納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)及觸控面板的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)，特別涉及一種納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)。所述納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)包括一基材，一光學(xué)匹配層，設(shè)置于所述基材上方，及一納米銀線導(dǎo)電電極層，設(shè)置于所述光學(xué)匹配層的上表面或下表面。采用納米銀線作為導(dǎo)電材料時(shí)，霧度問(wèn)題成為首要克服的難題，本實(shí)用新型通過(guò)設(shè)置光學(xué)匹配層實(shí)現(xiàn)對(duì)霧度的有效調(diào)節(jié)。本實(shí)用新型還提供一種采用該納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)的觸控面板。
【專利說(shuō)明】納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)及觸控面板
【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)，特別涉及一種納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)及采用該納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)的觸控面板。
【【背景技術(shù)】】
[0002]觸控設(shè)備因其便于操作、成像效果好、功能多元化等優(yōu)點(diǎn)逐漸受到電子通訊行業(yè)的青睞，并廣泛應(yīng)用于資訊系統(tǒng)設(shè)備、家電設(shè)備、通訊設(shè)備、個(gè)人便攜設(shè)備等產(chǎn)品上。
[0003]伴隨近年來(lái)觸控面板在通訊行業(yè)的迅速崛起，特別是在手機(jī)通訊行業(yè)的蓬勃發(fā)展，觸控面板一舉成為現(xiàn)今成像顯示設(shè)備的首選產(chǎn)品。使用率最高的觸控面板主要是電阻式觸控面板和電容式觸控面板，但是使用者出于可控性，易用性和表面外觀的考慮，大多會(huì)選用電容式觸控面板作為其最佳首選設(shè)備。
[0004]在傳統(tǒng)智能手機(jī)的電容式觸控面板中，觸控電極的材料通常為氧化銦錫(簡(jiǎn)稱為ΙΤ0)。ITO的透光率很高，導(dǎo)電性能較好。但隨著觸控面板尺寸的逐步增大，特別是應(yīng)用于15寸以上的面板時(shí)，ITO的缺陷越來(lái)越突出，其中最明顯的缺陷就是ITO的面電阻過(guò)大，價(jià)格昂貴，無(wú)法保證大尺寸觸控面板良好的導(dǎo)電性能與足夠的靈敏度，也無(wú)法適用于電子產(chǎn)品不斷低價(jià)化的發(fā)展趨勢(shì)。
[0005]另外，在制造方法上，原來(lái)的ITO需要真空腔、較高的沉積溫度和/或高退火溫度以獲得高傳導(dǎo)性，造成ITO的整體制作成本非常昂貴。而且，ITO薄膜非常脆弱，即使在遇到較小物理應(yīng)力的彎曲也非常容易被破壞，因此在可穿戴設(shè)備逐漸崛起的新興產(chǎn)品市場(chǎng)的浪潮下，ITO材料作為導(dǎo)電電極已經(jīng)無(wú)法適應(yīng)市場(chǎng)的需求而逐漸被淘汰。
[0006]正因如此，產(chǎn)業(yè)界一直在致力于開(kāi)發(fā)ITO的替代材料，目前逐漸被開(kāi)發(fā)并應(yīng)用的替代材料包括納米銀線(Silver Nano Wires,簡(jiǎn)稱SNW)、金屬網(wǎng)格(Metal Mesh)、碳納米管、有機(jī)導(dǎo)電膜、以及石墨烯等。
[0007]其中，SNW是諸多ITO替代材料目前最為成熟的一種。納米銀線具有銀優(yōu)良的導(dǎo)電性，同時(shí)由于其納米級(jí)別的尺寸效應(yīng)，使得其具有優(yōu)異的透光性與耐曲撓性，因此可用作為優(yōu)選地替代ITO作為觸控電極的材料。
[0008]采用納米銀線(以下簡(jiǎn)稱SNW)做導(dǎo)電電極材料的導(dǎo)電電極層，由于SNW反光率高形成漫射現(xiàn)象，導(dǎo)致導(dǎo)電電極層表面看上去發(fā)白發(fā)霧。
