1]圖2和圖3a以第一凸出部11和第三凸出部13的形狀相同為例進(jìn)行說明，圖3b和圖4以第一凸出部11和第三凸出部13的形狀不同為例進(jìn)行說明。當(dāng)然，本發(fā)明實(shí)施例中第一凸出部11和第三凸出部13的設(shè)置包括但不限于此。此外，在本實(shí)施例的觸控基板的邊緣處，還可以設(shè)置一行半-E字形自容電極以與第Ml行的E字形自容電極10相匹配，如圖3a和圖3b中的MO所示；類似地，還可以設(shè)置另一行半-E字形自容電極以與最后一行E字形自容電極10匹配，如如圖3a和圖3b中的Mi所示。
[0062]本實(shí)施例提供的觸控基板的工作原理是:如圖3a所示，觸控基板還包括多條導(dǎo)線20，每條導(dǎo)線20將一個(gè)自容電極10電連接到柔性印刷電路板30。每條導(dǎo)線20可以對(duì)與其電連接自容電極10進(jìn)行充電，每個(gè)自容電極就是一個(gè)電容，對(duì)每一個(gè)電容進(jìn)行充電并將其充滿電荷需要一定的時(shí)間；由于觸控基板上的多個(gè)E字形自容電極的形狀一樣，因而對(duì)于這些相同的電容，其充電的時(shí)間基本一致；當(dāng)某個(gè)自容電極被觸摸時(shí)，這個(gè)自容電極的電容就會(huì)增大，對(duì)其充滿電荷的時(shí)間也會(huì)相應(yīng)增大，從而觸控芯片(圖3a中未示出)可以通過判斷觸控基板上的E字形自容電極的充電時(shí)間來判斷是否有觸摸，并且根據(jù)被觸摸的自容電極和其周邊自容電極的充電時(shí)間的變化來判斷觸摸位置。
[0063]假設(shè)用直徑為5mm的銅柱對(duì)本實(shí)施例提供的觸控基板上的自容電極圖案和圖1所示的自容電極圖案進(jìn)行比較，以比較本實(shí)施例提供的觸控基板的觸控性能與圖1所示的觸控基板的觸控性能。在圖1所示的自容電極的圖案中，如圖5a所示，銅柱最少只能引起一個(gè)自容電極的電容變化，如位置A所示，并且最多也只能引起4個(gè)自容電極的電容的變化，如位置B所示。在本實(shí)施例提供的E字形自容電極的圖案中，例如，在每個(gè)自容電極的尺寸(如圖 2 所不)設(shè)置為 x2 = 8mm，xl = x3 = 5mm，wl = w2 = 3mm，yI = y2 = y3 = 3mm 的情形下，如圖5b所示，直徑為5mm的銅柱最少可以引起2個(gè)自容電極的電容變化，如位置C所示，并且最多可以引起6個(gè)自容電極的電容的變化，如位置D所示。因此，本實(shí)施例提供的觸控基板的觸控性能比圖1所示的觸控基板的觸控性能更好。
[0064]關(guān)于本實(shí)施例提供的觸控基板起到的減少自容電極數(shù)量的效果，下面以一個(gè)顯示區(qū)的尺寸為80mm*190mm的觸控基板為例進(jìn)行說明。例如，若采用如圖1所示的自容電極圖案，并且每個(gè)自容電極的尺寸為5mm*5mm，則該觸控基板的顯示區(qū)共有16*38 = 608個(gè)自容電極，也就是說FPC結(jié)合區(qū)至少需要608個(gè)電極腳。如果采用本實(shí)施例提供的如圖3a所示的自容電極圖案，例如在每個(gè)自容電極的尺寸(如圖2所示)設(shè)置為x2 = 8mm，xl = x3 =5mm，wl = w2 = 3mm，yI = y2 = y3 = 3mm的情形下，該觸控基板只需要10*22 = 220個(gè)自容電極，即，在FPC結(jié)合區(qū)處只需要220個(gè)電極腳，從而電極腳的數(shù)目?jī)H為圖1所示情形的36%。與圖1所示情形相比，本實(shí)施例可以大大減少結(jié)合區(qū)處的電極腳的數(shù)量，從可節(jié)約大量的空間、降低FPC的成本并提高FPC結(jié)合區(qū)處的導(dǎo)線與電極腳結(jié)合的良率。
[0065]需要說明的是，針對(duì)具有不同尺寸顯示區(qū)的不同觸控基板，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況適當(dāng)調(diào)整E字形自容電極的大小以適應(yīng)不同尺寸和觸控精度的需要。
[0066]由于人的手指在觸控基板上的觸控面積通常不超過6mm*6mm，為保證觸控精度，在至少一個(gè)示例中，沿第一方向，如圖2所示，第一凹陷部14的底端14a到外側(cè)邊16a的距離wl和第二凹陷部15的底端15a到外側(cè)邊16a的距離w2可以都大于Omm且小于或等于6mm，優(yōu)選為大于Omm且小于或等于5mm。
[0067]在至少一個(gè)示例中，沿第二方向，第一凸出部11、第二凸出部12和第三凸出部13中的每個(gè)的尺寸可以都大于Omm且小于或等于5mm。也就是說，圖2中的yl、y2和y3中的每個(gè)都可以大于Omm且小于或等于5mm。
