觸控面板及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及觸控【技術(shù)領(lǐng)域】，公開了一種觸控面板及其制造方法。在所述觸控面板中，透明導(dǎo)電層被所述高度差結(jié)構(gòu)分割成為第一電極、第二電極子件陣列和填充塊，并且第二電極子件陣列由導(dǎo)電的橋接線陣列串接成多列第二電極，因此省略了對(duì)透明導(dǎo)電層進(jìn)行的構(gòu)圖工藝，從而減少了制作工藝，降低了生產(chǎn)成本。同時(shí)，由于透明導(dǎo)電層覆蓋整個(gè)襯底基板，改善了整個(gè)觸控面板透光率和反射率的均勻性，進(jìn)而改善了顯示畫面的均勻性。
【專利說明】觸控面板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及觸控【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種觸控面板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的進(jìn)步，觸控面板因其在使用上更直觀，更符合人性化設(shè)計(jì)，而被廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品中。為了提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，減少制作工藝，降低成本和提高性能成為各生產(chǎn)商不斷追求的目標(biāo)。
[0003]在觸控面板技術(shù)中，相對(duì)于電阻式觸控面板，電容式觸控面板具有壽命長(zhǎng)、透光率高、可以支持多點(diǎn)觸控等優(yōu)點(diǎn)。并且，電容式觸控面板對(duì)噪聲和對(duì)地寄生電容也有很好的抑制作用。因此，電容式觸摸屏已成為如今觸控面板制造的熱點(diǎn)之一。如圖1所示，觸控面板W包括多條行分布的驅(qū)動(dòng)電極11 '、多條列分布的感應(yīng)電極12 ^以及多個(gè)檢測(cè)單元(圖中未示出)。驅(qū)動(dòng)電極11'和感應(yīng)電極12'橫縱交叉分布，并在交叉處形成檢測(cè)電容矩陣。電容式觸控面板的觸摸檢測(cè)原理為:分別向各行驅(qū)動(dòng)電極施加觸控掃描信號(hào)，檢測(cè)單元依次檢測(cè)與每行驅(qū)動(dòng)電極對(duì)應(yīng)的感應(yīng)電極的輸出信號(hào)，從而檢測(cè)出檢測(cè)電容矩陣中的電容變化，實(shí)現(xiàn)觸摸檢測(cè)，確定觸摸位置。
[0004]對(duì)于使用觸控面板的電子產(chǎn)品，為了不影響畫面顯示，需要選擇驅(qū)動(dòng)電極11 ^和感應(yīng)電極12 ’材料的透過率為90% -95%。但是，如圖2所示，在形成橫縱交叉分布的驅(qū)動(dòng)電極和感應(yīng)電極12'時(shí)，會(huì)導(dǎo)致整個(gè)觸控面板各部分的透光率和反射率不同，使得畫面顯示不均勻。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種觸控面板及其制造方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中在形成橫縱交叉分布的驅(qū)動(dòng)電極和感應(yīng)電極時(shí)，會(huì)導(dǎo)致整個(gè)觸控面板各部分的透過率和反射率不同，使得畫面顯示不均勻的問題。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種觸控面板，包括:
[0007]襯底基板；
[0008]絕緣的高度差結(jié)構(gòu)，所述高度差結(jié)構(gòu)布置在所述襯底基板上；