[0009]納米銀線導(dǎo)電電極層的霧度問(wèn)題一直是業(yè)界的普遍問(wèn)題，所謂霧度是指由于導(dǎo)電薄膜中的納米銀線表面光漫射造成的云霧狀或混濁的外觀。屏幕的霧度問(wèn)題會(huì)導(dǎo)致在室外場(chǎng)景光線照射的情況下，屏幕反射光強(qiáng)烈，嚴(yán)重的時(shí)候會(huì)使得用戶看不清屏幕，由于霧度問(wèn)題成為納米銀線進(jìn)一步推廣應(yīng)用的首要問(wèn)題，因此它也成為當(dāng)下首要解決的問(wèn)題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0010]為克服SNW作為導(dǎo)電電極時(shí)反光率高形成漫射現(xiàn)象，導(dǎo)致導(dǎo)電薄膜表面看上去發(fā)白發(fā)霧的霧度問(wèn)題。本實(shí)用新型提供一種能夠有效解改善SNW作為導(dǎo)電電極材料時(shí)存在的霧度問(wèn)題的納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)及采用該納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)的觸控面板。
[0011]本實(shí)用新型解決技術(shù)問(wèn)題的方案是提供一種納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)，其包括，一基材，具有上表面和與之相對(duì)的下表面，一納米銀線導(dǎo)電電極層，設(shè)置于基材的上表面，及至少一層光學(xué)匹配層，設(shè)置于納米銀線導(dǎo)電電極層的上側(cè)或/和下側(cè)。
[0012]優(yōu)選地，所述光學(xué)匹配層厚度為四分之一波長(zhǎng)的奇數(shù)倍。
[0013]優(yōu)選地，所述光學(xué)匹配層為一層低折射率光學(xué)膜，所述低折射率光學(xué)膜的折射率為 1.1-1.6。
[0014]優(yōu)選地，所述光學(xué)匹配層包括兩層光學(xué)膜，該光學(xué)匹配層按照低折射率光學(xué)膜、高折射率光學(xué)膜疊加形成，其中低折射率光學(xué)膜層折射率為1.1-1.6，高折射率光學(xué)膜層折射率為 1.8-2.7。
[0015]優(yōu)選地,所述光學(xué)匹配層為三層光學(xué)膜疊加而成，其中第一層光學(xué)膜的折射率為1.1-1.6，第二層光學(xué)膜的折射率為1.8-2.7，第三層光學(xué)膜的折射率為1.1-1.6。
[0016]優(yōu)選地，所述光學(xué)匹配層包括多層光學(xué)膜，由低折射率光學(xué)膜、高折射率光學(xué)膜按交替疊加的方式疊加形成，其中低折射率光學(xué)膜折射率為1.1-1.6，高折射率光學(xué)膜折射率為 1.8-2.7。
[0017]優(yōu)選地，所述納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)霧度小于或等于3.0 %。
[0018]優(yōu)選地，所述納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)霧度小于或等于1.5%。
[0019]本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問(wèn)題的又一技術(shù)方案是提供一種納米銀線觸控面板，其包括一蓋板，一膠層，一遮蔽層，設(shè)置于膠層與蓋板之間，及納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)，其中，所述膠層粘接蓋板和所述的納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)。
[0020]本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問(wèn)題的再一技術(shù)方案是提供一種納米銀線觸控面板，其包括一遮蔽層，及納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)，其中，遮蔽層設(shè)置于基材與納米銀線導(dǎo)電電極層之間，所述的基材作為蓋板使用，基材遠(yuǎn)離遮蔽層的表面作為觸控操作面。
[0021 ] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)及采用所述納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)的觸控面板采用納米銀線替代ITO作為導(dǎo)電材料，導(dǎo)電性能和反應(yīng)靈敏度得到了提高，尤其在中大尺寸的觸控面板當(dāng)中對(duì)靈敏度的提升尤為明顯。其次由于采用納米銀線作為導(dǎo)電材料時(shí)，納米銀線的反光率較高產(chǎn)生漫射現(xiàn)象，會(huì)使得表面出現(xiàn)發(fā)白發(fā)霧的問(wèn)題，通過(guò)設(shè)置一層光學(xué)匹配層，當(dāng)其厚度為四分之一波長(zhǎng)的奇數(shù)倍時(shí)，由于光學(xué)匹配層折射率調(diào)節(jié)作用，使得兩個(gè)界面的反射系數(shù)接近。