一種電容式觸控面板的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種電容式觸控面板，其包括一電極圖案層以及一基板，該電極圖案層布于基板的一側(cè)，在第一方向上平行排列有多個(gè)第一電極串，在第二方向上平行排列有多個(gè)第二電極串，第一電極串與第二電極串相交排列，第一電極串與第二電極串交疊區(qū)域設(shè)計(jì)有橋式結(jié)構(gòu)，所述第一電極串和第二電極串主要為納米銀線導(dǎo)電層。采用本實(shí)用新型所提供的電容式觸控面板，具有抗損性能好，成本低，觸控靈敏等優(yōu)點(diǎn)。
【專利說明】一種電容式觸控面板
【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001]本實(shí)用新型涉及觸控領(lǐng)域，尤其涉及一種電容式觸控面板。
【【背景技術(shù)】】
[0002]觸控面板技術(shù)已成為當(dāng)前最簡(jiǎn)便的人機(jī)交流的輸入設(shè)備。鑒于觸摸屏具有簡(jiǎn)便、反應(yīng)速度快、節(jié)省空間、易于交流等許多優(yōu)點(diǎn)，觸摸面板技術(shù)在我國(guó)的應(yīng)用范圍越來越廣闊，其不僅普遍應(yīng)用于隨身攜帶的電子裝置，如智能手機(jī)，平板電腦或筆記本電腦，同時(shí)也廣泛應(yīng)用于廣告資訊裝置，工業(yè)控制，軍事指揮，電子游戲，多媒體教學(xué)，房地產(chǎn)預(yù)售，以及公共信息的查詢裝置，如電信局、稅務(wù)局、銀行、電力等部門的業(yè)務(wù)查詢等等。
[0003]現(xiàn)有的最常用的觸控面板為電容式觸控面板，電容式觸控面板技術(shù)利用人體的電流感應(yīng)進(jìn)行工作，其具有操作簡(jiǎn)便，支持多點(diǎn)觸控等諸多優(yōu)點(diǎn)。隨著信息技術(shù)的發(fā)展，人們對(duì)觸控面板的要求越來越高，其主要體現(xiàn)在兩大方面，其一是觸控面板的精度，二是觸控面板的厚度，高靈敏度的輕薄化的觸控面板是業(yè)界的一致追求，尤其是輕薄化，其已經(jīng)成為了近年來的觸控面板廠商之間相互競(jìng)爭(zhēng)比拼的一大賣點(diǎn)。
[0004]通常，在現(xiàn)有觸控面板大都采用氧化銦錫(ITO)作為導(dǎo)電電極材料，由于銦元素為一種稀土元素，在大自然的存儲(chǔ)量比較小，其價(jià)格比較昂貴，氧化銦錫作為觸控面板的導(dǎo)電材料在很大程度上提升了觸控面板的制造成本，此外，ITO的電阻較高，其在一定程度上影響到了觸摸靈敏度，如果要降低方阻，則需要將電極層變厚，這不僅會(huì)進(jìn)一步提高制備成本，還會(huì)降低電極層的透光度，同時(shí)，增加厚度與現(xiàn)行輕薄化電子設(shè)備的發(fā)展趨勢(shì)相違背。又，ITO電極層的制作采用的是黃光工藝，黃光工藝制程復(fù)雜，設(shè)備成本高，故，其在一定程度上抑制了觸控面板產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
[0005]綜上所述，要使觸摸面板產(chǎn)業(yè)更加快速的發(fā)展，那么，我們確實(shí)急切需要尋找一種新的方案能夠解決ITO所存在的價(jià)格昂貴，電阻高，工藝復(fù)雜，抗損性能差等缺點(diǎn)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]為克服現(xiàn)有電容式觸控面板中ITO電極存在電阻高、價(jià)格昂貴、工藝復(fù)雜的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型提供一種方阻低，價(jià)格較低，工藝簡(jiǎn)單的電容式觸控面板。
[0007]本實(shí)用新型一種電容式觸控面板，包括:一基板與一電極圖案層，電極圖案層設(shè)置在基板一表面上，所述電極圖案層包括沿著第一方向排布的多個(gè)第一電極串和沿著第二方向排布的多個(gè)第二電極串，所述第一電極串和第二電極串互不平行；所述每一第一電極串包括多個(gè)第一納米銀線導(dǎo)電單元和多個(gè)第一導(dǎo)接線，所述第一導(dǎo)接線將所述第一方向上相鄰的第一納米銀線導(dǎo)電單元一一連接，且所述第一導(dǎo)接線與所述第一納米銀線導(dǎo)電單元一體成型；所述每一第二電極串包括多個(gè)第二納米銀線導(dǎo)電單元和至少一橋接線，所述橋接線將第二方向上相鄰的第二納米銀線導(dǎo)電單元一一連接，所述橋接線與所述第一導(dǎo)接線交疊區(qū)域通過設(shè)置絕緣層彼此相互絕緣。
[0008]優(yōu)選地，所述橋接線布設(shè)于所述的絕緣層和基板之間。
[0009]優(yōu)選地，所述絕緣層布設(shè)于所述橋接線和所述基板之間。
[0010]優(yōu)選地，所述第一納米銀線導(dǎo)電單元和第二納米銀線導(dǎo)電單元包括基質(zhì)及分布于所述基質(zhì)中的多條納米銀線，所述多條納米銀線相互搭接形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，所述第一納米銀線導(dǎo)電單元和第二納米銀線導(dǎo)電單元的厚度為10nm-5um,方阻為小于100ohm/sq,所述多條納米銀線中的每條納米銀線的線長(zhǎng)介于20-50 μ m,線徑小于500nm,長(zhǎng)寬比大于400。
[0011]優(yōu)選地，所述基板為外蓋保護(hù)板，所述外蓋保護(hù)板未布設(shè)電極圖案層的一面為觸控操作面。
[0012]優(yōu)選地，更包括一蓋板與一貼合層，所述蓋板一面通過所述貼合層與所述基板貼合，蓋板的另一面為觸控操作面；其中，所述電極圖案層設(shè)置在基板和貼合層之間或設(shè)置在基板背離貼合層的表面上。
[0013]優(yōu)選地，更包括，第一納米銀線走線和第二納米銀線走線，所述第一納米銀線走線與所述第一電極串的一端或兩端連接，所述第二納米銀線走線與所述第二電極串的一端或兩端連接。