[0009]透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層覆蓋整個(gè)所述襯底基板，所述透明導(dǎo)電層被所述高度差結(jié)構(gòu)分割成為第一電極、第二電極子件陣列以及位于第一電極和第二電極子件陣列之間的填充塊，所述第一電極、所述第二電極子件和所述填充塊中的相鄰兩者之間相對(duì)于所述襯底基板的高度不同從而在高度方向上彼此錯(cuò)開，使得所述第一電極、所述第二電極子件和所述填充塊中的相鄰兩者之間彼此絕緣；
[0010]其中，所述第二電極子件陣列由導(dǎo)電的橋接線陣列串接成多列第二電極，各所述第二電極的延伸方向與所述第一電極的延伸方向垂直。
[0011]此外，本發(fā)明還提供一種制造觸控面板的方法，包括:
[0012]準(zhǔn)備襯底基板；[0013]在所述襯底基板上形成導(dǎo)電的橋接線陣列；
[0014]形成絕緣的高度差結(jié)構(gòu)，所述高度差結(jié)構(gòu)布置在所述襯底基板上并且覆蓋所述橋接線陣列，所述高度差結(jié)構(gòu)形成有窗口陣列，所述窗口陣列露出各橋接線的兩個(gè)端部；
[0015]形成透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層覆蓋整個(gè)所述襯底基板，所述透明導(dǎo)電層落入所述窗口陣列的部分形成為第二電極子件陣列，其余部分被所述高度差結(jié)構(gòu)分割成為第一電極和位于第一電極和第二電極子件陣列之間的填充塊，所述第一電極、所述第二電極子件和所述填充塊中的相鄰兩者之間相對(duì)于所述襯底基板的高度不同從而在高度方向上彼此錯(cuò)開，使得所述第一電極、所述第二電極子件和所述填充塊中的相鄰兩者之間彼此絕緣，
[0016]其中，各所述橋接線露出的兩個(gè)端部的連線方向與所述每一電極的延伸方向垂直；各所述第二電極子件與相應(yīng)的橋接線的端部搭接，使得所述橋接線將所述第二電極子件陣列串接成多列第二電極，各所述第二電極的延伸方向與所述第一電極的延伸方向垂直。
[0017]本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0018]上述技術(shù)方案中，由于透明導(dǎo)電層被所述高度差結(jié)構(gòu)分割成為第一電極、第二電極子件陣列和填充塊，并且第二電極子件陣列由導(dǎo)電的橋接線陣列串接成多列第二電極，因此省略了對(duì)透明導(dǎo)電層進(jìn)行的構(gòu)圖工藝，從而減少了制作工藝，降低了生產(chǎn)成本。同時(shí)，由于透明導(dǎo)電層覆蓋整個(gè)襯底基板，改善了整個(gè)觸控面板透光率和反射率的均勻性，進(jìn)而改善了顯示畫面的均勻性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1表示現(xiàn)有技術(shù)中觸控面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2表示圖1沿A-A方向的剖視圖；
[0022]圖3表示本發(fā)明實(shí)施例中觸控面板的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0023]圖4表示圖3沿B-B方向的剖視圖；
[0024]圖5-圖11表示圖3中觸控面板的制造過程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0026]如圖3-圖11所示，本發(fā)明實(shí)施例中提供一種觸控面板，其包括襯底基板10、導(dǎo)電的橋接線I的陣列、絕緣的高度差結(jié)構(gòu)、透明導(dǎo)電層(如:氧化銦錫、氧化銦鋅)。其中，橋接線I的陣列布置在襯底基板10上，如圖5所示。所述高度差結(jié)構(gòu)布置在襯底基板10上并且覆蓋橋接線I陣列，所述高度差結(jié)構(gòu)形成有窗口 17陣列，窗口 17陣列露出各橋接線I的兩個(gè)端部，如圖7所示。所述透明導(dǎo)電層覆蓋整個(gè)襯底基板10，所述透明導(dǎo)電層落入窗口17陣列的部分形成為第二電極子件3陣列，其余部分被所述高度差結(jié)構(gòu)分割成為第一電極2以及位于第一電極2和第二電極子件3陣列之間的填充塊5，6，第一電極2、第二電極子件3和填充塊5、6中的相鄰兩者之間相對(duì)于襯底基板10的高度不同從而在高度方向上彼此錯(cuò)開，使得第一電極2、第二電極子件3和填充塊5、6中的相鄰兩者之間彼此絕緣，如圖11所示。各橋接線I露出的兩個(gè)端部的連線方向與每一電極2的延伸方向垂直，各第二電極子件3與相應(yīng)的橋接線I的端部搭接，使得橋接線I將第二電極子件3陣列串接成多列第二電極，各所述第二電極的延伸方向與第一電極2的延伸方向垂直，從而在第一電極2和所述第二電極的交叉處形成檢測(cè)電容矩陣，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)觸摸的檢測(cè)。
