行圖案化處理以形成多個(gè)自容電極。
[0113]在步驟SI中，導(dǎo)電薄膜例如采用透明的金屬氧化物材料，例如氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化銦鎵鋅等。
[0114]在步驟S2中，多個(gè)自容電極排列成多個(gè)電極行和多個(gè)電極列，每個(gè)自容電極在多個(gè)自容電極所在面上的平面形狀由主體部和從主體部的第一側(cè)伸出的多個(gè)凸出部構(gòu)成；該多個(gè)凸出部都沿第一方向延伸并且沿第二方向依次排列，第二方向與第一方向相交；在該多個(gè)自容電極所在面上，每相鄰的兩個(gè)多個(gè)凸出部與主體部之間圍成一個(gè)凹陷部，該凹陷部中設(shè)置有另一自容電極的多個(gè)凸出部中的一個(gè)。
[0115]例如，上述多個(gè)凸出部可以分別為第一凸出部、第二凸出部和第三凸出部；在多個(gè)自容電極所在面上，第一凸出部、第二凸出部和主體部圍成第一凹陷部，第二凸出部、第三凸出部和主體部圍成第二凹陷部。例如，第一凹陷部可以與第一凸出部、第二凸出部和第三凸出部中的一個(gè)的形狀一致，第二凹陷部可以與第一凸出部、第二凸出部和第三凸出部中的另一個(gè)的形狀一致。
[0116]或者，例如，上述多個(gè)凸出部分別為第一凸出部和第二凸出部；在多個(gè)自容電極所在面上，第一凸出部、第二凸出部和主體部圍成第一凹陷部。例如，第一凹陷部的形狀可以與第一凸出部和第二凸出部中的一個(gè)的形狀一致。
[0117]關(guān)于上述多個(gè)凸出部包括三個(gè)凸出部或兩個(gè)凸出部的實(shí)施方式，可參考上述實(shí)施例一至實(shí)施例三中的相關(guān)描述，重復(fù)之處不再贅述。
[0118]在步驟S2中，圖案化處理可以為任意的形成設(shè)定圖案的工藝。例如，可以采用本領(lǐng)域常用的例如包括曝光、顯影和刻蝕步驟的掩膜工藝。
[0119]在步驟S2中，例如，在觸控基板上還形成有公共電極的情形中，在對(duì)該導(dǎo)電薄膜進(jìn)行圖案化處理的過程中還可以形成公共電極，以節(jié)省制作工藝。
[0120]此外，本實(shí)施例提供的觸控基板的制作方法，例如還可以包括形成多條導(dǎo)線的步驟，在該步驟中，每條導(dǎo)線與一個(gè)自容電極電連接。
[0121]本發(fā)明的上述實(shí)施例詳細(xì)介紹了觸控基板中的自容電極的平面形狀包括三個(gè)凸出部或兩個(gè)凸出部的情形。當(dāng)然，基于本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思，還可以使自容電極的平面形狀包括四個(gè)或更多個(gè)凸出部。這些凸出部與主體部圍成多個(gè)凹陷部，并且這些凸出部中的至少部分分別與這些凹陷部中的至少部分的形狀一致。
[0122]以上所述僅是本發(fā)明的示范性實(shí)施方式，而非用于限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，本發(fā)明的保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求確定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種觸控基板，包括排列成多個(gè)電極行和多個(gè)電極列的多個(gè)自容電極，其中， 每個(gè)所述自容電極在所述多個(gè)自容電極所在面上的平面形狀由主體部和從所述主體部的第一側(cè)伸出的多個(gè)凸出部構(gòu)成； 所述多個(gè)凸出部都沿第一方向延伸并且沿第二方向依次排列，所述第二方向與所述第一方向相交； 其中， 在所述多個(gè)自容電極所在面上，每個(gè)所述自容電極的每相鄰的兩個(gè)所述凸出部與所述主體部之間圍成一個(gè)凹陷部，所述凹陷部中設(shè)置有另一自容電極的多個(gè)凸出部中的一個(gè)。2.如權(quán)利要求1所述的觸控基板，其中，所述多個(gè)凸出部分別為第一凸出部、第二凸出部和第三凸出部；在所述多個(gè)自容電極所在面上，所述第一凸出部、所述第二凸出部和所述主體部圍成第一凹陷部，所述第二凸出部、所述第三凸出部和所述主體部圍成第二凹陷部；或者 所述多個(gè)凸出部分別為第一凸出部和第二凸出部；在所述多個(gè)自容電極所在面上，所述第一凸出部、所述第二凸出部和所述主體部圍成第一凹陷部。3.如權(quán)利要求2所述的觸控基板，其中，所述多個(gè)凸出部分別為所述第一凸出部、所述第二凸出部和所述第三凸出部，所述第一凹陷部與所述第一凸出部、所述第二凸出部和所述第三凸出部中的一個(gè)的形狀一致，所述第二凹陷部與所述第一凸出部、所述第二凸出部和所述第三凸出部中的另一個(gè)的形狀一致；或者 所述多個(gè)凸出部分別為所述第一凸出部和所述第二凸出部，所述第一凹陷部與所述第一凸出部和所述第二凸出部中的一個(gè)的形狀一致。4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的觸控基板，其中， 在同一電極行中，每個(gè)自容電極在所述多個(gè)自容電極所在面上的平面形狀包括的凸出部的凸出方向相同。5.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的觸控基板，其中， 沿所述電極行的延伸方向，每個(gè)所述電極列的寬度等于每個(gè)所述自容電極的寬度。6.