背景技術(shù)：

集成電路的許多應(yīng)用包括這樣的電路：其僅在施加到這些設(shè)備的電力具有位于最大工作電壓和最小工作電壓之間的施加電壓時才適當(dāng)?shù)夭僮鳌．?dāng)此類設(shè)備被“通電”(例如，通過最初向設(shè)備施加工作電力)時，設(shè)備通常不會適當(dāng)?shù)夭僮鳎钡剿┘拥碾娏Φ碾妷哼_(dá)到并維持在適當(dāng)?shù)碾妷悍秶鷥?nèi)。同樣地，當(dāng)所施加的電力不足以將工作電壓維持在最小工作電壓以上時(例如，在“掉電(brownout)”狀況下)，即使當(dāng)所施加的電力再次達(dá)到并維持在適當(dāng)?shù)碾妷悍秶?，設(shè)備通常也可能不會適當(dāng)?shù)夭僮鳎@是由于例如狀態(tài)信息由于缺乏電力而丟失造成的。電壓監(jiān)控電路通常用于啟用(assert)復(fù)位信號以幫助最小化設(shè)備的不適當(dāng)操作。然而，由于消耗大量的電力和/或在電路布局中需要大量的面積，此類電路通常不適合于許多應(yīng)用。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

以上指出的問題可以在一種低功率復(fù)位電路中得到解決，該低功率復(fù)位電路包括用于接收由電源生成的工作電壓并且響應(yīng)于接收的工作電壓生成偏置電壓的偏壓發(fā)生器。用于生成用于指示工作電壓的經(jīng)整形的信號的整形器的操作速度和用于將閾值基準(zhǔn)電壓與經(jīng)整形的信號進(jìn)行比較的比較器的操作速度兩者均響應(yīng)于生成的偏置電壓而被控制。比較器也生成用于指示比較的結(jié)果的比較信號。響應(yīng)于比較信號，復(fù)位信號發(fā)生器生成用于復(fù)位由利用電源生成的工作電壓供電的受保護電路系統(tǒng)的復(fù)位信號。

在理解本發(fā)明內(nèi)容不用于解釋或限制權(quán)利要求的范圍或含義的情況下提交本發(fā)明內(nèi)容。此外，發(fā)明內(nèi)容并非旨在識別所要求保護的主題的關(guān)鍵特征或必要特征，也并非旨在用于幫助確定所要求保護的主題的范圍。

附圖說明

圖1示出了根據(jù)本公開的某些實施例的說明性計算系統(tǒng)100。

圖2為示例工作電壓波形的圖示。

圖3為根據(jù)本公開的實施例的包括基于afg的電壓基準(zhǔn)的低功率復(fù)位電路的示意圖。

圖4為根據(jù)本公開的實施例的用于包括基于afg的電壓基準(zhǔn)的低功率復(fù)位電路的比較器的示意圖。

圖5為根據(jù)本公開的實施例的用于響應(yīng)于工作電壓生成用于復(fù)位電路的整形波形的整形器的示意圖。

圖6為根據(jù)本公開的實施例的低功率復(fù)位電路中的比較器中的遲滯控制的示意圖。

圖7為說明根據(jù)本公開的實施例的低功率復(fù)位信號電路中的整形器和比較器的互操作的示意圖。

圖8為根據(jù)本公開的實施例的低功率復(fù)位信號電路中的容性耦合電路的示意圖。

具體實施方式

以下討論針對本發(fā)明的各種實施例。雖然這些實施例中的一個或多個為優(yōu)選的，但是所公開的實施例不應(yīng)被解釋為或以其它方式用作對包括權(quán)利要求的本公開的范圍的限制。另外，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解的是，以下描述具有廣泛的應(yīng)用，并且對任何實施例的討論僅僅意指該實施例的示例，并且并非旨在暗示包括權(quán)利要求的本公開的范圍局限于該實施例。

某些術(shù)語貫穿以下描述和權(quán)利要求被使用以指代特定的系統(tǒng)部件。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將清楚的是，各種名稱可以被用于指部件或系統(tǒng)。因此，在本文中在名稱上不同但并非在功能上不同的部件之間不必進(jìn)行區(qū)分。進(jìn)一步，系統(tǒng)可以為又一個系統(tǒng)的子系統(tǒng)。在以下討論中并且在權(quán)利要求中，術(shù)語“包括”和“包含”以開放的方式使用，并且因此被解釋為意指“包括但不限于……”。而且，術(shù)語“耦合到”或“與……耦合”(等等)旨在描述間接或直接電連接。因此，如果第一設(shè)備耦合到第二設(shè)備，則可以通過直接電連接或通過經(jīng)由其它設(shè)備和連接的間接電連接來進(jìn)行該連接。術(shù)語“部分”可以意指整個部分或小于整個部分的部分。術(shù)語“輸入”可以意指pmos(正型金屬氧化物半導(dǎo)體)或nmos(負(fù)型金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管的源極或漏極(或者甚至是控制輸入，諸如上下文中指示的柵極)。術(shù)語“模式”可以意指用于實現(xiàn)某一目的的特定架構(gòu)、配置(包括電子配置的配置)、布置、應(yīng)用等等。術(shù)語“處理器”可以意指用于處理的電路、用于執(zhí)行用于將處理器改造成專用機器的編程指令的狀態(tài)機器等、用于處理的電路資源以及它們的組合。

圖1示出根據(jù)本公開的某些實施例的說明性計算系統(tǒng)100。例如，計算系統(tǒng)100是電子系統(tǒng)129或被并入到電子系統(tǒng)129中，諸如計算機、電子控制“箱”或顯示器、通信裝備(包括發(fā)射器)或被布置以生成電信號的任何其它類型的電子系統(tǒng)。