[0027]其中，第一電極2為感應(yīng)電極，所述第二電極為驅(qū)動(dòng)電極。橋接線I的尺度非常小，在通常的設(shè)計(jì)中，橋接線I的尺度為70微米以下。
[0028]具體的，所述高度差結(jié)構(gòu)包括第一絕緣層12和位于第一絕緣層12上方的第二絕緣層15，第一絕緣層12和第二絕緣層15均由無機(jī)絕緣材質(zhì)形成。其中，第二絕緣層15落入第一絕緣層12的范圍內(nèi)，第二絕緣層15的面積小于第一絕緣層12的面積，從而露出部分第一絕緣層12，如圖10所示。兩層絕緣層方便形成所需的高度差結(jié)構(gòu)。具體的工藝過程為:首先，形成第一絕緣層12，采用刻蝕工藝在第一絕緣層12中形成窗口 17陣列，如圖7所示；然后，在第一絕緣層12上方形成第二絕緣層15，采用刻蝕工藝對(duì)第二絕緣層15進(jìn)行刻蝕，使得第二絕緣層15落入第一絕緣層12的范圍內(nèi)，第二絕緣層15的面積小于第一絕緣層12的面積,從而露出部分第一絕緣層12。
[0029]進(jìn)一步地，第二絕緣層15形成有多個(gè)槽隙11，所述透明導(dǎo)電層落入所述槽隙11的部分形成為與所述第一電極2相鄰的填充塊6,槽隙11使得第一電極2相對(duì)于襯底基板10的高度不同于相鄰的填充塊6相對(duì)于襯底基板10的高度，從而使得第一電極2與相鄰的填充塊6在高度方向上錯(cuò)開。同時(shí)，相當(dāng)于襯底基板10高度相同的第一電極2和填充塊5通過槽隙11錯(cuò)開。
[0030]為了使得第一電極2和相鄰的填充塊6通過槽隙11完全斷開，本實(shí)施例中的觸控面板還包括光敏層14，光敏層14布置在第二絕緣層15與形成第一電極2和所述第二電極的透明導(dǎo)電層之間，第二絕緣層15和光敏層14的截面形成為頂端大底端小的多個(gè)T型結(jié)構(gòu)。
[0031]在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，第一絕緣層12和第二絕緣層15選擇氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或任意兩者的結(jié)合或三者的結(jié)合，并通過以下過程形成所述T型結(jié)構(gòu):
[0032]首先，在第二絕緣層15上涂覆光敏層14，如:透明有機(jī)樹脂層，如圖8所示；然后，對(duì)光敏層14進(jìn)行曝光，顯影，形成光敏層不保留區(qū)域和光敏層保留區(qū)域，如圖9所示；最后，采用干刻法刻蝕掉光敏層不保留區(qū)域的第二絕緣層15，形成多個(gè)槽隙11，露出第一絕緣層12，使得第一絕緣層12的表面形成一個(gè)高度差。由于干刻過程中會(huì)出現(xiàn)底層過刻現(xiàn)象，使得第二絕緣層15和剩余的光敏層14的縱截面組成頂端大底端小的T型結(jié)構(gòu)，如圖10所示，從而可以保證透明導(dǎo)電層不同高度且相鄰圖案之間的完全斷開，如圖11所示。
[0033]上述技術(shù)方案中，由于透明導(dǎo)電層被所述高度差結(jié)構(gòu)分割成為第一電極、第二電極子件陣列和填充塊，并且第二電極子件陣列由導(dǎo)電的橋接線陣列串接成多列第二電極，因此省略了對(duì)透明導(dǎo)電層進(jìn)行的構(gòu)圖工藝，從而減少了制作工藝，降低了生產(chǎn)成本。同時(shí)，由于透明導(dǎo)電層覆蓋整個(gè)襯底基板，改善了整個(gè)觸控面板透光率和反射率的均勻性，進(jìn)而改善了顯示畫面的均勻性。此外，由于橋接線I的尺度非常小，所以橋接線I的陣列不會(huì)對(duì)觸控面板透光率和反射率的均勻性產(chǎn)生負(fù)面的影響。