[0014]優(yōu)選地，在每一相鄰的第二納米銀線導(dǎo)電單元之間設(shè)有兩條或多條橋接線。
[0015]優(yōu)選地，所述絕緣層形狀可為方形，菱形，梯形，橢圓形，六邊形，多邊形，圓形，形狀不規(guī)則圖形或具有圓滑過渡曲面的圖形。
[0016]優(yōu)選地，電極圖案層兩側(cè)更設(shè)置增粘層，平整層，光學(xué)匹配層之中的一層或多層，增粘層，平整層，光學(xué)匹配層之中的兩或三層可設(shè)置在電極圖案層的同側(cè)或異側(cè)，光學(xué)匹配層，增粘層和平整層三者之間位置可互換。
[0017]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型中電容式觸控面板的電極圖案層為納米銀線導(dǎo)電層，納米銀線導(dǎo)電層作為觸控電極導(dǎo)電材料具有價(jià)格低，電阻低，輕薄，撓性好等優(yōu)點(diǎn)，故，本實(shí)用新型電容式觸控面板可大大的提升的產(chǎn)品良率。另外，在電容式觸控面板上為納米銀線層時(shí)，其可以采用簡(jiǎn)單的涂布工藝來代替?zhèn)鹘y(tǒng)ITO黃光工藝，其簡(jiǎn)化了觸控面板的制作工藝的同時(shí)，設(shè)備成本降低，其使得更多的生產(chǎn)企業(yè)能夠進(jìn)入電容式觸控面板制造業(yè)。
【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0018]圖1是本實(shí)用新型納米銀線薄膜的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖2是本實(shí)用新型納米銀線薄膜的平面示意圖。
[0020]圖3是本實(shí)用新型第一實(shí)施例電容式觸控面板的立體結(jié)構(gòu)示意圖，其包括一電極圖案層，該電極圖案層包括多個(gè)在第一方向上平行排列的第一電極串和多個(gè)在第二方向上平行排列的第二電極串。
[0021]圖4是圖3中第一電極串的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖5是圖3中電極圖案層的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖6是圖5中B-B處的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]圖7是本實(shí)用新型第一實(shí)施例電容式觸控面板之電極圖案層的第一電極串與第二納米銀線導(dǎo)電單元的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]圖8是本實(shí)用新型第一實(shí)施例電容式觸控面板的電極圖案層中設(shè)置絕緣層的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]圖9是本實(shí)用新型第一實(shí)施例電容式觸控面板之電極圖案層的橋接線的布設(shè)結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]圖10是本實(shí)用新型第一實(shí)施例電容式觸控面板的走線結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]圖11是本實(shí)用新型第一實(shí)施例電容式觸控面板中橋式設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)應(yīng)用在不同電極圖案上的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖12是本實(shí)用新型第二實(shí)施例電容式觸控面板的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030]圖13是本實(shí)用新型第三實(shí)施例電容式觸控面板的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031]圖14是本實(shí)用新型第四實(shí)施例電容式觸控面板的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032]圖15是本實(shí)用新型第五實(shí)施例電容式觸控面板的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033]圖16是圖15中W處的放大結(jié)構(gòu)示意圖。
[0034]圖17是圖15中C-C處的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0035]圖18是本實(shí)用新型第五實(shí)施例電容式觸控面板的電極圖案層中橋接線的布設(shè)結(jié)構(gòu)示意圖。
[0036]圖19是本實(shí)用新型第五實(shí)施例電容式觸控面板的電極圖案層中設(shè)置絕緣層的布設(shè)結(jié)構(gòu)示意圖。
[0037]圖20是本實(shí)用新型第五實(shí)施例電容式觸控面板的電極圖案層中第一電極串與第二納米銀線導(dǎo)電單元布設(shè)結(jié)構(gòu)示意圖。
[0038]圖21是本實(shí)用新型第六實(shí)施例電容式觸控面板的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0039]圖22是本實(shí)用新型第七實(shí)施例電容式觸控面板的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0040]圖23是本實(shí)用新型第八實(shí)施例電容式觸控面板的層狀結(jié)構(gòu)示意圖。
[0041]圖24是本實(shí)用新型第九實(shí)施例電容式觸控面板的層狀結(jié)構(gòu)示意圖。
