專利名稱：電源控制設(shè)備、圖像形成裝置及控制電源的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電源控制設(shè)備、圖像形成裝置及控制電源的方法。
背景技術(shù)：
例如電源控制設(shè)備和圖像形成裝置的電子設(shè)備由具有各種設(shè)備的系統(tǒng)以及由軟 件構(gòu)成，該各種設(shè)備包括CPU、RAM和非易失性存儲介質(zhì)，該軟件例如存儲在非易失性存儲 介質(zhì)中的操作系統(tǒng)(OS)。硬盤驅(qū)動器(HDD)或閃存能夠用作構(gòu)成系統(tǒng)的一部分的非易失性存儲介質(zhì)。然 而，當(dāng)使用閃存時，在某些情況下，由于在寫數(shù)據(jù)期間突然的電源中斷會導(dǎo)致毀壞閃存中的 特定塊，這成為問題。相應(yīng)地，如果使用閃存，已知在突然電源中斷情況下使用備用電源的方法。然而，通過使用這樣的備用電源的方法，由備用電源保護整個系統(tǒng)；因此，存在需 要大容量電源作為備用電源的問題，并且存在小容量電源不能保護整個系統(tǒng)的問題。另外， 通過使用這樣的備用電源的方法，由于備用電源通常由軟件控制，它例如在激活軟件之后 不能立即有效地執(zhí)行，這也是個問題。相應(yīng)地，已經(jīng)提出了在例如日本專利申請No. 2005-327210中揭示的設(shè)備。通過日 本專利申請No. 2005-327210的設(shè)備，即使當(dāng)在對作為非易失性存儲器的閃存寫入數(shù)據(jù)時 電池電壓(電源)下降時，為了防止毀壞閃存的數(shù)據(jù)，如果在向閃存寫入數(shù)據(jù)期間電池電壓 下降到等于或低于預(yù)定水平的水平，也從電容器(condenser)向閃存提供電能。然而，即使當(dāng)使用日本專利申請No. 2005-327210中描述的設(shè)備時，即使當(dāng)在向閃 存寫入數(shù)據(jù)期間電源中斷，也可以防止閃存的塊的毀壞；然而，需要大容量電容器。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是至少部分解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題。根據(jù)本發(fā)明的方面，提供了一種電源控制設(shè)備，包括電能生成單元，生成電能并 且將生成的電能提供給具有非易失性存儲器和控制單元的電子設(shè)備；切換單元，監(jiān)視提供 給電子設(shè)備的電能電壓，并且切換使得當(dāng)該電壓小于預(yù)定閾值時，提供給控制單元的電能 不提供給非易失性存儲器；以及電容，當(dāng)電能被切換以提供給控制單元時，在能夠完成向非 易失性存儲器寫入數(shù)據(jù)的時間周期內(nèi)保持施加到非易失性存儲器的電壓。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種圖像形成裝置，包括非易失性存儲器；控制 單元，執(zhí)行圖像形成裝置的整體控制；電能生單元，生成電能并且將生成的電能提供給非易4失性存儲器和控制單元；切換單元，監(jiān)視提供給控制單元的電能電壓，并且切換使得當(dāng)該電 壓下降到小于預(yù)定閾值時，電能被提供給控制單元而不提供給非易失性存儲器；以及電容， 當(dāng)電能被切換以提供給控制單元時，在能夠完成向非易失性存儲器寫入數(shù)據(jù)的時間周期內(nèi) 保持施加到非易失性存儲器的電壓。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種由電源控制設(shè)備執(zhí)行的控制電源的方法，所 述方法包括生成電能并且將生成的電能提供給具有非易失性存儲器和控制單元的電子設(shè) 備；監(jiān)視提供給電子設(shè)備的電能電壓；當(dāng)該電壓小于預(yù)定閾值時，切換使得提供給控制單 元的電能不提供給非易失性存儲器；以及當(dāng)電能被切換以提供給控制單元時，在能夠完成 向非易失性存儲器寫入數(shù)據(jù)的時間周期內(nèi)保持施加到非易失性存儲器的電壓。當(dāng)結(jié)合附圖考慮時，通過閱讀本發(fā)明的當(dāng)前優(yōu)選實施例的下述詳細(xì)描述，將更好 地理解本發(fā)明的上述和其它目的、特征、優(yōu)勢以及技術(shù)和工業(yè)的重要性。


