半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡及其制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明的實(shí)施方式提供一種降低制造成本或制造工作量的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡及其制造方法。在實(shí)施方式的制造方法中，準(zhǔn)備第1半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置、及外形小于該第1半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。準(zhǔn)備包含用以使半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的外部端子露出的開(kāi)口部(14)的第1盒(11A)及第2盒(12A)。第1及第2盒(11A、12A)具有：收容部(16、18)，具有與第1半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置對(duì)應(yīng)的形狀；及支撐部(19)，設(shè)置在收容部(16、18)內(nèi)，且將第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)行定位。在卡盒(10A)內(nèi)收納第1或第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，制作半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡。
【專(zhuān)利說(shuō)明】半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡及其制造方法
[0001][相關(guān)申請(qǐng)案]
[0002]本申請(qǐng)享有以日本專(zhuān)利申請(qǐng)2015-52664號(hào)(申請(qǐng)日:2015年3月16日)為基礎(chǔ)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)通過(guò)參照該基礎(chǔ)申請(qǐng)而包括基礎(chǔ)申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0004]在如NAND(與非)型閃速存儲(chǔ)器般內(nèi)置有非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡中，為實(shí)現(xiàn)高容量化、高速化、及制造成本降低等，而適用將I個(gè)封裝內(nèi)密封有存儲(chǔ)芯片或控制器芯片的SiP(System in Package，系統(tǒng)級(jí)封裝)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置收納在卡盒內(nèi)的結(jié)構(gòu)。SiP結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置例如具有:布線襯底，具有外部端子;存儲(chǔ)芯片及控制器芯片，安裝在布線襯底的與端子形成面為相反側(cè)的面;及密封樹(shù)脂層，將存儲(chǔ)芯片及控制器芯片密封。
[0005]對(duì)于收納在卡盒內(nèi)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置而言，通過(guò)半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的存儲(chǔ)容量之類(lèi)的性能、或安裝在布線襯底上的半導(dǎo)體芯片的大小等，準(zhǔn)備多個(gè)裝置尺寸的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。若使用與半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的大小或形狀不一致的卡盒，則在盒內(nèi)產(chǎn)生半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的晃動(dòng)或偏移等。因此，存在準(zhǔn)備包含具有與所收納的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置一致的形狀的收容部的卡盒的情形。即，與所收納的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的形狀一致地準(zhǔn)備多個(gè)種類(lèi)的卡盒。為準(zhǔn)備多個(gè)種類(lèi)的卡盒，而需要與各個(gè)卡盒對(duì)應(yīng)的成形模具。此情況成為導(dǎo)致半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的制造成本或制造工作量增大的要因。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的實(shí)施方式是提供一種能夠降低制造成本或制造工作量的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡及其制造方法。
[0007]實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的制造方法具有如下步驟:將第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置或第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置一邊收納在設(shè)置在第I盒的第I收容部及設(shè)置在第2盒的第2收容部，一邊利用第I盒與第2盒夾住;及將設(shè)置在第I盒的第I接合部與設(shè)置在第2盒的第2接合部接合。第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具備外部端子。第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具備外部端子，并且具有比第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置小的外形。第I盒包含用以使第I及第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的外部端子露出的開(kāi)口部。第I收容部具有與第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置對(duì)應(yīng)的形狀。第I接合部設(shè)置在第I盒的外周緣部。第2收容部具有與第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置對(duì)應(yīng)的形狀。第2接合部設(shè)置在第2盒的外周緣部。第I收容部及第2收容部的至少其中一個(gè)更具有將第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置定位的支撐部。
【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1(a)及(b)是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的圖。
[0009]圖2是收納在圖1所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡中的第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的俯視圖。
[0010]圖3是圖2所示的第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的仰視透視圖。
