本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種數(shù)據(jù)存儲方法及裝置。

背景技術(shù)：

在數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域，隨著SSD(固態(tài)硬盤)等高讀寫性能介質(zhì)的技術(shù)更新，對存儲性能要求較高的存儲業(yè)務逐漸從低讀寫性能、大容量的傳統(tǒng)存儲介質(zhì)轉(zhuǎn)移到SSD等存儲介質(zhì)上。

目前來看，SSD的單位存儲價格要遠大于機械硬盤等傳統(tǒng)存儲介質(zhì)的單位存儲價格，因此，對于海量數(shù)據(jù)存儲業(yè)務，為了實現(xiàn)其存儲的低成本及大容量通常需要基于傳統(tǒng)存儲介質(zhì)實現(xiàn)，但是傳統(tǒng)存儲介質(zhì)的讀寫性能較差，無法滿足對于海量數(shù)據(jù)的頻繁訪問要求。

綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)中提供的數(shù)據(jù)存儲方案存在無法同時實現(xiàn)存儲介質(zhì)的低成本及高讀寫性能的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種數(shù)據(jù)存儲方法及裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中提供的數(shù)據(jù)存儲方案存在無法同時實現(xiàn)存儲介質(zhì)的低成本及高讀寫性能的問題。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種數(shù)據(jù)存儲方法，包括：

將存儲介質(zhì)按照其讀寫性能劃分為不同的存儲介質(zhì)層，并基于每層存儲介質(zhì)層的權(quán)重值及預設容量參數(shù)計算該存儲介質(zhì)層的數(shù)據(jù)塊大??；

獲取待存儲數(shù)據(jù)的熱度，并確定與該存儲數(shù)據(jù)的熱度對應讀寫性能的存儲介質(zhì)層為目標存儲層；

將所述待存儲數(shù)據(jù)按照所述目標介質(zhì)層的數(shù)據(jù)塊大小劃分為存儲數(shù)據(jù)塊，并將該存儲數(shù)據(jù)塊存儲至所述目標存儲層中。

優(yōu)選的，還包括：

將各層存儲介質(zhì)層中的存儲數(shù)據(jù)塊進行哈希計算，得到與每個存儲數(shù)據(jù)塊對應的塊簽名；

將數(shù)據(jù)塊大小相同的所述存儲數(shù)據(jù)塊的塊簽名存儲至同一哈希組中。

優(yōu)選的，還包括：

對各層所述存儲介質(zhì)層中存儲的存儲數(shù)據(jù)塊進行實時監(jiān)控；

當任一存儲數(shù)據(jù)塊的熱度變化且與當前存儲介質(zhì)層的讀寫性能不對應時，則確定該存儲數(shù)據(jù)塊為待遷移數(shù)據(jù)，并確定與該待遷移數(shù)據(jù)的當前熱度對應讀寫性能的存儲介質(zhì)為目標遷移層；

判斷所述待遷移數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)塊大小與所述目標遷移層的數(shù)據(jù)塊大小是否相同，如果是，則將所述待遷移數(shù)據(jù)遷移至所述目標遷移層，如果否，則將所述待遷移數(shù)據(jù)遷移至所述目標遷移層后重新計算該待遷移數(shù)據(jù)對應數(shù)據(jù)塊的哈希值，得到對應的塊簽名，并將該塊簽名存儲至對應哈希組中。

優(yōu)選的，還包括：

當有新數(shù)據(jù)需要寫入時，確定所述新數(shù)據(jù)對應的存儲介質(zhì)層為目標寫入層，其中，所述新數(shù)據(jù)的寫入包括數(shù)據(jù)遷移、數(shù)據(jù)修改及數(shù)據(jù)寫入；

將所述新數(shù)據(jù)按照所述目標寫入層的數(shù)據(jù)塊大小進行合并或者劃分，得到與所述目標寫入層對應的存儲數(shù)據(jù)塊并將其存儲至所述目標寫入層中。