[0042]圖25是本實(shí)用新型第十實(shí)施例電容式觸控面板的層狀結(jié)構(gòu)示意圖。
[0043]圖26是本實(shí)用新型第十一實(shí)施例電容式觸控面板的層狀結(jié)構(gòu)示意圖。
[0044]圖27是本實(shí)用新型第十二實(shí)施例電容式觸控面板的層狀結(jié)構(gòu)立體示意圖。
【【具體實(shí)施方式】】
[0045]為了使本實(shí)用新型的目的，技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施實(shí)例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0046]請(qǐng)參閱圖1與圖2，系納米銀線導(dǎo)電薄膜的剖切結(jié)構(gòu)示意圖，納米銀線導(dǎo)電層805一般制作在基板807上，包括嵌入在基質(zhì)803中的多根納米銀線801，基板807 —般為透明絕緣材料，納米銀線801排布其中，形成一個(gè)傳導(dǎo)網(wǎng)絡(luò)。所謂納米銀線801 (silver nanowires,簡(jiǎn)稱SNW)的線長(zhǎng)為10-300 μ m,優(yōu)選20-100 μ m,最好其長(zhǎng)度20-50 μ m,納米銀線801的線徑小于500nm或小于200nm，lOOnm，優(yōu)選為小于50nm，且其長(zhǎng)寬比(線長(zhǎng)與線徑之比)大于10，優(yōu)選大于50或100，更優(yōu)選大于400。
[0047]銀在一般狀態(tài)下為銀白色金屬，且為不透明材料，導(dǎo)電性極佳。而當(dāng)銀處于納米狀態(tài)時(shí)，納米銀線801具有良好的透光率和極佳的導(dǎo)電性，能夠很好的運(yùn)用于觸控面板的觸控電極。
[0048]基質(zhì)803是指納米銀線溶液在經(jīng)過涂布等方法設(shè)置在基板807上，經(jīng)過加熱烘干使得易揮發(fā)的物質(zhì)揮發(fā)后，留在基板807上的非納米銀線物質(zhì)。納米銀線801散布或嵌入其中，形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，部分納米銀線801從基質(zhì)803材料中突出?；|(zhì)803是納米銀線801的宿體，納米銀線801依靠基質(zhì)803形成納米銀線導(dǎo)電層805，基質(zhì)803可以保護(hù)納米銀線801免受腐蝕、磨損等外界環(huán)境的影響。
[0049]納米銀線導(dǎo)電層805的厚度約為10nm-5 μ m，優(yōu)選為20nm_l μ m，更優(yōu)為50nm-200nm。在一些實(shí)施例中，納米銀線導(dǎo)電層805的折射率為1.3-2.5，更優(yōu)為1.35-1.8。
[0050]納米銀線溶液是指，納米銀線801分散在特定的溶劑里而形成的溶液，該溶劑可以是水、水溶液、有機(jī)溶劑、無機(jī)溶劑、離子溶液、含鹽溶液、超臨界流體、油或其混合物等。該溶劑里還含有其它添加劑，如分散劑、表面活性劑、交聯(lián)劑、潤(rùn)濕劑或增稠劑。
[0051 ] 此外，可通過選擇適當(dāng)?shù)幕|(zhì)803材料來調(diào)整納米銀線導(dǎo)電層805的光學(xué)特性，特別是解決霧度問題。例如，可以將基質(zhì)803調(diào)整為具有期望的折射率、組成元素和一定的厚度，都可以有效地減少反射損耗、眩光影響、霧度。
[0052]霧度是指由于納米銀線導(dǎo)電層805中的納米銀線801表面光漫射造成的云霧狀或混濁的外觀。雖然上述為納米銀線801，但是其他的金屬納米線嵌入至基質(zhì)803中后也可以形成具有金屬納米線的透明導(dǎo)電層805，該金屬納米線包括金屬單質(zhì)、金屬合金或金屬化合物。特別常用的金屬線包括但不限于:銀、金、銅、鎳、鉬以及鍍金的銀。由于銀的導(dǎo)電性較好，且成本又低于導(dǎo)電性比它好的金、鉬，同時(shí)銀的透光性又優(yōu)于銅、鎳等有色金屬，所以金屬納米銀線也即以納米銀線801為優(yōu)選的金屬導(dǎo)電材料被嵌入到基質(zhì)803中。
[0053]透明導(dǎo)電層805的透光率或清晰度可由以下參數(shù)定量的限定:透光率和霧度。透光率是指通過介質(zhì)傳輸?shù)娜肷涔獾陌俜直?，透明?dǎo)電層805的透光率至少為80%，甚至可以高達(dá)91% -92%。霧度是光漫射的指數(shù)，霧度是指入射光中分離出來并在傳輸?shù)倪^程中散射的光的數(shù)量百分比。透光率在很大程度上是透光介質(zhì)的性質(zhì)，與之不同的是，霧度經(jīng)常和產(chǎn)品有關(guān)，且典型地是由表面粗糙度和介質(zhì)中的嵌入粒子或組份的不均勻性導(dǎo)致的。在本發(fā)明的實(shí)施例中霧度不會(huì)超過5 %，優(yōu)選不超過3 %，更優(yōu)選的不超過1.5 %。該透明導(dǎo)電層805的方阻小于100ohm/sq。
[0054]請(qǐng)參閱圖3，本實(shí)用新型第一實(shí)施例觸控面板10包括一基板11以及一電極圖案層13，電極圖案層13形成于基板11 一表面上，即基板11為電極圖案層13的附著層。電極圖案層13包括在第一方向上(以下簡(jiǎn)稱X方向)陣列的多個(gè)第一電極串131,和在第二方向上(以下簡(jiǎn)稱Y方向)陣列的多個(gè)第二電極串133，多個(gè)第一電極串131與多個(gè)第二電極串133分別構(gòu)成了兩個(gè)方向上的觸控電極。本實(shí)施例中X與Y方向相交，但X和Y夾角角度不作限定。在一些實(shí)施例中，該基板11可為外蓋保護(hù)板，其未布設(shè)電極圖案層13的一表面為觸控操作面，即使用者用手指或觸控筆進(jìn)行觸控操作的表面。