在一些實施例中，計算系統(tǒng)100包括巨型單元或片上系統(tǒng)(soc)，其包括諸如cpu112(中央處理單元)的控制邏輯、存儲裝置14(例如，隨機存取存儲器(ram))和電源110。cpu112可以是例如cisc型(復(fù)雜指令集計算機)cpu、risc型cpu(精簡指令集計算機)、mcu型(微控制器單元)、或數(shù)字信號處理器(dsp)。存儲裝置114(其可以為諸如處理器上的高速緩存、處理器外的高速緩存、ram、快閃式存儲器或磁盤存儲裝置的存儲器)存儲用于一個或多個軟件應(yīng)用130(例如，嵌入式應(yīng)用)的指令，當(dāng)該指令被cpu112執(zhí)行時，執(zhí)行與計算系統(tǒng)100相關(guān)聯(lián)的任何合適的功能。

cpu112包括存儲器和邏輯電路，其存儲頻繁地從存儲裝置114中存取的信息。計算系統(tǒng)100通常由用戶使用ui(用戶界面)116來控制，ui116在執(zhí)行軟件應(yīng)用130期間向用戶提供輸出并且接收來自用戶的輸入。輸出使用顯示器118、指示器燈、揚聲器、振動等來提供。輸入使用音頻和/或視頻輸入(例如，使用語音或圖像識別)以及諸如鍵盤、開關(guān)、近程檢測器(包括傳感器)、回轉(zhuǎn)儀、加速計等電氣和/或機械設(shè)備來提供。cpu112耦合到i/o(輸入-輸出)端口128，該i/o端口128提供可操作以接收來自聯(lián)網(wǎng)設(shè)備131的輸入(和/或向聯(lián)網(wǎng)設(shè)備131提供輸出)的接口。聯(lián)網(wǎng)設(shè)備131可以包括能夠與計算系統(tǒng)100點對點通信和/或聯(lián)網(wǎng)通信的任何設(shè)備。計算系統(tǒng)100也可以耦合到外圍設(shè)備和/或計算設(shè)備，包括有形的非瞬時性介質(zhì)(諸如快閃式存儲器)和/或有線或無線介質(zhì)。這些和其它輸入和輸出設(shè)備使用無線或有線連接通過外部設(shè)備選擇性地耦合到計算系統(tǒng)100。存儲裝置114可以由例如聯(lián)網(wǎng)設(shè)備131訪問。

cpu1112耦合到i/o(輸入-輸出)端口128，其提供可操作以接收來自外圍設(shè)備和/或計算設(shè)備131的輸入(和/或向外圍設(shè)備和/或計算設(shè)備131提供輸出)的接口，包括有形的(例如“非瞬時性的”)介質(zhì)(諸如快閃式存儲器)和/或有線或無線介質(zhì)(諸如聯(lián)合測試行動組(jtag)接口)。這些和其它輸入和輸出設(shè)備使用無線或有線連接通過外部設(shè)備選擇性地耦合到計算系統(tǒng)100。cpu112、存儲裝置114和電源110可以耦合到外部電源(未示出)或耦合到本地電力源(諸如蓄電池、太陽能電池、交流發(fā)電機、感應(yīng)場、燃料電池、荷電電容器等等)。

計算系統(tǒng)100包括用于提供復(fù)位保護以幫助確保要保護的電路系統(tǒng)適當(dāng)操作的低功率復(fù)位電路138。如以下所討論的，低功率復(fù)位電路138通常包括常接通(always-on)的大體“零電流”(例如可以從半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)維持達(dá)長于大約一年至超過10年的周期的極低電流)電流基準(zhǔn)源。在實施例中，常接通的大體零電流基準(zhǔn)源為模擬浮柵(afg)元件。afg元件形成于半導(dǎo)體襯底中(例如，形成于與由低功率復(fù)位電路138為其提供保護的電路系統(tǒng)相同的襯底中)。afg起極低耗散性電容器的作用，該極低耗散性電容器通常能夠維持存儲電荷達(dá)長于大約10年的周期。

afg元件耦合到偏壓發(fā)生器和比較器(如以下所討論的)。在實施例中，使用亞閾值電路設(shè)計偏壓發(fā)生器和比較器，使得直流電流被避免。與許多常規(guī)的解決方案相對比，比較器閾值可選擇性地編程(例如，在計算系統(tǒng)100的制造和/或部署之后)，使得用于保護(例如，任意的)電路的閾值(例如，“跳變點”)可以針對該電路被優(yōu)化(例如，在設(shè)計時或在部署之后)。

到比較器的輸入被濾波，使得工作電壓的快速瞬變或緩慢瞬變兩者(包括軌到軌擺動)確實影響比較器的適當(dāng)操作。同樣地，在設(shè)計中提供“聯(lián)鎖”以幫助防止比較器在電源斜變(ramping)(例如，從大約零到穩(wěn)定工作電壓的電壓轉(zhuǎn)變)期間做出不正確的比較決策。以下參考(至少)圖2討論通常遇到的工作電壓波形。

圖2為示例工作電壓波形的圖示。圖示200提供響應(yīng)于通電和掉電狀況的工作電壓波形202的說明。在時間210處，向電路供應(yīng)電力以提供工作電力。響應(yīng)于所施加的電力，工作電壓(vdd)波形202上升(斜升)。用于達(dá)到最小工作電壓(vmin)214的上升時間根據(jù)變化的系統(tǒng)、電路和應(yīng)用而變化。波形204說明當(dāng)上升時間相對快時工作電壓波形202的可能軌跡，而波形206說明當(dāng)上升時間相對慢時工作電壓波形202的可能軌跡。最小工作電壓通常為這樣的電壓：即在該電壓下電路的操作將有可能不安全地(例如，正確地)操作。

隨著工作電壓波形202斜升(例如，由于向電路系統(tǒng)施加電力以便生成諸如rst的復(fù)位信號)，通電復(fù)位(por)信號222的波形同樣地上升直到其在時間220處完全啟用。在時間220處，por信號222被完全啟用并且達(dá)到與激活狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的電壓。por信號222的啟用通常用于防止在如工作電壓波形202穩(wěn)定并且電路系統(tǒng)被上電至初始操作狀態(tài)這樣的時間之前電路系統(tǒng)的操作。例如，在時間230處收斂于穩(wěn)定電壓之前，工作電壓波形202可以在vmin214與vmax(最大工作電壓)212之間振蕩(例如，在振蕩時間期間，由por信號222控制的電路系統(tǒng)可能不適當(dāng)?shù)夭僮?。在時間230處，禁用(deassert)por信號222(例如，將邏輯狀態(tài)從有效改變)并且在por信號222控制下的電路系統(tǒng)開始初始操作(例如，使得處理器通過取出指令進(jìn)行引導(dǎo))。