圖1是說明根據(jù)本發(fā)明實施例的裝配有電源控制設(shè)備的圖像形成裝置的硬件配 置的框圖；圖2是說明根據(jù)該實施例的圖像形成裝置的電源配置的框圖；圖3是說明根據(jù)該實施例的電源控制電路的配置的電路圖；圖4是說明根據(jù)該實施例的電源控制電路的操作序列的示例的示意圖；圖5是說明根據(jù)該實施例的NAND-閃存的內(nèi)部配置的框圖；圖6是說明當(dāng)接通電源開關(guān)時根據(jù)該實施例的電源控制電路的操作流的示例的 流程圖；以及圖7時說明斷開根據(jù)該實施例的電源開關(guān)的操作流的示例的流程圖。
具體實施例方式下面，參考附圖特別描述根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例。在實施例中，作為非易失性存儲器的閃存的電源的配置特征如下。當(dāng)檢測到電源 中斷時，在用于從閃存的緩沖器中向ROM寫入數(shù)據(jù)所需的時間周期中僅將施加到閃存的電 壓保持在寫入數(shù)據(jù)所需的電壓。因而，可以避免當(dāng)在寫入數(shù)據(jù)期間電源中斷時毀壞閃存的 塊。下面將詳細(xì)描述閃存的電源的特征。圖1是說明根據(jù)實施例的裝配有電源控制設(shè)備的圖像形成裝置的硬件配置的框 圖。作為電子設(shè)備的圖像形成裝置100包括CPU1、操作單元2、引擎接口(下文中也稱 為“1汗”)3、皿0(硬盤驅(qū)動器)4、外部I/F 5,NAND-CTL 6、作為非易失性存儲器的NAND-閃 存7和8、作為非易失性存儲器的NOR-閃存9、隨機訪問存儲器(RAM) 10、特定用途集成電路 (ASIC) 11、電源控制電路12等。CPU 1、操作單元 2、引擎 I/F 3, HDD 4、外部 I/F 5, NAND-CTL 6、NOR-閃存 9、RAM 10以及ASIC 11構(gòu)成執(zhí)行圖像形成裝置100的總體控制的控制單元21(見圖2)。NAND-閃 存7和8構(gòu)成NAND-閃存單元22 (見圖幻，這將在后面描述。CPU 1是控制設(shè)備(圖像形成裝置100)的所有部件的中央處理單元。CPUl在RAM10中展開NAND-閃存7和8中存儲的程序或NOR-閃存9中的程序并且激活(實施)程序 以控制設(shè)備，從而實施各種功能。操作單元2是用于操作設(shè)備的操作員(用戶)的用戶接口。操作單元2包括用于 執(zhí)行各種信息輸入或指令(請求)的各種操作鍵(也稱為操作開關(guān)或操作按鈕)并且包括 顯示各種信息的顯示器。引擎I/F 3是連接到引擎并且執(zhí)行通信的通信單元。引擎包括圖像掃描單元，例 如掃描原始圖像的掃描單元。引擎也包括圖像形成單元，例如在例如紙張的打印介質(zhì)上將 已經(jīng)由圖像掃描單元掃描的圖像數(shù)據(jù)或已經(jīng)從例如PC(未示出)的外部設(shè)備經(jīng)由外部I/F 5接收到的打印數(shù)據(jù)打印(圖像形成)作為可視圖像的打印單元。如果從外部設(shè)備接收的 打印數(shù)據(jù)不是用于打印的圖像數(shù)據(jù)而是字符代碼或繪圖數(shù)據(jù)，則CPU 1和ASIC 11將這樣 的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為用于打印的圖像數(shù)據(jù)。HDD 4是硬盤驅(qū)動器，用作非易失性存儲介質(zhì)并且在其中存儲各種數(shù)據(jù)，例如各種 程序。外部I/F 5是連接到外部設(shè)備用于通信的網(wǎng)絡(luò)接口或USB標(biāo)準(zhǔn)接口或IEEE 1394 標(biāo)準(zhǔn)接口(直接接口)。NAND-CTL 6是控制對于NAND-閃存7和8寫入/讀取數(shù)據(jù)的存儲器控制單元。