專利名稱：一種tft有源陣列周邊電路的設(shè)計(jì)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電路設(shè)計(jì)方法，尤其涉及一種TFT有源陣列周邊電路的設(shè)計(jì)方法。
背景技術(shù)：
目前，TFT有源陣列顯示裝置配合柔性電路板控制已經(jīng)得到了廣泛應(yīng)用。為了滿足一個(gè)TFT有源陣列顯示裝置適用于多款產(chǎn)品的需要，常規(guī)技術(shù)是將控制電路設(shè)計(jì)在柔性 電路板上，TFT有源陣列顯示裝置僅承擔(dān)顯示功能。在柔性電路板上設(shè)計(jì)控制電路時(shí)，有兩種實(shí)現(xiàn)方法1、先將所有的元件、開(kāi)關(guān)線路都設(shè)計(jì)在柔性電路板上，對(duì)暫不使用功能元件采取 預(yù)留安裝位置而暫不制作方式，可以兼容多種控制電路，其缺點(diǎn)是一個(gè)TFT有源陣列顯示 器適用的產(chǎn)品越多，柔性電路板上需要安裝元件的位置就越多，相應(yīng)的元件槽就越大，以致 沒(méi)有足夠的空間來(lái)制作元件槽，需要修改方案，導(dǎo)致設(shè)計(jì)周期延長(zhǎng)，由于元件位置多，柔性 電路板尺寸增大，增加了產(chǎn)品成本；或選用非最佳參數(shù)的小體積元件，導(dǎo)致性能降低。2、按所需求的產(chǎn)品制作多款柔性電路板，每一種產(chǎn)品對(duì)應(yīng)一種柔性電路板。這種 設(shè)計(jì)方法使柔性電路板上的元件少，體積小，但沒(méi)有兼容多種控制電路，需多次開(kāi)模，增加 了成本，制作周期長(zhǎng)。例如，在柔性控制電路板的方案1中，為實(shí)現(xiàn)一種驅(qū)動(dòng)功能而需將第9引腳和第10 引腳與第11引腳短接；在方案2中，為實(shí)現(xiàn)另一種驅(qū)動(dòng)功能而需在第9引腳和第10引腳與 第11引腳之間串聯(lián)接入電容。按照目前的做法是1、在柔性電路板上，留出短接的接口和 串接電容的接口，在需要時(shí)進(jìn)行短接或者串接入電容；2、分別做成兩款柔性電路板。前者造 成柔性電路板的體積變大，后者需多次開(kāi)模，都造成資源浪費(fèi)和成本增加。另外，柔性電路板上的元件安裝在背光裝置上的元件槽中，受元件槽尺寸的影響， 容易產(chǎn)生元件因擠壓受損、元件將元件槽頂起，背光裝置無(wú)法安裝固定等品質(zhì)缺陷，柔性電 路板元件的采購(gòu)也會(huì)帶來(lái)設(shè)計(jì)周期的延遲。按照目前的情況，一個(gè)TFT有源陣列顯示裝置在制作完成后，其完成的功能就已 經(jīng)確定下來(lái)，要增加或轉(zhuǎn)變顯示功能，就需要更換其它柔性電路板或是對(duì)TFT有源陣列顯 示裝置進(jìn)行重新開(kāi)模設(shè)計(jì)，TFT有源陣列顯示裝置重新開(kāi)模，以及柔性電路的更換，這些都 增加了成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種TFT有源陣列周邊電路的設(shè)計(jì)方法，這種 TFT有源陣列周邊電路的設(shè)計(jì)方法能夠兼容多種控制功能，可以根據(jù)不同的功能隨時(shí)修改， 在不需要重新開(kāi)模制造的情況下就能完成不同功能的轉(zhuǎn)換或新增功能，而相配合的柔性電 路板則僅需實(shí)現(xiàn)連接功能，無(wú)需在柔性電路板上安裝元件，柔性電路板的尺寸和層結(jié)構(gòu)也 可以減少，減少了元件采購(gòu)，降低了成本，提高了生產(chǎn)良率。采用的技術(shù)方案如下