理想地，工作電壓波形202維持在vmin214與vmax212之間的電壓水平。然而，當(dāng)移除電力(或以其它方式使電力充分不可用時)，工作電壓波形202降到vmin214以下。當(dāng)工作電壓波形202降到vmin214以下時，在時間240處啟用掉電復(fù)位(bor)信號224(例如，這在bor信號224的控制下停止電路系統(tǒng)的操作和/或復(fù)位電路系統(tǒng)的邏輯狀態(tài))。在工作電壓波形202上升到214以上時，確定掉電周期結(jié)束并且在時間250處禁用掉電復(fù)位信號(例如，使得由bor信號224控制的電路系統(tǒng)可以重新開始或重新啟動操作)。

在至少一些應(yīng)用中，電路系統(tǒng)在掉電狀況下的操作可能致使此類電路系統(tǒng)對于其旨在的目的中的一個或多個是不適合和/或不可靠的。例如，當(dāng)使用破壞性讀取過程訪問非易失性存儲器(諸如存儲于鐵電ram中的固件)的內(nèi)容時，電源“失靈(glitch)”可能破壞該內(nèi)容。然而，將跳變點(例如，vmin214)設(shè)定在較高的設(shè)定值處可能導(dǎo)致例如電力存儲裝置(例如，可用的電池電力)的未使用的容量和/或存儲設(shè)備(例如，蓄電池)的減少的工作壽命。

使用自生成閾值或動態(tài)方案的常規(guī)方法通常不能準(zhǔn)確和/或快速地響應(yīng)在全工作電壓范圍上的工作電力變化并且在電源輸出電壓斜變的廣泛變化的持續(xù)時間(其根據(jù)應(yīng)用可以跨越從數(shù)百納秒至數(shù)秒之間變化的量級)內(nèi)做出響應(yīng)。通常，使用“下拉”電流的常規(guī)跳變點的準(zhǔn)確性可以(例如，大體上)根據(jù)工藝、溫度和工作電壓的變化而變化(例如，對于3伏特系統(tǒng)具有可以在0.9伏特和1.9伏特之間如此變化的跳變點)。進(jìn)一步，工作電壓的過度的轉(zhuǎn)換速率通常降低用于確定跳變點測量值的電路系統(tǒng)的跳變點準(zhǔn)確性(其通常依賴于工作電壓功率)。

在其中在設(shè)計時間通常不知道電源的斜變時間(例如，上電延遲)的許多應(yīng)用中(例如，其中斜變時間可以以范圍從數(shù)納秒到數(shù)天的單位測量)，似乎常規(guī)的解決方案不包括可靠的有源元件零電流型延遲元件。進(jìn)一步，零電流型無源rc(電阻器-電容器)濾波器通常將掩蔽在掉電事件期間發(fā)生的應(yīng)當(dāng)以其它方式要求復(fù)位的vdd供應(yīng)失靈。在其中比較器偏置花費較長的時間穩(wěn)定的相對低的斜變時間下，比較器可能“失靈”(例如，產(chǎn)生無效輸出)，并且也產(chǎn)生缺乏建立的尾電流的不正確的估計。

在常規(guī)方法中使用的帶隙電壓基準(zhǔn)發(fā)生器、可能的分壓器和基于cmos閾值的電壓通常具有明顯的缺點。帶隙電壓基準(zhǔn)發(fā)生器通常消耗大量的電力并且具有長的啟動時間(并且在該時間期間，在到帶隙自身的供應(yīng)可能是不可靠的時候不可以加載電阻器修整值)。可能的分壓器(例如，電阻器網(wǎng)絡(luò))和比較器通常消耗大量的電流并且取決于通常不穩(wěn)定的電壓基準(zhǔn)?；趍os晶體管閾值電壓生成基準(zhǔn)電壓的方法通常根據(jù)工藝、溫度和工作電壓(ptv)狀況的變化而顯著變化。

圖3為根據(jù)本公開的實施例的包括基于afg的電壓基準(zhǔn)的低功率復(fù)位電路的示意圖。低功率復(fù)位電路300包括啟動電路310、偏壓發(fā)生器320、(例如，波形)整形器330、比較器340、電源接口350、模擬浮柵(afg)編程控制器360、afg電容器370、單一增益(ug)放大器388、脈沖擴展器390和緩存器392。功率復(fù)位電路300的部件(包括其部分)可以在與由緩存的復(fù)位信號(rst)控制的電路系統(tǒng)相同或不同的襯底上。

在操作中，啟動電路310控制偏壓發(fā)生器320的狀態(tài)，使得(例如，最初)在向低功率復(fù)位電路300施加電力時，偏壓發(fā)生器320開始生成用于向比較器340供電的偏置電壓。如以上所討論的，比較器340被防止觸發(fā)(例如，改變“鎖定”狀態(tài))直到由偏壓發(fā)生器320生成的偏置電壓達(dá)到適合于偏置(例如，供電)比較器340的尾電流的適當(dāng)?shù)妮敵鲭妷哼@樣的時間。在由偏壓發(fā)生器320生成的偏置電壓達(dá)到適合于偏置比較器340的電壓之后，偏壓發(fā)生器320向復(fù)位電路310發(fā)送信號以復(fù)位(例如，其使啟動電路310中的狀態(tài)電路系統(tǒng)準(zhǔn)備以便在隨后的上電期間控制偏壓發(fā)生器320的啟動)。

整形器330可操作以整形工作電壓(vdd)的波形例如以移除相對小的瞬變(例如，諸如由電噪聲所造成的)并且控制經(jīng)整形的波形的轉(zhuǎn)換速率(slewrate)。整形器330可操作以控制經(jīng)整形的波形的轉(zhuǎn)換速率，使得比較器340可操作以將經(jīng)整形的波形的電壓與由長期存儲設(shè)備生成的基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較。長期存儲設(shè)備是諸如afg電容器370的設(shè)備，其能夠存儲電壓達(dá)至少一年并且通常超過10年的持續(xù)時間。以下關(guān)于圖4討論比較器340并且以下關(guān)于圖5討論整形器330。

使用afg電容器370存儲的電壓為模擬值(例如，不是二進(jìn)制值)，使得在最大工作電壓與最小工作電壓之間的電壓范圍內(nèi)的任何電壓可以被選擇性地編程和存儲。afg電容器370可操作以經(jīng)由afg編程控制360被編程。