[0011]圖4是收納在圖1所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡中的第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的俯視圖。
[0012]圖5是圖4所示的第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的仰視透視圖。
[0013]圖6是沿著圖3及圖5的A-A線的剖視圖。
[0014]圖7是表示用于圖1所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的卡盒的第I構(gòu)成例的分解平面圖。
[0015]圖8是表示在圖7所示的卡盒的第I盒中收容有第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的狀態(tài)的圖。
[0016]圖9是表示將第2盒接合于圖8所示的第I盒的狀態(tài)的圖。
[0017]圖10是表示在圖7所示的卡盒的第I盒中收容有第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的狀態(tài)的圖。
[0018]圖11是表示將第2盒接合于圖10所示的第I盒的狀態(tài)的圖。
[0019]圖12是表示用于圖1所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的卡盒的第2構(gòu)成例的分解平面圖。
[0020]圖13是收容在圖12所示的卡盒中的第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的俯視圖。
[0021]圖14是收容在圖12所示的卡盒中的第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的俯視圖。
[0022]圖15是表示用于圖1所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的卡盒的第3構(gòu)成例的分解平面圖。
[0023]圖16是收容在圖15所示的卡盒中的第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的俯視圖。
[0024]圖17是收容在圖15所示的卡盒中的第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的俯視圖。
[0025]圖18是表示用于其他實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的卡盒的第I盒的平面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]以下，對(duì)于實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。另外，在各實(shí)施方式中，存在對(duì)于實(shí)質(zhì)上相同的構(gòu)成部位標(biāo)注同一符號(hào)，且將該說(shuō)明省略一部分的情形。附圖為示意性，且存在厚度與平面尺寸的關(guān)系、及各部分的厚度比率等與現(xiàn)實(shí)情況不同的情形。說(shuō)明中表示上下等方向的術(shù)語(yǔ)在無(wú)特別明示時(shí)表示將下述半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的端子面設(shè)為上時(shí)的相對(duì)方向，從而存在與以重力加速度方向?yàn)榛鶞?zhǔn)的現(xiàn)實(shí)方向不同的情形。
[0027]首先，對(duì)于適用實(shí)施方式的制造方法所制造的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，參照?qǐng)D1至圖6進(jìn)行說(shuō)明。圖1是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的圖，圖1(a)是半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的俯視圖，圖1(b)是半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的側(cè)視圖。圖1中所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡I是例如用作SD?規(guī)格的存儲(chǔ)卡(SD?卡)，且具備上下一對(duì)的卡盒10、及收納在卡盒10內(nèi)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置30(301、302)。
[0028]卡盒10具備成為上蓋的第I盒11、及成為下蓋的第2盒12?？ê?0具有當(dāng)使第I盒11與第2盒12重合時(shí)，形成成為半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置30的收納部的空間的結(jié)構(gòu)。配置在空間內(nèi)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置30是通過(guò)將第I盒11及第2盒12的外周緣部例如焊接而收納在卡盒10內(nèi)?？ê?0具有表示半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡I的前后或正面及背面的朝向的切口部13。將半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置30的上表面(端子形成面)覆蓋的第I盒11具有使半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置30的外部端子31露出的開(kāi)口部14。卡盒10是例如由聚碳酸酯樹(shù)脂或ABS(AcrylonitriIe Butadiene Styrene，丙稀腈-丁二烯-苯乙烯)樹(shù)脂等絕緣樹(shù)脂材料所形成。
[0029]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置30包含SiP結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。但，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置30并非限定于SiP結(jié)構(gòu)，也可以將內(nèi)含存儲(chǔ)芯片或控制器芯片等的半導(dǎo)體封裝安裝在布線襯底上。SiP結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置30的構(gòu)成將于以下詳細(xì)描述。圖2是自上表面(端子形成面)觀察收納在圖1所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡I中的第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301所得的圖(俯視圖)，圖3是自下表面(模具面)透視地觀察第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301所得的透視圖(仰視透視圖)。圖4是收納在圖1所示的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡I中的第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置302的俯視圖，圖5是圖4所示的第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置302的仰視透視圖。圖6是沿著圖4及圖5的A-A線的剖視圖。
