本實用新型涉及導電玻璃技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種半反半透觸摸屏消影導電玻璃。

背景技術(shù)：

目前，電容屏產(chǎn)品使用非常廣泛，而電容屏中的雙面鍍導電玻璃是其主要器件，雙面鍍導電玻璃的導電薄膜在性能方面要求比較嚴，比如均勻性、耐熱性能、耐酸堿性能、耐高溫高濕性能等；在制作透明電路的時候，由于工藝難度增加，在制作電路時常采用酸刻電路。在制作過程中，容易蝕刻掉不應該刻蝕的部位，并且存在電路蝕刻的蝕痕影跡，影響其電磁屏蔽、靜電保護功能，存在的蝕痕影跡會對觀看圖案產(chǎn)生影響。

鑒于上述原因，現(xiàn)研發(fā)出一種半反半透觸摸屏消影導電玻璃。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種半反半透觸摸屏消影導電玻璃，具有良好的電磁屏蔽、靜電防護和消影作用，并且能夠完全代替現(xiàn)有的傳統(tǒng)導電玻璃，為下游客戶提供低耗能、高均勻性、低成本的制作電容屏用導電玻璃。

本實用新型為了實現(xiàn)上述目的，采用如下技術(shù)方案：一種半反半透觸摸屏消影導電玻璃，是由：玻璃基板、錫面、ITO膜、不透明層、透明層構(gòu)成；玻璃基板的兩個表面均為錫面，在玻璃基板上表面的錫面上方設(shè)置ITO膜，在玻璃基板下表面的錫面下方設(shè)置不透明層和透明層，不透明層構(gòu)成不透明區(qū)，透明層構(gòu)成透明區(qū)。

所述透明層采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅。

所述不透明層采用不透明的二氧化硅或不透明的氮氧化硅。

加工原理：

第一步，對玻璃基板進行處理，

A、對玻璃基板進行切割，先X切割，再Y切割，然后再掰片處理；

B、對切割后的玻璃基板進行磨邊和倒角，先X磨邊，再倒角，旋轉(zhuǎn)90°再對Y磨邊及倒角；

C、刷洗吹干；

D、對磨邊和倒角后的玻璃基板進行拋光；

E、再刷洗吹干；

第二步，對玻璃基板濺射不透明層和透明層；

A、對拋光刷洗吹干后玻璃基板進行加熱；采用的加熱溫度為150-280攝氏度；

B、利用磁控濺射真空鍍膜設(shè)備對加熱后的玻璃基板的下表面錫面下方濺射不透明層和透明層，不透明區(qū)濺射不透明層，透明區(qū)濺射透明層，所述透明層采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅，所述不透明層采用不透明的二氧化硅或不透明的氮氧化硅；

第三步，在玻璃基板濺射完不透明層和透明層后，進行ITO膜濺射；

A、對濺射不透明層和透明層后的玻璃基板進行加熱；加熱溫度采用280-380攝氏度；

B、利用磁控濺射真空鍍膜設(shè)備，對加熱后的玻璃基板，在玻璃基板的上表面錫面上方濺射ITO膜；

C、對濺射ITO膜后的玻璃基板，經(jīng)緩沖室做退火處理：先降溫至200攝氏度，再加溫至300攝氏度穩(wěn)定，完成對玻璃基板的鍍膜。

本實用新型的有益效果是：本實用新型能夠保護氧化銦錫導電膜刻蝕線路，不受制作過程工藝中的酸溶液的蝕刻，避免在制作過程中蝕刻掉不應該刻蝕的部位，在制作過程中使氧化銦錫導電膜刻蝕線路達到設(shè)計要求，具有良好的電磁屏蔽、靜電防護和消影作用，并且能夠完全代替現(xiàn)有的傳統(tǒng)導電玻璃，為下游客戶提供低耗能、高均勻性、低成本的制作電容屏用導電玻璃。

附圖說明

下面結(jié)合附圖對本實用新型作進一步說明：

圖1是，總裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是，圖1中Ａ-Ａ向剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1、2中：玻璃基板1、錫面2、ITO膜3、不透明層4、透明層5、不透明區(qū)6、透明區(qū)7。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖與具體實施方式對本實用新型作進一步詳細說明：

如圖所示，玻璃基板1的兩個表面均為錫面2，在玻璃基板1上表面的錫面2上方設(shè)置ITO膜3，在玻璃基板1下表面的錫面2下方設(shè)置不透明層4和透明層5，不透明層4構(gòu)成不透明區(qū)6，透明層5構(gòu)成透明區(qū)7。

所述透明層5采用透明的二氧化硅或透明的氮氧化硅。

所述不透明層4采用不透明的二氧化硅或不透明的氮氧化硅。