1.一種指紋識(shí)別單元電路，其特征在于，包括：讀取線、信號(hào)掃描端、第一電源端、第二電源端、第三電源端、第一信號(hào)端、第二信號(hào)端、探測(cè)電極、輸出單元、閾值補(bǔ)償單元以及重置單元；
所述探測(cè)電極用于與手指表面接觸并產(chǎn)生感應(yīng)電容；
所述輸出單元分別與所述探測(cè)電極、所述信號(hào)掃描端、所述第一電源端以及所述讀取線連接，用于識(shí)別所述感應(yīng)電容且形成電流信號(hào)，并將所述電流信號(hào)傳輸至所述讀取線；
所述閾值補(bǔ)償單元分別與所述第二電源端、所述第一信號(hào)端、所述探測(cè)電極以及所述輸出單元連接，用于補(bǔ)償所述輸出單元的閾值電壓；
所述重置單元分別與所述第三電源端、所述第二信號(hào)端以及所述探測(cè)電極連接，用于重置所述探測(cè)電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的指紋識(shí)別單元電路，其特征在于，所述輸出單元包括放大單元和傳輸單元，所述放大單元分別與所述探測(cè)電極以及所述讀取線連接，用于識(shí)別所述感應(yīng)電容，并形成電流信號(hào)；
所述傳輸單元分別與所述信號(hào)掃描端、所述第一電源端以及所述放大單元連接，用于將所述第一電源電壓信號(hào)傳輸至所述放大單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的指紋識(shí)別單元電路，其特征在于，所述輸出單元包括放大單元和傳輸單元，所述放大單元與所述探測(cè)電極連接，用于識(shí)別所述感應(yīng)電容，并形成電流信號(hào)；
所述傳輸單元分別與所述信號(hào)掃描端、所述第一電源端、所述放大單元連接以及所述讀取線連接，用于將所述第一電源電壓信號(hào)傳輸至所述放大單元并將所述放大單元形成的所述電流信號(hào)傳輸至所述讀取線。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3中任一所述的指紋識(shí)別單元電路，其特征在于，所述傳輸單元包括第一晶體管，所述放大單元包括第二晶體管，所述閾值補(bǔ)償單元包括第三晶體管和第四晶體管，所述重置單元包括第五晶體管；其中，
所述第一晶體管的柵極連接所述信號(hào)掃描端以接收掃描信號(hào)，源極連接第一電源端；
所述第二晶體管的柵極連接所述探測(cè)電極，源極連接所述第一晶體管的漏極，漏極連接所述讀取線；
所述第三晶體管的柵極連接所述第一信號(hào)端以接收第一選擇信號(hào)，源極連接所述第二電源端，漏極連接所述第二晶體管的源極；
所述第四晶體管的柵極連接所述第三晶體管的柵極，源極連接第二晶體管的漏極，漏極連接所述探測(cè)電極；
所述第五晶體管的柵極連接所述第二信號(hào)端以接收第二選擇信號(hào)，源極連接所述探測(cè)電極，漏極連接所述第三電源端。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的指紋識(shí)別單元電路，其特征在于，所述重置單元還包括第六晶體管，所述傳輸單元還包括第七晶體管；
所述第六晶體管的柵極連接所述第二信號(hào)端，漏極連接所述第三電源端；
所述第七晶體管的柵極連接所述信號(hào)掃描端，源極連接所述第二晶體管的漏極，漏極連接所述第六晶體管的源極以及所述讀取線。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的指紋識(shí)別單元電路，其特征在于，所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管、所述第五晶體管、所述第六晶體管以及所述第七晶體管為P型薄膜晶體管或者N型薄膜晶體管。
7.一種指紋識(shí)別單元電路的控制方法，應(yīng)用于如權(quán)利要求2至6任一所述的指紋識(shí)別單元電路，包括：
在第一時(shí)間段內(nèi)，向所述第二信號(hào)端輸入第一電平值，向所述信號(hào)掃描端和所述第一信號(hào)端輸入第二電平值；
在第二時(shí)間段內(nèi)，向所述第一信號(hào)端輸入第一電平值，向所述信號(hào)掃描端和所述第二信號(hào)端輸入第二電平值；
在第三時(shí)間段內(nèi)，向所述信號(hào)掃描端輸入第一電平值，向所述第一信號(hào)端和所述第二信號(hào)端輸入第二電平值；其中，
所述第一時(shí)間段、所述第二時(shí)間段及所述第三時(shí)間段為連續(xù)時(shí)間段。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的指紋識(shí)別單元電路的控制方法，其特征在于，所述第一電平值為低電平值，所述第二電平值為高電平值。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的指紋識(shí)別單元電路的控制方法，其特征在于，所述第一電平值為高電平值，所述第二電平值為低電平值。
10.一種指紋識(shí)別裝置，其特征在于，包括玻璃基板以及若干如權(quán)利要求1至6中任一所述的指紋識(shí)別單元電路，若干所述指紋識(shí)別單元電路的探測(cè)電極陣列分布于所述玻璃基板。