[0030]圖2及圖3中所示的第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301與圖4及圖5中所示的第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置302具有基本上相同的構(gòu)成。但，第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置302具有比第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301小的外形。第I及第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301、302分別具有兼作端子形成襯底與芯片裝載襯底的布線襯底32。布線襯底32具有作為端子形成面的第I面32a、及作為芯片裝載面的第2面32b。布線襯底32是例如在樹(shù)脂基材的表面或內(nèi)部設(shè)置有布線網(wǎng)的印刷布線板。在布線襯底32的第I面32a，配置有外部端子31。外部端子31是以位于布線襯底32的第I外形邊SI的附近的方式，沿著第I外形邊SI排列。
[0031]在布線襯底32的第2面32b，安裝有存儲(chǔ)芯片33。圖2至圖6是表示將2個(gè)存儲(chǔ)芯片33堆疊地裝載在布線襯底32的第2面32b上的結(jié)構(gòu)，但存儲(chǔ)芯片33的裝載數(shù)或裝載結(jié)構(gòu)不僅限于此。存儲(chǔ)芯片33的裝載數(shù)既可為I個(gè)或3個(gè)以上，也可以根據(jù)存儲(chǔ)芯片33的存儲(chǔ)容量或半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡I的容量等而適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。作為存儲(chǔ)芯片33，可使用例如NAND型閃速存儲(chǔ)器之類(lèi)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片。在存儲(chǔ)芯片33上，堆疊有控制器芯片34?？刂破餍酒?4是自多個(gè)存儲(chǔ)芯片33選擇進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫(xiě)入或讀出的芯片，且進(jìn)行數(shù)據(jù)對(duì)于所選擇的存儲(chǔ)芯片33的寫(xiě)入、及存儲(chǔ)在所選擇的存儲(chǔ)芯片33中的數(shù)據(jù)的讀出等。
[0032]在圖2至圖6中，2個(gè)存儲(chǔ)芯片33具有矩形狀的同一形狀，且分別具備電極焊墊35。2個(gè)存儲(chǔ)芯片33是分別以露出電極焊墊35的方式階梯狀地堆疊。2個(gè)存儲(chǔ)芯片33的電極焊墊35是經(jīng)由金屬線36依序地連接，進(jìn)而經(jīng)由金屬線36而與布線襯底32的連接焊墊37電連接?？刂破餍酒?4具有電極焊墊38?？刂破餍酒?4的電極焊墊38是經(jīng)由金屬線39而與布線襯底32的連接焊墊40電連接。
[0033]在裝載有存儲(chǔ)芯片33或控制器芯片34的布線襯底32的第2面32b，形成有使用環(huán)氧樹(shù)脂等熱固型樹(shù)脂的密封樹(shù)脂層41。密封樹(shù)脂層41是例如利用模具成形而形成。存儲(chǔ)芯片33或控制器芯片34是與金屬線36、39等一同地被密封樹(shù)脂層41 一體地密封。通過(guò)該等構(gòu)成SiP結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置30(301、302)。如上所述，通過(guò)將SiP結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置30(301、302)收納在卡盒10中而構(gòu)成半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡I。
[0034]接著，對(duì)上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡I的制造步驟進(jìn)行說(shuō)明。首先，參照?qǐng)D7至圖11，對(duì)使用卡盒10的第I構(gòu)成例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡I的制造步驟進(jìn)行描述。圖7是第I構(gòu)成例的卡盒1A的分解平面圖。圖7中所示的卡盒1A是用于收納圖2及圖3中所示的第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301、或圖4及圖5中所示的第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置302?？ê?A包含上下一對(duì)的盒11A、12A。第I盒IIA具有使外部端子31露出的開(kāi)口部14。
[0035]在第I盒IlA的外周緣部，設(shè)置有第I焊接部15作為第I接合部。在第I焊接部15的內(nèi)偵U，設(shè)置有收容半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置30(301、302)的第I收容部16。同樣地，在第2盒12A的外周緣部，設(shè)置有第2焊接部17作為第2接合部。在第2焊接部17的內(nèi)側(cè)，設(shè)置有收容半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置30的第2收容部18。第I及第2收容部16、18的整體形狀分別對(duì)應(yīng)于第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301。即，第I及第2收容部16、18分別具有與第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301對(duì)應(yīng)的凹部形狀。配置在收容部16、18內(nèi)的第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301利用具有凹部形狀的收容部16、18的內(nèi)壁面進(jìn)行定位。
[0036]在第I及第2收容部16、18內(nèi)，進(jìn)而設(shè)置有階差部19，作為在收容具有比第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301小的外形的第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置302時(shí)，將第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置302定位的支撐部。即，在第I及第2收容部16、18的兩側(cè)面，以其等的形狀成為朝向內(nèi)側(cè)的階差形狀的方式設(shè)置有階差部19。第I及第2收容部16、18是以由設(shè)置在兩側(cè)面的階差部19規(guī)定的直線X為分界，具有相較直線X為上方的第I區(qū)域(包括開(kāi)口部14的區(qū)域)Y1、及相較直線X為下方的第2區(qū)域Υ2。第I區(qū)域Yl是對(duì)應(yīng)于第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置302的形狀。