NAND-閃存7和8是NAND類型閃存，用作非易失性存儲介質(zhì)并且在其中存儲各種 數(shù)據(jù)，例如各種程序。NOR-閃存9是NOR類型閃存，用作非易失性存儲介質(zhì)并且在其中存儲各種數(shù)據(jù)，例 如各種程序。RAM 10是用作存儲各種程序的程序存儲器或當(dāng)CPU 1執(zhí)行對數(shù)據(jù)的處理時使用 的工作存儲器的存儲器。ASIC 11允許由CPU 1控制的設(shè)備被共享并且從架構(gòu)的視點支持例如應(yīng)用程序的 有效開發(fā)。電源控制電路12對應(yīng)于電源控制設(shè)備。電源控制電路12包括電能生成單元，電 能生成單元使用來自商業(yè)電源(AC電源)的電能(電源)生成提供給控制單元21的電能 (DC電源)，這將在后面描述，并且向包括上述CPU 1和NAND-閃存7和8的單元提供電能 (施加電壓)。在這個階段，CPU 1經(jīng)由NAND-CTL 6向NAND-閃存7和8寫入數(shù)據(jù)，或者經(jīng)由 NAND-CTL 6從NAND-閃存7和8讀取數(shù)據(jù)以在RAM 10中展開數(shù)據(jù)。另外，NOR-閃存9能 夠直接從CPU 1寫入數(shù)據(jù)。圖2是說明圖1所示的圖像形成裝置100的電源的配置的框圖。在圖像形成裝置 100中，電源控制電路12使用從商業(yè)電源提供的電能生成提供給控制單元21的電能并且將 電能直接提供給構(gòu)成控制單元21的單元，例如CPU 1、操作單元2和NAND-CTL 6。然而，電 源控制電路12經(jīng)由場效應(yīng)晶體管將電能提供給構(gòu)成NAND-閃存單元22的NAND-閃存7和 8。經(jīng)由場效應(yīng)晶體管提供給NAND-閃存7和8的電能用作提供給NAND-閃存的電能。下 面，參考圖3描述生成提供給控制單元21的電能以及提供給NAND-閃存單元22 (NAND-閃 存7和8)的電能的電源控制電路12。圖3是說明圖2中示出的電源控制電路12的配置的電路圖。電源控制電路12包6括電能生成單元35、場效應(yīng)傳感器(下文中稱為“FET”)31、重置IC(重置電路)32、電容器 33以及電壓輸出端子1 和12b。FET 31和重置IC 32對應(yīng)于切換單元，并且電容器33對 應(yīng)于電容。電能生成單元35生成電能并將生成的電能提供給控制單元21。FET 31是P型 FET或N型FET并且具有切換功能，從而提供給控制單元21并由電能生成單元35生成的 電能或者被提供給NAND-閃存7和8，或者不提供給NAND-閃存7和8 ( 即，NAND-閃存7和 8與至控制單元21的電源分離)。相應(yīng)地，在FET 31中，將電源電壓輸出至控制單元21的 電壓輸出端子1 與漏極端子D相連；將電源電壓輸出至NAND-閃存單元22 (NAND-閃存7 和8)的電壓輸出端子12b以及電容器33的一個端子與源極端子S相連；并且用于重置IC 32的輸出端子與柵極端子G相連。如圖3所示，電壓輸出端子1 連接至控制單元21，并 且電壓輸出端子1 連接至NAND-閃存單元22。另外，即使當(dāng)FET 31不處于導(dǎo)通狀態(tài)時，以將電壓從電壓輸出端子12b施加到 NAND-閃存7和8的方式將寄生二極管31a插入在漏極端子D和源極端子S之間，從而減少 電容器33的充電時間。重置IC 32監(jiān)視至控制單元21的電源電壓。如果監(jiān)視的電壓等于或大于預(yù)定值 (在該例中是“2. 9V”)，則重置IC 32通過使輸出至FET 31的柵極端子G的信號為高電平 “H”來允許FET 31處于導(dǎo)通狀態(tài)。如此，控制單元21的電源變得與NAND-閃存7和8相同。 換句話說，提供給控制單元21的電能也由重置IC 32和FET 31提供給NAND-閃存7和8。 相應(yīng)地，至NAND-閃存7和8的電源電壓(從電壓輸出端子12b施加(輸出)到NAND-閃 存7和8的電壓)是從NAND-閃存7和8讀取數(shù)據(jù)和向NAND-閃存7和8寫入數(shù)據(jù)所需的 電壓。另外，如果由重置IC 32監(jiān)視的電壓小于2. 