[0055]請(qǐng)參閱圖4與圖5第一電極串131包括多個(gè)第一納米銀線導(dǎo)電單元135，第一納米銀線導(dǎo)電單元135為菱形，第一納米銀線導(dǎo)電單元135之間通過多個(gè)第一導(dǎo)接線136實(shí)現(xiàn)串聯(lián)，在兩兩相鄰的第一電極串131之間包括多個(gè)第一鏤空區(qū)137。相應(yīng)地，第二電極串133包括多個(gè)第二納米銀線導(dǎo)電單元138，第二納米銀線導(dǎo)電單元138為菱形，第二納米銀線導(dǎo)電單元138之間通過多個(gè)橋接線139實(shí)現(xiàn)串聯(lián)。從電容式觸控面板10的正面看過去，第一電極串131上的第一納米銀線導(dǎo)電單元135與第二電極串133上的第二納米銀線導(dǎo)電單元138無重疊區(qū)域，也就是說，第二納米銀線導(dǎo)電單元138設(shè)置在第一鏤空區(qū)137內(nèi)，最佳地，第一電極串131上的第一納米銀線導(dǎo)電單元135與第二電極串133上的第二納米銀線導(dǎo)電單元138之間互補(bǔ)，這樣使得光線穿過觸控面板10的材質(zhì)盡量保持了一致，光學(xué)效果最佳，克服了因材質(zhì)折射率差異所帶來的光線不均勻，浮現(xiàn)電極圖案層13等缺點(diǎn)。第一導(dǎo)接線136與橋接線139的交錯(cuò)處存在一交疊區(qū)域134，第一導(dǎo)接線136位于橋接線139下方，橋接線139布設(shè)于遠(yuǎn)離基板11的表面上，請(qǐng)參閱圖6，為了使第一導(dǎo)接線136與橋接線139在該交疊區(qū)域134內(nèi)相互絕緣，我們通常需要采用橋式設(shè)計(jì):即在第一導(dǎo)接線136與橋接線139之間加上一絕緣層132，使該兩者之間相互絕緣，絕緣層132布設(shè)于橋接線139和基板11之間。
[0056]第一導(dǎo)接線136與第一納米銀線導(dǎo)電單元135 —體成型，即兩者是在同一道制程工藝中圖案化形成的；橋接線139與第二方向第二納米銀線導(dǎo)電單元138并非一體成型，即兩者并非同一道制程圖案化所形成的。第一電極串131和第二納米銀線導(dǎo)電單元138是由納米銀線導(dǎo)電層805圖案化后所形成的，其相關(guān)的參數(shù)與納米銀線導(dǎo)電層805相同。
[0057]上述橋式設(shè)計(jì)的制程如下:
[0058]步驟S1:請(qǐng)參閱圖7，在基板11的X方向上布設(shè)形成平行排列的多條第一電極串131，在基板11的Y方向上布設(shè)形成多個(gè)彼此獨(dú)立的第二納米銀線導(dǎo)電單元138，第二納米銀線導(dǎo)電單元138設(shè)置在第一鏤空區(qū)137內(nèi)；
[0059]步驟S2:請(qǐng)參閱圖8，在第一導(dǎo)接線136上方鋪設(shè)一絕緣層132 ；
[0060]步驟S3:請(qǐng)參閱圖9，在絕緣層132上面布設(shè)一橋接線139，該橋接線139實(shí)際上為Y方向上相鄰的第二納米銀線導(dǎo)電單元138之間的連接線。橋接線139在Y方向上的長(zhǎng)度大于絕緣層132在Y方向上的長(zhǎng)度，同時(shí)也大于兩相鄰第二納米銀線導(dǎo)電單元138在Y方向上的距離，因此，橋接線139與相鄰的兩第二納米銀線導(dǎo)電單元138之間均有搭接區(qū)域，即相鄰的兩第二納米銀線導(dǎo)電單元138之間通過橋接線139電性連接，這樣，在Y方向上相鄰的第二納米銀線導(dǎo)電單元138電性連接并形成多個(gè)第二電極串133。在第一導(dǎo)接線136與橋接線139交疊的區(qū)域134內(nèi)，該兩者之間有絕緣層132，該絕緣層132區(qū)域面積大于或等于交疊區(qū)域134面積，絕緣層132將交疊區(qū)域134完全覆蓋，其使得第一導(dǎo)接線136與橋接線139相互絕緣無電性連接關(guān)系。
[0061]基板11可以是玻璃，強(qiáng)化玻璃，藍(lán)寶石玻璃或柔性透明基材如PEEK (polyetheretherketone 聚醚醚酮)，PI (Polyimide 聚酸亞胺)，PET (polyethyleneterephthalate聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)，PC(聚碳酸酯)，PES(聚丁二酸乙二醇酯，PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯polymethylmethacrylate)及其任意兩者的復(fù)合物等材料。
[0062]電極圖案層13可通過涂布蝕刻，印刷，濺鍍等方式布設(shè)于基板11上。在本實(shí)施例中，第一電極串131與第二納米銀線導(dǎo)電單元138以及橋接線139的為納米銀線導(dǎo)電層805圖案化后所形成。
[0063]絕緣層132材料可以是光阻，PI，PC，PMMA，PET，PEEK，PES，透明油墨，樹脂類，二氧化硅、氧化鈦、氧化鋅、氮化硅、氮氧化硅、氮化鋁、氧化鉭、聚酰等透明絕緣材料。
[0064]請(qǐng)參閱圖10，本實(shí)用新型觸摸面板10還包括連通觸控電極與外部柔性電路板(簡(jiǎn)稱FPC)的走線(未標(biāo)號(hào))，走線包括多條第一納米銀線走線181與多條第二納米銀線走線183，每一第一電極串131通過兩條第一納米銀線走線181連接至FPC，每一第二電極串133通過兩條第二納米銀線走線183連接至FPC，這樣，第一電極串131與第二電極串133通過多條第一納米銀線走線181與第二納米銀線走線183形成雙邊走線，其加強(qiáng)傳輸信號(hào)，減弱信號(hào)衰減，即便是同一第一電極串131或第二電極串133上其中一條第一納米銀線走線181或其中一條第二納米銀線走線183出現(xiàn)斷線現(xiàn)象，觸控面板10仍然能保持正常工作。該第一納米銀線走線181和第二納米銀線走線183為納米銀線導(dǎo)電層805圖案化所形成。