一種TFT有源陣列周邊電路的設(shè)計(jì)方法，其特征是包括如下步驟步驟一、在制作TFT有源陣列顯示裝置時(shí)，在TFT有源陣列顯示裝置有效顯示區(qū)域 之外的無(wú)效區(qū)域上，預(yù)留出能夠用于設(shè)置周邊兼容控制電路的空白區(qū)域。一般的TFT有源陣列顯示裝置都劃分為一個(gè)有效顯示區(qū)域和一個(gè)無(wú)效區(qū)域，有效 顯示區(qū)域用于顯示圖像，而無(wú)效區(qū)域可以用來(lái)設(shè)置IC驅(qū)動(dòng)線、數(shù)據(jù)線、掃描線、檢測(cè)線等功 能線及TFT器件、電阻、儲(chǔ)存電容等元件，設(shè)置完上述功能線及元件后所剩下的空白區(qū)域可 以用來(lái)設(shè)置周邊兼容控制電路；因此在制作TFT顯示裝置時(shí)，預(yù)留出空白區(qū)域，就可以將周 邊兼容控制電路設(shè)置到空白區(qū)域上。步驟二、根據(jù)空白區(qū)域的大小及形狀，并根據(jù)周邊兼容控制電路的綜合原理圖，在 空白區(qū)域上繪制線路圖，具體的做法是將多個(gè)控制電路的電路原理圖一一列出，并取各張 電路原理圖的并集，形成周邊兼容控制電路的綜合原理圖，并根據(jù)周邊兼容控制電路的綜 合原理圖在空白區(qū)域上繪制線路圖。每一張控制電路的電路原理圖都代表使用該原理圖的產(chǎn)品在制作時(shí)需要使用電 路原理圖上指定的元件組，在制造完成后可實(shí)現(xiàn)既定的一組功能。不同控制電路的電路原 理圖代表產(chǎn)品在制作時(shí)需要使用不同的元件組，在制造完成后可實(shí)現(xiàn)不同的一組功能。取 各張控制電路的電路原理圖的并集，即對(duì)于各張控制電路的電路原理圖上相同的部分只保 留一份，而對(duì)不同的部分進(jìn)行合并，從而形成一張周邊兼 容控制電路的綜合原理圖，并根據(jù) 周邊兼容控制電路的綜合原理圖在空白區(qū)域上繪制線路圖，使產(chǎn)品在制作時(shí)可選擇使用某 一或某幾個(gè)元件組，在制造完成后可實(shí)現(xiàn)的一組或多組功能。步驟三、根據(jù)周邊兼容控制電路的綜合原理圖、線路圖、元件參數(shù)及電磁兼容性的 要求進(jìn)行元件設(shè)計(jì)和線路連接，將周邊兼容控制電路制作到空白區(qū)域上，同時(shí)制作連接器 件接口。在空白區(qū)域上設(shè)置多個(gè)導(dǎo)電層來(lái)等效電阻、電容和導(dǎo)線，在導(dǎo)電層之間設(shè)置絕緣 層。電阻可以用單個(gè)導(dǎo)電層或多個(gè)導(dǎo)電層來(lái)等效，當(dāng)用多個(gè)導(dǎo)電層來(lái)等效電阻時(shí)，導(dǎo)電層之 間通過(guò)連接孔(CROSS)連接；電容可以由導(dǎo)電層和絕緣層構(gòu)成，其中任意兩個(gè)或多個(gè)位置 相應(yīng)的導(dǎo)電層作為電容的電極，而導(dǎo)電層間的絕緣層則作為電容的介質(zhì)層，電容可以是兩 個(gè)導(dǎo)電層配合至少一個(gè)絕緣層的方式，也可以是多個(gè)導(dǎo)電層配合多個(gè)絕緣層的方式；導(dǎo)線 可以通過(guò)在導(dǎo)電層上刻蝕來(lái)表示，而跨層的導(dǎo)線則通過(guò)連接孔(CROSS)連接。設(shè)計(jì)連接器 件接口時(shí)，應(yīng)根據(jù)最后選擇的連接器件是熱壓紙、單層柔性電路板或金屬腳等情況進(jìn)行設(shè) 計(jì)，通常需考慮的是方便與連接器件連接。導(dǎo)電層的材料可以采用鐵、銅、鋁等金屬，也可以 是其合金或其氧化物。通過(guò)上述設(shè)置，空白區(qū)域上的周邊兼容控制電路包含上述多個(gè)控制電路。