9V，則重置IC 32通過使輸出至FET 31的柵極端子G的信號為低電平“L”來允許FET 31處于非導(dǎo)通狀態(tài)。如此，由于至NAND-閃 存7和8的電源電壓降低，NAND-閃存7和8與至控制單元21的電源分離。換句話說，重 置IC 32和FET 31切換電能從而提供給控制單元21的電能不提供給NAND-閃存7和8。如果NAND-閃存7和8與至控制單元21的電源分離，即，如果重置IC 32和FET 31切換電能從而提供給控制單元21的電能不提供給NAND-閃存7和8，則電容器33具有 將施加到NAND-閃存7和8的電壓保持在從NAND-閃存7和8中的緩沖器向ROM寫入數(shù)據(jù) 所需的時間周期內(nèi)寫入數(shù)據(jù)所需的電壓。能夠基于ROM中最大電能消耗、從緩沖器至ROM的最大寫入時間、控制單元21的 電壓以及ROM中的最小操作電壓來設(shè)置電容器33的電容量。更詳細(xì)地，能夠使用下述等式 來設(shè)置電容器33的電容量/χΤ「00471 - 二 C ,(V1-V2)其中I是ROM中的最大電能消耗(與數(shù)目成正比增加)，T是從緩沖器至ROM的最 大寫入時間，V1是由重置IC 32檢測到的電壓，V2是ROM中的最小操作電壓，并且C是電容量。電容器33具有根據(jù)NAND-閃存7和8的數(shù)目(在該例中是2)的容量。相應(yīng)地， 如果NAND-閃存的數(shù)目是1個或者3個或更多，電容器33被優(yōu)選地配置使得電容器33具有根據(jù)NAND-閃存的數(shù)目的容量。另外，通過將電容器33的容量改變?yōu)榭捎糜贜OR-閃存9，上述電源控制電路12也 能夠用于NOR-閃存9。另外，電容量是可變?nèi)萘康碾娙萜髂軌蛴糜陔娙萜?3。如果監(jiān)視的電壓小于2. 9V，重置IC 32重置CPU 1或NAND-CTL 6。如果重置了 CPU 1或NAND-CTL 6，則不下發(fā)對NAND-閃存7和8或NOR-閃存9的 寫命令。詳細(xì)地，當(dāng)至控制單元21的電源小于2. 9V時，如果在NAND-閃存7和8或NOR-閃 存9根據(jù)截止目前下發(fā)的寫命令完成在ROM中的數(shù)據(jù)寫入的時間段內(nèi)寫入數(shù)據(jù)所需的電壓 降低，則NAND-閃存7和8或NOR-閃存的塊不會毀壞。圖4是說明圖3所示的電源控制電路12的操作序列的示例的示意圖。如圖4所 示，如果圖像形成裝置100的電源開關(guān)(電源SW)(未示出)接通，則至控制單元21的電源 電壓升高，如圖4(b)所示。此時，至NAND-閃存7和8的電源電壓以經(jīng)由FET 31中的寄生 二極管31a的很小延遲升高，如圖4(d)所示(周期A的說明)。如圖4(b)所示，如果至控制單元21的電源電壓升高到2. 9V，則重置IC32的輸出 改變?yōu)椤癏”，如圖4(c)所示。相應(yīng)地，F(xiàn)ET 31進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)并且因而至NAND-閃存7和8 的電源電壓變得與至控制單元21的電源電壓相同，如圖4(d)所示(周期B的說明)。然后，控制單元21在至控制單元21的電源電壓和至NAND-閃存7和8的電源電 壓都升高的狀態(tài)下開始其操作(周期C的說明)。此后，如圖4(a)所示，如果電源開關(guān)斷開，則FET 31處于導(dǎo)通狀態(tài)，直到至控制單 元21的電源電壓降低到2. 9V，如圖4(b)所示。相應(yīng)地，至NAND-閃存7和8的電源電壓也 降低到2. 9V，如圖4(d)所示(周期D的說明)。如果至控制單元21的電源降低到小于2.9V，則來自重置IC 32的輸出改變?yōu)?“L”，如圖4(c)所示。相應(yīng)地，F(xiàn)ET 31進(jìn)入非導(dǎo)通狀態(tài)，從而NAND-閃存7和8與至控制單 元21的電源分離。詳細(xì)地，至控制單元21的電源以及至NAND-閃存7和8的電源分離。