電源接口350可選地包括用于輸入端子(例如，引腳或焊盤)的焊盤(例如，包括用于靜電放電保護的電路)，該輸入端子可操作以接收工作電力、用于編程非易失性存儲器(諸如afg電容器370)的相對高的電壓和用于編程和/或讀取非易失性存儲器的內(nèi)容的控制信號?？刂菩盘柨蛇x地從用于編程和檢索非易失性存儲器的內(nèi)容的處理器(例如，執(zhí)行指令以將cpu112轉(zhuǎn)變成專用機器)中接收。

afg編程控制器(afgprogcontr)360可操作以從電源接口370接收控制信號和編程電壓。afg編程控制器360(例如，本身)可選地包括非易失性存儲器，使得afg編程控制器360可操作以鑒于復(fù)位、停電和/或掉電狀況成功地實現(xiàn)編程和檢索afg電容器370的內(nèi)容。

afg電容器370為量子隧穿電荷存儲設(shè)備并且包括多晶硅(聚乙烯)浮柵372，其形成于氧化物層(未示出)之上，氧化物層進(jìn)而形成于襯底380之上。多晶硅(聚乙烯)浮柵372、第一氧化物層(未示出)和襯底380形成諸如信號電容器374的結(jié)構(gòu)。信號電容器374可操作作為非易失性存儲器，其中在存在(例如，通過afg可編程控制器360)施加至氧化物層的強隧穿場時正隧穿端子382和負(fù)隧穿端子384可操作以將電荷注入到信號電容器374中。強隧穿場通過向控制柵極(未示出)施加相對高的電壓來生成，該控制柵極形成于第二氧化物層(未示出)之上，該第二氧化物層進(jìn)而形成于多晶硅浮柵372之上。

感測晶體管376在被激活時可操作以在感測晶體管376的漏極處形成電壓，其中形成的電壓具有根據(jù)存儲于信號電容器374中的電荷形成的模擬量級。感測晶體管376的漏極耦合到單一增益放大器388緩存器和比較器340的輸入。感測晶體管376的漏極所耦合到的外部輸入為高阻抗輸入。高阻抗輸入通常耦合(例如，連接)到cmos晶體管的柵極，使得感測晶體管376的漏極電流(例如，總的直流)大體為零(例如，不具有到地的dc路徑)。感測晶體管376可以被形成為可操作以控制比較器340的差分放大器的一個臂(或“側(cè)”)的輸入晶體管406(以下參考圖4討論)和/或被形成為單一增益放大器388的輸入晶體管(未示出)，其中晶體管每個分別控制差分放大器的一個臂(或“側(cè)”)。例如，多晶硅浮柵372(例如，形成信號電容器374的一個板)可以經(jīng)由多晶硅(其具有與制成多晶硅浮柵372的材料相同類型的材料)的傳導(dǎo)性結(jié)構(gòu)耦合到輸入晶體管的柵極。

單一增益(ug)放大器388是可操作以(例如，在不耗用來自感測晶體管376的電流的情況下)感測在感測晶體管376的漏極處形成的電壓并且主動放大感測的電壓以生成afg感測信號(和/或用于生成電流基準(zhǔn))作為用于受保護電路系統(tǒng)的相對穩(wěn)定的基準(zhǔn)信號iref的緩存器。因此，在從信號電容器374汲取大體上零電流時，存儲在信號電容器374上的電荷可以被遠(yuǎn)程地(例如，通過相對遙遠(yuǎn)的無論是否在公用襯底上的電路系統(tǒng))感測和/或采樣。

比較器340可操作以將經(jīng)整形的工作電壓與在感測晶體管376的漏極處形成的(例如，閾值或跳變點)電壓進(jìn)行比較。因此，通過以用于在感測晶體管374的漏極處形成模擬電壓閾值的模擬電荷水平編程信號電容器372來無損地存儲用于指定“最小”工作電壓的模擬電壓閾值。當(dāng)經(jīng)整形的工作電壓下降到模擬電壓閾值以下時，比較器340可操作以觸發(fā)，使得生成用于保護操作電路系統(tǒng)(包括被上電的部分操作電路系統(tǒng))免受潛在的有害操作的復(fù)位信號。

脈沖擴展器390被布置以接收比較器340的輸出的有源轉(zhuǎn)變(activetransition)并且生成輸出脈沖(例如，脈沖復(fù)位信號)。輸出脈沖被擴展使得避免虛假轉(zhuǎn)變和/或為受保護的電路系統(tǒng)提供足夠的時間以適當(dāng)?shù)仨憫?yīng)適當(dāng)?shù)墓ぷ麟妷旱幕謴?fù)。緩存器392可操作以緩存脈沖復(fù)位信號，使得遠(yuǎn)程電路系統(tǒng)(其可以包括許多輸入和/或長的凈長度)可以適當(dāng)?shù)亟邮彰}沖復(fù)位信號。

圖4為根據(jù)本公開的實施例的用于包括基于afg電壓基準(zhǔn)的低功率復(fù)位電路的比較器的示意圖。比較器400包括晶體管402、晶體管404、晶體管406、晶體管412、晶體管414、晶體管416、晶體管422、晶體管424、晶體管426、晶體管428、晶體管452和晶體管454。比較器400的“頭部”包括遲滯電路420(其在下文參考圖6描述)，該遲滯電路420通?？刹僮饕詭椭偈筶eft反饋信號至低于right反饋信號的電勢的電勢。

到比較器400的輸入分別耦合到晶體管406和晶體管416的柵極。晶體管406和晶體管416是具有模擬浮柵(afg)的nmos晶體管，其幫助確保大體零電流。整形器430(其為諸如整形器330的整形器)的輸出是用于提供工作電壓(例如，vdd)的電流(例如，現(xiàn)有)水平的經(jīng)整形的指示的整形波形，并且其耦合到晶體管406的柵極。電壓源vtrip(其為基準(zhǔn)電壓，諸如響應(yīng)于由長期存儲afg電容器370設(shè)備生成的電壓在晶體管376的漏極處啟用的電壓)的輸出用于提供要被用作跳變點(例如，觸發(fā)器閾值)的可編程存儲電壓水平，并且其耦合到晶體管406的柵極。

afg晶體管406和416具有耦合到公共(例如，尾電流)電流源的源極，其在亞閾值模式下操作(例如，使得處于亞閾值模式下的晶體管在弱反轉(zhuǎn)區(qū)操作)，并且其控制(例如，限制)尾電流ibias。在實施例中，比較器400在亞閾值模式下的操作通常導(dǎo)致比較器400汲取大約1至10毫微安的尾電流(例如，其大體上小于可能以其它方式通過晶體管406和晶體管416攜帶的電流)。