優(yōu)選的，得到與所述目標寫入層對應的存儲數(shù)據(jù)塊并將其存儲至所述目標寫入層中，包括：

將得到的與所述目標寫入層對應的存儲數(shù)據(jù)塊進行哈希計算，得到對應的寫入數(shù)據(jù)塊簽名；

在與所述寫入數(shù)據(jù)塊簽名對應的哈希組中查找是否存在相同的塊簽名，如果存在，則將該塊簽名對應的使用計數(shù)加1，如果不存在，則將所述寫入數(shù)據(jù)塊簽名對應存儲數(shù)據(jù)塊存儲至所述目標寫入層中，并將所述寫入數(shù)據(jù)塊簽名加入對應哈希組中。

優(yōu)選的，將所述寫入數(shù)據(jù)塊簽名加入對應哈希組中之后，還包括：

如果所述新數(shù)據(jù)的寫入為數(shù)據(jù)修改，則將與所述新數(shù)據(jù)對應的原存儲數(shù)據(jù)塊的使用計數(shù)減1。

優(yōu)選的，還包括：

如果各層存儲介質(zhì)中存在使用計數(shù)為0的存儲數(shù)據(jù)塊，則將該存儲數(shù)據(jù)塊放入LRU鏈表中。

優(yōu)選的，還包括：

獲取所述存儲介質(zhì)層中各存儲數(shù)據(jù)塊對應的元數(shù)據(jù)；

基于所述元數(shù)據(jù)計算被修改的存儲數(shù)據(jù)塊及新寫入的存儲數(shù)據(jù)塊的計數(shù)和，并確定該計數(shù)和與存儲數(shù)據(jù)塊總數(shù)的比值為元數(shù)據(jù)臟信息；

當所述元數(shù)據(jù)臟信息大于對應閾值時，將所述存儲介質(zhì)中各存儲數(shù)據(jù)的元數(shù)據(jù)更新至對應的存儲磁盤。

一種數(shù)據(jù)存儲裝置，包括：

劃分模塊，用于將存儲介質(zhì)按照其讀寫性能劃分為不同的存儲介質(zhì)層，并基于每層存儲介質(zhì)層的權(quán)重值及預設容量參數(shù)計算該存儲介質(zhì)層的數(shù)據(jù)塊大?。?/p>

確定模塊，用于獲取待存儲數(shù)據(jù)的熱度，并確定與該存儲數(shù)據(jù)的熱度對應讀寫性能的存儲介質(zhì)層為目標存儲層；

存儲模塊，用于將所述待存儲數(shù)據(jù)按照所述目標介質(zhì)層的數(shù)據(jù)塊大小劃分為存儲數(shù)據(jù)塊，并將該存儲數(shù)據(jù)塊存儲至所述目標存儲層中。

優(yōu)選的，還包括：

管理模塊，用于：將各層存儲介質(zhì)層中的存儲數(shù)據(jù)塊進行哈希計算，得到與每個存儲數(shù)據(jù)塊對應的塊簽名；將數(shù)據(jù)塊大小相同的所述存儲數(shù)據(jù)塊的塊簽名存儲至同一哈希組中。

本發(fā)明提供了一種數(shù)據(jù)存儲方法及裝置，其中該方法包括：將存儲介質(zhì)按照其讀寫性能劃分為不同的存儲介質(zhì)層，并基于每層存儲介質(zhì)層的權(quán)重值及預設容量參數(shù)計算該存儲介質(zhì)層的數(shù)據(jù)塊大?。猾@取待存儲數(shù)據(jù)的熱度，并確定與該存儲數(shù)據(jù)的熱度對應讀寫性能的存儲介質(zhì)層為目標存儲層；將所述待存儲數(shù)據(jù)按照所述目標介質(zhì)層的數(shù)據(jù)塊大小劃分為存儲數(shù)據(jù)塊，并將該存儲數(shù)據(jù)塊存儲至所述目標存儲層中。通過本申請公開的上述技術(shù)特征，利用高讀寫性能的存儲介質(zhì)層存儲對應高熱度的待存儲數(shù)據(jù)，由此，保證了對于高熱度數(shù)據(jù)的讀寫速率；并且，在不同的存儲介質(zhì)層中將存儲的數(shù)據(jù)劃分為對應的存儲數(shù)據(jù)塊，由此高性能存儲介質(zhì)層具有較小的存儲數(shù)據(jù)塊，充分增加了高性能存儲介質(zhì)的空間利用率，對于低讀寫性能的存儲介質(zhì)劃分較大的存儲數(shù)據(jù)塊，以減小頻繁數(shù)據(jù)訪問帶來的性能損耗?？梢?，本申請中能夠充分結(jié)合高性能存儲介質(zhì)及低性能存儲介質(zhì)的優(yōu)點，在一定程度上保證低成本的同時實現(xiàn)了高讀寫性能。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例提供的一種數(shù)據(jù)存儲方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的一種數(shù)據(jù)存儲裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