連接至電壓輸出端子12b的電容器33能夠在預(yù)定時間周期內(nèi)(在該例中是 “700 μ sec”)保持至NAND-閃存7和8的電源電壓(施加到NAND-閃存7和8的電壓)直 到電壓降低到2. 7V。相應(yīng)地，即使當(dāng)在NAND-CTL 6執(zhí)行的對NAND-閃存7和8寫入數(shù)據(jù)期間電源開關(guān) 斷開時(即使當(dāng)電源中斷時)，如圖4 (d)所示，如果至NAND-閃存7和8的電源電壓被保持 700 μ sec，在該時間內(nèi)電壓降低到2. 7V，則可以完成從NAND-閃存7和8中的緩沖器至ROM 的數(shù)據(jù)寫入(周期E的說明)。相應(yīng)地，即使在對NAND-閃存7和8寫入數(shù)據(jù)期間電源中斷，NAND-閃存7和8的 塊也不會毀壞。圖5是說明圖2所示的NAND-閃存7和8的內(nèi)部配置的框圖。NAND-閃存7和8 每個包括緩沖器51和ROM 52。NAND-閃存7和8中的緩沖器15臨時存儲從NAND-CTL 6接收的寫數(shù)據(jù)。存儲在 緩沖器51中的數(shù)據(jù)以頁為單位寫入ROM 52。在對ROM 52寫入數(shù)據(jù)完成之前，NAND-CTL 6不發(fā)送后續(xù)寫數(shù)據(jù)；因而，即使在寫 入數(shù)據(jù)的過程中電源中斷，也期望完成數(shù)據(jù)寫入。
對于當(dāng)前在市場上可用的NAND-閃存，從緩沖器至ROM寫入數(shù)據(jù)所需的最大時間 是 700 μ sec。相應(yīng)地，在實施例中，即使當(dāng)在由NAND-CTL 6執(zhí)行的對NAND-閃存7和8寫入數(shù) 據(jù)期間電源中斷，電源也被保持700 μ sec直到NAND-閃存7和8的電源電壓降低到2. 7V。圖6是當(dāng)電源開關(guān)接通時圖3所示的電源控制電路12的操作流的示例的流程圖。 圖7是當(dāng)電源開關(guān)斷開時電源控制電路12的操作流的示例的流程圖。如圖6所示，如果電源開關(guān)接通，則FET 31的寄生二極管31a向NAND-閃存7和 8提供電能，直到至控制單元21的電源電壓升高到2. 9V。如此，電容器33被逐漸充電，并 且因而至NAND-閃存7和8的電源電壓升高。如果至控制單元21的電源等于或大于2. 9V，則重置IC 32檢測該狀態(tài)并且FET 31進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)，從而至控制單元21的電源電壓變得與至NAND-閃存7和8的相同。在此 階段，當(dāng)電源開關(guān)接通時執(zhí)行的操作完成，這時控制單元21開始自己的操作。如圖7所示，如果電源開關(guān)斷開，則FET 31處于導(dǎo)通狀態(tài)直到至控制單元21的電 源電壓升高到2. 9V。相應(yīng)地，至NAND-閃存7和8的電源電壓降低到2. 9V。然后，如果重置IC 32檢測到至控制單元21的電源電壓降低到小于2. 9V的水平， 則重置IC 32允許FET 31處于非導(dǎo)通狀態(tài)。如果FET 31進(jìn)入非導(dǎo)通狀態(tài)，則至控制單元21的電源與至NAND-閃存7和8的 電源分離。換句話說，重置IC 32和FET 31切換提供給控制單元21的電能從而提供電能 不提供給NAND-閃存7和8。施加到NAND-閃存7和8的電源的負(fù)載僅是用于NAND-閃存7和8。相應(yīng)地，即使 在對NAND-閃存7和8寫入數(shù)據(jù)期間，連接到NAND-閃存7和8的電容器33將寫入數(shù)據(jù)所 需的電壓保持700 μ sec或更多直到電壓下降到2. 7V。如果電容器33具有將電壓保持700 μ sec的容量，在該700 μ sec內(nèi)向NAND-閃存7 和8寫入數(shù)據(jù)所需的電壓下降到2. 7V，則NAND-閃存7和8的塊不會毀壞；因而，對NAND-閃 存7和8寫入數(shù)據(jù)可靠地完成。另外，如果電容器33具有對于每個NAND-閃存250 μ F的 容量，則寫入數(shù)據(jù)所需的電壓通常被保持。