步驟四、根據(jù)所需實(shí)現(xiàn)的功能，采用電路刻斷或連線增補(bǔ)方式選擇制作對(duì)應(yīng)的控 制電路。在空白區(qū)域上根據(jù)周邊兼容控制電路的綜合原理圖繪制線路圖時(shí)，采用的是各個(gè) 控制電路的電路原理圖的并集，集合了所選各個(gè)控制電路的所有功能。但是有的控制電路 的功能在具體要求中并不需要；而經(jīng)常又出于對(duì)空白區(qū)域的有限空間和整體的布局的考 慮，在空白區(qū)域上并沒(méi)有過(guò)于復(fù)雜的布線，只是在相應(yīng)位置留出設(shè)置元件的空間。對(duì)于具 體要求中不需要的那些功能，需要去掉相應(yīng)的功能組件，以免對(duì)整個(gè)電路造成影響，常采用化學(xué)氣相淀積法或電子束蒸發(fā)儀對(duì)不需要的那些連接進(jìn)行電路刻斷，去掉不需要的功能組件；對(duì)于原來(lái)只留設(shè)置位置，沒(méi)有連線的，則需采用連線增補(bǔ)方式進(jìn)行連接。連接增補(bǔ)的方 式可以采用飛線連接或其它電連接方式。步驟五、設(shè)計(jì)或選擇連接器件，并將連接器件與連接器件接口連接。由于所有控制電路都設(shè)置到空白區(qū)域上，因此，連接器件的結(jié)構(gòu)相當(dāng)簡(jiǎn)單，只是實(shí) 現(xiàn)簡(jiǎn)單的連接功能。連接器件可以是柔性電路板、熱壓紙或金屬腳等。將TFT有源陣列顯示裝置與連接器件連接在一起，得到相應(yīng)控制功能的TFT有源 陣列顯示裝置。TFT有源陣列顯示裝置可以是非晶硅有源陣列顯示裝置、多晶硅有源陣列顯示裝 置或有機(jī)電致發(fā)光(OLED)有源陣列顯示裝置等。本發(fā)明的主要設(shè)計(jì)思路是在制作TFT有源陣列顯示裝置時(shí)，在無(wú)效區(qū)域上預(yù)留 出空白區(qū)域，然后在空白區(qū)域上根據(jù)周邊兼容控制電路的綜合原理圖繪制線路圖、元件設(shè) 置、功能組件選擇等一系列工藝，將多個(gè)控制電路的控制功能轉(zhuǎn)移到TFT有源陣列顯示裝 置上，使得在TFT有源陣列顯示裝置完成之后，可進(jìn)行一些驅(qū)動(dòng)功能的設(shè)置和選擇，而并沒(méi) 有嚴(yán)格限定本發(fā)明所進(jìn)行的步驟與TFT有源陣列顯示裝置的制造在時(shí)間上的先后順序。如 在制作TFT有源陣列顯示裝置之前就可以設(shè)計(jì)周邊兼容控制電路的綜合原理圖；在已知周 邊兼容控制電路的綜合原理圖的情況下，可以在制作TFT有源陣列顯示裝置的中間過(guò)程， 在空白區(qū)域上繪制線路圖和對(duì)某些功能組件的設(shè)置。為達(dá)到擴(kuò)大空白區(qū)域、便于設(shè)置周邊兼容控制電路的目的，作為本發(fā)明的優(yōu)選方 案，其特征是采用層疊的引線方式設(shè)置有效顯示區(qū)域的IC驅(qū)動(dòng)線、數(shù)據(jù)線、掃描線和檢測(cè) 線，以增大空白區(qū)域的面積。一方面由于工藝水平?jīng)Q定了引線的寬度和間距，所以在相同的 空間里，采用多層(N層)的引線方式所能容納引線的數(shù)量是單層引線的數(shù)量的N倍；在引 線總數(shù)量相同的情況下，采用層疊引線方式，明顯占用的面積小，因而可以明顯增大空白區(qū) 域的面積；另一方面，不同導(dǎo)電層的電阻率不同，由于控制電路對(duì)線路電阻有嚴(yán)格要求，所 以在電阻率低的導(dǎo)電層中的引線寬度遠(yuǎn)比電阻率高的導(dǎo)電層中的引線寬度要寬，占用的面 積大，而采用層疊引線方式，可以充分利用電阻率高的導(dǎo)電層的導(dǎo)電優(yōu)勢(shì)，減小引線寬度， 明顯增大空白區(qū)域的面積；由于空白區(qū)域的面積的大小決定了控制電路的制作數(shù)量，所以 采用層疊引線方式可以設(shè)置含有更多控制電路的周邊兼容控制電路。