相鄰兩束光之間的光程差恰好為1/2波長(zhǎng)，即振動(dòng)方向相反，使得反射光減少。而通常光學(xué)匹配層只設(shè)置一層光學(xué)膜層的效果對(duì)于反射光的降低有限，可以通過(guò)設(shè)置多層高低折射率搭配的光學(xué)膜層交替疊加形成光學(xué)匹配層或添加多層光學(xué)匹配層來(lái)提高對(duì)霧度的改善效果，當(dāng)單層光學(xué)膜的膜厚度為四分之一波長(zhǎng)奇數(shù)倍，或光學(xué)匹配層的總厚度為四分之一波長(zhǎng)奇數(shù)倍時(shí)，可以較好的降低反射光的數(shù)量，實(shí)現(xiàn)對(duì)霧度問(wèn)題的改善。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)合理，納米銀線導(dǎo)電電極層的透光率在85%以上，甚至達(dá)90 %以上，霧度可以降低至小于或等于3.0%，甚至達(dá)到小于或等于1.5%。
【【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】】
[0022]圖1是納米銀線導(dǎo)電電極層分布于基材上的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖2是納米銀線導(dǎo)電電極層分布于基材上的平面示意圖。
[0024]圖3是本實(shí)用新型第一實(shí)施例納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)的剖切面爆炸結(jié)構(gòu)圖。
[0025]圖4是本實(shí)用新型第二實(shí)施例納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)的剖切面爆炸結(jié)構(gòu)圖。
[0026]圖5是本實(shí)用新型第三實(shí)施例納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)的剖切面爆炸結(jié)構(gòu)圖。
[0027]圖6是本實(shí)用新型第三實(shí)施例納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)的變形結(jié)構(gòu)剖切面爆炸結(jié)構(gòu)圖。
[0028]圖7是本實(shí)用新型第四實(shí)施例納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)的剖切面爆炸結(jié)構(gòu)圖。
[0029]圖8是本實(shí)用新型第五實(shí)施例納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)的剖切面爆炸結(jié)構(gòu)圖。
[0030]圖9是本實(shí)用新型第六實(shí)施例納米銀線觸控面板的剖切面爆炸結(jié)構(gòu)圖。
[0031]圖10是本實(shí)用新型第七實(shí)施例納米銀線觸控面板的剖切面爆炸結(jié)構(gòu)圖。
【【具體實(shí)施方式】】
[0032]為了使本實(shí)用新型的目的，技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施實(shí)例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。在所有實(shí)施例中上、下、左、右等位置限定詞僅限于指定視圖上的相對(duì)位置，而非絕對(duì)位置。
[0033]銀在一般狀態(tài)下為銀白色金屬，且為不透明材料，導(dǎo)電性極佳。而為納米銀線時(shí)，納米銀線具有良好的透光率和極佳的導(dǎo)電性，能夠很好的運(yùn)用于觸控面板的導(dǎo)電電極。
[0034]請(qǐng)參閱圖1與圖2，系納米銀線導(dǎo)電電極層805分布在基材807上的示意圖，其包括基材807和制作在基材807上的納米銀線導(dǎo)電電極層805，納米銀線導(dǎo)電電極層805包括基質(zhì)803和嵌入在基質(zhì)803中的多根納米銀線801，納米銀線801排布其中相互搭接形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)。納米銀線801線徑越大電阻越低，線長(zhǎng)越長(zhǎng)越容易搭接形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，但同時(shí)納米銀線801表面積也隨之增大，表面反射光漫射導(dǎo)致的霧度問(wèn)題越明顯，因此納米銀線801的線長(zhǎng)為10um-300 μ m,優(yōu)選為20um_100 μ m,最優(yōu)其長(zhǎng)度為20um_50 μ m,納米銀線801的線徑小于500nm，或小于200nm，100nm，優(yōu)選為小于50nm，且其長(zhǎng)寬比(線長(zhǎng)與線徑之比)大于10，優(yōu)選大于50，更優(yōu)選大于400?；?07 —般為透明絕緣材料。