在保持電壓之后，即在對NAND-閃存7和8寫入數(shù)據(jù)完成之后，由于自放電，至 NAND-閃存7和8的電源電壓變?yōu)?V，從而當(dāng)電源開關(guān)斷開時完成執(zhí)行的操作。如上所述，根據(jù)實施例，在電源中斷時不保護控制單元21的整體。相反，施加到閃 存的電壓被保持在向閃存(NAND-閃存和NOR-閃存)寫入數(shù)據(jù)所需的時間周期內(nèi)寫入數(shù)據(jù) 所需的電壓。相應(yīng)地，當(dāng)在寫入數(shù)據(jù)期間電源中斷而沒有布置大容量備用電源或電容器時， 可以避免閃存的塊的毀壞。另外，與本發(fā)明相關(guān)的所有功能能夠使用硬件構(gòu)造。相應(yīng)地，沒 有軟件依賴性，因而總是能夠保護閃存。另外，在實施例中，重置IC監(jiān)視由商業(yè)電源提供的電能生成的至控制單元21的電 源電壓；然而，配置不限于此。例如，重置IC可以配置用于監(jiān)視施加到NAND-閃存7和8的 電壓。當(dāng)電壓變得小于預(yù)定值時，NAND-閃存7和8可以與至控制單元21的電源分離，即 提供給控制單元21的電能被配置為不提供給NAND-閃存7和8。如上所述，根據(jù)實施例的電源控制設(shè)備，當(dāng)電源突然中斷時可以避免毀壞閃存的 塊并且提升對閃存的保護，而不需要布置保護電子設(shè)備的整個控制單元21的大容量備用電源或大容量電容器。相應(yīng)地，可以提供低成本電源控制設(shè)備和電子設(shè)備。另外，在實施例中，描述了一個例子作為示例，其中FET 31切換使得提供給控制 單元21的電能或者提供給NAND-閃存7和8或者不提供給NAND-閃存7和8 ；然而，切換 單元不限于FET 31。例如，替代FET 31，也能夠使用雙極晶體管。然而，當(dāng)使用FET 31時， 比起當(dāng)使用雙極晶體管時，切換速度更快。另外，在實施例中，如圖5所示，描述了每個都包括緩沖器51和ROM 52的NAND-閃 存7和8作為示例；然而，配置不限于此。不包括緩沖器的非易失性存儲器也可以應(yīng)用于實 施例中用于提供電能。在這樣的情況下，當(dāng)設(shè)置電容器33的電容時，從緩沖器至ROM的最大 寫時間(寫完成時間)是從NAND-CTL 6至非易失性存儲器的最大寫時間(寫完成時間)。根據(jù)本發(fā)明的方面，可以避免當(dāng)電源突然中斷時毀壞閃存的塊并且提升對閃存的 保護，而不需要布置大容量備用電源或電容器。盡管關(guān)于特定實施例完整和清楚地描述了本發(fā)明，所附權(quán)利要求并不因而限于 此，而是應(yīng)當(dāng)被理解為體現(xiàn)在這里揭示的基本教示下對于本領(lǐng)域技術(shù)人員可見的所有變型 和替代構(gòu)造。
權(quán)利要求
1.一種電源控制設(shè)備，包括電能生成單元，生成電能并且將生成的電能提供給具有非易失性存儲器和控制單元的 電子設(shè)備；切換單元，監(jiān)視提供給電子設(shè)備的電能電壓，并且切換使得當(dāng)該電壓小于預(yù)定閾值時， 提供給控制單元的電能不提供給非易失性存儲器；以及電容，當(dāng)電能被切換以提供給控制單元時，在能夠完成向非易失性存儲器寫入數(shù)據(jù)的 時間周期內(nèi)保持施加到非易失性存儲器的電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電源控制設(shè)備，其中 電能生成單元將生成的電能提供給控制單元，以及切換單元監(jiān)視提供給控制單元的電能電壓，切換使得當(dāng)該電壓等于或大于該閾值時， 提供給控制單元的電能也提供給非易失性存儲器，并且切換使得當(dāng)該電壓下降到低于該閾 值時，提供給控制單元的電能不提供給非易失性存儲器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電源控制設(shè)備，其中 電容包括電容器，切換單元包括連接到控制單元用于監(jiān)視提供給控制單元的電能電壓的重置電路以及 連接到控制單元和非易失性存儲器的晶體管；以及當(dāng)電壓等于或大于該閾值時，通過控制晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，重置電路將提供給控制 單元的電能提供給非易失性存儲器，并且當(dāng)電壓下降到小于該閾值時，通過控制晶體管處 于非導(dǎo)通狀態(tài)，重置電路不將提供給控制單元的電能提供給非易失性存儲器。