為了達(dá)到設(shè)置更多的TFT周邊控制電路和更方便容性元件的設(shè)置的目的，作為本 發(fā)明進(jìn)一步的優(yōu)選方案，其特征是在空白區(qū)域上，導(dǎo)電層與絕緣層疊合設(shè)置，導(dǎo)電層與絕 緣層的總數(shù)至少為四層。導(dǎo)電層與絕緣層之間應(yīng)設(shè)置一個(gè)或多個(gè)絕緣層。為了能夠使用導(dǎo) 電層和絕緣層來(lái)等效電容，須包括兩個(gè)作為電容電極的導(dǎo)電層和一個(gè)作為電容介質(zhì)的絕緣 層，絕緣層設(shè)于兩個(gè)導(dǎo)電層之間，還應(yīng)在最上面導(dǎo)電層的上表面之間設(shè)置一個(gè)絕緣層，總共 至少四層。為了能夠設(shè)置更多TFT周邊控制電路，可以設(shè)置更多的導(dǎo)電層和絕緣層，如增加 一個(gè)絕緣層和一個(gè)導(dǎo)電層，就多出一個(gè)導(dǎo)電層來(lái)設(shè)置TFT周邊控制電路，從而達(dá)到設(shè)置更 多TFT周邊控制電路的目的。同時(shí)，增加導(dǎo)電層和絕緣層，更方便設(shè)置電容的串聯(lián)或并聯(lián)。為了達(dá)到簡(jiǎn)化制作流程，不增加TFT顯示裝置的生產(chǎn)難度的目的，作為本發(fā)明更 進(jìn)一步的優(yōu)選方案，其特征是在空白區(qū)域上，導(dǎo)電層與絕緣層的總數(shù)為五層。通過(guò)優(yōu)選導(dǎo) 電層與絕緣層的累加之和為五層，這樣既兼顧設(shè)置TFT周邊控制電路的數(shù)量和容性問(wèn)題，也兼顧了制作的難易程度。例如，這五層包括三個(gè)導(dǎo)電層和兩個(gè)絕緣層，如果增加一個(gè)導(dǎo)電 層和一個(gè)絕緣層，即制作七層(包括四個(gè)導(dǎo)電層和三個(gè)絕緣層的結(jié)構(gòu))，則可以多出一個(gè)導(dǎo) 電層進(jìn)行周邊兼容控制電路中電阻和電容元件的制作，絕緣層的增加有利于容性元件的制 作，同時(shí)能設(shè)置更多的周邊兼容控制電路，對(duì)于本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)更為容易。但是這樣一來(lái)就 增加了制造的難度。因?yàn)?，一方面是制作一個(gè)導(dǎo)電層或絕緣層都需要進(jìn)行不同的版面設(shè)計(jì) 和嚴(yán)格的工業(yè)控制，層數(shù)的增加，就增加了設(shè)計(jì)內(nèi)容和工業(yè)控制量；另一方面，由于線寬距 或間距均控制在微米級(jí)，容易出現(xiàn)斷路或短路等缺陷，膜層增加容易出現(xiàn)更多缺陷；第三方 面，對(duì)廠房和設(shè)備的凈化要求高，制造時(shí)間越長(zhǎng)，越容易出現(xiàn)產(chǎn)品污染，導(dǎo)致良率下降。 本發(fā)明通過(guò)將所有控制電路設(shè)置到TFT有源陣列顯示裝置的空白區(qū)域上，實(shí)現(xiàn)兼 容控制電路從柔性電路板到TFT有源陣列顯示裝置的轉(zhuǎn)移；而采用導(dǎo)電層和絕緣層來(lái)等效 電阻、電容和導(dǎo)線，省去購(gòu)買元件，節(jié)約成本；在TFT有源陣列顯示裝置制作完成之后，對(duì)某 些特定部位進(jìn)行電路刻斷或連線修補(bǔ)，實(shí)現(xiàn)功能選擇，能夠兼容多種控制功能；而連接器僅 實(shí)現(xiàn)連接功能，無(wú)需在連接器上安裝元件，尺寸也可以相應(yīng)做小，提高了生產(chǎn)良率；背光裝 置無(wú)需制造元件槽，減少了加工環(huán)節(jié)，提高了產(chǎn)品抗沖擊性能。