[0034]顯然，以上只是為了有助于發(fā)明的理解而作的舉例，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出不同的變型。
[0035]例如，在上述實(shí)施例中，在第一電極2和第二電極子件3的陣列之間，透明顯示層被聞度差結(jié)構(gòu)分割成為填充塊5和填充塊6兩部分，其中，填充塊6與第一電極2齊平。然而，本發(fā)明不限于此，填充塊5和填充塊6可以形成為一體，并且第一電極2、第二電極子件3和填充塊中的相鄰兩者之間相對(duì)于襯底基板10的高度不同從而在高度方向上彼此錯(cuò)開，使得第一電極2、第二電極子件3和填充塊中的相鄰兩者之間彼此絕緣。
[0036]此外,在上述實(shí)施例中，第一電極2、第二電極子件3和填充塊相對(duì)于襯底基板10的高度為，第一電極2最高，填充塊其次，第二電極子件3最低。然而，本發(fā)明不限于此，可以設(shè)定為，第一電極2最低，填充塊其次，第二電極子件3的陣列最高。在這種情況下，第二絕緣層15上可以形成有凹部陣列，透明導(dǎo)電層落入凹部陣列的部分形成為第二電極子件3的陣列，然后第二電極子件3的陣列由導(dǎo)電的橋接線I的陣列串接成多列第二電極?；蛘?，可以設(shè)定為其他高度順序。
[0037]最后，觸控面板還可以包括第三絕緣層16，第三絕緣層16構(gòu)成與襯底基板10相反的一側(cè)的頂面，起到絕緣保護(hù)的作用，如圖4所示。
[0038]在實(shí)際應(yīng)用過程中，需保證觸控面板中各層的透過率大于90%，最好大于95%，以不影響正常的畫面顯示。
[0039]下面結(jié)合圖4-圖11，說明根據(jù)本發(fā)明的觸控面板的制造方法，具體包括:
[0040]準(zhǔn)備襯底基板10 ；
[0041]在襯底基板10上形成導(dǎo)電的橋接線I陣列；
[0042]形成絕緣的高度差結(jié)構(gòu)，所述高度差結(jié)構(gòu)布置在襯底基板10上并且覆蓋橋接線I陣列，所述高度差結(jié)構(gòu)形成有窗口 17陣列，窗口 17陣列露出各橋接線I的兩個(gè)端部；
[0043]形成透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層覆蓋整個(gè)襯底基板10，所述透明導(dǎo)電層落入窗口 17陣列的部分形成為第二電極子件3陣列，其余部分被所述高度差結(jié)構(gòu)分割成為第一電極2和位于第一電極2和第二電極子件3陣列之間的填充塊5和6,第一電極2、第二電極子件3和填充塊5和6中的相鄰兩者之間相對(duì)于襯底基板10的高度不同從而在高度方向上彼此錯(cuò)開，使得第一電極2、第二電極子件3和填充塊5和6中的相鄰兩者之間彼此絕緣，
[0044]其中，各橋接線I露出的兩個(gè)端部的連線方向與每一電極2的延伸方向垂直；各第二電極子件3與相應(yīng)的橋接線I的端部搭接，使得橋接線I將第二電極子件3陣列串接成多列第二電極，各第二電極的延伸方向與第一電極2的延伸方向垂直。
[0045]其中，第一電極2為感應(yīng)電極，所述第二電極為驅(qū)動(dòng)電極。
[0046]如圖6-圖10所示，形成所述高度差結(jié)構(gòu)的步驟包括:
[0047]首先，形成第一絕緣層12，采用刻蝕工藝在第一絕緣層12中形成窗口 17陣列，如圖7所示；
[0048]然后，在第一絕緣層12上方形成第二絕緣層15，采用刻蝕工藝對(duì)第二絕緣層15進(jìn)行刻蝕，使得第二絕緣層15落入第一絕緣層12的范圍內(nèi)，第二絕緣層15的面積小于第一絕緣層12的面積，從而露出部分第一絕緣層12。
[0049]其中，第一絕緣層12和第二絕緣層15均由無機(jī)絕緣材質(zhì)形成。[0050]進(jìn)一步地，上述工藝過程中，在對(duì)第二絕緣層15進(jìn)行刻蝕的步驟中，在第二絕緣層15中形成多個(gè)槽隙11，所述透明導(dǎo)電層落入所述槽隙11的部分形成為與所述第一電極2相鄰的填充塊6，槽隙11使得第一電極2相對(duì)于襯底基板10的高度不同于相鄰的填充塊6相對(duì)于襯底基板10的高度，從而使得第一電極2與相鄰的填充塊6在高度方向上錯(cuò)開。同時(shí)，相當(dāng)于襯底基板10高度相同的第一電極2和填充塊5通過槽隙11錯(cuò)開。