[0065]走線排布在觸控電極的周圍區(qū)域內(nèi)。走線材料不限定為納米銀線導(dǎo)電層805，其還可以為其他透明導(dǎo)電材料，如:IT0, IZO (ZnO: In), AZO (ZnO:Al),GZ0(Zn0:Ga), IGZ0(In:Ga:Zn),納米銀線，納米銅線,石墨烯,聚苯胺，PED 0T.PSS,透明導(dǎo)電高分子材料,碳納米管，石墨烯等，此時(shí)觸控面板10至少兩邊可以做成無邊框設(shè)計(jì)，得到無邊框觸控面板10。
[0066]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型中觸控面板10的電極圖案層13采用了納米銀線導(dǎo)電層805制作而成，納米銀線導(dǎo)電層805作為觸控電極導(dǎo)電材料具有價(jià)格低，透光率好，電阻低，輕薄，撓性好等優(yōu)點(diǎn)，本實(shí)施例中橋接線139所采用的納米銀線導(dǎo)電層805圖案化形成，納米銀線導(dǎo)電層805通過透明基質(zhì)803中布設(shè)的納米銀線801之間搭接來實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)功能，其具有較好的撓性，導(dǎo)接性，降低斷線率，故，本實(shí)用新型觸控面板10可大大的提升的產(chǎn)品良率。另外，在觸控面板10上采用納米銀線801作為導(dǎo)電材料時(shí)，其可以采用簡(jiǎn)單的涂布蝕刻工藝來代替?zhèn)鹘y(tǒng)ITO黃光工藝，其在簡(jiǎn)化觸控面板10制作工藝的同時(shí)，設(shè)備成本降低，其使得更多的生產(chǎn)企業(yè)能夠進(jìn)入觸控面板10制造業(yè)。
[0067]本實(shí)施例還包括以下變形:
[0068]橋接線139除了采用納米銀線導(dǎo)電層805圖案化形成外，在另一些實(shí)施例中，該橋接線139還可以是其他透明或不透明導(dǎo)電材料圖案化后形成，所述透明導(dǎo)電材料如:ΙΤ0，IZO(ZnO:In), AZO(ZnO:Α1)，GZO(ZnO:Ga)，IGZO(In:Ga:Ζη)，納米銅線，石墨烯，聚苯胺，PEDOT.PSS，透明導(dǎo)電高分子材料，碳納米管，石墨烯等；所述不透明導(dǎo)電材料如:導(dǎo)電金屬Al, Ag, Au, Cu等,或者是導(dǎo)電金屬層疊結(jié)構(gòu)MoAlMo, MoNb等。第一納米銀線導(dǎo)電單元135與第二納米銀線導(dǎo)電單元138可以是矩形，如圖11所示，其還可以是三角形、六邊形、多邊形、圓形，波浪形或不規(guī)則圖形等其他任意形狀。
[0069]絕緣層132形狀不限定于矩形，其還也可以是菱形，梯形，橢圓形，圓形、六邊形，多邊形，形狀不規(guī)則的圖形或具有圓滑過渡曲面的圖形。
[0070]第一納米銀線走線181和/或第二納米銀線走線183還可以采用不透明導(dǎo)電材料，可以是導(dǎo)電金屬Al, Ag, Au, Cu等,或者是導(dǎo)電金屬層疊結(jié)構(gòu)MoAlMo, MoNb等。在一些實(shí)施例中，該觸控面板還包含一層裝飾層(圖未視)，將不透明的走線覆蓋掉，使觸控面板10整體更加美觀。
[0071]裝飾層可選用油墨，光阻，非導(dǎo)電金屬，PC-PMMA等復(fù)合材料，這些材料不透明，其可用于遮蔽不透明導(dǎo)電材料形成的走線或觸控面板10其他組件，此時(shí)，觸控面板10為有邊框觸摸屏。
[0072]請(qǐng)參閱圖12，本實(shí)用新型第二實(shí)施例觸控面板20與實(shí)施例一的不同之處僅在于:該觸控面板20在Y方向上相鄰兩個(gè)第二納米銀線導(dǎo)電單元238之間設(shè)置了兩條橋接線239，該兩橋接線239在Y方向上的長(zhǎng)度大于絕緣層232在Y方向上的長(zhǎng)度，同時(shí)也大于兩第二納米銀線導(dǎo)電單元238在Y方向上的距離。相鄰第二納米銀線導(dǎo)電單元238之間的橋接線239不限定條數(shù)，其還可以是兩條或多條。
[0073]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例中兩個(gè)第二納米銀線導(dǎo)電單元238之間設(shè)置有多條橋接線239，其可實(shí)現(xiàn)低線電阻，并使得橋接更加穩(wěn)定，大大提高觸控靈敏度，而且即使其中一條橋接線239斷裂，其他橋接線239仍然正常工作，降低產(chǎn)品廢片率，大大提升產(chǎn)品良率。
[0074]請(qǐng)參閱圖13，本實(shí)用新型第三實(shí)施例觸控面板30與實(shí)施例一的不同之處僅在于:第二電極串333包括一條橋接線339，該橋接線339將位于同一第二電極串333上的第二納米銀線導(dǎo)電單元338串接起來，使整個(gè)第二電極串333電性導(dǎo)通。橋接線339在Y方向上的長(zhǎng)度大于絕緣層332在Y方向上的長(zhǎng)度，同時(shí)也大于兩第二納米銀線導(dǎo)電單元338在Y方向上的距離。
[0075]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例中同一第二電極串333上僅設(shè)置一整條橋接線389，其簡(jiǎn)化了橋接線339的布設(shè)工藝，由于橋接線339貫穿了整個(gè)第二電極串333，其進(jìn)一步保證了橋接線339與第二納米銀線導(dǎo)電單元338的導(dǎo)接穩(wěn)定性。
[0076]請(qǐng)參閱圖14，本實(shí)用新型第四實(shí)施例觸控面板40與實(shí)施例三的不同之處僅在于:用于連接相鄰第二納米銀線導(dǎo)電單元438的橋接線439設(shè)置有兩條，相鄰第二納米銀線導(dǎo)電單元438之間的橋接線439不限定條數(shù)，其還可以是兩條或多條，只要保證兩條或多條橋接線439在X方向上的總寬度小于絕緣層432的寬度即可。
[0077]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例中兩個(gè)第二納米銀線導(dǎo)電單元438之間設(shè)置有多條橋接線439，其使得橋式設(shè)計(jì)在實(shí)施例三的基礎(chǔ)之上更加穩(wěn)定，大大提高觸摸靈敏度，同時(shí)降低產(chǎn)品廢片率，大大提升了產(chǎn)品良率。