請參閱圖1，其示出了本發(fā)明實施例提供的一種數(shù)據(jù)存儲方法的流程圖，可以包括以下步驟：

S11：將存儲介質(zhì)按照其讀寫性能劃分為不同的存儲介質(zhì)層，并基于每層存儲介質(zhì)層的權(quán)重值及預設容量參數(shù)計算該存儲介質(zhì)層的數(shù)據(jù)塊大小。

其中，按照存儲介質(zhì)的讀寫性能將其劃分為不同的存儲介質(zhì)層，具體可以為將存儲介質(zhì)按照其讀寫性能的高低分為不同的存儲介質(zhì)層，如可以將存儲介質(zhì)分為三層，包括SSD層、10K轉(zhuǎn)/分鐘的SAS機械硬盤層和7.2K轉(zhuǎn)/分鐘的SATA機械硬盤層。而計算每層存儲介質(zhì)層的數(shù)據(jù)塊大小時所利用的權(quán)重值和預設容量參數(shù)可以由工作人員根據(jù)實際需要進行確定，對數(shù)據(jù)塊大小的確定是基于存儲介質(zhì)層的讀寫性能及容量來實現(xiàn)的，一般來說，存儲介質(zhì)層的讀寫性能越高，劃分的數(shù)據(jù)塊大小越小。仍然以上述例子進行說明，當存儲介質(zhì)層第一層至第三層分別為SSD層、10K轉(zhuǎn)/分鐘的SAS機械硬盤層和7.2K轉(zhuǎn)/分鐘的SATA機械硬盤層時，則計算對應數(shù)據(jù)塊大小的公式可以為：

數(shù)據(jù)塊大?。?k*權(quán)重值*容量調(diào)整參數(shù)

其中存儲介質(zhì)層對應的權(quán)重值可以選擇三組取值，分別是：

低權(quán)重：1(第一層)、2(第二層)、4(第三層)

中權(quán)重：2(第一層)、16(第二層)、64(第三層)

高權(quán)重：4(第一層)、32(第二層)、128(第三層)

其中，權(quán)重的級別可以根據(jù)用戶業(yè)務的io塊大小的統(tǒng)計信息決定或由管理員手動設定。具體來說，io塊由大至小可分別對應低權(quán)重至高權(quán)重。

而預設容量參數(shù)的作用是根據(jù)每層存儲介質(zhì)層的容量對其數(shù)據(jù)塊大小進行調(diào)整，具體來說，可以按照下列方式進行設置：

第一層：當容量低于(不包括)100GB時預設容量參數(shù)為1/2(權(quán)重值為1時預設容量參數(shù)取1)，當容量介于100GB(包括)到10TB(不包括)之間時預設容量參數(shù)為1，當容量高于(包括)10TB時預設容量參數(shù)為2；

第二層：當容量低于(不包括)10TB時預設容量參數(shù)為1/2(權(quán)重值為1時容量參數(shù)取1)，當容量介于10TB(包括)到100TB(不包括)之間時預設容量參數(shù)為1，當容量高于(包括)100TB時預設容量參數(shù)為2；

第三層：當容量低于(不包括)50TB時預設容量參數(shù)為1/2(權(quán)重值為1時容量參數(shù)取1)，當容量介于50TB(包括)到1EB(不包括)之間時預設容量參數(shù)為1，當容量高于(包括)1EB時預設容量參數(shù)為2。