[0051]進(jìn)一步地，對(duì)所述第二絕緣層15進(jìn)行刻蝕的步驟還包括:
[0052]首先，在第二絕緣層15上涂覆光敏層14，如:透明有機(jī)樹脂層，如圖8所示；
[0053]然后，對(duì)光敏層14進(jìn)行曝光，顯影，形成光敏層不保留區(qū)域和光敏層保留區(qū)域，如圖9所示；
[0054]最后，采用干刻法刻蝕掉光敏層不保留區(qū)域的第二絕緣層15，形成多個(gè)槽隙11，露出第一絕緣層12，使得第一絕緣層12的表面形成一個(gè)高度差。由于干刻過程中會(huì)出現(xiàn)底層過刻現(xiàn)象，使得第二絕緣層15和剩余的光敏層14的縱截面組成頂端大底端小的T型結(jié)構(gòu)，如圖10所示。
[0055]通過上述步驟形成的T型結(jié)構(gòu)，可以使得第一電極2和相鄰的填充塊6通過槽隙11完全斷開，如圖11所示。
[0056]最后，本實(shí)施例中制備觸控面板的制造方法還包括形成第三絕緣層16的步驟，第三絕緣層16構(gòu)成與襯底基板10相反的一側(cè)的頂面。起到絕緣保護(hù)的作用，如圖4所示。
[0057]在實(shí)際應(yīng)用過程中，需保證觸控面板中各層的透過率大于90%，最好大于95%，以不影響正常的畫面顯示。
[0058]本發(fā)明的技術(shù)方案可以用于Add On, 0GS, On Cell等觸摸顯示裝置上。
[0059]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種觸控面板，其特征在于，包括: 襯底基板； 絕緣的高度差結(jié)構(gòu)，所述高度差結(jié)構(gòu)布置在所述襯底基板上； 透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層覆蓋整個(gè)所述襯底基板，所述透明導(dǎo)電層被所述高度差結(jié)構(gòu)分割成為第一電極、第二電極子件陣列以及位于第一電極和第二電極子件陣列之間的填充塊，所述第一電極、所述第二電極子件和所述填充塊中的相鄰兩者之間相對(duì)于所述襯底基板的高度不同從而在高度方向上彼此錯(cuò)開，使得所述第一電極、所述第二電極子件和所述填充塊中的相鄰兩者之間彼此絕緣； 其中，所述第二電極子件陣列由導(dǎo)電的橋接線陣列串接成多列第二電極，各所述第二電極的延伸方向與所述第一電極的延伸方向垂直。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控面板，其特征在于， 所述高度差結(jié)構(gòu)包括第一絕緣層和位于所述第一絕緣層上方的第二絕緣層，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層均由無機(jī)絕緣材質(zhì)形成； 所述第一絕緣層形成有窗口陣列，所述透明導(dǎo)電層落入所述窗口陣列的部分形成為所述第二電極子件陣列； 所述第二絕緣層落在所述第一絕緣層的范圍內(nèi)，所述第二絕緣層的面積小于所述第一絕緣層的面積，從而露出部分第一絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的觸控面板，其特征在于， 所述第二絕緣層形成有多個(gè)槽隙，所述透明導(dǎo)電層落入所述槽隙的部分形成為與所述第一電極相鄰的填充塊。