[0078]請(qǐng)參閱圖15和16，本實(shí)用新型第五實(shí)施例觸控面板50同樣包括:一基板51以及一電極圖案層53,在一些實(shí)施例中,在一些實(shí)施例中，該基板51可為外蓋保護(hù)板,其未布設(shè)電極圖案層53的一表面為觸控操作面，即使用者用手指或觸控筆進(jìn)行觸控操作的表面。該電極圖案層53包括在第一方向上(以下簡(jiǎn)稱X方向)陣列的多個(gè)第一電極串531,和在第二方向上(以下簡(jiǎn)稱Y方向)陣列的多個(gè)第二電極串533,多個(gè)第一電極串531與多個(gè)第二電極串533分別構(gòu)成了兩個(gè)方向上的觸控電極圖案。本實(shí)施例中X與Y方向相交，但X和Y夾角角度不作限定。
[0079]第一電極串531包括多個(gè)第一納米銀線導(dǎo)電單兀535,第一納米銀線導(dǎo)電單兀535為菱形，第一納米銀線導(dǎo)電單元535之間通過多個(gè)第一導(dǎo)接線536實(shí)現(xiàn)串聯(lián)，在兩兩相鄰的第一電極串531之間包括多個(gè)第一鏤空區(qū)537。相應(yīng)地，第二電極串533包括多個(gè)第二納米銀線導(dǎo)電單元538，第二納米銀線導(dǎo)電單元538為菱形，第二納米銀線導(dǎo)電單元538之間通過多個(gè)橋接線539實(shí)現(xiàn)串聯(lián)。從電容式觸控面板50的正面看過去，第一電極串531上的第一納米銀線導(dǎo)電單元535與第二電極串533上的第二納米銀線導(dǎo)電單元538無重疊區(qū)域，也就是說，第二納米銀線導(dǎo)電單元538的設(shè)置在第一鏤空區(qū)537內(nèi)，最佳地，第一電極串531上的第一納米銀線導(dǎo)電單元535與第二電極串533上的第二納米銀線導(dǎo)電單元538之間互補(bǔ)。第一導(dǎo)接線536與橋接線539存在一交疊區(qū)域534，為了使第一導(dǎo)接線536與橋接線539在第一導(dǎo)接線536與橋接線539形成的交疊區(qū)域534內(nèi)相互絕緣，我們通常需要采用橋式設(shè)計(jì):請(qǐng)參閱圖17，即在第一導(dǎo)接線536與橋接線539之間加上一絕緣層532，使該兩者之間相互絕緣。本實(shí)施例五50觸控面板與實(shí)施例一觸控面板10或?qū)嵤├|控面板20或?qū)嵤├|控面板30或?qū)嵤├挠|控面板40的區(qū)別僅在于在于橋式設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)不同，在本實(shí)施例中，第一導(dǎo)接線536位于橋接線539上方，橋接線539位于基板51和絕緣層532之間，其他與實(shí)施例一基本保持一致。
[0080]上述橋式設(shè)計(jì)的制程如下:
[0081]步驟Tl:請(qǐng)參閱圖18，在基板51的Y方向上布設(shè)形成陣列的橋接線539，該陣列的多個(gè)橋接線539分別對(duì)應(yīng)于Y方向上相鄰的兩個(gè)第二納米銀線導(dǎo)電單元538之間的位置。
[0082]步驟T2:請(qǐng)參閱圖19，在橋接線539表面設(shè)置一絕緣層532，在Y方向上，絕緣層532的長(zhǎng)度小于橋接線539的長(zhǎng)度，且橋接線539兩端表面均為暴露狀態(tài)，即無絕緣層532覆蓋。
[0083]步驟T3:請(qǐng)參閱圖20，在基板51的X方向上陣列形成多個(gè)第一電極串531，在蓋板51的Y方向上陣列形成多個(gè)第二納米銀線導(dǎo)電單元538，相鄰第二納米銀線導(dǎo)電單元538在Y方向上通過橋接線539的兩端實(shí)現(xiàn)電性連接形成多個(gè)第二電極串533。由于第一導(dǎo)接線536覆蓋在絕緣層532的上方。第一納米銀線導(dǎo)電單元535與第二納米銀線導(dǎo)電單元538之間設(shè)置有一定間隙，該兩者之間無電性連接。至此，第一電極串531與第二電極串533在第一導(dǎo)接線536與橋接線539的交疊區(qū)域534內(nèi)，第一導(dǎo)接線536與橋接線539之間設(shè)置有一絕緣層532，其使第一導(dǎo)接線536與橋接線539之間無電性連接，至此，第一電極串531與第二電極串533之間無電性連接。
[0084]本實(shí)用新型中第二納米銀線導(dǎo)電單元538也可以選擇與橋接線539 —體布設(shè)形成，即先形成第二電極串533，再形成絕緣層532，然后再布設(shè)第一電極串531。
[0085]請(qǐng)參閱圖21，本實(shí)用新型第六實(shí)施例觸控面板60與實(shí)施例五不同之處僅在于:本實(shí)施例中設(shè)置有兩條橋接線639，即在Y方向上，相鄰兩個(gè)第二納米銀線導(dǎo)電單元638之間可以設(shè)置兩條橋接線639，該兩橋接線639在Y方向上的長(zhǎng)度大于絕緣層632在Y方向上的長(zhǎng)度，且橋接線639兩端表面均為暴露狀態(tài)，即橋接線639兩端無絕緣層632覆蓋。相鄰第二納米銀線導(dǎo)電單元638之間的橋接線639不限定條數(shù)，其還可以是多條。
[0086]請(qǐng)參閱圖22，本實(shí)用新型第七實(shí)施例觸控面板70與實(shí)施例五不同之處僅在于:本實(shí)施例中每條第二電極串733位置的對(duì)應(yīng)處設(shè)置一條橋接線739，該橋接線739將其所在列的第二電極串733上的第二納米銀線導(dǎo)電單元738串接起來，使整個(gè)第二電極串733電性導(dǎo)通。該橋接線739的條數(shù)不作限定，其可以是兩條或多條，只要保證多條橋接線739與第一電極串731絕緣即可。