為了幫助建立比較器400反饋電路系統(tǒng)(包括遲滯電路420)的穩(wěn)定邏輯狀態(tài)，iboot電流源440被布置以通過在比較器的上電期間用iboot電流補充來自電流源442的ibias電流提升尾電流。iboot電流源440例如響應(yīng)于由vdd的電壓水平的正轉(zhuǎn)換速率的整形器300(或以下討論的整形器500)檢測到的上電事件而被激活。

移位器電路450(其包括晶體管452和晶體管454)為電平移位器，其可操作以響應(yīng)于由right反饋信號和left反饋信號的各自的電勢維持的邏輯狀態(tài)來驅(qū)動反相輸出或非反相輸出的邏輯輸出。因此，在一種狀態(tài)下，邏輯“一”(高)輸出具有為vdd的電壓并且邏輯“零”低于vdd與晶體管402和晶體管404的電壓閾值之差，并且在第二狀態(tài)下，邏輯“一”(高)輸出具有為vdd的電壓，并且邏輯“零”低于vdd與晶體管412和晶體管414的電壓閾值之差。pmos設(shè)備402和pmos設(shè)備404被形成為一個pmos配置的二極管負(fù)載而pmos設(shè)備412和pmos設(shè)備414被形成為另一個pmos配置的二極管負(fù)載。pmos配置的二極管可操作連同交叉耦合的晶體管424和晶體管428作為電壓鉗位。因此，在節(jié)點left和right處的電壓水平通常被限制到vdd與vdd-vt之間的電壓。

為了提供從vss到vdd的全軌“擺動”，移位器電路可操作以使較小的擺動(其接近大約vdd-vt的水平)變換(例如，電平移位)為全擺動(其接近大約vdd的水平)。當(dāng)比較器400的左側(cè)為“高”時，節(jié)點left擺動到vdd并且節(jié)點right擺動到vdd-vt，而當(dāng)比較器400的左側(cè)為“低”時，節(jié)點left擺動到vdd-vt并且節(jié)點right擺動到vdd。晶體管402、晶體管404和晶體管452將output-(例如，負(fù)輸出信號)變換為vdd或0v(例如，vss)，而晶體管412、晶體管414和晶體管454將output+(例如，正輸出信號)變換為0v或vdd。因此，移位器電路450可操作以根據(jù)軌到軌(vss對vdd)電平移位來輸出信號。

在比較器400的(例如，初始)上電之后(并且在掉電事件之前)，left反饋信號處于比right反饋信號更低的電勢。因為(例如，如由在晶體管406的柵極處啟用的電壓所指示的)工作電壓大于(例如，如從afg電容器370中生成的)跳變點基準(zhǔn)電壓，所以left反饋信號處于比right反饋信號更低的電勢。當(dāng)工作電壓降到跳變點(例如，閾值)電壓以下時，right反饋信號被驅(qū)動至比left反饋信號更高的電勢(例如，因此觸發(fā)掉電復(fù)位信號)。

如以下參考圖6所描述的，在掉電恢復(fù)事件期間關(guān)于在right反饋信號與left反饋信號之間施加(例如，電流饑餓(current-starved))遲滯。所施加的遲滯幫助避免在可能的電源(例如，再次)故障事件中過早釋放(例如，掉電)復(fù)位信號，并且?guī)椭雎砸鸨容^器輸出觸發(fā)高和低(例如，在高與低之間反復(fù)失靈)的諸如來自電源的噪聲電壓的微小擾動。因此，所施加的遲滯可操作以在輸入電壓改變足夠的量(例如，所施加的遲滯的量)并且比較器已經(jīng)達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)時觸發(fā)。

圖5為根據(jù)本公開的實施例的用于響應(yīng)于工作電壓生成用于復(fù)位電路的整形波形的整形器的示意圖。整形器500是諸如整形器300的整形器。整形器500包括大體零電流工作電壓檢測器510(例如，用于在上電期間生成工作電壓vdd的指示)和大體零電流反相器520(例如，用于緩存工作電壓指示器的輸出)。整形器500可操作以生成用于指示耦合到節(jié)點vdd的電壓(例如，其瞬時模擬測量值)的整形波形。

檢測器510包括電源(例如，正)vdd輸入和(例如，負(fù))vss輸入(例如，使得電流通過vdd輸入節(jié)點流進(jìn)并且至少部分通過vss節(jié)點流出)。vdd輸入被耦合到檢測器510的第一pmos晶體管和第二pmos晶體管的源極、電容器c1的正端子和反相器520的偏置電流源“istrave”。偏置電流源istrave在亞閾值模式下操作(例如，使得處于亞閾值模式的晶體管在弱反轉(zhuǎn)區(qū)操作)，其控制流過晶體管526的電流(例如，限制流過晶體管526的電流和/或使流過晶體管526的電流缺乏)。

第一pmos晶體管512包括耦合到柵極、第二pmos晶體管514的漏極、nmos晶體管516的柵極的漏極，并且用于響應(yīng)于所施加的vdd生成第一控制電流。第二pmos晶體管514可操作以響應(yīng)于在電容器c1的負(fù)端子處形成的電壓生成第二控制電流。第一電流和第二電流不具有到地的直流電路徑并且可操作以控制nmos晶體管516的溝道。nmos晶體管516包括耦合到第二pmos晶體管514的柵極的漏極和被電流源istarve1偏置的源極。

反相器520包括pmos晶體管526和nmos晶體管528。pmos晶體管526的源極被耦合以接收饑餓偏置電流(istarve)并且nmos晶體管528的源極被耦合以接收饑餓偏置電流(istarve2)。pmos晶體管526和nmos晶體管528的柵極兩者均耦合到電容器c1的負(fù)端子。因此，(除了切換時間以外)在某一時間pmos晶體管526和nmos晶體管528中的僅一個通常是有效的，并且反相器520的邏輯輸出與耦合到pmos晶體管526和nmos晶體管528的柵極的邏輯輸入的狀態(tài)相反。

整形器500的饑餓電流源幫助確保整形器500的晶體管在亞閾值模式下操作。在亞閾值模式下操作幫助確保在正常操作下消耗(例如，大體上)零靜態(tài)功率。進(jìn)一步，由整形器500的饑餓電流源提供的偏置的量類似于由比較器400的饑餓電流源提供的偏置的量。由此類饑餓電流源提供的偏置的量的相似性幫助確保在上電時間期間比較器400與整形器500之間的類似的操作。例如，類似的操作包括諸如生成工作電壓的轉(zhuǎn)換速率依賴延遲指示的操作，以向比較器400尾電流提供足夠的時間，從而也針對準(zhǔn)確的比較器操作而斜變。