[0037]在將第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301收納于上述卡盒10Α，制作半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡I的情形時(shí)，首先如圖8所示，在第I盒11的第I收容部16內(nèi)配置第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301。第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301的兩側(cè)面以對(duì)應(yīng)于第I收容部16的方式具有階差形狀。第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301是以設(shè)置有階差的部分為分界，具有與收容部16、18的第I區(qū)域Yl對(duì)應(yīng)的區(qū)域Zl、及與收容部16、18的第2區(qū)域Υ2對(duì)應(yīng)的區(qū)域Ζ2。第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301的區(qū)域Zl具有與第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置302相同的形狀。第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301的區(qū)域Ζ2具有橫向?qū)挾刃∮趨^(qū)域Zl的形狀，以便在利用階差部19將第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置302定位后，可將第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301向收容部16、18內(nèi)配置。
[0038]接著，如圖9所示，在收容有第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301的第I盒IlA上配置第2盒12Α。換言之，將第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301—邊收容在收容部16、18內(nèi)一邊利用第I盒IlA與第2盒12Α夾住。此后，對(duì)于第I及第2盒11Α、12Α的焊接部15、17，通過(guò)施加例如超音波振動(dòng)進(jìn)行熔融，且使該等硬化，而將焊接部15、17—體地固定。通過(guò)以此方式，將第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301收納在卡盒1A內(nèi)，而制作具備第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡I。
[0039]第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301因其外形邊的一部分利用收容部16、18的內(nèi)壁面定位，因此，可抑制半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡I內(nèi)的第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301產(chǎn)生晃動(dòng)或偏移等。在利用收容部
16、18的內(nèi)壁面將第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301進(jìn)行定位時(shí)，優(yōu)選基于第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301的經(jīng)刀片加工的外形邊進(jìn)行定位。半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301是在例如多片式的集合襯底的各裝置形成區(qū)域安裝存儲(chǔ)芯片33或控制器芯片34，進(jìn)而將各裝置形成區(qū)域一次地進(jìn)行樹(shù)脂密封后，通過(guò)將樹(shù)脂密封體相應(yīng)于各裝置形成區(qū)域進(jìn)行切斷而制成。
[0040]樹(shù)脂密封體的切斷步驟具有如下步驟:將樹(shù)脂密封體刀片加工成為與半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301的外形近似的長(zhǎng)方形;及將經(jīng)刀片加工的切斷體相應(yīng)于半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301的細(xì)部形狀進(jìn)行激光加工。經(jīng)由上述切斷步驟制作而成的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301具有經(jīng)刀片加工而成的外形邊與經(jīng)激光加工而成的外形邊?；诘镀庸ざ傻耐庑芜叺难b置尺寸的公差為±60μπι左右，相對(duì)于此，基于激光加工而成的外形邊的裝置尺寸的公差為±100μπι左右。因此，可通過(guò)利用收容部16、18的內(nèi)壁面將第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301的經(jīng)刀片加工的外形邊進(jìn)行定位，而更有效地抑制半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡I內(nèi)的第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301產(chǎn)生晃動(dòng)或偏移等。[0041 ]在將第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置302收納在上述卡盒1A中制作半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡I的情形時(shí)，首先如圖10所示，在第I盒11的第I收容部16內(nèi)配置第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置302。第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置302具有與收容部16、18的第I區(qū)域Yl對(duì)應(yīng)的形狀。因此，收容在第I盒11內(nèi)的第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置302是利用收容部16、18內(nèi)的階差部19來(lái)定位。接著，如圖11所示，在收容第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置302的第I盒IlA上配置第2盒12Α。此后，通過(guò)例如附加超音波振動(dòng)而使第I及第2盒IIA、12Α的焊接部15、17熔融，進(jìn)而硬化，由此，將焊接部15、17—體地固定。
[0042]通過(guò)將第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置302收納在卡盒1A內(nèi)，而制作具備第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置302的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡I。第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置302因其外形邊的一部分利用收容部16、18的內(nèi)壁面及階差部19定位，因此，可抑制半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡I內(nèi)的第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置302產(chǎn)生晃動(dòng)或偏移等。第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301優(yōu)選與第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301同樣地，基于經(jīng)刀片加工的外形邊進(jìn)行定位。可利用此方式，將外形小于卡盒10的形狀的第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置302良好地收納在與第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301共通的卡盒10內(nèi)。因此，能夠不僅抑制半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置30產(chǎn)生晃動(dòng)或偏移等，而且降低半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡I的制造成本或制造工作量。