S12：獲取待存儲數(shù)據(jù)的熱度，并確定與該存儲數(shù)據(jù)的熱度對應讀寫性能的存儲介質(zhì)層為目標存儲層。

按照待存儲數(shù)據(jù)的熱度確定對應的目標存儲層，其中，待存儲數(shù)據(jù)的熱度可以指該數(shù)據(jù)的訪問率等，具體來說，待存儲數(shù)據(jù)熱度越高，則將其對應至讀寫性能越高的層中，由此，由高讀寫性能的存儲介質(zhì)層實現(xiàn)高熱度數(shù)據(jù)的存儲，保證了其讀寫速率。

S13：將待存儲數(shù)據(jù)按照目標介質(zhì)層的數(shù)據(jù)塊大小劃分為存儲數(shù)據(jù)塊，并將該存儲數(shù)據(jù)塊存儲至目標存儲層中。

將待存儲數(shù)據(jù)劃分為存儲數(shù)據(jù)塊，已對其實現(xiàn)存儲。

通過本申請公開的上述技術(shù)特征，利用高讀寫性能的存儲介質(zhì)層存儲對應高熱度的待存儲數(shù)據(jù)，由此，保證了對于高熱度數(shù)據(jù)的讀寫速率；并且，在不同的存儲介質(zhì)層中將存儲的數(shù)據(jù)劃分為對應的存儲數(shù)據(jù)塊，由此高性能存儲介質(zhì)層具有較小的存儲數(shù)據(jù)塊，充分增加了高性能存儲介質(zhì)的空間利用率，對于低讀寫性能的存儲介質(zhì)劃分較大的存儲數(shù)據(jù)塊，以減小頻繁數(shù)據(jù)訪問帶來的性能損耗?？梢?，本申請中能夠充分結(jié)合高性能存儲介質(zhì)及低性能存儲介質(zhì)的優(yōu)點，在一定程度上保證低成本的同時實現(xiàn)了高讀寫性能。

本發(fā)明實施例提供的一種數(shù)據(jù)存儲方法，還可以包括：

將各層存儲介質(zhì)層中的存儲數(shù)據(jù)塊進行哈希計算，得到與每個存儲數(shù)據(jù)塊對應的塊簽名；

將數(shù)據(jù)塊大小相同的存儲數(shù)據(jù)塊的塊簽名存儲至同一哈希組中。

其中，哈希計算與現(xiàn)有技術(shù)中對應概念的含義一致，在此不再贅述。通過對存儲數(shù)據(jù)塊的哈希計算，得到對應的塊簽名，進而將數(shù)據(jù)塊大小相同的存數(shù)數(shù)據(jù)塊的塊簽名存儲至同一哈希組中；從而在需要對某一存儲數(shù)據(jù)塊進行查詢時能夠通過對應哈希組實現(xiàn)快速查找。

本發(fā)明實施例提供的一種數(shù)據(jù)存儲方法，還可以包括：

對各層存儲介質(zhì)層中存儲的存儲數(shù)據(jù)塊進行實時監(jiān)控；

當任一存儲數(shù)據(jù)塊的熱度變化且與當前存儲介質(zhì)層的讀寫性能不對應時，則確定該存儲數(shù)據(jù)塊為待遷移數(shù)據(jù)，并確定與該待遷移數(shù)據(jù)的當前熱度對應讀寫性能的存儲介質(zhì)為目標遷移層；

判斷待遷移數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)塊大小與目標遷移層的數(shù)據(jù)塊大小是否相同，如果是，則將待遷移數(shù)據(jù)遷移至目標遷移層，如果否，則將待遷移數(shù)據(jù)遷移至目標遷移層后重新計算該待遷移數(shù)據(jù)對應數(shù)據(jù)塊的哈希值，得到對應的塊簽名，并將該塊簽名存儲至對應哈希組中。