在操作中，向電路(例如，在上電時間和電力掉電期間要復(fù)位保護的電路)施加電力引起電壓vdd從大約零伏上升到正常工作電壓。最初，檢測器510和反相器520中所有的電路節(jié)點通常都被放電至vss。當(dāng)施加電力時，施加至電容器c1的正端子的vdd的(例如，正)轉(zhuǎn)換速率最初將電容器c1的負(fù)端子感應(yīng)至負(fù)邏輯狀態(tài)。正邏輯狀態(tài)防止第二pmos晶體管514傳導(dǎo)并且將反相器520的輸出的邏輯狀態(tài)強制為負(fù)邏輯狀態(tài)。

隨著整形器500的輸入(vdd)向上斜變，電容器c1朝向vdd驅(qū)動(例如，ac-耦合)電容器c1的負(fù)端子，這最初切斷pmos514并且接通nmos528。當(dāng)接通nmos528時，作為響應(yīng)將輸出(經(jīng)整形的vdd)驅(qū)動至vss。因此，經(jīng)整形的vdd(其現(xiàn)在被驅(qū)動至低電平)耦合到比較器以指示電源輸入電壓為低。隨著輸入vdd進(jìn)一步上升，pmos設(shè)備512和istarve1電流源兩者皆接通。因此，nmos516的柵極開始追蹤標(biāo)稱vdd水平(例如，其是vdd減去由于二極管配置的pmos結(jié)構(gòu)512產(chǎn)生的vt的量)。當(dāng)vdd達(dá)到vdd-vt時，nmos516的柵極電壓足以接通nmos516。當(dāng)nmos516接通時，電容器c1的負(fù)節(jié)點朝向vss下拉。響應(yīng)于電容器c1的負(fù)節(jié)點被下拉，pmos514接通，這將nmos516的柵極完全拉高(例如，從vdd-vt到vdd)。當(dāng)nmos516的完全為高時，nmos528的柵極為vss，這使nmos528斷開同時使pmos526接通，這開始上拉經(jīng)整形的vdd輸出(其耦合到電容器c2的正端子)的電壓。因此，相對平緩(例如，緩慢)斜變的延遲輸入被生成并且被耦合到比較器340的第一(例如，頂部)輸入的nmos406的柵極。

隨著電壓vdd接近正常工作電壓，vdd的轉(zhuǎn)換速率顯著降低。當(dāng)vdd的轉(zhuǎn)換速率顯著降低并且指示正邏輯狀態(tài)的電壓經(jīng)由nmos晶體管516被顯著下拉時，電容器c1的負(fù)端子的邏輯狀態(tài)被改變?yōu)樨?fù)邏輯狀態(tài)。目前的負(fù)邏輯狀態(tài)將反相器520的輸出的邏輯狀態(tài)強制為正邏輯狀態(tài)(例如，其給電容器c2充電)并且切斷第二pmos晶體管514。因此，當(dāng)vdd的轉(zhuǎn)換速率為正時，反相器520的輸出可操作以提供工作電壓的延遲指示。

例如，整形器500可操作以在vdd的(例如，初始)斜變期間提供工作電壓的延遲指示，使得比較器340和/或比較器400不響應(yīng)于工作電壓的相對高的轉(zhuǎn)換速率的斜變而輸出虛假轉(zhuǎn)變。當(dāng)?shù)奖容^器的電力施加(例如，在上電期間)以相對快的轉(zhuǎn)換速率被直接施加至比較器時，比較器將(例如，以其它方式)生成虛假輸出。該虛假輸出可能由比較器響應(yīng)于(例如，邏輯上)不安全的操作狀況而生成，其中在給比較器上電時施加至反相輸入的較快上升的工作電壓超過施加至非反相輸入的較慢上升的跳變點閾值電壓。因此，在工作電壓vdd的上電斜變期間，通過整形器500延遲到比較器400的工作電壓的經(jīng)整形的指示。

在工作電壓vdd的上電斜變期間(例如，當(dāng)vdd的轉(zhuǎn)換速率為正時)(例如，由于電容器c1和電容器c2的充電產(chǎn)生的)緩慢的充電電流522被生成。然而，vdd在掉電的初始部分期間表現(xiàn)出負(fù)轉(zhuǎn)換速率。如以上所討論的，掉電狀況可能由瞬變引起，該瞬變具有大體上少于上電斜變時間的很多(如果不是大部分的話)持續(xù)時間的持續(xù)時間。(因此，依賴于工作電壓的低通濾波來確定復(fù)位釋放時間的常規(guī)復(fù)位電路可能濾除可能造成以其它方式旨在由復(fù)位電路系統(tǒng)保護的電路系統(tǒng)的不適當(dāng)操作的瞬變。)

在掉電的初始部分(例如，在其中vdd波形具有負(fù)轉(zhuǎn)換速率的vdd的瞬變的初始部分)期間生成用于524的快速放電(例如，歸因于由pmos晶體管526的體二極管提供的放電路徑)。因此，在施加至反相器520的工作電壓在掉電的初始部分中開始下降時，電容器c2快速放電。電容器c2的快速放電幫助確保例如反相器520的邏輯輸出快速地啟用(例如，低位有效)復(fù)位信號，該復(fù)位信號既適合于在變化長度的電源斜變期間使電路系統(tǒng)保持在復(fù)位狀態(tài)又適合于在快速瞬變掉電事件中的保護電路系統(tǒng)。

圖6為根據(jù)本公開的實施例的低功率復(fù)位電路中的比較器中的遲滯控制的示意圖。遲滯比較器600為包括晶體管610、晶體管620、晶體管670和晶體管680、遲滯控制器602和饑餓尾電流源690的差分放大器。遲滯控制器602包括晶體管630、晶體管640、晶體管650和晶體管660。饑餓尾電流源690是諸如電流源440和電流源442(以及以下討論的尾電流升壓器740)的電流源。