[0035]基質(zhì)803是指納米銀線溶液在經(jīng)過(guò)涂布等方法設(shè)置在基材807上，經(jīng)過(guò)加熱烘干使得易揮發(fā)的物質(zhì)揮發(fā)后，留在基材807上的非納米銀線物質(zhì)。納米銀線801散布或嵌入其中，形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，部分納米銀線801從基質(zhì)803材料中突出。納米銀線801依靠基質(zhì)803形成納米銀線導(dǎo)電電極層805，基質(zhì)803可以保護(hù)納米銀線801不易受腐蝕、磨損等外界環(huán)境的影響。
[0036]納米銀線導(dǎo)電電極層805的厚度越厚，其電阻越低導(dǎo)電性越好，但同時(shí)透光率隨著厚度增加而降低，因此，納米銀線導(dǎo)電電極層805的厚度約為ΙΟηπι-δμπι，優(yōu)選為20nm-l μ m,更優(yōu)為50nm_200nm，透光率可以達(dá)到85 %以上，甚至達(dá)90 %以上。
[0037]在一些實(shí)施例中，納米銀線導(dǎo)電電極層805的折射率為1.3-2.5，更優(yōu)為1.35-1.8。
[0038]納米銀線溶液是指，納米銀線801分散在特定的溶劑里而形成的懸浮溶液，該溶劑可以是水、水溶液、有機(jī)溶劑、無(wú)機(jī)溶劑、離子溶液、含鹽溶液、超臨界流體、油或其混合物等。該溶劑里還含有其它添加劑，如分散劑、表面活性劑、交聯(lián)劑、潤(rùn)濕劑或增稠劑，但不以此為限。
[0039]此外，可通過(guò)選擇適當(dāng)?shù)幕|(zhì)803材料來(lái)調(diào)整納米銀線導(dǎo)電電極層805的光學(xué)特性，例如，可以將基質(zhì)803調(diào)整為具有期望的折射率、組成元素和一定的厚度，使納米銀線導(dǎo)電電極層805的折射率與光學(xué)匹配層折射率匹配，可以有效地減少反射損耗、眩光影響、霧度問(wèn)題。
[0040]霧度是指由于納米銀線導(dǎo)電電極層805中的納米銀線801表面反射光漫射造成的云霧狀或混濁的外觀。屏幕的霧度問(wèn)題會(huì)導(dǎo)致在室外場(chǎng)景光線照射的情況下，屏幕反射光強(qiáng)烈，嚴(yán)重的時(shí)候會(huì)使得用戶看不清屏幕。
[0041]在本實(shí)用新型可以有效改善霧度問(wèn)題，使霧度可降低至小于或等于3%，甚至達(dá)到小于或等于1.5%。
[0042]請(qǐng)參閱圖3，本實(shí)用新型第一實(shí)施例納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)10包括一基材807，包括上表面和下表面，一納米銀線導(dǎo)電電極層805以及一光學(xué)匹配層105,其中，基材807為納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)10提供支撐，基材807上表面形成光學(xué)匹配層105，其上設(shè)置納米銀線導(dǎo)電電極層805。
[0043]所述基材807表面的水滴角為0-30度，優(yōu)選的小于10度。在該水滴角條件下，有利于光學(xué)匹配層105的鍍膜及納米銀線導(dǎo)電電極層805的涂布且可以增強(qiáng)對(duì)基材807的粘附性。
[0044]所述基材807可為剛性基材，如玻璃，強(qiáng)化玻璃、藍(lán)寶石玻璃。也可以為具有可撓性的柔性基材，所述柔性基材包括但不限于PI (聚酰亞胺)、PC (聚碳酸酯)、聚醚砜(PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、壓克力、聚丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)、聚酰胺(PA)、聚苯并咪唑聚丁烯(PB)、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚酯(PE)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚醚酰亞胺、聚乙烯(PE)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯乙烯(PS)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚氨酯(PU)、聚氯乙烯(PVC)。
[0045]所述納米銀線導(dǎo)電電極層805的厚度為10nm-200nm。
