1.一種雙頻防偽電子標(biāo)簽，其特征在于，包括：
雙頻天線，包括第一頻率天線和第二頻率天線，所述雙頻天線中的至少部分部件為采用非轉(zhuǎn)移易碎工藝制備的結(jié)構(gòu)；
支持雙頻功能的標(biāo)簽芯片，分別與所述第一頻率天線和所述第二頻率天線連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙頻防偽電子標(biāo)簽，其特征在于，所述標(biāo)簽芯片的型號為EM4423芯片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙頻防偽電子標(biāo)簽，其特征在于，所述第一頻率天線為高頻天線。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙頻防偽電子標(biāo)簽，其特征在于，所述第二頻率天線為超高頻天線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙頻防偽電子標(biāo)簽，其特征在于，采用過橋方式設(shè)置所述第一頻率天線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙頻防偽電子標(biāo)簽，其特征在于，所述雙頻天線包括易碎層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙頻防偽電子標(biāo)簽，其特征在于，所述雙頻天線包括第一鋁層，設(shè)置于所述易碎層的上方。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙頻防偽電子標(biāo)簽，其特征在于，所述雙頻天線包括PET層，設(shè)置于所述易碎層的下方。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的雙頻防偽電子標(biāo)簽，其特征在于，所述雙頻天線包括第二鋁層，設(shè)置于所述PET層的下方。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙頻防偽電子標(biāo)簽，其特征在于，所述雙頻天線的長度為35-40毫米，寬度為22-28毫米。