在操作中，使用偏置電壓vgp(pmos晶體管的跨導(dǎo)電壓)來偏置pmos晶體管630和pmos晶體管650，這接通晶體管(例如，在亞閾值模式下)。pmos晶體管630和pmos晶體管630的漏極分別耦合到交叉耦合的遲滯pmos晶體管640和遲滯pmos晶體管660。當(dāng)最初向遲滯比較器600施加電力(并且經(jīng)整形的vdd信號超過vtrip信號的水平)時，遲滯控制器602可操作以將節(jié)點right強制為高狀態(tài)并且將節(jié)點left強制為低狀態(tài)。因此，在(例如，正常)上電之后，遲滯比較器600最初將right節(jié)點的狀態(tài)保持為高并且將left節(jié)點的狀態(tài)保持為低。

在電源(例如，給遲滯比較器600供電的電源)崩潰事件中，left節(jié)點和right節(jié)點兩者的電壓都下降，并且左側(cè)比較器輸入(經(jīng)整形的vdd，其耦合到pmos晶體管660的柵極)也下降。然而，當(dāng)所施加的工作電力下降時，遲滯意在防止right節(jié)點被右側(cè)比較器輸入(例如，容易地)下拉到低狀態(tài)。因此，在沒有饑餓尾電流源690(以下所述)的情況下，可能不能以其它方式檢測到掉電狀況。

為了幫助避免掉電(例如，相對急劇的vdd下降和上升，其至少危害電氣電路的安全操作)的潛在不利影響，遲滯比較器600可操作以檢測掉電狀況。饑餓尾電流源690可操作以“阻斷”(例如，中斷)由nmos晶體管670或nmos晶體管680耗用的電流。通過實施電流中斷遲滯來阻斷遲滯強度，使得比較器輸入可以壓倒(overpower)反饋遲滯的強度并且切換left節(jié)點和right節(jié)點的狀態(tài)。

例如，在正常操作狀況期間由pmos晶體管660產(chǎn)生電流604。通過接通nmos晶體管670使晶體管660的柵極保持為低。隨著左側(cè)輸入(經(jīng)整形的vdd)電壓從高電壓(例如，3.7伏)下降到低于(例如，處于恒定的1.5伏)的右側(cè)輸入(afg)的水平，從晶體管670耗用的電流隨著晶體管接切斷減少。響應(yīng)于來自晶體管670的減少的電流，饑餓尾電流源690愈加能夠吸收通過晶體管680的電流604中的更多電流(例如，如電流606)。因此，隨著vdd下降，從晶體管680吸收較大量的電流幫助確保轉(zhuǎn)變遲滯比較器600的狀態(tài)，使得可以檢測到掉電狀況(例如，當(dāng)以其它方式保持left節(jié)點低于right節(jié)點時將不檢測到掉電)。

圖7為說明根據(jù)本公開的實施例的低功率復(fù)位信號電路中的整形器和比較器的互操作的示意圖。復(fù)位信號電路700包括(例如)整形器330和比較器(例如，用于將經(jīng)整形的vdd與大體“零電流”電壓基準(zhǔn)進(jìn)行比較以檢測工作電壓的欠壓狀況)。整形器330類似于整形器500并且可操作以生成用于指示工作電壓的現(xiàn)有水平的變化的經(jīng)整形的波形。比較器400可操作以生成信號(例如，“vdd不安全)750，以指示應(yīng)施加和維持復(fù)位信號使得由復(fù)位信號保護的電路系統(tǒng)大體被保護免于在不安全工作電壓(例如，其可由掉電或電源崩潰造成)下操作。復(fù)位信號電路700包括用于在影響整形器300和比較器400的各種工作電壓狀況下提供安全操作的至少兩個聯(lián)鎖特征部。

例如，第一聯(lián)鎖電路在其中到比較器400的輸入(例如，經(jīng)整形的vdd)被直接施加至比較器400的差分級(例如，左側(cè))的nmos晶體管406的柵極的情形中提供安全操作。當(dāng)?shù)奖容^器的輸入上升非?？?例如，在電源斜變期間比較器400可以完全接通之前)時，輸入可能已經(jīng)超過要進(jìn)行比較的afg電壓(vtrip)，其耦合到比較器400的差分級(例如，右側(cè))的nmos晶體管416的柵極。在比較器完全接通(并且缺乏第一聯(lián)鎖電路)的此類情形下，比較器通常將以其它方式提供輸入“已經(jīng)”大于閾值vtrip的指示。因此，比較器通常將遺漏指示這樣的事實，即在電源斜變的初始部分期間，在電源的初始持續(xù)時間斜變的輸入事實上低于vtrip。

因此，整形器330(連同延遲單元710)包括用于“整形”vdd的波形由此使得比較器400可操作以檢測在比較器400被完全上電之前發(fā)生的vdd的自下而上vtrip轉(zhuǎn)變的第一聯(lián)鎖電路和方法。進(jìn)一步，聯(lián)鎖電路向比較器400發(fā)送信號，使得比較器400最初可以指示輸入電壓低于vtrip電壓(在轉(zhuǎn)變之前)，并且隨后指示輸入高于vtrip電壓(在轉(zhuǎn)變之后)。因此，比較器400可操作以在比較器400的輸出處生成用于指示在比較器400由斜變的電源完全上電之前發(fā)生的vdd的自下而上vtrip轉(zhuǎn)變的從低到高轉(zhuǎn)變。

比較器接通(例如，達(dá)到比較器做出有效比較時的工作電壓)的速度(例如，時間長度)是偏壓發(fā)生器320的偏置電流(例如，ibias)接通時間的函數(shù)。根據(jù)集成電路的工藝強度、電壓和溫度，偏壓發(fā)生器320的偏置電流接通時間變化，使得生成的信號ibias(例如，以上參考圖4討論的)的接通時間也可以相對快速或緩慢地接通。比較器的相對快速的接通時間通常將防止在比較器400被完全上電之前發(fā)生vdd的自下而上vtrip轉(zhuǎn)變。然而，ibias的相對緩慢的接通時間(例如，由緩慢的電源斜變造成的)可能引起比較器的緩慢的接通時間(如果沒有第一聯(lián)鎖電路)，這將以其它方式遺漏在比較器被完全上電之前發(fā)生的vdd從低于vtrip電壓到高于vtrip電壓的轉(zhuǎn)變的檢測或指示。