[0046]所述光學(xué)匹配層105為一層低折射率光學(xué)膜，其厚度為1/4波長(zhǎng)的奇數(shù)倍。
[0047]所述低折射率為折射率小于1.6，優(yōu)選為1.1?1.6，優(yōu)選的折射率為1.1,1.25,1.32，1.38，1.46，1.50，1.52。此時(shí)光學(xué)匹配層105的材料為有機(jī)物或無(wú)機(jī)物，或有機(jī)-無(wú)機(jī)混合涂層。例如硅氧化物，氯氟化物，氟化鎂，二氧化硅，氟化鋰，氟化鈉，氧化鎂，硅酸鹽，聚氨酯，PMMA, PVA, PVP，有機(jī)硅，氟聚合物，丙烯酸樹(shù)脂，丙烯酸樹(shù)脂與矽石納米顆?；旌衔?，或膠黏劑之一或其任意組合。
[0048]所述光學(xué)匹配層105的形成方式可以為物理沉積，化學(xué)沉積，真空鍍膜，印刷，噴涂，柔印，納米壓印，絲網(wǎng)印刷，刮刀涂布，夾縫式涂布，旋轉(zhuǎn)涂布，棒狀涂布，滾筒涂布，線棒涂布或浸潰涂布。
[0049]本實(shí)施例納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)10的霧度將降低至小于3%，甚至小于1.5%。
[0050]通過(guò)設(shè)置一層低折射率光學(xué)膜的光學(xué)匹配層105，當(dāng)其厚度為四分之一波長(zhǎng)的奇數(shù)倍時(shí)，由于光學(xué)匹配層105折射率較低，使得兩個(gè)界面的反射系數(shù)接近，相鄰兩束光之間的光程差恰好為1/2波長(zhǎng)，即振動(dòng)方向相反，部分入射光于反射光相抵消，使得反射光減少。
[0051]在一個(gè)變形結(jié)構(gòu)中，參照?qǐng)D3所示納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)10，所述光學(xué)匹配層105與納米銀線導(dǎo)電電極層805位置可換，即所述光學(xué)匹配層105位于納米銀線導(dǎo)電電極層805上方。
[0052]請(qǐng)參閱圖4，為本實(shí)用新型第二實(shí)施例納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)20包括基材807，納米銀線導(dǎo)電電極層805和光學(xué)匹配層205，基材807上表面形成光學(xué)匹配層205，其上設(shè)置納米銀線導(dǎo)電電極層805。所述光學(xué)匹配層205由低折射率光學(xué)膜2051、高折射率光學(xué)膜2053疊加形成。其中低折射率光學(xué)膜2051折射率為1.1-1.6，高折射率光學(xué)膜2053折射率為 1.8-2.7。
[0053]所述高折射率優(yōu)選的折射率為1.8，1.85，2.0,2.2,2.4,2.7。此時(shí)高折射率光學(xué)膜2053的材料可以為有機(jī)物和/或無(wú)機(jī)物例如:鉭氧化物，鈦氧化物，鈮氧化物，鉛氧化物，鋯氧化物，鋅硫化物，聚酰亞胺，二氧化鋯(ZrO2)，五氧化二鉭(Ta2O5)，五氧化二鈮，二氧化鈦，硅膠，丙烯酸樹(shù)脂與二氧化鈦納米顆粒的混合物。
[0054]所述光學(xué)匹配層205，兩層光學(xué)膜的總厚度為1/4波長(zhǎng)奇數(shù)倍。
[0055]在其他變形結(jié)構(gòu)中，參照?qǐng)D4所示納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)20，所述光學(xué)匹配層205與納米銀線導(dǎo)電電極層805位置可換，即所述光學(xué)匹配層205位于納米銀線導(dǎo)電電極層805上方。所述的低折射率光學(xué)膜2051和高折射率光學(xué)膜2053的位置也可以互換。
[0056]請(qǐng)參閱圖5，為本實(shí)用新型第三實(shí)施例納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)30包括基材807，納米銀線導(dǎo)電電極層805和光學(xué)匹配層305，基材807上表面形成光學(xué)匹配層305，其上設(shè)置納米銀線導(dǎo)電電極層805。所述光學(xué)匹配層305由三層低、高、低折射率光學(xué)膜疊加而成，其中高折射率光學(xué)膜3053位于兩層低折射率光學(xué)膜3051、3057之間。
[0057]所述光學(xué)匹配層305，三層光學(xué)膜的總厚度為1/4波長(zhǎng)奇數(shù)倍。
[0058]在本實(shí)施例中，給出三種較佳的組合方式，如表一:
[0059]
TT~疊層結(jié)構(gòu)~~
項(xiàng)次--;---- 霧復(fù)低折射率高折射率低折射率
'^^3.5% 左實(shí)施例1娃氧化物聚醜亞胺丙烯酸樹(shù)脂


右實(shí)施例2硅氧化物五Ku+—氟聚合物于]%