[0043]接著，參照?qǐng)D12至圖14，對(duì)使用卡盒10的第2構(gòu)成例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡I的制造步驟進(jìn)行描述。圖12是第2構(gòu)成例的卡盒1B的分解平面圖。圖12中所示的卡盒1B是用于收納圖13所示的第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301B、或圖14所示的第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置302B?？ê?B具有設(shè)置在盒11B、12B的收容部16、18內(nèi)的其中一側(cè)面的階差部19。支撐第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置302B的階差部19也可以設(shè)置在收容部16、18內(nèi)的僅其中一側(cè)面。即便如此的階差部19，也可以抑制半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡I內(nèi)的第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置302B產(chǎn)生晃動(dòng)或偏移等。
[0044]接著，參照?qǐng)D15至圖17，對(duì)使用卡盒10的第3構(gòu)成例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡I的制造步驟進(jìn)行描述。圖15是第3構(gòu)成例的卡盒1C的分解平面圖。圖15中所示的卡盒1C是用于收納圖16中所示的第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301C、或圖17中所示的第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置302C。構(gòu)成卡盒1C的第I及第2盒11C、12C具有自收容部16、18的兩側(cè)面突出的突起部20作為將第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置302定位的支撐部。
[0045]第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置302C因其外形邊的一部分利用收容部16、18的內(nèi)壁面及突起部20定位，故可抑制半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡I內(nèi)的第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置302C產(chǎn)生晃動(dòng)或偏移等。另一方面，第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301C具有以與突起部20對(duì)應(yīng)的方式設(shè)置于其側(cè)面的凹部42。在將第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301C收容在盒11C、12C內(nèi)時(shí)，可通過(guò)使突起部20嵌合于凹部42，而將第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301C收納在與第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置302共通的卡盒1C內(nèi)。在適用突起部20作為支撐部的情形時(shí)，可將第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301C的尺寸設(shè)為大于適用階差部19的情形。
[0046]根據(jù)實(shí)施方式的制造方法，可使用第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301、具有小于該第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置301的外形的第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置302、及共通的卡盒10，制作半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡I。即便如此的情形時(shí)，也可以抑制半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡I內(nèi)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置30(301、302)產(chǎn)生晃動(dòng)或偏移等。因此，能夠以低成本及低工作量制作與多個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置30對(duì)應(yīng)的高品質(zhì)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡I。另外，配置在卡盒10內(nèi)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置30并非限定于2個(gè)、也可以為3個(gè)以上。
[0047]圖18是表示其他實(shí)施方式的卡盒的第I盒11。圖18中所示的盒11的收容部16具有與第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置對(duì)應(yīng)的形狀。在收容部16內(nèi)，設(shè)置有支撐具有比第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置小的外形的第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的第I階差部191、及支撐具有比第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置小的外形的第3半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的第2階差部192。可通過(guò)適用設(shè)置有多個(gè)階差部191、192(或突起部)的收容部16、而提供與3個(gè)以上半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置30共通的卡盒。
[0048]另外，對(duì)本發(fā)明的若干個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但該等實(shí)施方式是作為示例而提示，且并非意圖限定發(fā)明的范圍。該等實(shí)施方式能夠以其他各種方式實(shí)施，且在不脫離發(fā)明主旨的范圍內(nèi)，可進(jìn)行各種省略、置換、變更。該等實(shí)施方式或其變化包含于發(fā)明的范圍或主旨中，并且包含于專(zhuān)利申請(qǐng)的范圍中記載的發(fā)明及其均等的范圍中。
[0049][符號(hào)說(shuō)明]
[0050]I半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡
[0051]10卡盒
[0052]11第I盒
[0053]12第2盒
[0054]14開(kāi)口部
[0055]15、17焊接部
[0056]16、18收容部