圖1是在TFT有源陣列顯示裝置的無(wú)效區(qū)域上留出空白區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是圖1的側(cè)視圖。圖3是一種周邊兼容控制電路的綜合原理圖。圖4是將圖3所示的周邊兼容控制電路的綜合原理圖繪制到空白區(qū)域上的線路 圖。圖5是圖4的A部分局部放大圖。圖6是一種五層結(jié)構(gòu)的電阻示意圖。圖7是一種五層結(jié)構(gòu)的電容示意圖。圖8是一種單導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)的電阻示意圖。圖9是一種四層結(jié)構(gòu)的電容示意圖。圖10是一種六層結(jié)構(gòu)的電容示意圖。圖11是電容的線路圖。圖12是接觸孔電阻的線路圖。圖13是繞線電阻的線路圖。圖14是實(shí)現(xiàn)短接的電路刻斷示意圖。圖15是實(shí)現(xiàn)接入電容的示意圖。圖16是一種連接器件的線路原理圖。圖17是TFT有源陣列顯示裝置與連接器件連接的示意圖。圖18是采用層疊的引線方式后空白區(qū)域的示意圖。圖19是采用單層引線方式后空白區(qū)域的示意圖。圖20a是圖18的A-A剖視圖，表示采用雙層引線方式時(shí)，引出線與TFT有源陣列 顯示裝置各層的關(guān)系。圖20b是圖19的B-B剖視圖，表示采用單層引線方式時(shí)，引出線與TFT有源陣列顯示裝置各層的關(guān)系。圖21是第一種控制電路的功能組件的示意圖。圖22是第二種控制電路的功能組件的示意圖。圖23是第三種控制電路的功能組件的示意圖。圖24是綜合圖21、圖22和圖23而形成的周邊兼容控制電路的綜合原理圖。圖25是對(duì)圖24進(jìn)行電路刻斷后實(shí)現(xiàn)圖21所示的控制電路功能的示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式做進(jìn)一步的說(shuō)明。這種TFT有源陣列周邊電路的設(shè)計(jì)方法，包括如下步驟步驟一、如圖1和圖2所示，在制作TFT有源陣列顯示裝置時(shí)，在TFT有源陣列顯 示裝置有效顯示區(qū)域1之外的無(wú)效區(qū)域2上，設(shè)置好IC驅(qū)動(dòng)線、數(shù)據(jù)線、掃描線、檢測(cè)線等 功能線及TFT器件、電阻、儲(chǔ)存電容等元件之后，預(yù)留出能夠用于設(shè)置兼容控制電路的空白 區(qū)域3。步驟二、根據(jù)空白區(qū)域3的大小及形狀，并根據(jù)周邊兼容控制電路的綜合原理圖， 在空白區(qū)域3上繪制線路圖，具體的做法是將多個(gè)控制電路的電路原理圖一一列出，并取 各張電路原理圖的并集，形成周邊兼容控制電路的綜合原理圖，并根據(jù)周邊兼容控制電路 的綜合原理圖在空白區(qū)域上繪制線路圖。在控制電路的方案1中，為實(shí)現(xiàn)一種驅(qū)動(dòng)功能而 需將第9引腳和第10引腳(CM31)與第11引腳(C21P)短接；在控制電路的方案2中，為實(shí) 現(xiàn)另一種驅(qū)動(dòng)功能而需在第9引腳和第10引腳(CM31)與第11引腳(C21P)之間串聯(lián)接入 電容；取這兩張控制電路原理圖的并集，對(duì)于兩張控制電路的電路原理圖上相同的部分只 保留一份，而對(duì)不同的部分進(jìn)行合并，形成如圖3所示的周邊兼容控制電路的綜合原理圖； 根據(jù)圖3所示的周邊兼容控制電路的綜合原理圖在空白區(qū)域3上繪制線路圖，如圖4和圖5 所示，圖5是圖4中A部分的局部放大圖。