為了避免遺漏在比較器被完全上電之前發(fā)生的從低于vtrip電壓到高于vtrip電壓的轉(zhuǎn)變的檢測，當(dāng)偏壓發(fā)生器320緩慢生成輸出整形電壓時通過整形器330(和/或延遲單元710)來延遲饋給比較器柵極406的輸入。整形器330可操作以接收來自偏壓發(fā)生器的偏置電壓、響應(yīng)于偏置電壓輸出生成用于指示工作電壓的經(jīng)整形的信號以及輸出經(jīng)整形的信號以便耦合到晶體管406的比較器柵極。例如，整形器在檢測器510的端子vdd處接收工作電壓(參見圖5)并且延遲耦合的工作電壓通過檢測器510、電容器c1、反相器520和電容器c2的傳播。然后反相器520的輸出(“經(jīng)整形的vdd”)耦合到比較器柵極406的輸入。當(dāng)“經(jīng)整形的vdd”信號為低時，信號“經(jīng)整形的vdd”指示vdd的“不安全的”低水平，并且當(dāng)“經(jīng)整形的vdd”信號為高時，指示vdd的安全的(例如，足夠高的)水平。

因此，第一聯(lián)鎖可操作使得偏壓發(fā)生器320和比較器400的接通時間都與整形器330改變經(jīng)整形的信號的電壓的速度有關(guān)，使得聯(lián)鎖部件(例如，320、400和330)中的每個都共同減慢或加速。

第二聯(lián)鎖例如可操作以便如果偏壓發(fā)生器330大體緩慢斜變則提供安全的(例如，邏輯上一致的)操作，其向比較器400尾電流供應(yīng)電流。比較器400尾電流“ibias”來源于偏壓發(fā)生器模塊320(例如，而不是直接來源于系統(tǒng)vdd)。當(dāng)系統(tǒng)電源(例如，供應(yīng)系統(tǒng)vdd)相對緩慢地斜升時，偏壓發(fā)生器330也相對緩慢地斜升，這危害比較器400的安全操作。

因此，第二聯(lián)鎖電路和方法包括尾電流升壓器使得比較器具有額外的(例如，除尾電流ibias之外的)電流“iboost”，使得比較器可以更快速地啟動。尾電流升壓器740可操作以在啟動時暫時地施加電流iboost，直到比較器400被充分上電。在實施例中，尾電流升壓器740響應(yīng)于從偏壓發(fā)生器330接收的偏置電壓的上升使得最初向比較器400施加電力時尾電流升壓器740可操作以提升尾電流。響應(yīng)于比較器被上電(例如，使得比較器400達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài))，尾電流升壓器740可操作以切斷(和/或阻塞)電流iboost(例如，以減少功率消耗)。

當(dāng)iboost和ibias兩者皆接通時，比較器的功率消耗增加，這可以更快地耗盡所存儲的系統(tǒng)電力。為了增強電力保存，第二聯(lián)鎖幫助確保在偏壓發(fā)生器320上電時，ibias電流源422完全接通。用于接合ibias電流源的信號(例如，通過尾電流升壓器740)被轉(zhuǎn)發(fā)給iboost440，使得一旦尾電流ibias完全由ibias電流源442供給時，iboost電流被解除。因此，偏壓發(fā)生器320和比較器400的操作都與整形器330速度有關(guān)，由此使得聯(lián)鎖部件(例如，320、400和330)中的每個都相互依賴地操作，以確保比較器40的安全操作并且保存系統(tǒng)電力。

圖8為根據(jù)本公開的實施例的低功率復(fù)位信號電路中容性耦合電路的示意圖。容性耦合電路800包括差分放大器輸入afgnmos晶體管416(耦合到比較器400的right節(jié)點)和差分放大器輸入afgnmos晶體管406(耦合到比較器400的left節(jié)點)。屏蔽電路也包括afgnmos耦合電容器816。耦合電容器816是其中源極和漏極耦合在一起(并且還耦合到比較器400的right節(jié)點)的afg晶體管，使得在其中晶體管的端子形成電容器的端子并且柵極氧化物形成電介質(zhì)的情況下形成電容器。因此，耦合電容器816的柵極部分耦合(例如，連接)到經(jīng)整形的vdd信號，使得經(jīng)整形的vdd信號經(jīng)由用柵極氧化物形成的電介質(zhì)(例如，寄生地)容性耦合到right節(jié)點。

晶體管406和晶體管416形成比較器400的差分輸入臂(例如，頭部的左電流路徑和右電流路徑)。經(jīng)整形的vdd輸入信號耦合到晶體管406的柵極而vtrip輸入信號耦合到晶體管416的柵極。如上所述，根據(jù)在晶體管406和晶體管416的柵極處的哪個輸入電壓較高，比較器400將“跳變”(例如，轉(zhuǎn)變狀態(tài))到相應(yīng)的邏輯狀態(tài)。

當(dāng)耦合到晶體管406和晶體管416的柵極的兩個輸入轉(zhuǎn)變時，比較器(諸如圖4所說明的比較器400)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)通常安全地工作(例如，使得寄生元件的存在不影響正常操作)。然而，在圖4的實施例中，416的柵極上的vtrip水平在操作期間通常為靜態(tài)和/或恒定電壓。相反，406的柵極上的輸入電壓大體上響應(yīng)于例如被提供作為由電源提供的信號(例如，本身)和/或電力軌(例如vdd)的工作電壓的任何變化而移動(例如，如上升和下降)。信號經(jīng)整形的vdd的移動引起經(jīng)整形的vdd信號的顯著部分寄生地容性耦合到比較器的left節(jié)點。當(dāng)在(例如，低電流)亞閾值模式下操作時和/或在最初施加(例如，和/或幾乎移除)電力時，由于寄生耦合造成的潛在不利影響(諸如，比較器以理論上不正確的值切換狀態(tài))實質(zhì)上較大。

耦合電容器816可操作以大幅減少寄生容性耦合的不利影響，這可以大幅降低電容器400測量的準(zhǔn)確性。屏蔽電容器可操作以通過將從經(jīng)整形的vdd信號發(fā)射的噪聲容性耦合到比較器400的right臂來寄生地接收如此發(fā)射的“噪聲”。在比較器的right臂上的類似的容性耦合模擬到left臂的容性耦合，使得公共節(jié)點(例如，噪聲)抑制增強比較器400的組合輸入的信噪比。

上述各種實施例僅以說明的方式提供并且不應(yīng)被解釋為限制所附的權(quán)利要求。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易地認(rèn)識到，可以在不遵循本文所說明和描述的示例實施例和應(yīng)用的情況下做出各種修改和改變，并且不背離所附權(quán)利要求的真實精神和范圍。