[0087]請(qǐng)參閱圖23，本實(shí)用新型第八實(shí)施例觸控面板80與實(shí)施例一至實(shí)施例七中任一實(shí)施例的區(qū)別僅在于:本實(shí)施例在基板81與電極圖案層83之間設(shè)置一增粘層85，故觸控面板80從上至下包括一基板81, —增粘層85,—電極圖案層83。，在基板81與電極圖案層13之間涂覆一層增粘層85，增粘層85的涂覆面積為電極圖案層83表面面積的100%，或80% -90%,最低不低于50%，此處涂覆面積以納米銀線801成形的電極圖案層83表面面積為基準(zhǔn)，即當(dāng)電極圖案層83大于、小于或等于蓋板81表面面積時(shí)，涂覆面積均為電極圖案層83表面面積的100%，或80% -90%，最低不低于50%。
[0088]所述增粘層85的膨脹系數(shù)小于基板81的膨脹系數(shù)，增粘層85的配置可以減小可撓性基板在成膜制造工藝中產(chǎn)生翹曲的程度，大大提高產(chǎn)品的良率。
[0089]所述增粘層85的材料可以選自高分子聚合物、絕緣材料、樹脂、透明光學(xué)膠、氧化物，類光阻等，包括但不限于:聚乙炔、聚苯胺、聚芳撐、聚噻吩、石墨烯等物質(zhì)或它們的任意組合。
[0090]所述增粘層85以流體的形式涂覆在基板81上方，所述流體可以是:水、離子或包含離子的溶液、有機(jī)溶劑、無機(jī)溶劑、或者它們的任意組合。包括但不限于:水、丙酮、乙酸乙酯、苯、乙醇、甲苯、乙酸仲丁酯、乙酸丁酯或者它們的任意組合。所述流體進(jìn)一步還可包括表面活性劑、分散劑、穩(wěn)定劑或粘合劑。
[0091]增粘層85除了以流體形式涂覆在蓋板81上之外，其本身還可以是固體薄膜的形式，即通過對(duì)固體薄膜式的增粘層85以加熱滾壓等的形式直接覆蓋于蓋板81上方，這時(shí)增粘層85的材料包括但不限于:聚乙烯醇縮丁醛(PVB)、聚乙烯醇(PVA)、聚碳酸酯(PC)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)、玻璃紙等。
[0092]請(qǐng)參閱圖24，本實(shí)用新型第九實(shí)施例觸控面板82與實(shí)施例一至實(shí)施例八中任一實(shí)施例的區(qū)別僅在于:本實(shí)施例在電極圖案層823表面設(shè)置一平整層827，故，觸控面板82從上至下包括一基板821，一電極圖案層823，一平整層827。
[0093]將平整層827涂覆在電極圖案層823，并經(jīng)過滾壓工藝處理后，能夠使納米銀線801之間的搭接面積增大從而提高納米銀線801的接觸率和導(dǎo)電率，從而達(dá)到良好的表面平整度。所述平整層827位于電極圖案層823上面，或優(yōu)選的，電極圖案層823在厚度方向上有部分嵌入平整層827中。
[0094]所述平整層827的材料可以選自高分子聚合物、絕緣材料、樹脂、透明光學(xué)膠、氧化物，類光阻等，包括但不限于:聚乙炔、聚苯胺、聚芳撐、聚噻吩、石墨烯聚3，4-亞乙基二氧吩(PEDOT)、等物質(zhì)或它們的任意組合。
[0095]所述平整層827可通過流體的形式涂覆在納米銀線801的蓋板821上方，所述流體可以包括:水、離子或包含離子的溶液、有機(jī)溶劑、無機(jī)溶劑、或者它們的任意組合。包括但不限于:水、丙酮、乙酸乙酯、苯、乙醇、甲苯、乙酸仲丁酯、乙酸丁酯或者它們的任意組合。表面活性劑、分散劑、穩(wěn)定劑或粘合劑也可以包括在流體中。
[0096]平整層827除以流體形式涂布在基板821上外，其也可以是固體薄膜的形式，即平整層827則可以通過對(duì)固體薄膜加熱滾壓的形式直接覆蓋于蓋板821上方，這時(shí)平整層827的材料包括但不限于:聚乙烯醇縮丁醛(PVB)、聚乙烯醇(PVA)、聚碳酸酯(PC)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)、玻璃紙等。在基板821與電極圖案層823之間也可設(shè)置平整層827。
[0097]請(qǐng)參閱圖25，本實(shí)用新型第十實(shí)施例觸控面板82與實(shí)施例一至實(shí)施例九中任一實(shí)施例的區(qū)別僅在于:本實(shí)施例在電極圖案層863下表面設(shè)置一光學(xué)匹配層869,故觸控面板86從上至下包括一基板861, —電極圖案層863, —光學(xué)匹配層869。
[0098]納米銀線801存在一定的霧度問題，為了使整個(gè)觸控面板86達(dá)到最佳的顯示效果，本變形實(shí)施例在觸控面板86的電極圖案層863下表面設(shè)置光學(xué)匹配層869，該光學(xué)匹配層869為一層低折射率的光學(xué)膜，其可以降低納米銀線的反射，所述低折射率為折射率小于1.6，優(yōu)選的為1.1?1.6。光學(xué)匹配層869可以為有機(jī)物或無機(jī)物，或有機(jī)-無機(jī)混合涂層。例如硅氧化物，氯氟化物，氟化鎂，二氧化硅優(yōu)選的折射率為1.1，1.25，1.32，1.38，
1.46，1.50，1.52。光學(xué)匹配層869的光學(xué)膜厚度為小于或等于1/4波長(zhǎng)奇數(shù)倍。在本實(shí)施例中增加一光學(xué)匹配層869后，所述第一導(dǎo)電電極層863的霧度可降低至5%左右，優(yōu)選地小于 3%，2%，1.5%。
[0099]所述光學(xué)匹配層869設(shè)置在電極圖案層863下表面時(shí)，其可以作為保護(hù)層，防止納米銀線氧化，腐蝕等直接暴露在外的一系列問題。光學(xué)匹配層869與電極圖案層863位置可互換。
[0100]請(qǐng)參閱圖26，本實(shí)用新型第i^一實(shí)施例觸控面板88與實(shí)施例一至實(shí)施例七中任一實(shí)施例的區(qū)別僅在于:該實(shí)施例在基板881與電極圖案層883之間設(shè)置了一增粘層885，在電極圖案層883的下表面設(shè)置了一平整層887與光學(xué)匹配層889，平整層887位于光學(xué)匹配層889與電極圖案層883之間。
