一種功率檢測電路及檢測方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電路設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種功率檢測電路及檢測方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著通信技術(shù)的不斷發(fā)展，無線通信技術(shù)也越來越成熟，射頻功率放大器是各種無線通信系統(tǒng)中不可或缺的關(guān)鍵器件，它主要用于將收發(fā)信機(jī)輸出的已調(diào)制射頻信號進(jìn)行功率放大，以得到滿足無線通信需求的射頻信號。在實(shí)際應(yīng)用過程中，通常需要對射頻功率放大器輸出的射頻信號進(jìn)行功率檢測，從而為無線通信系統(tǒng)的精確控制提供依據(jù)?，F(xiàn)有技術(shù)中通常采用的射頻功率檢測電路如圖1所示，所述射頻功率放大器輸出的射頻信號通過所述檢測電路的信號輸入端RFIN輸入，經(jīng)過二極管D的整流和由電阻R和電容C組成的RC濾波電路的濾波后得到輸出電壓值，通過所述檢測電路的信號輸出端VOUT輸出，所述輸出電壓值的大小可以表征所述射頻功率放大器輸出功率的高低。
[0003]但是由于所述二極管D自身的特性決定，只有當(dāng)射頻功率放大器輸出的射頻信號的功率值大于一定值時(shí)才會使所述二極管D導(dǎo)通。假設(shè)所述二極管D的導(dǎo)通電壓為0.7V，那么只有在射頻功率放大器輸出的射頻信號的功率大于等于6.9dBm時(shí)才會使得所述二極管D導(dǎo)通，也就是說當(dāng)所述射頻功率放大器輸出的射頻信號的功率較小時(shí)，所述檢測電路無法檢測所述射頻功率放大器輸出的射頻信號的功率，因此所述檢測電路的功率檢測范圍較小，難以為無線通信系統(tǒng)的精確控制提供準(zhǔn)確依據(jù)。
[0004]因此，亟需一種功率檢測范圍較大的射頻功率檢測電路。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種功率檢測電路，所述功率檢測電路的功率檢測范圍較大。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，本發(fā)明實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案:
[0007]—種功率檢測電路，用于射頻功率放大器輸出功率的檢測，所述檢測電路包括:偏置單元和跟隨放大單元;其中，
[0008]所述偏置單元包括第一電阻，所述第一電阻的一端作為所述檢測電路的參考電壓輸入端，另一端與所述跟隨放大單元連接；
[0009]所述跟隨放大單元包括第一電容、第一晶體管和濾波模塊，所述第一電容的一端作為所述檢測電路的射頻信號輸入端，另一端同時(shí)與所述第一電阻及所述第一晶體管的基極電連接;所述第一晶體管的集電極作為所述檢測電路的電源輸入端，其發(fā)射極與所述濾波模塊的一端電連接，并作為所述檢測電路的信號輸出端，所述濾波模塊的另一端作為所述檢測電路的接地端；
[0010]所述偏置單元用于將所述第一晶體管偏置在放大狀態(tài)，所述第一晶體管對所述射頻功率放大器輸入的射頻信號進(jìn)行放大后傳送給所述濾波模塊，所述濾波模塊對放大后的射頻信號進(jìn)行濾波后獲得輸出電壓信號，所述輸出電壓信號通過所述檢測電路的信號輸出端輸出。
[0011]優(yōu)選的，所述跟隨放大單元還包括第二電阻，所述第二電阻接于所述第一電容與所述檢測電路射頻信號輸入端之間，用于使所述檢測電路與所述射頻功率放大器之間的阻抗匹配。
[0012]優(yōu)選的，所述偏置單元還包括第二晶體管，所述第二晶體管的第一極接于所述第一電阻一端，其第二極接于所述第一電容和第一晶體管的連接節(jié)點(diǎn)。
[0013]優(yōu)選的，所述偏置單元還包括溫度補(bǔ)償模塊，所述溫度補(bǔ)償模塊的一端接于所述第一電阻與所述第二晶體管的連接節(jié)點(diǎn)，另一端與所述檢測電路的接地端電連接，用于為所述檢測電路提供溫度補(bǔ)償。
[0014]優(yōu)選的，所述溫度補(bǔ)償模塊包括:第三晶體管、第四晶體管和第三電阻;其中，
[0015]所述第三晶體管的第一極接于所述第二晶體管的第一極和第一電阻的連接節(jié)點(diǎn)，其第二極同時(shí)與所述第四晶體管的第一極電連接;所述第四晶體管的第二極與所述第三電阻的一端電連接，所述第三電阻的另一端作為所述檢測電路的接地端；
[0016]所述溫度補(bǔ)償模塊用于為所述檢測電路提供溫度補(bǔ)償。
[0017]優(yōu)選的，所述第一晶體管為金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管或異質(zhì)結(jié)雙極晶體管或高電子迀移率晶體管；