當存儲數(shù)據(jù)塊的熱度發(fā)生變化，包括由高熱度降至一定低熱度或者由低熱度升至一定高熱度等，與當前所在的存儲介質(zhì)層的讀寫性能不再具有對應關(guān)系時，需要將其遷移至與其當前熱度對應的存儲介質(zhì)層中。具體來說，如果其當前所處的存儲介質(zhì)層與目標遷移層的數(shù)據(jù)塊大小一致，則說明其快簽名所在的哈希組無需發(fā)生變化，則直接進行遷移即可，否則，則需要在遷移完成后重新計算對應哈希值，并將該哈希值作為其快簽名存入與目標遷移層的數(shù)據(jù)塊大小對應的哈希組中，而其原來的塊簽名直接進行刪除即可。通過上述方式能夠?qū)崿F(xiàn)冷熱數(shù)據(jù)的交換，由此，能夠保證存儲介質(zhì)層的讀寫性能與存儲在其中的存儲數(shù)據(jù)塊的熱度的對應性，保證了本發(fā)明實施例提供的上述方法的順利實現(xiàn)。

另外，在對存儲數(shù)據(jù)塊進行監(jiān)控后，可以將熱度發(fā)生變化需要被遷移的數(shù)據(jù)對應塊簽名連接到對應的熱度上升鏈表或者熱度下降鏈表中，進而基于這兩個鏈表實現(xiàn)對應存儲數(shù)據(jù)塊的遷移。

本發(fā)明實施例提供的一種數(shù)據(jù)存儲方法，還可以包括：

當有新數(shù)據(jù)需要寫入時，確定新數(shù)據(jù)對應的存儲介質(zhì)層為目標寫入層，其中，新數(shù)據(jù)的寫入包括數(shù)據(jù)遷移、數(shù)據(jù)修改及數(shù)據(jù)寫入；

將新數(shù)據(jù)按照目標寫入層的數(shù)據(jù)塊大小進行合并或者劃分，得到與目標寫入層對應的存儲數(shù)據(jù)塊并將其存儲至目標寫入層中。

其中，上述新數(shù)據(jù)的寫入包括數(shù)據(jù)遷移、數(shù)據(jù)修改及數(shù)據(jù)寫入，即為包括數(shù)據(jù)遷移過程中將該數(shù)據(jù)寫入到目標遷移層的過程(此時目標遷移層即為目標寫入層)、對任一存儲介質(zhì)層中的數(shù)據(jù)進行修改的過程及寫入新的數(shù)據(jù)的過程。在上述過程中，都需要將需要寫入的數(shù)據(jù)劃分與目標寫入層的數(shù)據(jù)塊大小相同的存儲數(shù)據(jù)塊再進行存儲，從而保證了各存儲介質(zhì)層中存儲數(shù)據(jù)塊的塊大小的維護，進一步保證了本發(fā)明實施例提供的上述方法的順利實現(xiàn)。

其中，對于該寫入過程，具體可以包括：

如果新數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)塊大小等于目標寫入層的數(shù)據(jù)塊大小，則直接寫入；

如果新數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)塊大小小于目標寫入層的數(shù)據(jù)塊大小，分為三種情況：

1、新數(shù)據(jù)寫入為數(shù)據(jù)修改，則獲取與該新數(shù)據(jù)對應修改內(nèi)容部分具有連續(xù)物理地址的存儲數(shù)據(jù)塊的復制數(shù)據(jù)，并將該復制與新數(shù)據(jù)組成與目標寫入層數(shù)據(jù)塊大小相同的存儲數(shù)據(jù)塊后寫入目標寫入層；

2、新數(shù)據(jù)寫入為數(shù)據(jù)寫入，則直接將新數(shù)據(jù)寫入目標寫入層，并在目標寫入層中為該新數(shù)據(jù)分配目標寫入層對應數(shù)據(jù)塊大小的存儲資源；

3、新數(shù)據(jù)寫入為數(shù)據(jù)遷移，則獲取與該數(shù)據(jù)在原存儲介質(zhì)層中具有連續(xù)物理地址的存儲數(shù)據(jù)塊，并將該存儲數(shù)據(jù)塊與新數(shù)據(jù)組成與目標寫入層數(shù)據(jù)塊大小相同的存儲數(shù)據(jù)塊后一起遷移至目標寫入層；

如果新數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)塊大小大于目標寫入層的數(shù)據(jù)流大小，分為三種情況：