繪制到空白區(qū)域3上的電容4、接觸孔電阻5和 繞線電阻6，分別如圖11、圖12和圖13所示。步驟三、根據(jù)周邊兼容控制電路的綜合原理圖、線路圖、元件參數(shù)及電磁兼容性的 要求進(jìn)行元件設(shè)計(jì)和線路連接，將周邊兼容控制電路制作到空白區(qū)域3上，同時(shí)制作連接 器件接口。在空白區(qū)域上設(shè)置總數(shù)為五層的導(dǎo)電層和絕緣層來(lái)等效電阻、電容和導(dǎo)線，在導(dǎo) 電層之間設(shè)置絕緣層。如圖6所示，電阻由三個(gè)導(dǎo)電層7和兩絕緣層8構(gòu)成，兩絕緣層8設(shè) 置在相鄰兩導(dǎo)電層7之間，相鄰兩導(dǎo)電層7通過(guò)連接孔9連接；如圖7所示，電容由三個(gè)導(dǎo) 電層7和兩絕緣層8構(gòu)成，兩絕緣層8設(shè)置在相鄰兩導(dǎo)電層7之間，導(dǎo)電層7作為電容的電 極，絕緣層8作為電容的介質(zhì)層；導(dǎo)線可以通過(guò)在導(dǎo)電層上刻蝕來(lái)表示，而跨層的導(dǎo)線則通 過(guò)連接孔連接；按圖3所示的周邊兼容控制電路的原理圖及所標(biāo)定的元件參數(shù)以及電磁兼 容的要求將周邊兼容控制電路設(shè)置到空白區(qū)域上；制作連接器件接口。步驟四、根據(jù)所需實(shí)現(xiàn)的功能，采用電路刻斷或連線修補(bǔ)方式選擇制作對(duì)應(yīng)的控 制電路。通過(guò)化學(xué)氣相淀積法對(duì)圖14所示部位10的電路刻斷，實(shí)現(xiàn)CM31 (第9引腳、第10 引腳)與C21P(第11引腳)短接，形成方案1的控制電路；或通過(guò)化學(xué)氣相淀積法對(duì)圖15 所示部位11的電路刻斷實(shí)現(xiàn)在CM31 (第9引腳、第10弓丨腳)與C21P之間串聯(lián)接入電容， 形成方案2的控制電路。
步驟五、設(shè)計(jì)或選擇連接器件，連接器件與連接器件接口連接。連接器件如圖16 所示，由于所有控制電路都設(shè)置到空白區(qū)域3上，因此，連接器件只是實(shí)現(xiàn)連接功能，結(jié)構(gòu) 相當(dāng)簡(jiǎn)單；如圖17所示，連接器件與連接器件接口連接。在另一種實(shí)施方式中，如圖18和圖20a所示，采用層疊的引線方式設(shè)置有效顯示 區(qū)域的IC驅(qū)動(dòng)線、數(shù)據(jù)線、掃描線和檢測(cè)線，以增大空白區(qū)域的面積，圖20a是圖18的A-A 剖視圖，圖20a可以看出，采用雙層的引線方式，兩層引出線12間設(shè)有絕緣層13。圖19所 示是采用單層引線方式的示意圖，圖20b是圖19的B-B剖視圖，圖20b可以看出，只有單層 引出線12。對(duì)比圖20a和圖20b，采用單層引線方式是在一個(gè)平面上排列引線，而采用層疊 的引線方式將引線區(qū)域擴(kuò)展到該平面的上方空間，采用N層引線時(shí)，在同一平面范圍內(nèi)的 弓丨線數(shù)量是采用單層引線的N倍；而在引線的總數(shù)量相同的情況下，采用N層引線占用的平 面區(qū)域是采用單層引線的N分之一；對(duì)比圖18和圖19，圖18所示是采用雙層引線方式后 所留出的空白區(qū)域，圖19是采用單層引線方式后所留出的空白區(qū)域，圖18的空白區(qū)域的面 積明顯大于圖19的空白區(qū)域的面積；圖18所示采用雙層引線方式后所留出的空白區(qū)域，可 以設(shè)置更多的兼容控制電路。