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的觸控面板，其特征在于， 所述橋接線陣列布置在所述襯底基板上，并且所述第一絕緣層覆蓋所述橋接線陣列，所述窗口陣列露出各橋接線的兩個(gè)端部； 各所述橋接線露出的兩個(gè)端部的連線方向與所述每一電極的延伸方向垂直；各所述第二電極子件與相應(yīng)的橋接線的端部搭接，使得所述第二電極子件陣列串接成多列所述第二電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的觸控面板，其特征在于， 還包括光敏層，所述光敏層布置在所述第二絕緣層與所述透明導(dǎo)電層之間，所述第二絕緣層和所述光敏層的截面形成為頂端大底端小的多個(gè)T型結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的觸控面板，其特征在于， 還包括第三絕緣層，所述第三絕緣層構(gòu)成與所述襯底基板相反的一側(cè)的頂面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的觸控面板，其特征在于， 所述第一電極為感應(yīng)電極，所述第二電極為驅(qū)動(dòng)電極。
8.—種觸控面板的制造方法，其特征在于，包括: 準(zhǔn)備襯底基板； 在所述襯底基板上形成導(dǎo)電的橋接線陣列； 形成絕緣的高度差結(jié)構(gòu)，所述高度差結(jié)構(gòu)布置在所述襯底基板上并且覆蓋所述橋接線陣列，所述高度差結(jié)構(gòu)形成有窗口陣列，所述窗口陣列露出各橋接線的兩個(gè)端部； 形成透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層覆蓋整個(gè)所述襯底基板，所述透明導(dǎo)電層落入所述窗口陣列的部分形成為第二電極子件陣列，其余部分被所述高度差結(jié)構(gòu)分割成為第一電極和位于第一電極和第二電極子件陣列之間的填充塊，所述第一電極、所述第二電極子件和所述填充塊中的相鄰兩者之間相對(duì)于所述襯底基板的高度不同從而在高度方向上彼此錯(cuò)開，使得所述第一電極、所述第二電極子件和所述填充塊中的相鄰兩者之間彼此絕緣， 其中，各所述橋接線露出的兩個(gè)端部的連線方向與所述每一電極的延伸方向垂直；各所述第二電極子件與相應(yīng)的橋接線的端部搭接，使得所述橋接線將所述第二電極子件陣列串接成多列第二電極，各所述第二電極的延伸方向與所述第一電極的延伸方向垂直。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于， 形成所述高度差結(jié)構(gòu)的步驟包括: 首先形成第一絕緣 層，采用刻蝕工藝在第一絕緣層中形成窗口陣列； 然后在所述第一絕緣層上方形成第二絕緣層，采用刻蝕工藝對(duì)所述第二絕緣層進(jìn)行刻蝕，使得所述第二絕緣層落入所述第一絕緣層的范圍內(nèi)，所述第二絕緣層的面積小于所述第一絕緣層的面積，從而露出部分第一絕緣層， 其中，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層均由無機(jī)絕緣材質(zhì)形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于， 在對(duì)所述第二絕緣層進(jìn)行刻蝕的步驟中，在所述第二絕緣層中形成多個(gè)槽隙，所述透明導(dǎo)電層落入所述槽隙的部分形成為與所述第一電極相鄰的填充塊。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的制造方法，其特征在于， 對(duì)所述第二絕緣層進(jìn)行刻蝕的步驟包括: 在所述第二絕緣層上涂覆光敏層； 對(duì)所述光敏層進(jìn)行曝光，顯影，形成光敏層不保留區(qū)域和光敏層保留區(qū)域； 采用干刻法刻蝕掉所述第二絕緣層位于光敏層不保留區(qū)域的部分，露出所述第一絕緣層，所述第二絕緣層和所述光敏層的截面形成為頂端大底端小的多個(gè)T型結(jié)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】G06F3/044GK103699261SQ201310705569
【公開日】2014年4月2日 申請(qǐng)日期:2013年12月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月19日
【發(fā)明者】張方振 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司