0043]本發(fā)明具有如下優(yōu)點:本發(fā)明采用分立元件搭建低頻RFID標簽的解碼電路，在一定程度上大大降低了解碼的成本，并且可以通過帶有AD轉(zhuǎn)換功能的控制器設(shè)置天線不同的發(fā)射頻率，使解碼器可以工作在低頻的各個頻段內(nèi)，并且其讀取的效果與專用芯片解碼和讀取的效果無差異。
[0044]雖然以上描述了本發(fā)明的【具體實施方式】，但是熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當理解，我們所描述的具體的實施例只是說明性的，而不是用于對本發(fā)明的范圍的限定，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在依照本發(fā)明的精神所作的等效的修飾以及變化，都應(yīng)當涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求所保護的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種實現(xiàn)低頻RFID標簽解碼的分立元件電路，其特征在于:包括天線頻率驅(qū)動電路、天線線圈、RC選頻濾波電路、二極管檢波電路、電阻R6、電容C5、兩級選頻放大電路；所述天線頻率驅(qū)動電路依次與所述天線線圈、所述RC選頻濾波電路、所述二極管檢波電路、所述電阻R6、所述電容C5、所述兩級選頻放大電路連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種實現(xiàn)低頻RFID標簽解碼的分立元件電路，其特征在于:所述天線頻率驅(qū)動電路包括電阻R1、電阻R2、電阻R3、三極管Q1、三極管Q2、電容Cl、電容C2 ;所述電阻Rl的一端為信號輸入端，另一端連接至所述三極管Ql的基極；所述三極管Ql的發(fā)射極通過所述電阻R3與電源VCC連接，所述三極管Ql的集電極與所述電容Cl的一端連接，所述電阻R2的一端為信號輸入端，所述電阻R2的另一端連接至所述三極管Q2的基極，所述三極管Q2的發(fā)射極接地，所述三極管Q2的集電極與所述電容C2的一端連接，所述電容Cl的另一端與所述電容C2的另一端并聯(lián)后與所述天線線圈連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種實現(xiàn)低頻RFID標簽解碼的分立元件電路，其特征在于:所述二極管檢波電路包括二極管Dl、二極管D2、電容C4、電阻R5，所述二極管Dl的正極與所述二極管D2的負極并聯(lián)后與所述RC選頻濾波電路連接，所述二極管D2的正極接地，所述二極管Dl的負極分別與所述電容C4的一端、所述電阻R5的一端、所述電阻R6連接，所述電容C4的另一端與所述電阻R5的另一端均接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種實現(xiàn)低頻RFID標簽解碼的分立元件電路，其特征在于:所述兩級選頻放大電路包括電阻R7、電阻R8、電阻R9、電阻R10、電阻R11、電阻R12、電阻R13、電阻R14、電容C6、電容C7、電容C8、三極管Q3、三極管Q4，所述電阻R7的一端、所述電阻R9的一端、所述電容C6的一端、所述電阻Rll的一端、所述電阻R13的一端、所述電容C8的一端均連接至電源VCC，所述三極管Q3的基極分別與所述電容C5、所述電阻R8的一端、所述電阻R7的另一端連接，所述電阻R8的另一端接地，所述三極管Q3的集電極分別與所述電阻R9的另一端、所述電容C6的另一端、所述電容C7的一端連接，所述三極管Q3的發(fā)射極通過所述電阻RlO接地，所述電容C7的另一端分別與所述電阻Rll的另一端、所述三極管Q4的基極、所述電阻R12的一端連接，所述電阻R12的另一端接地，所述三極管Q4的集電極分別與所述電阻R13的另一端、所述電容CS的另一端連接，所述三極管Q4的發(fā)射極通過所述電阻R14接地，所述三極管Q4的集電極為信號輸出端。
5.一種實現(xiàn)低頻RFID標簽解碼的方法，其特征在于:需提供一種實現(xiàn)低頻RFID標簽解碼的分立元件電路，該電路包括依次連接的天線頻率驅(qū)動電路、天線線圈、RC選頻濾波電路、二極管檢波電路、電阻R6、電容C5、兩級選頻放大電路；所述方法包括如下步驟: 步驟1、帶有AD轉(zhuǎn)換功能的控制器的10_1接口和10_2接口同時產(chǎn)生同頻率的方波信號后，將方波信號輸入到所述天線頻率驅(qū)動電路中； 步驟2、通過所述天線線圈的第一管腳將方波信號從所述天線頻率驅(qū)動電路傳輸?shù)剿鎏炀€線圈中，所述天線線圈產(chǎn)生磁場，當?shù)皖lRFID標簽靠近所述天線線圈時產(chǎn)生感應(yīng)，通過磁場耦合獲取能量后，輸出低頻RFID標簽信號，然后該低頻RFID標簽信號對方波信號進行調(diào)制； 