[0018]所述第二晶體管為金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管或異質(zhì)結(jié)雙極晶體管或高電子迀移率晶體管或基極發(fā)射極結(jié)二極管；
[0019]所述第三晶體管為金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管或異質(zhì)結(jié)雙極晶體管或高電子迀移率晶體管或基極發(fā)射極結(jié)二極管；
[0020]所述第四晶體管為金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管或異質(zhì)結(jié)雙極晶體管或高電子迀移率晶體管或基極發(fā)射極結(jié)二極管；
[0021]若所述第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管為金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管或異質(zhì)結(jié)雙極晶體管或高電子迀移率晶體管，其第一極為基極和集電極，第二極為發(fā)射極;若所述第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管為基極發(fā)射極結(jié)二極管，則其第一極為正極，第二極為負(fù)極。
[0022]優(yōu)選的，所述偏置單元還包括第二電容，所述第二電容的一端接于所述第一電阻、第二晶體管和第三晶體管的連接節(jié)點(diǎn)，另一端接于所述檢測電路的接地端，用于穩(wěn)定所述偏置單兀的靜態(tài)工作點(diǎn)。
[0023]優(yōu)選的，所述檢測電路還包括分壓單元，所述分壓單元包括第四電阻和第五電阻；其中，
[0024]所述第四電阻的一端接于所述第一晶體管的發(fā)射極與所述濾波模塊的連接節(jié)點(diǎn)，另一端接于所述檢測電路的信號輸出端；
[0025]所述第五電阻的一端接于所述第四電阻與所述檢測電路信號輸出端的連接節(jié)點(diǎn)，另一端接于所述檢測電路的接地端；
[0026]所述分壓單元用于調(diào)節(jié)所述輸出電壓信號的幅值。
[0027]優(yōu)選的，所述濾波模塊包括第三電容和第六電阻，所述第三電容和第六電阻并聯(lián)，一端與所述第一晶體管的發(fā)射極電連接，另一端與所述檢測電路的接地端電連接。
[0028]—種功率檢測方法，應(yīng)用于上述實(shí)施例所述的檢測電路，用于檢測射頻功率放大器的輸出功率，所述射頻功率放大器包括信號輸入端、信號輸出端、參考信號輸入端、電源輸入端、第一級放大單元、第二級放大單元和第三級放大單元，所述檢測方法包括:
[0029]將所述檢測電路的參考電壓輸入端與所述射頻功率放大器的參考信號輸入端電連接，將所述檢測電路的電源輸入端與所述射頻功率放大器的電源輸入端電連接，將所述檢測電路的射頻信號輸入端與所述第一級放大單元或第二級放大單元或第三級放大單元的輸出端電連接；
[0030]啟動(dòng)所述檢測電路和射頻功率放大器，通過所述檢測電路的信號輸出端獲得輸出電壓信號，所述輸出電壓信號表征所述射頻功率放大器的輸出功率。
[0031]優(yōu)選的，將所述檢測電路的射頻信號輸入端與所述第一級放大單元或第二級放大單元或第三級放大單元的輸出端電連接為將所述檢測電路的射頻信號輸入端與所述第二級放大單元的輸出端電連接。
[0032]從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種功率檢測電路及檢測方法；其中，所述檢測電路包括偏置單元和跟隨放大單元，當(dāng)所述檢測電路的參考電壓輸入端輸入?yún)⒖茧妷簳r(shí)，所述偏置單元將所述第一晶體管偏置在放大狀態(tài);通過所述檢測電路的射頻信號輸入端輸入的射頻信號經(jīng)過所述第一晶體管的放大后傳送給所述濾波模塊，所述濾波模塊對放大后的射頻信號進(jìn)行濾波后獲得輸出電壓信號，所述輸出電壓信號通過所述檢測電路的信號輸出端輸出，實(shí)現(xiàn)對所述射頻功率放大器輸出功率的檢測。由于所述偏置單元將所述第一晶體管偏置在放大狀態(tài)，所述射頻功率放大器輸入的射頻信號不需要參與所述第一晶體管靜態(tài)工作點(diǎn)的設(shè)置，也就是說所述第一晶體管可以對輸入的任意幅值的射頻信號進(jìn)行放大并經(jīng)過所述濾波模塊的濾波后獲得所述輸出電壓信號。因此所述檢測電路與現(xiàn)有技術(shù)中的射頻功率檢測電路相比具有較寬的功率檢測范圍。
【附圖說明】
[0033]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0034]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的功率檢測電路的電路圖；
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