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電源控制設(shè)備，其中 晶體管是場效應(yīng)晶體管；以及在場效應(yīng)晶體管中，輸出控制單元的電源電壓的端子被連接至漏極端子，用于將電壓 施加到非易失性存儲器和電容器端子的端子被連接至源極端子，并且重置電路的輸出端子 連接至柵極端子。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電源控制設(shè)備，其中寄生二極管插入在場效應(yīng)晶體管的漏極 端子和源極端子之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電源控制設(shè)備，其中 非易失性存儲器包括緩沖器和ROM，以及當(dāng)電能被切換以提供給控制單元時，電容在能夠完成從緩沖器向ROM寫入數(shù)據(jù)的時間 周期內(nèi)保持施加到非易失性存儲器的電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電源控制設(shè)備，其中基于ROM的最大電能消耗、從緩沖器至 ROM的最大寫入時間、控制單元的電壓以及ROM的最小操作電壓來設(shè)置電容器的電容量。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電源控制設(shè)備，其中電容器的電容量是通過用最大電能消耗 和最大寫入時間的乘積值除以控制單元的電壓和最小操作電壓之間的差值計算得到的值。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電源控制設(shè)備，其中根據(jù)非易失性存儲器的數(shù)目來設(shè)置電容 器的電容量。
10.一種圖像形成裝置，包括 非易失性存儲器；控制單元，執(zhí)行圖像形成裝置的整體控制；電能生成單元，生成電能并且將生成的電能提供給非易失性存儲器和控制單元； 切換單元，監(jiān)視提供給控制單元的電能電壓，并且切換使得當(dāng)該電壓下降到小于預(yù)定 閾值時，電能被提供給控制單元而不提供給非易失性存儲器；以及電容，當(dāng)電能被切換以提供給控制單元時，在能夠完成向非易失性存儲器寫入數(shù)據(jù)的 時間周期內(nèi)保持施加到非易失性存儲器的電壓。
11. 一種由電源控制設(shè)備執(zhí)行的控制電源的方法，所述方法包括生成電能并且將生成的電能提供給具有非易失性存儲器和控制單元的電子設(shè)備；監(jiān)視提供給電子設(shè)備的電能電壓；當(dāng)該電壓小于預(yù)定閾值時，切換使得提供給控制單元的電能不提供給非易失性存儲 器；以及當(dāng)電能被切換以提供給控制單元時，在能夠完成向非易失性存儲器寫入數(shù)據(jù)的時間周 期內(nèi)保持施加到非易失性存儲器的電壓。
全文摘要
本發(fā)明涉及電源控制設(shè)備、圖像形成裝置及控制電源的方法。電源控制設(shè)備包括電能生成單元，生成電能并且將生成的電能提供給具有非易失性存儲器和控制單元的電子設(shè)備；切換單元，監(jiān)視提供給電子設(shè)備的電能電壓，并且切換使得當(dāng)該電壓小于預(yù)定閾值時，提供給控制單元的電能不提供給非易失性存儲器；以及電容，當(dāng)電能被切換以提供給控制單元時，在能夠完成向非易失性存儲器寫入數(shù)據(jù)的時間周期內(nèi)保持施加到非易失性存儲器的電壓。
文檔編號G06F12/16GK102043737SQ20101051607
公開日2011年5月4日 申請日期2010年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月19日
發(fā)明者北川岳壽 申請人:株式會社理光