氧化鈦實(shí)施例3丙晞酸樹(shù)脂二氧化鈥石圭氧化物小于3%
[0060]表一:不同光學(xué)匹配層材料的組合
[0061]在另外的變形結(jié)構(gòu)中，光學(xué)匹配層還可以是多層低、高折射率光學(xué)膜相搭配組成，其中低折射率光學(xué)膜和高折射率光學(xué)膜交替疊加。通常只設(shè)一層光學(xué)膜的光學(xué)匹配層效果對(duì)于反射光的降低有限，可以通過(guò)設(shè)置多層光學(xué)膜的高低折射率相搭配，當(dāng)單層膜厚度為四分之一波長(zhǎng)奇數(shù)倍，或多層光學(xué)膜相鄰時(shí)總厚度為四分之一波長(zhǎng)奇數(shù)倍時(shí)，可以較好的降低反射光的數(shù)量，實(shí)現(xiàn)對(duì)霧度問(wèn)題的改善。
[0062]請(qǐng)參閱圖6，在本實(shí)施例的另一個(gè)變形結(jié)構(gòu)中，納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)中可以設(shè)置兩層光學(xué)匹配層305、307，光學(xué)匹配層305、307可以同時(shí)位于納米銀線導(dǎo)電電極層805的上側(cè)或下側(cè)或上下兩側(cè)，圖示光學(xué)匹配層305設(shè)置于基材807與納米銀線導(dǎo)電電極層805之間，光學(xué)匹配層307設(shè)置于納米銀線導(dǎo)電電極層805的上側(cè)。
[0063]在其他變形結(jié)構(gòu)中同時(shí)還可以在納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)中設(shè)置多層光學(xué)匹配層，進(jìn)一步提高對(duì)于霧度的改善。
[0064]請(qǐng)參閱圖7，本實(shí)用新型第四實(shí)施例納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)40包括一基材807，一納米銀線導(dǎo)電電極層805和一光學(xué)匹配層405，納米銀線導(dǎo)電電極層805設(shè)置于所述基材807上表面，其上設(shè)置光學(xué)匹配層405。所述光學(xué)匹配層405包括兩層低折射率匹配層4051,4055和一高折射率匹配層4053，所述低折射率匹配層4055為低折射率光學(xué)膠粘層，不僅可以起到低折射率光學(xué)膜的作用而且可以在與其他電子原器件(例如LCD or 0LED)貼合時(shí)，作為粘合劑使用，如此相對(duì)于傳統(tǒng)工藝可以減少一層光學(xué)膠粘層，有利于降低成本和廣品厚度。
[0065]所述充當(dāng)光學(xué)膠粘層的低折射率匹配層4055的折射率小于1.6，優(yōu)選為1.3，1.4，
1.5,1.52,厚度 25um_500um。
[0066]請(qǐng)參閱圖8，本實(shí)用新型第五實(shí)施例納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)50包括一基材807，納米銀線導(dǎo)電電極層805和光學(xué)匹配層505，所述基材807包括下表面和下表面，所述納米銀線導(dǎo)電電極層805包括第一納米銀線導(dǎo)電電極層8051和第二納米銀線導(dǎo)電電極層8053，第一納米銀線導(dǎo)電電極層8051和第二納米銀線導(dǎo)電電極層8053分別相對(duì)設(shè)置于基材807的下表面和上表面。本實(shí)施例中，第一納米銀線導(dǎo)電電極層8051位于基材807的下表面,第二納米銀線導(dǎo)電電極層8053位于基材807的上表面。光學(xué)匹配層505位于第二納米銀線導(dǎo)電電極層8053上方。
[0067]在其他變形結(jié)構(gòu)中，參照?qǐng)D7所示納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)50，光學(xué)匹配層505可以位于基材807與第一納米銀線導(dǎo)電電極層8051之間、基材807與第二納米銀線導(dǎo)電電極層8053之間，以及位于第一納米銀線導(dǎo)電電極層8051下方，此外，在其他變形結(jié)構(gòu)中，光學(xué)匹配層505還可以有兩層或兩層以上，位于基材807與第一納米銀線導(dǎo)電電極層8051之間，和/或基材807與第二納米銀線導(dǎo)電電極層8053之間，和/或第一納米銀線導(dǎo)電電極層8051下方，和/或第二納米銀線導(dǎo)電電極層8053上方。