[0101]此外增粘層885和/或平整層887也可以是光學(xué)匹配層889，具有光學(xué)匹配層889的特性及效果。實(shí)際上，生產(chǎn)廠商可根據(jù)需要從增粘層885，平整層887，光學(xué)匹配層889中擇一選用或多個(gè)相結(jié)合選用。增粘層885，平整層887，光學(xué)匹配層889分別與實(shí)施例八，九，十的中的增粘層85，平整層827，光學(xué)匹配層869的有益效果基本相同。
[0102]請(qǐng)參閱圖27，本實(shí)用新型第十二實(shí)施例觸控面板90與實(shí)施例一至實(shí)施例1^一中任一實(shí)施例的區(qū)別僅在于:本觸控面板90包括一蓋板91,電極圖案層93以及一基板94,該電極圖案層93形成于基板94上表面，基板94與蓋板91的一面通過貼合層92緊密貼合，該蓋板91的另一面，即異于電極圖案層93的布設(shè)面可為觸控操作面，該蓋板91能夠同時(shí)起到保護(hù)電極圖案層93的作用。蓋板91另外通過貼合層92與基板94連接。圖27中電極圖案層93設(shè)置在基板和貼合層92之間。在其他實(shí)施例中，電極圖案層93也可以設(shè)置在基板94背離貼合層92的一側(cè)，即從視圖上看，電極圖案層93位于所述基板94的下表面，(本實(shí)施例中的上下表面均是針對(duì)視圖而言)，在此不做詳細(xì)說明。除此之外，其他實(shí)施例的發(fā)明點(diǎn)均適用于本實(shí)施例。
[0103]以上所述僅為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本實(shí)用新型原則之內(nèi)所作的任何修改，等同替換和改進(jìn)等均應(yīng)包含本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種電容式觸控面板,包括:一基板與一電極圖案層，電極圖案層設(shè)置在基板一表面上，其特征在于: 所述電極圖案層包括沿著第一方向排布的多個(gè)第一電極串和沿著第二方向排布的多個(gè)第二電極串，所述第一電極串和第二電極串互不平行； 所述每一第一電極串包括多個(gè)第一納米銀線導(dǎo)電單元和多個(gè)第一導(dǎo)接線，所述第一導(dǎo)接線將所述第一方向上相鄰的第一納米銀線導(dǎo)電單元一一連接，且所述第一導(dǎo)接線與所述第一納米銀線導(dǎo)電單元一體成型； 所述每一第二電極串包括多個(gè)第二納米銀線導(dǎo)電單元和至少一橋接線，所述橋接線將第二方向上相鄰的第二納米銀線導(dǎo)電單元一一連接，所述橋接線與所述第一導(dǎo)接線交疊區(qū)域通過設(shè)置絕緣層彼此相互絕緣。
2.如權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板，其特征在于:所述橋接線布設(shè)于所述的絕緣層和基板之間。
3.如權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板，其特征在于:所述絕緣層布設(shè)于所述橋接線和所述基板之間。
4.如權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板，其特征在于:所述第一納米銀線導(dǎo)電單元和第二納米銀線導(dǎo)電單元包括基質(zhì)及分布于所述基質(zhì)中的多條納米銀線，所述多條納米銀線相互搭接形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，所述第一納米銀線導(dǎo)電單元和第二納米銀線導(dǎo)電單元的厚度為10nm-5um,方阻為小于100ohm/sq,所述多條納米銀線中的每條納米銀線的線長(zhǎng)介于20-50 μ m，線徑小于500nm，長(zhǎng)寬比大于400。
5.如權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板，其特征在于:所述基板為外蓋保護(hù)板，所述外蓋保護(hù)板未布設(shè)電極圖案層的一面為觸控操作面。
6.如權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板，其特征在于:更包括一蓋板與一貼合層，所述蓋板一面通過所述貼合層與所述基板貼合，蓋板的另一面為觸控操作面；其中，所述電極圖案層設(shè)置在基板和貼合層之間或設(shè)置在基板背離貼合層的一側(cè)。
7.如權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板，其特征在于:更包括，第一納米銀線走線和第二納米銀線走線，所述第一納米銀線走線與所述第一電極串的一端或兩端連接，所述第二納米銀線走線與所述第二電極串的一端或兩端連接。
8.如權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板，其特征在于:在每一相鄰的第二納米銀線導(dǎo)電單元之間設(shè)有兩條或多條橋接線。
9.如權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板，其特征在于:所述絕緣層形狀可為方形，菱形，梯形，橢圓形，六邊形，多邊形，圓形，形狀不規(guī)則圖形或具有圓滑過渡曲面的圖形。
10.如權(quán)利要求1所述的電容式觸控面板，其特征在于:電極圖案層兩側(cè)更設(shè)置增粘層，平整層，光學(xué)匹配層之中的一層或多層，增粘層，平整層，光學(xué)匹配層之中的兩或三層可設(shè)置在電極圖案層的同側(cè)或異側(cè)，光學(xué)匹配層，增粘層和平整層三者之間位置可互換。
【文檔編號(hào)】G06F3/044GK203930774SQ201420312458
【公開日】2014年11月5日 申請(qǐng)日期:2014年6月12日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月12日
【發(fā)明者】黃松建, 陳藝琴, 袁瓊, 張凡忠 申請(qǐng)人:宸鴻科技(廈門)有限公司