1、新數(shù)據(jù)寫入為數(shù)據(jù)修改，則將新數(shù)據(jù)拆分為與目標寫入層對應塊大小相同的數(shù)據(jù)塊并寫入目標寫入層中，如果拆分之后具有比目標寫入層對應塊大小小的一部分數(shù)據(jù)，則按照新數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)塊大小小于目標寫入層的數(shù)據(jù)塊大小中的情況1對其進行處理；

2、新數(shù)據(jù)寫入為數(shù)據(jù)寫入，則將新數(shù)據(jù)拆分為與目標寫入層對應塊大小相同的數(shù)據(jù)塊并寫入目標寫入層中，如果拆分之后具有比目標寫入層對應塊大小小的一部分數(shù)據(jù)，則按照新數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)塊大小小于目標寫入層的數(shù)據(jù)塊大小中的情況2對其進行處理；

3、新數(shù)據(jù)寫入為數(shù)據(jù)遷移，則將新數(shù)據(jù)拆分為與目標寫入層對應塊大小相同的數(shù)據(jù)塊并寫入目標寫入層中，如果拆分之后具有比目標寫入層對應塊大小小的一部分數(shù)據(jù)，則按照新數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)塊大小小于目標寫入層的數(shù)據(jù)塊大小中的情況3對其進行處理。

本發(fā)明實施例提供的一種數(shù)據(jù)存儲方法，得到與目標寫入層對應的存儲數(shù)據(jù)塊并將其存儲至目標寫入層中，可以包括：

將得到的與目標寫入層對應的存儲數(shù)據(jù)塊進行哈希計算，得到對應的寫入數(shù)據(jù)塊簽名；

在與寫入數(shù)據(jù)塊簽名對應的哈希組中查找是否存在相同的塊簽名，如果存在，則將該塊簽名對應的使用計數(shù)加1，如果不存在，則將寫入數(shù)據(jù)塊簽名對應存儲數(shù)據(jù)塊存儲至目標寫入層中，并將寫入數(shù)據(jù)塊簽名加入對應哈希組中。

其中，使用計數(shù)為有多少用戶需要對該數(shù)據(jù)進行使用，在寫入數(shù)據(jù)塊簽名對應的哈希組中查找到存在相同的塊簽名，則說明該數(shù)據(jù)已經(jīng)存在，此時，只需將其使用計數(shù)加1，即說明增加了一個需要利用該數(shù)據(jù)的用戶即可，如果在寫入數(shù)據(jù)塊簽名對應的哈希組中未查找到存在相同的塊簽名，則將實現(xiàn)新數(shù)據(jù)的存儲，并將其對應寫入數(shù)據(jù)塊簽名加入哈希組中。通過上述步驟，實現(xiàn)數(shù)據(jù)塊的重復刪除，并通過使用計數(shù)的維護能夠使得對于該數(shù)據(jù)的用戶信息進行準確表現(xiàn)。

本發(fā)明實施例提供的一種數(shù)據(jù)存儲方法，將寫入數(shù)據(jù)塊簽名加入對應哈希組中之后，還可以包括：

如果新數(shù)據(jù)的寫入為數(shù)據(jù)修改，則將與新數(shù)據(jù)對應的原存儲數(shù)據(jù)塊的使用計數(shù)減1。

數(shù)據(jù)修改中，原存儲數(shù)據(jù)的使用計數(shù)減1，表示原存儲數(shù)據(jù)的使用用戶減1，從而通過對使用計數(shù)的維護實現(xiàn)對于該數(shù)據(jù)的用戶信息的準確表現(xiàn)。

本發(fā)明實施例提供的一種數(shù)據(jù)存儲方法，還可以包括：

如果各層存儲介質(zhì)中存在使用計數(shù)為0的存儲數(shù)據(jù)塊，則將該存儲數(shù)據(jù)塊放入LRU鏈表中。

當使用計數(shù)為0時，說明一定時間內(nèi)不再有用戶需要對該部分數(shù)據(jù)進行利用，此時，將該存儲數(shù)據(jù)放入LRU鏈表中，能夠保證對于存儲介質(zhì)層的充分利用。