[0068]請(qǐng)參閱圖9，本實(shí)用新型第六實(shí)施例納米銀線觸控面板60包括一蓋板609，一光學(xué)膠黏層608，一遮蔽層607，以及一納米銀線層疊結(jié)構(gòu)603，所述蓋板609包括下表面6091和上表面6093，上表面6093為觸控操作面，光學(xué)膠粘層608用于粘貼蓋板609和納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)603。所述納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)603與第一實(shí)施例所述納米銀線層疊結(jié)構(gòu)類似，包括一基材807, —納米銀線導(dǎo)電電極層805和一光學(xué)匹配層6035。納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)603設(shè)置于光學(xué)膠黏層608下方。
[0069]遮蔽層607設(shè)置于蓋板609下表面的四周，用于裝飾作用和遮蔽走線，其材料可以為不透明的油墨，光阻，非導(dǎo)電金屬電鍍材料。若走線材料采用納米銀線801或ITO等透明導(dǎo)電材料做為走線材料，則蓋板609可以至少兩邊沒(méi)有遮蔽層607，實(shí)現(xiàn)無(wú)邊框設(shè)計(jì)。
[0070]蓋板609的材質(zhì)和基材807的材質(zhì)可相同也可以不同。
[0071 ] 不容置疑，在其他變形結(jié)構(gòu)中，納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)可以是上述第二實(shí)施至第五實(shí)施例所述納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)及其變形結(jié)構(gòu)中的任意一種。光學(xué)膠粘層連接蓋板下表面與納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)的上表面或連接蓋板下表面與納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)下表面，此處上表面、下表面為圖4至圖8所示圖的相對(duì)上表面、下表面。特別地，納米銀線層疊結(jié)構(gòu)為第三實(shí)施例所述納米銀線層疊結(jié)構(gòu)，則低折射率匹配層可以直接替代光學(xué)膠粘層。
[0072]請(qǐng)參閱圖10，本實(shí)用新型第七實(shí)施例納米銀線觸控面板70包括一遮蔽層707和一納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)703。所述納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)703與第一實(shí)施例所述納米銀線層疊結(jié)構(gòu)類似，包括一基材807，所述基材807包括上表面和下表面，一納米銀線導(dǎo)電電極層805和一光學(xué)匹配層7035，所述基材807在本實(shí)施例中具有蓋板的作用，基材807的上表面作為觸控操作面，所述遮蔽層707位于基材807下表面的四周，用于遮蔽裝飾和走線，若走線材料采用納米銀線801, ITO等透明導(dǎo)電材料做為走線材料,貝U基材807可以至少兩邊沒(méi)有遮蔽層，實(shí)現(xiàn)無(wú)邊框設(shè)計(jì)。
[0073]應(yīng)該理解，在其他變形結(jié)構(gòu)中，納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)可以是上述第二實(shí)施例至第四實(shí)施例所述納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)及其變形結(jié)構(gòu)中的任意一種。
[0074]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)及采用所述納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)的觸控面板采用納米銀線替代ITO作為導(dǎo)電材料，導(dǎo)電性能和反應(yīng)靈敏度得到了提高，尤其在中大尺寸的觸控面板當(dāng)中對(duì)靈敏度的提升尤為明顯。其次由于采用納米銀線作為導(dǎo)電材料時(shí)，納米銀線的反光率較高產(chǎn)生漫射現(xiàn)象，會(huì)使得表面出現(xiàn)發(fā)白發(fā)霧的問(wèn)題，通過(guò)設(shè)置一層光學(xué)匹配層，當(dāng)其厚度為四分之一波長(zhǎng)的奇數(shù)倍時(shí)，由于光學(xué)匹配層折射率調(diào)節(jié)作用，使得兩個(gè)界面的反射系數(shù)接近。相鄰兩束光之間的光程差恰好為1/2波長(zhǎng)，即振動(dòng)方向相反，使得反射光減少。