步驟3、將調(diào)制后的低頻RFID標簽信號傳輸?shù)剿鎏炀€線圈中，通過所述天線線圈的第二管腳輸出給所述RC選頻濾波電路，將調(diào)制后的低頻RFID標簽信號進行濾波； 步驟4、將調(diào)制后的低頻RFID標簽信號濾波后，通過所述二極管檢波電路將調(diào)制在方波信號中的低頻RFID標簽信號解調(diào)出來；解調(diào)完的低頻RFID標簽信號經(jīng)過所述電阻R6衰減后傳輸給所述電容C5，然后通過所述電容C5耦合后輸出到所述兩級選頻放大電路中； 步驟5、所述兩級選頻放大電路將解調(diào)完的低頻RFID標簽信號放大后，再輸出給帶有AD轉(zhuǎn)換功能的控制器，然后該控制器進行AD采集并解碼出低頻RFID標簽所代表的信號。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種實現(xiàn)低頻RFID標簽解碼的方法，其特征在于:所述天線頻率驅(qū)動電路包括電阻R1、電阻R2、電阻R3、三極管Ql、三極管Q2、電容Cl、電容C2，所述步驟I具體如下: 帶有AD轉(zhuǎn)換功能的控制器的10_1接口和10_2接口同時產(chǎn)生同頻率的方波信號，電源VCC為所述三極管Q1、所述三極管Q2提供電源，當方波信號為高電平輸入時，通過所述電阻Rl將方波信號傳輸?shù)浇?jīng)所述電阻R3限流后的所述三極管Ql中，再通過電容Cl將方波信號輸出到所述天線線圈的第一管腳中；當方波信號為低電平輸入時，通過所述電阻R2將方波信號傳輸給所述三極管Q2，再通過電容C2將方波信號輸出到所述天線線圈的第一管腳中。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種實現(xiàn)低頻RFID標簽解碼的方法，其特征在于:所述二極管檢波電路包括二極管D1、二極管D2、電容C4、電阻R5，所述步驟4具體如下: 將調(diào)制后的低頻RFID標簽信號濾波后，再通過所述二極管D1、所述二極管D2、所述電容C4、所述電阻R5進行解調(diào)，然后輸出給電阻R6，以此將調(diào)制在方波信號中的低頻RFID標簽信號解調(diào)出來；解調(diào)完的低頻RFID標簽信號經(jīng)過所述電阻R6衰減后傳輸給所述電容C5，然后通過所述電容C5耦合后輸出到所述兩級選頻放大電路中。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種實現(xiàn)低頻RFID標簽解碼的方法，其特征在于:所述兩級選頻放大電路包括電阻R7、電阻R8、電阻R9、電阻R10、電阻Rl1、電阻R12、電阻R13、電阻R14、三極管Q3、三極管Q4、電容C6、電容C7、電容C8，所述步驟5具體如下: 電源VCC為所述兩級選頻放大電路提供電源，將低頻RFID標簽信號傳輸給所述三極管Q3，通過所述電阻R7、所述電阻R8為所述三極管Q3提供直流偏置，使所述三極管Q3工作在線性放大區(qū)，通過所述電阻RlO對低頻RFID標簽信號進行反饋后，由所述三極管Q3將低頻RFID標簽信號進行放大，并通過所述電阻R9、所述電容C6將低頻RFID標簽信號進行選頻，然后經(jīng)所述電容C7耦合后傳輸給所述三極管Q4，通過所述電阻R11、所述電阻R12為所述三極管Q4提供直流偏置，使所述三極管Q4工作在線性放大區(qū)，通過所述電阻R14對低頻RFID標簽信號進行反饋后，由所述三極管Q4將低頻RFID標簽信號進行放大，并通過所述電阻R13、所述電容C8將低頻RFID標簽信號進行選頻后，再輸出給帶有AD轉(zhuǎn)換功能的控制器，然后該控制器進行AD采集并解碼出低頻RFID標簽所代表的信號。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種實現(xiàn)低頻RFID標簽解碼的分立元件電路，包括天線頻率驅(qū)動電路、天線線圈、RC選頻濾波電路、二極管檢波電路、電阻R6、電容C5、兩級選頻放大電路；所述天線頻率驅(qū)動電路依次與所述天線線圈、所述RC選頻濾波電路、所述二極管檢波電路、所述電阻R6、所述電容C5、所述兩級選頻放大電路連接。本發(fā)明還提供了一種實現(xiàn)低頻RFID標簽解碼的方法，在一定程度上大大降低了解碼的成本，并且可以通過帶有AD轉(zhuǎn)換功能的控制器設(shè)置天線不同的發(fā)射頻率，使解碼器可以工作在低頻的各個頻段內(nèi)，并且其讀取的效果與專用芯片解碼和讀取的效果無差異。
【IPC分類】G06K7-00
【公開號】CN104598852
【申請?zhí)枴緾N201510008815
【發(fā)明人】黃添福, 謝儒勇
【申請人】福建鑫諾通訊技術(shù)有限公司
【公開日】2015年5月6日
【申請日】2015年1月8日