另外需要說明的是，可以通過del_dup_node數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)對存儲數(shù)據(jù)塊進行描述，該存儲結(jié)構(gòu)即為對應存儲數(shù)據(jù)塊的元數(shù)據(jù)，可以包括：塊簽名、數(shù)據(jù)塊訪問熱度(即上文中的熱度)、物理地址、數(shù)據(jù)塊大小、上次分級(即距離當前時間最近的一次遷移前所在的存儲介質(zhì)層)、當前分級(當前所在的存儲介質(zhì)層)、使用計數(shù)、flag標志等。其中，flag標志可以體現(xiàn)存儲數(shù)據(jù)塊當前的狀態(tài)，可以包括遷移前、遷移中、遷移后等。

具體來說，存當需要對存儲數(shù)據(jù)塊進行遷移時，存儲數(shù)據(jù)塊遷移前對應flag標志為遷移前，而當開始對其進行遷移可以更新元數(shù)據(jù)中的flag標志為遷移中，在完成對存儲數(shù)據(jù)塊的遷移后可以更新元數(shù)據(jù)中的flag標志為遷移后。并且在對存儲數(shù)據(jù)塊實現(xiàn)遷移后，還可以更新該數(shù)據(jù)塊在元數(shù)據(jù)中的塊大小、物理地址、上次分級、當前分級等；該過程需要原子的進行操作。

對應的，本發(fā)明實施例提供的一種數(shù)據(jù)存儲方法，還可以包括：

獲取存儲介質(zhì)層中各存儲數(shù)據(jù)塊對應的元數(shù)據(jù)；

基于元數(shù)據(jù)計算被修改的存儲數(shù)據(jù)塊及新寫入的存儲數(shù)據(jù)塊的計數(shù)和，并確定該計數(shù)和與存儲數(shù)據(jù)塊總數(shù)的比值為元數(shù)據(jù)臟信息；

當元數(shù)據(jù)臟信息大于對應閾值時，將存儲介質(zhì)中各存儲數(shù)據(jù)的元數(shù)據(jù)更新至對應的存儲磁盤。

其中，當元數(shù)據(jù)臟信息大于對應閾值或者距離上述元數(shù)據(jù)更新達到預設時間段時，需要對元數(shù)據(jù)更新至對應存儲磁盤。此過程可以通過后臺同步線程實現(xiàn)，從而通過元數(shù)據(jù)的更新保證了數(shù)據(jù)的一致性。具體來說，將元數(shù)據(jù)更新至對應存儲磁盤為將存儲磁盤中不存在的元數(shù)據(jù)加入，將存儲磁盤中存在當前時刻存儲介質(zhì)層不存在的元數(shù)據(jù)刪除，并將對于同一存儲數(shù)據(jù)塊將存儲磁盤中的元數(shù)據(jù)更改為當前存儲介質(zhì)中的元數(shù)據(jù)，實現(xiàn)全部元數(shù)據(jù)的更新。

本發(fā)明實施例還提供了一種數(shù)據(jù)存儲裝置，如圖2所示，可以包括：

劃分模塊11，用于將存儲介質(zhì)按照其讀寫性能劃分為不同的存儲介質(zhì)層，并基于每層存儲介質(zhì)層的權(quán)重值及預設容量參數(shù)計算該存儲介質(zhì)層的數(shù)據(jù)塊大?。?/p>

確定模塊12，用于獲取待存儲數(shù)據(jù)的熱度，并確定與該存儲數(shù)據(jù)的熱度對應讀寫性能的存儲介質(zhì)層為目標存儲層；

存儲模塊13，用于將待存儲數(shù)據(jù)按照目標介質(zhì)層的數(shù)據(jù)塊大小劃分為存儲數(shù)據(jù)塊，并將該存儲數(shù)據(jù)塊存儲至目標存儲層中。

本發(fā)明實施例提供的一種數(shù)據(jù)存儲裝置，還可以包括：

管理模塊，用于：將各層存儲介質(zhì)層中的存儲數(shù)據(jù)塊進行哈希計算，得到與每個存儲數(shù)據(jù)塊對應的塊簽名；將數(shù)據(jù)塊大小相同的存儲數(shù)據(jù)塊的塊簽名存儲至同一哈希組中。

