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一種針對高速高性能3DIC的layout評估優(yōu)化方法與流程

文檔序號:40538740發(fā)布日期:2025-01-03 10:57閱讀:12來源:國知局
一種針對高速高性能3DIC的layout評估優(yōu)化方法與流程

本發(fā)明涉及電數(shù)據(jù)處理,具體涉及一種針對高速高性能3dic的layout評估優(yōu)化方法。


背景技術:

1、tsv技術,即硅通孔技術,在三維集成領域扮演著關鍵角色,它允許芯片之間通過垂直方向上的微小導電孔進行電氣連接,從而實現(xiàn)高密度和高性能的封裝。然而,在進行3dic(集成電路,integrated?circuit)的制造時,tsv會對一定范圍內(nèi)的器件產(chǎn)生應力影響,同時,tsv的高頻信號也會對一定范圍內(nèi)的器件存在串擾風險。因此,需要對3dic的tsv布局進行檢查,保證3dic的生產(chǎn)能夠達到預期的效果。

2、現(xiàn)有的設計規(guī)則檢查僅滿足普通的集成電路,對于高靈敏高性能的3dic的tsv布局檢查通常采用人工肉眼的方式進行,3dic的布局檢查存在很大的局限性,導致3dic的布局質(zhì)量低,生產(chǎn)的3dic性能低。


技術實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的是提供一種針對高速高性能3dic的layout評估優(yōu)化方法,本發(fā)明通過獲取3dic的布局版圖,從布局版圖中獲取重要器件和模塊的位置數(shù)據(jù)并根據(jù)版圖位置數(shù)據(jù)對布局進行檢查,得到需要進行評估優(yōu)化的布局結(jié)構(gòu),進而及時對3dic的布局進行調(diào)整,提高了3dic的布局質(zhì)量和性能。

2、本發(fā)明的目的采用如下技術方式實現(xiàn):

3、第一方面,本發(fā)明提供了一種針對高速高性能3dic的layout評估優(yōu)化方法,包括以下步驟:

4、獲取3dic的布局版圖;

5、根據(jù)所述3dic的布局版圖,獲取版圖位置數(shù)據(jù);

6、根據(jù)所述版圖位置數(shù)據(jù),對3dic的布局進行設計規(guī)則檢查;

7、根據(jù)檢查結(jié)果,對所述3dic的布局進行調(diào)整;

8、其中,所述版圖位置數(shù)據(jù)包括tsv的位置數(shù)據(jù)、電子器件的位置數(shù)據(jù)和標記模塊的位置數(shù)據(jù)。

9、優(yōu)選地,所述根據(jù)所述版圖位置數(shù)據(jù),對3dic的布局進行設計規(guī)則檢查,包括以下步驟:

10、根據(jù)所述tsv的位置數(shù)據(jù),對tsv進行應力檢查;

11、根據(jù)所述tsv的位置數(shù)據(jù)和所述電子器件的位置數(shù)據(jù),對電子器件進行間距檢查;

12、根據(jù)所述tsv的位置數(shù)據(jù)和所述標記模塊的位置數(shù)據(jù),對標記模塊進行間距檢查;

13、其中,所述電子器件包括電感器件和電容器件。

14、優(yōu)選地,所述根據(jù)所述tsv的位置數(shù)據(jù),對tsv進行應力檢查,包括以下步驟:

15、根據(jù)所述tsv的位置數(shù)據(jù),獲取tsv的面積、tsv的數(shù)量和tsv的間距;

16、根據(jù)所述tsv的面積、所述tsv的數(shù)量和所述tsv的間距,計算應力評估參數(shù);

17、當所述應力評估參數(shù)小于評估閾值時,提示應力異常;

18、其中,所述應力評估參數(shù)的計算公式如下:

19、,

20、其中,為應力評估參數(shù),為tsv的數(shù)量,為tsv的面積,為3dic的面積,為tsv的間距。

21、優(yōu)選地,所述根據(jù)所述tsv的位置數(shù)據(jù)和所述電子器件的位置數(shù)據(jù),對電子器件進行間距檢查,包括以下步驟:

22、根據(jù)所述電子器件的位置數(shù)據(jù),獲取電子器件的邊緣數(shù)據(jù);

23、根據(jù)所述tsv的位置數(shù)據(jù),獲取tsv的中心數(shù)據(jù)和tsv的半徑數(shù)據(jù);

24、根據(jù)所述電子器件的邊緣數(shù)據(jù)和所述tsv的中心數(shù)據(jù),計算tsv和電子器件的距離得到第一距離;

25、根據(jù)所述第一距離、所述tsv的半徑數(shù)據(jù)和預設第一間距;對電子器件進行間距檢查;

26、當所述第一距離與所述tsv的半徑數(shù)據(jù)的差值小于所述預設第一間距時,輸出該所述tsv的位置數(shù)據(jù)和所述電子器件的位置數(shù)據(jù)并提示間距異常。

27、優(yōu)選地,所述根據(jù)所述tsv的位置數(shù)據(jù)和所述標記模塊的位置數(shù)據(jù),對標記模塊進行間距檢查之前,還包括:對模擬電路模塊進行標記;具體包括以下步驟:

28、獲取所述3dic的布局版圖中的模擬電路模塊;

29、采用矩形邊界框,對所述模擬電路模塊進行包圍;

30、記錄矩形邊界框的坐標數(shù)據(jù),得到所述標記模塊的位置數(shù)據(jù)。

31、優(yōu)選地,所述根據(jù)所述tsv的位置數(shù)據(jù)和所述標記模塊的位置數(shù)據(jù),對標記模塊進行間距檢查,包括以下步驟:

32、根據(jù)所述標記模塊的位置數(shù)據(jù),獲取標記模塊的中心數(shù)據(jù)、標記模塊的寬度數(shù)據(jù)和標記模塊的高度數(shù)據(jù);

33、根據(jù)所述tsv的位置數(shù)據(jù),獲取tsv的中心數(shù)據(jù)和tsv的半徑數(shù)據(jù);

34、根據(jù)預設第二間距和所述tsv的半徑數(shù)據(jù)的和值、所述標記模塊的中心數(shù)據(jù)、所述標記模塊的寬度數(shù)據(jù)和所述標記模塊的高度數(shù)據(jù),對標記模塊進行向外拓展得到第一區(qū)域;

35、根據(jù)所述第一區(qū)域和所述tsv的中心數(shù)據(jù),對標記模塊進行間距檢查;

36、當所述tsv的中心數(shù)據(jù)位于所述第一區(qū)域內(nèi)時,輸出該所述tsv的位置數(shù)據(jù)和所述標記模塊的位置數(shù)據(jù)并提示間距異常。

37、優(yōu)選地,所述根據(jù)檢查結(jié)果,對所述3dic的布局進行調(diào)整,包括以下步驟:

38、當tsv的應力檢查異常時,調(diào)整tsv的布局;

39、當電子器件的間距檢查異常時,調(diào)整電子器件的布局;

40、當標記模塊的間距檢查異常時,設置接地的金屬保護環(huán)。

41、第二方面,本發(fā)明提供了一種針對高速高性能3dic的layout評估優(yōu)化系統(tǒng),應用上述的一種針對高速高性能3dic的layout評估優(yōu)化方法,包括:版圖獲取模塊、數(shù)據(jù)獲取模塊、布局檢查模塊和布局調(diào)整模塊;

42、所述版圖獲取模塊,用于獲取3dic的布局版圖;

43、所述數(shù)據(jù)獲取模塊,用于根據(jù)所述3dic的布局版圖,獲取版圖位置數(shù)據(jù);

44、所述布局檢查模塊,用于根據(jù)所述版圖位置數(shù)據(jù),對3dic的布局進行設計規(guī)則檢查;

45、所述布局調(diào)整模塊,用于根據(jù)檢查報告,對所述3dic的布局進行調(diào)整;

46、其中,所述版圖位置數(shù)據(jù)包括tsv的位置數(shù)據(jù)、電子器件的位置數(shù)據(jù)和標記模塊的位置數(shù)據(jù)。

47、第三方面,本發(fā)明提供了一種電子設備,包括處理器和存儲器,所述存儲器用于存儲計算機程序代碼,所述計算機程序代碼包括計算機指令,當所述處理器執(zhí)行所述計算機指令時,所述電子設備執(zhí)行上述的一種針對高速高性能3dic的layout評估優(yōu)化方法。

48、第四方面,本發(fā)明提供了一種計算機可讀存儲介質(zhì),所述計算機可讀存儲介質(zhì)中存儲有計算機程序,所述計算機程序包括程序指令,所述程序指令當被電子設備的處理器執(zhí)行時,使所述處理器執(zhí)行上述的一種針對高速高性能3dic的layout評估優(yōu)化方法。

49、相比現(xiàn)有技術,本發(fā)明的有益效果在于:

50、本發(fā)明通過獲取3dic的布局版圖,從布局版圖中獲取重要器件和模塊的位置數(shù)據(jù)并根據(jù)版圖位置數(shù)據(jù)對布局進行檢查,得到需要進行評估優(yōu)化的布局結(jié)構(gòu),進而及時對3dic的布局進行調(diào)整,提高了3dic的布局質(zhì)量和性能;

51、本發(fā)明通過根據(jù)tsv的位置數(shù)據(jù)、電子器件的位置數(shù)據(jù)和標記模塊的位置數(shù)據(jù)對tsv的應力、電子器件的間距和標記模塊的間距進行檢查,減少了tsv及其制備過程中對器件的影響,提高了3dic的布局質(zhì)量和性能;

52、本發(fā)明通過獲取tsv的面積、數(shù)量和間距,計算應力評估參數(shù),為3dic的布局評估提供了數(shù)據(jù)基礎;

53、本發(fā)明通過獲取電子器件的邊緣數(shù)據(jù)和tsv的中心數(shù)據(jù),計算第一距離,為3dic的布局評估提供了數(shù)據(jù)基礎;

54、本發(fā)明通過獲取標記模塊的中心數(shù)據(jù)、寬度數(shù)據(jù)和高度數(shù)據(jù)以及tsv的半徑數(shù)據(jù),計算第一區(qū)域,為3dic的布局評估提供了數(shù)據(jù)基礎。

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