[0057]19階差部
[0058]20突起部
[0059]30半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置
[0060]301第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置[0061 ]302第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置
[0062]31外部端子
[0063]32布線襯底
[0064]33存儲(chǔ)芯片
[0065]34控制器芯片
[0066]36、39金屬線
[0067]41密封樹(shù)脂層
[0068]42凹部
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的制造方法，其特征在于具有如下步驟: 將第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置或第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置一邊收納在設(shè)置在第I盒的第I收容部及設(shè)置在第2盒的第2收容部，一邊利用所述第I盒與所述第2盒夾住;及 將設(shè)置在所述第I盒的第I接合部與設(shè)置在所述第2盒的第2接合部接合； 所述第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具備外部端子； 所述第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具備外部端子，并且具有比所述第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置小的外形， 所述第I盒包含用以使所述第I及第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的所述外部端子露出的開(kāi)口部， 所述第I收容部具有與所述第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置對(duì)應(yīng)的形狀， 所述第I接合部是設(shè)置在所述第I盒的外周緣部， 所述第2收容部具有與所述第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置對(duì)應(yīng)的形狀， 所述第2接合部是設(shè)置在所述第2盒的外周緣部， 所述第I收容部及所述第2收容部的至少其中一個(gè)更具有將所述第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置定位的支撐部。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的制造方法，其特征在于:所述第I及第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置分別具備:布線襯底，具有所述外部端子;存儲(chǔ)芯片及控制器芯片，裝載在所述布線襯底上;連接構(gòu)件，將所述布線襯底與所述存儲(chǔ)芯片及所述控制器芯片電連接;及密封樹(shù)脂層，以將所述存儲(chǔ)芯片及所述控制器芯片密封的方式形成在所述布線襯底上。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的制造方法，其特征在于:所述支撐部具有以將所述第I及第2收容部的至少其中一側(cè)面形狀設(shè)為階差形狀的方式設(shè)置的階差部， 所述第I及第2收容部是以所述階差部為分界，具有包含所述開(kāi)口部的第I區(qū)域與第2區(qū)域， 所述第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具有與所述階差部對(duì)應(yīng)的階差形狀， 所述第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具有與所述第I區(qū)域?qū)?yīng)的形狀。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的制造方法，其特征在于:所述支撐部具有自所述第I及第2收容部的至少其中一側(cè)面突出的突起部， 所述第I及第2收容部是以所述突起部為分界，具有包含所述開(kāi)口部的第I區(qū)域與第2區(qū)域， 所述第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具有與所述突起部對(duì)應(yīng)的凹部， 所述第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具有與所述第I區(qū)域?qū)?yīng)的形狀。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡的制造方法，其特征在于:所述第I及第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具有經(jīng)刀片加工的外形邊，且 所述第I及第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置是利用所述外形邊在所述第I及第2收容部?jī)?nèi)定位。6.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，其特征在于:該半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡具備 第I盒，具有第I收容部與第I接合部； 第2盒，具有第2收容部與第2接合部，且使所述第2接合部與第I接合部接合;及第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置或第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，收容在由所述第I收容部及所述第2收容部所形成的空間； 所述第I盒包含開(kāi)口部， 所述第I收容部及所述第2收容部的至少其中一個(gè)具有將所述第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置定位的支撐部， 所述第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具備自所述開(kāi)口部露出的外部端子，并且具有與所述第I收容部及所述第2收容部對(duì)應(yīng)的外形， 所述第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具備自所述開(kāi)口部露出的外部端子，并且具有比所述第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置小的外形，且被所述支撐部支撐。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)卡，其特征在于:所述支撐部具有自所述第I及第2收容部的至少其中一側(cè)面突出的突起部， 所述第I及第2收容部是以所述突起部為分界，具有包含所述開(kāi)口部的第I區(qū)域與第2區(qū)域， 所述第I半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具有與所述突起部對(duì)應(yīng)的凹部， 所述第2半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具有與所述第I區(qū)域?qū)?yīng)的形狀。
【文檔編號(hào)】G06K19/077GK105989404SQ201610136673
【公開(kāi)日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2016年3月10日
【發(fā)明人】西山拓, 佐藤圭介, 井戶道雄
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社東芝