dǎo)入?yún)^(qū)，和位于數(shù)據(jù)區(qū)外側(cè)的導(dǎo)出區(qū)，其中，夾緊區(qū)的內(nèi)徑在20-26mm的范圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的盤，其中，導(dǎo)入?yún)^(qū)的內(nèi)徑在33-36mm的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的盤，其中，數(shù)據(jù)區(qū)的內(nèi)徑為35-40mm的范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的盤，其中，當(dāng)數(shù)據(jù)區(qū)的內(nèi)徑為36mm時(shí)，其外徑在39-40mm的范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的盤，其中，當(dāng)數(shù)據(jù)區(qū)的內(nèi)徑在40mm時(shí)，其外徑在42-48mm的范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的盤，其中，高密度盤具有至少一個(gè)透明基底和至少一個(gè)記錄層，透明基底的厚度為小于等于0.2mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的盤，其中，數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)之間的邊界在62-64mm的范圍內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的盤，其中，數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)之間的邊界在76-79mm的范圍內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的盤，其中，數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)之間的邊界在116-119mm的范圍內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1、2和4到9之一所述的盤，其中，一金屬片被插入到中心孔中。
11.根據(jù)權(quán)利要求1、2和4到9之一所述的盤，其中，高密度盤具有紋跡和槽跡，可以在紋跡和槽跡的至少一個(gè)上執(zhí)行記錄。
12.一種高密度盤，具有直徑為大于等于10mm的中心孔，夾緊區(qū)，記錄有用戶數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)，位于數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)側(cè)的導(dǎo)入?yún)^(qū)，和位于數(shù)據(jù)區(qū)外側(cè)的導(dǎo)出區(qū)，其中，數(shù)據(jù)區(qū)的內(nèi)徑在35-40mm的范圍內(nèi)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的盤，其中，當(dāng)數(shù)據(jù)區(qū)的內(nèi)徑為36mm時(shí)，其外徑在39-44mm的范圍內(nèi)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的盤，其中，當(dāng)數(shù)據(jù)區(qū)的內(nèi)徑為40mm時(shí)，其外徑在42-48mm的范圍內(nèi)。
15.根據(jù)權(quán)利要求12到14之一所述的盤，其中，數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)之間的邊界在62-64mm的范圍內(nèi)。
16.根據(jù)權(quán)利要求12到14之一所述的盤，其中，數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)之間的邊界在76-79mm的范圍內(nèi)。
17.根據(jù)權(quán)利要求12到14之一所述的盤，其中，數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)之間的邊界在116-119mm的范圍內(nèi)。
18.根據(jù)權(quán)利要求12到14之一所述的盤，其中，一金屬片插入到中心孔中。
19.根據(jù)權(quán)利要求12到14之一所述的盤，其中，高密度盤具有至少一個(gè)透明基底和至少一個(gè)記錄層，透明基底的厚度為小于等于0.2mm。
20.根據(jù)權(quán)利要求12到14之一所述的盤，其中，高密度盤具有紋跡和槽跡，可以在紋跡和槽跡的至少一個(gè)上執(zhí)行記錄。
21.一種高密度盤，具有直徑為大于等于10mm的中心孔，夾緊區(qū)，記錄有用戶數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)，位于數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)側(cè)的導(dǎo)入?yún)^(qū)，和位于數(shù)據(jù)區(qū)外側(cè)的導(dǎo)出區(qū)，其中，夾緊區(qū)的直徑在23-26mm的范圍內(nèi)，導(dǎo)入?yún)^(qū)的直徑在33-36mm的范圍內(nèi)。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的盤，其中，數(shù)據(jù)區(qū)在36-116mm的直徑范圍內(nèi)，導(dǎo)出區(qū)在116-118mm的直徑范圍內(nèi)。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的盤，其中，數(shù)據(jù)區(qū)在36-76mm的直徑范圍內(nèi)，導(dǎo)出區(qū)在76-78mm的直徑范圍內(nèi)。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的盤，其中，數(shù)據(jù)區(qū)在36-42mm的直徑范圍內(nèi)，導(dǎo)出區(qū)在42-44mm的直徑范圍內(nèi)。
25.根據(jù)權(quán)利要求22到24之一所述的盤，其中，高密度盤具有紋跡和槽跡，可以在紋跡和槽跡的至少一個(gè)上執(zhí)行記錄。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的盤，其中，當(dāng)在槽跡上執(zhí)行記錄時(shí)，道距小于等于0.35μm。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的盤，其中，記錄在槽跡上的最小標(biāo)記長度為小于等于0.22μm。
28.根據(jù)權(quán)利要求25所述的盤，其中，當(dāng)在槽跡和紋跡上執(zhí)行記錄時(shí)，道距小于等于0.6μm。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的盤，其中，記錄在槽跡和紋跡上的最小標(biāo)記長度為小于等于0.22μm。
30.根據(jù)權(quán)利要求22到24之一所述的盤，其中，高密度盤具有至少一個(gè)透明基底和至少一個(gè)記錄層，透明基底的厚度為小于等于0.2mm。
全文摘要
本發(fā)明披露了一種設(shè)定為在保持高記錄/重現(xiàn)特性的同時(shí)在相同的驅(qū)動(dòng)器中保證兼容性的具有數(shù)據(jù)區(qū)的高密度盤。該高密度盤具有中心孔、夾緊區(qū)、記錄有用戶數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)、位于數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)側(cè)的導(dǎo)入?yún)^(qū)和位于數(shù)據(jù)區(qū)外側(cè)的導(dǎo)出區(qū)。在高密度盤中，其中，中心孔的直徑大于等于10mm，夾緊區(qū)的內(nèi)徑在20－26mm的范圍內(nèi)。并且，數(shù)據(jù)區(qū)的內(nèi)徑在35－40mm的范圍內(nèi)。由此，在仍使用傳統(tǒng)盤驅(qū)動(dòng)器的同時(shí)，可以減小高密度盤的尺寸，增加記錄容量。
文檔編號G11B7/007GK1396592SQ02127518
公開日2003年2月12日 申請日期2002年7月5日 優(yōu)先權(quán)日2001年7月5日
發(fā)明者李容勛, 樸仁植, 鄭鐘三, 尹斗燮, 李坰根, 康熙琮, 崔漢國 申請人:三星電子株式會(huì)社