而通常光學(xué)匹配層只設(shè)置一層光學(xué)膜層的效果對(duì)于反射光的降低有限，可以通過(guò)設(shè)置多層高低折射率搭配的光學(xué)膜層交替疊加形成光學(xué)匹配層或添加多層光學(xué)匹配層來(lái)提高對(duì)霧度的改善效果，當(dāng)單層光學(xué)膜的膜厚度為四分之一波長(zhǎng)奇數(shù)倍，或光學(xué)匹配層的總厚度為四分之一波長(zhǎng)奇數(shù)倍時(shí)，可以較好的降低反射光的數(shù)量，實(shí)現(xiàn)對(duì)霧度問(wèn)題的改善。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)合理，納米銀線導(dǎo)電電極層的透光率在85%以上，甚至達(dá)90%以上，霧度可以降低至小于或等于3.0 %，甚至達(dá)到小于或等于1.5 %。
[0075]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的原則之內(nèi)所作的任何修改，等同替換和改進(jìn)等均應(yīng)包含本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)，其特征在于:包括， 一基材，具有上表面和與上表面相對(duì)的下表面； 一納米銀線導(dǎo)電電極層，設(shè)置于基材下表面 '及 至少一層光學(xué)匹配層，設(shè)置于所述納米銀線導(dǎo)電電極層上側(cè)和/或下側(cè)；
2.如權(quán)利要求1所述納米銀線層疊結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述光學(xué)匹配層厚度為四分之一波長(zhǎng)的奇數(shù)倍。
3.如權(quán)利要求1所述納米銀線層疊結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述光學(xué)匹配層為一層低折射率光學(xué)膜，所述低折射率光學(xué)膜的折射率為1.1-1.6。
4.如權(quán)利要求1所述納米銀線層疊結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述光學(xué)匹配層包括兩層光學(xué)膜，該光學(xué)匹配層按照低折射率光學(xué)膜、高折射率光學(xué)膜疊加形成，其中低折射率光學(xué)膜層折射率為1.1-1.6，高折射率光學(xué)膜層折射率為1.8-2.7。
5.如權(quán)利要求1所述納米銀線層疊結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述光學(xué)匹配層為三層光學(xué)膜疊加而成，其中第一層光學(xué)膜的折射率為1.1-1.6,第二層光學(xué)膜的折射率為1.8-2.7,第三層光學(xué)膜的折射率為1.1-1.6。
6.如權(quán)利要求1所述納米銀線層疊結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述光學(xué)匹配層包括多層光學(xué)膜，由低折射率光學(xué)膜、高折射率光學(xué)膜按交替疊加的方式疊加形成，其中低折射率光學(xué)膜折射率為1.1-1.6，高折射率光學(xué)膜折射率為1.8-2.7。
7.如權(quán)利要求1所述納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)霧度小于或等于3.0%。
8.如權(quán)利要求1所述納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)霧度小于或等于1.5%。
9.一種納米銀線觸控面板，其特征在于，包括: 一蓋板， 一膠層， 一遮蔽層，設(shè)置于膠層與蓋板之間，及 如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)， 其中，所述膠層粘接所述蓋板和所述的納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)。
10.一種納米銀線觸控面板，其特征在于，包括: 一遮蔽層，及 如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的納米銀線導(dǎo)電層疊結(jié)構(gòu)， 其中遮蔽層設(shè)置于基材與納米銀線導(dǎo)電電極層之間，所述的基材作為蓋板使用，基材遠(yuǎn)離遮蔽層的表面作為觸控操作面。
【文檔編號(hào)】G06F3/044GK203930742SQ201420312459
【公開(kāi)日】2014年11月5日 申請(qǐng)日期:2014年6月12日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月12日
【發(fā)明者】高國(guó)峯, 袁瓊, 葉坤雄, 何小嫻 申請(qǐng)人:宸鴻科技(廈門)有限公司