[0068]由于第一凸出部11與第一凹陷部14的形狀一致，第三凸出部13與第二凹陷部15的形狀一致，在至少一個(gè)示例中，如圖2所示，第一凸出部11的頂端Ila到外側(cè)邊16a的距離xl、第二凸出部12的頂端12a到外側(cè)邊16a的距離x2、第三凸出部13的頂端13a到外側(cè)邊16a的距離x3、第一凹陷部14的底端14a到外側(cè)邊16a的距離wl以及第二凹陷部15的底端15a到外側(cè)邊16a的距離w2設(shè)置為:xl+wl = x2 = x3+w2。這樣有利于使自容電極沿電極行的延伸方向排列得更加緊湊，以進(jìn)一步保證觸控精度。
[0069]在至少一個(gè)示例中，如圖2所示，第一凸出部11、第二凸出部12、第三凸出部13、第一凹陷部14和第二凹陷部15的沿第二方向的尺寸之和可以等于主體部16的沿第二方向的尺寸，即2yl+y2+2y3 = H。這樣可以使自容電極沿電極列的延伸方向排列得更加緊湊，以進(jìn)一步保證觸控精度。
[0070]由于在觸控基板中，電極行的延伸方向通常與觸控基板的短邊延伸方向一致，電極列的延伸方向通常與觸控基板的長(zhǎng)邊延伸方向一致，在至少一個(gè)示例中，自容電極的沿第二方向的尺寸可以大于或等于該自容電極沿第一方向的尺寸。這樣有利于實(shí)現(xiàn)同時(shí)減少每行和每列自容電極的數(shù)量。例如，在圖2所示的情形中，自容電極的沿第二方向的尺寸H可以大于該自容電極沿第一方向的尺寸x2。
[0071]實(shí)施例二
[0072]本實(shí)施例提供了一種觸控基板，在該觸控基板中，每個(gè)自容電極也由主體部和從該主體部的第一側(cè)凸出的第一凸出部11、第二凸出部12和第三凸出部13構(gòu)成，S卩，也具有E字形圖案。本實(shí)施例可以在保證觸控精度的前提下實(shí)現(xiàn)每個(gè)自容電極的尺寸的增大，進(jìn)而減小自容電極的數(shù)量以及與自容電極分別電連接的導(dǎo)線的數(shù)量。
[0073]本實(shí)施例與實(shí)施例一的區(qū)別在于:如圖6所示，第一凸出部11的頂端Ila到外側(cè)邊16a的距離xl大于第二凸出部12的頂端12a到外側(cè)邊16a的距離x2和第三凸出部13的頂端13a到外側(cè)邊16a的距離x3。
[0074]例如，在多個(gè)自容電極10所在面上，第一凹陷部14可以與第三凸出部13的形狀一致，第二凹陷部15可以與第二凸出部12的形狀一致。
[0075]在至少一個(gè)示例中，如圖7a和圖7b所示，自容電極10排列成多個(gè)電極行(例如電極行Ml、M2、M3、M4......)和多個(gè)電極列(例如電極列N1、N2、N3、N4、N5、N6......);在同一電極行中，每個(gè)自容電極的平面形狀包括的凸出部的凸出方向相同。這樣可以使觸控基板上的多個(gè)自容電極的凸出部分布得更均勻，從而有利于實(shí)現(xiàn)在保證觸控性能的同時(shí)將自容電極的尺寸做得更大。
[0076]例如，每個(gè)電極行的延伸方向可以與第一方向相同，每個(gè)電極列的延伸方向可以與第二方向一致；在每相鄰的兩個(gè)電極行中，其中一個(gè)電極行中的自容電極10的第二凸出部12分別位于另一個(gè)電極行中的自容電極10的第二凹陷部15中，并且其中一個(gè)電極行中的自容電極10的第三凸出部13分別位于另一個(gè)電極行中的自容電極10的第一凹陷部14中。
[0077]例如，圖8示出了位于同一列且分別位于兩個(gè)電極行中的兩個(gè)自容電極1a和1b0如圖8所示，由于每個(gè)自容電極的平面形狀一致，并且自容電極1a的第二凹陷部151的形狀與其第二凸出部121的形狀一致，因此，自容電極1b的第二凸出部122可以位于自容電極1a的第二凹陷部151中；類似地，自容電極1b的第三凸出部132可以位于自容電極1a的第一凹陷部141中。
[0078]圖6和圖7a以第二凸出部12和第三凸出部13的形狀相同為例進(jìn)行說明，圖7b和圖8以第二凸出部12和第三凸出部13的形狀不同為例進(jìn)行說明。當(dāng)然，本發(fā)明實(shí)施例中第二凸出部12和第三凸出部13的設(shè)置包括但不限于此。
[0079]本實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)在保證觸控精度的前提下實(shí)現(xiàn)每個(gè)自容電極的尺寸的增大，進(jìn)而減小自容電極的數(shù)量以及導(dǎo)線的數(shù)量。其具體原理與實(shí)施例一類似，此處不做贅述。
[0080]在本實(shí)施例提供的E字形自容電極的圖案中，例如，在每個(gè)自容電極的尺寸(如圖6 所不)設(shè)置為 xl = 8mm, x2 = x3 = 5mm, wl = w2 = 3mm, yl = y2 = y3 = 3mm 的情形下，如圖9所示，直徑為5mm的銅柱最少可以引起2個(gè)自容電極的電容變化，如位置E和F所示，并且最多可以引起5個(gè)自容電極的電容的變化，如位置G所示。與圖1所示的情形相比，本實(shí)施例提供的觸控基板的觸控性能更好。
[0081]關(guān)于本實(shí)施例提供的觸控基板起到的減少自容電極數(shù)量的效果，對(duì)于一個(gè)顯示區(qū)的尺寸為80mm*190mm的觸控基板，如果采用本實(shí)施例提供的如圖7a所示的自容電極圖案，例如，在每個(gè)自容