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的觸控基板，其中， 沿所述第二方向，所述多個(gè)凸出部中的每個(gè)的尺寸都大于Omm且小于或等于5_。7.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的觸控基板，其中， 所述主體部具有外側(cè)邊，所述外側(cè)邊位于所述主體部的第二側(cè)，所述第二側(cè)與所述主體部的所述第一側(cè)相對(duì)； 沿所述第一方向，所述凹陷部的底端到所述外側(cè)邊的距離大于Omm且小于或等于6mm。8.如權(quán)利要求2或3所述的觸控基板，其中， 所述主體部具有外側(cè)邊，所述外側(cè)邊位于所述主體部的第二側(cè)，所述第二側(cè)與所述主體部的所述第一側(cè)相對(duì)； 所述多個(gè)凸出部分別為所述第一凸出部、所述第二凸出部和所述第三凸出部； 沿所述第一方向，所述多個(gè)凸出部中的一個(gè)凸出部的頂端到所述外側(cè)邊的距離大于所述多個(gè)凸出部中的其余凸出部中的每個(gè)的頂端到所述外側(cè)邊的距離。9.如權(quán)利要求8所述觸控基板，其中， 在同一電極行中，每個(gè)自容電極通過其包括的所述多個(gè)凸出部中的一個(gè)與另一個(gè)自容電極相鄰。10.如權(quán)利要求8所述的觸控基板，其中， 沿所述第二方向，所述第一凸出部、所述第二凸出部、所述第三凸出部、所述第一凹陷部和所述第二凹陷部的尺寸之和等于所述主體部的尺寸。11.如權(quán)利要求8所述的觸控基板，其中， 所述第二凸出部的頂端到所述外側(cè)邊的距離大于所述第一凸出部和所述第三凸出部中的每個(gè)的頂端到所述外側(cè)邊的距離； 在所述多個(gè)自容電極所在面上，所述第一凹陷部與所述第一凸出部的形狀一致，所述第二凹陷部與所述第三凸出部的形狀一致。12.如權(quán)利要求11所述的觸控基板，其中， 每個(gè)電極行的延伸方向與所述第一方向相同，每個(gè)電極列的延伸方向與所述第二方向相同； 在相鄰的三個(gè)電極行中，位于中間的電極行中的自容電極的第一凸出部分別位于上一個(gè)電極行中的自容電極的第一凹陷部中，并且所述電極行中的自容電極的第三凸出部分別位于下一個(gè)電極行中的自容電極的第二凹陷部中。13.如權(quán)利要求8所述的觸控基板，其中， 所述第一凸出部的頂端到所述外側(cè)邊的距離大于所述第二凸出部和所述第三凸出部中的每個(gè)的頂端到所述外側(cè)邊的距離； 在所述多個(gè)自容電極所在面上，所述第一凹陷部與所述第三凸出部的形狀一致，所述第二凹陷部與所述第二凸出部的形狀一致。14.如權(quán)利要求13所述的觸控基板，其中， 每個(gè)電極行的延伸方向與所述第一方向相同，每個(gè)電極列的延伸方向與所述第二方向相同； 在每相鄰的兩個(gè)電極行中，其中一個(gè)電極行中的自容電極的第二凸出部分別位于另一個(gè)電極行中的自容電極的第二凹陷部中，并且所述電極行中的所述自容電極的第三凸出部分別位于所述另一個(gè)電極行中的自容電極的第一凹陷部中。15.如權(quán)利要求3所述的觸控基板，其中， 所述多個(gè)凸出部分別為所述第一凸出部和所述第二凸出部； 在所述多個(gè)自容電極所在面上，所述第二凸出部和所述主體部圍成第二凹陷部，所述第二凹陷部的形狀與所述第一凸出部和所述第二凸出部中的另一個(gè)的形狀一致。16.一種顯示裝置，包括如權(quán)利要求1-15任一項(xiàng)所述的觸控基板。17.一種觸控基板的制作方法，包括: 形成導(dǎo)電薄膜； 對(duì)所述導(dǎo)電薄膜進(jìn)行圖案化處理以形成排列成多個(gè)電極行和多個(gè)電極列的多個(gè)自容電極，其中，每個(gè)所述自容電極在所述多個(gè)自容電極所在面上的平面形狀由主體部和從所述主體部的同一側(cè)伸出的多個(gè)凸出部構(gòu)成；所述多個(gè)凸出部都沿第一方向延伸并且沿第二方向依次排列，所述第二方向與所述第一方向相交；在所述多個(gè)自容電極所在面上，每個(gè)所述自容電極的每相鄰的兩個(gè)所述多個(gè)凸出部與所述主體部之間圍成一個(gè)凹陷部，所述凹陷部中設(shè)置有另一自容電極的多個(gè)凸出部中的一個(gè)。
【專利摘要】一種觸控基板及其制作方法和顯示裝置，該觸控基板包括多個(gè)自容電極，每個(gè)自容電極在所述多個(gè)自容電極所在面上的平面形狀由主體部和從所述主體部的第一側(cè)伸出的多個(gè)凸出部構(gòu)成；所述多個(gè)凸出部都沿第一方向延伸并且沿第二方向依次排列，所述第二方向與所述第一方向相交。在所述多個(gè)自容電極所在面上，每個(gè)所述自容電極的每相鄰的兩個(gè)所述多個(gè)凸出部與所述主體部之間圍成一個(gè)凹陷部，所述凹陷部中設(shè)置有另一自容電極的多個(gè)凸出部中的一個(gè)。該觸控基板可以在保證觸控精度的前提下增大自容電極的尺寸，以減少走線數(shù)量。
【IPC分類】G06F3/044
【公開號(hào)】CN105159510
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510531652
【發(fā)明人】蒲巡, 李紅敏
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司
【公開日】2015年12月16日
【申請(qǐng)日】2015年8月26日