本發(fā)明實施例提供的一種數(shù)據(jù)存儲裝置，還可以包括：

遷移模塊，用于：對各層存儲介質(zhì)層中存儲的存儲數(shù)據(jù)塊進行實時監(jiān)控；當任一存儲數(shù)據(jù)塊的熱度變化且與當前存儲介質(zhì)層的讀寫性能不對應時，則確定該存儲數(shù)據(jù)塊為待遷移數(shù)據(jù)，并確定與該待遷移數(shù)據(jù)的當前熱度對應讀寫性能的存儲介質(zhì)為目標遷移層；判斷待遷移數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)塊大小與目標遷移層的數(shù)據(jù)塊大小是否相同，如果是，則將待遷移數(shù)據(jù)遷移至目標遷移層，如果否，則將待遷移數(shù)據(jù)遷移至目標遷移層后重新計算該待遷移數(shù)據(jù)對應數(shù)據(jù)塊的哈希值，得到對應的塊簽名，并將該塊簽名存儲至對應哈希組中。

本發(fā)明實施例提供的一種數(shù)據(jù)存儲裝置，還可以包括：

寫入模塊，用于：當有新數(shù)據(jù)需要寫入時，確定新數(shù)據(jù)對應的存儲介質(zhì)層為目標寫入層，其中，新數(shù)據(jù)的寫入包括數(shù)據(jù)遷移、數(shù)據(jù)修改及數(shù)據(jù)寫入；將新數(shù)據(jù)按照目標寫入層的數(shù)據(jù)塊大小進行合并或者劃分，得到與目標寫入層對應的存儲數(shù)據(jù)塊并將其存儲至目標寫入層中。

本發(fā)明實施例提供的一種數(shù)據(jù)存儲裝置，寫入模塊可以包括：

簽名單元，用于：將得到的與目標寫入層對應的存儲數(shù)據(jù)塊進行哈希計算，得到對應的寫入數(shù)據(jù)塊簽名；在與寫入數(shù)據(jù)塊簽名對應的哈希組中查找是否存在相同的塊簽名，如果存在，則將該塊簽名對應的使用計數(shù)加1，如果不存在，則將寫入數(shù)據(jù)塊簽名對應存儲數(shù)據(jù)塊存儲至目標寫入層中，并將寫入數(shù)據(jù)塊簽名加入對應哈希組中。

本發(fā)明實施例提供的一種數(shù)據(jù)存儲裝置，寫入模塊還可以包括：

計數(shù)更新單元，用于如果新數(shù)據(jù)的寫入為數(shù)據(jù)修改，則將與新數(shù)據(jù)對應的原存儲數(shù)據(jù)塊的使用計數(shù)減1。

本發(fā)明實施例提供的一種數(shù)據(jù)存儲裝置，寫入模塊還可以包括：

處理單元，用于如果各層存儲介質(zhì)中存在使用計數(shù)為0的存儲數(shù)據(jù)塊，則將該存儲數(shù)據(jù)塊放入LRU鏈表中。

本發(fā)明實施例提供的一種數(shù)據(jù)存儲裝置，還可以包括：

更新模塊，用于：獲取存儲介質(zhì)層中各存儲數(shù)據(jù)塊對應的元數(shù)據(jù)；基于元數(shù)據(jù)計算被修改的存儲數(shù)據(jù)塊及新寫入的存儲數(shù)據(jù)塊的計數(shù)和，并確定該計數(shù)和與存儲數(shù)據(jù)塊總數(shù)的比值為元數(shù)據(jù)臟信息；當元數(shù)據(jù)臟信息大于對應閾值時，將存儲介質(zhì)中各存儲數(shù)據(jù)的元數(shù)據(jù)更新至對應的存儲磁盤。

本發(fā)明實施例提供的一種數(shù)據(jù)存儲裝置中相關(guān)部分的說明請參見本發(fā)明實施例提供的一種數(shù)據(jù)存儲方法中對應部分的詳細說明，在此不再贅述。

對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。