在另一種實(shí)施方式中，如圖21、圖22和圖23所示三張控制電路的原理圖，取這三 張控制電路原理圖的并集，形成如圖24所示的周邊兼容控制電路的綜合原理圖，在TFT有 源陣列顯示裝置制作完成后，如僅需實(shí)現(xiàn)控制電路原理圖21的功能，則采用化學(xué)氣相淀積 法對(duì)圖24作相應(yīng)電路刻斷，形成如圖25所示電路。在其它實(shí)施方式中，還可以采用電子束蒸發(fā)儀對(duì)不需要的那些連接進(jìn)行電路刻 斷，去掉不需要的功能組件；對(duì)于原來(lái)只留設(shè)置位置，沒(méi)有連線的，則需采用連線修補(bǔ)方式 進(jìn)行連接。在其它實(shí)施方式中，電阻可以是如圖8所示的單個(gè)導(dǎo)電層7和絕緣層8組成的結(jié) 構(gòu)。在其它實(shí)施方式中，電容可以是如圖9所示包括兩導(dǎo)電層7，和設(shè)置在兩導(dǎo)電層7 之間的絕緣層8的多層結(jié)構(gòu)。在其它實(shí)施方式中，電容可以是如圖10所示，在兩個(gè)導(dǎo)電層間夾有多個(gè)絕緣層的 結(jié)構(gòu)。在其它實(shí)施方式中，導(dǎo)電層與絕緣層累加之和可以是三、四、六、七等其它數(shù)量，如 圖10所示的多層結(jié)構(gòu)的電容，導(dǎo)電層7和絕緣層8累加之和是六層。優(yōu)選上述導(dǎo)電層的材料采用鉬，在其它實(shí)施方式中，導(dǎo)電層的材料可以采用鐵、 鋁、鉬、鉭、鈦、釹、鎢或其合金，或鐵、鋁、銅的氧化物，也可以采用銦錫氧化物、銦鋅氧化物 等其它導(dǎo)電材料。
權(quán)利要求
一種TFT有源陣列周邊電路的設(shè)計(jì)方法，其特征是包括如下步驟步驟一、在制作TFT有源陣列顯示裝置時(shí)，在TFT有源陣列顯示裝置有效顯示區(qū)域之外的無(wú)效區(qū)域上，預(yù)留出能夠用于設(shè)置周邊兼容控制電路的空白區(qū)域；步驟二、根據(jù)空白區(qū)域的大小及形狀，并根據(jù)周邊兼容控制電路的綜合原理圖，在空白區(qū)域上繪制線路圖，具體的做法是將多個(gè)控制電路的電路原理圖一一列出，并取各張電路原理圖的并集，形成周邊兼容控制電路的綜合原理圖，并根據(jù)周邊兼容控制電路的綜合原理圖在空白區(qū)域上繪制線路圖；步驟三、根據(jù)周邊兼容控制電路的綜合原理圖、線路圖、元件參數(shù)及電磁兼容性的要求進(jìn)行元件設(shè)計(jì)和線路連接，將周邊兼容控制電路制作到空白區(qū)域上，同時(shí)制作連接器件接口；步驟四、根據(jù)所需實(shí)現(xiàn)的功能，采用電路刻斷或連線增補(bǔ)方式選擇制作對(duì)應(yīng)的控制電路；步驟五、設(shè)計(jì)或選擇連接器件，并將連接器件與連接器件接口連接。
2.如權(quán)利要求1所述的TFT有源陣列周邊電路的設(shè)計(jì)方法，其特征是采用層疊的引 線方式設(shè)置有效顯示區(qū)域的IC驅(qū)動(dòng)線、數(shù)據(jù)線、掃描線和檢測(cè)線，以增大空白區(qū)域的面積。
3.如權(quán)利要求1或2所述的TFT有源陣列周邊電路的設(shè)計(jì)方法，其特征是在空白區(qū) 域上，導(dǎo)電層與絕緣層疊合設(shè)置，導(dǎo)電層與絕緣層的總數(shù)至少為四層。
4.如權(quán)利要求3所述的TFT有源陣列周邊電路的設(shè)計(jì)方法，其特征是導(dǎo)電層與絕緣 層的總數(shù)為五層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種TFT有源陣列周邊電路的設(shè)計(jì)方法，該設(shè)計(jì)方法主要是在制作TFT有源陣列顯示裝置時(shí)，在無(wú)效區(qū)域上預(yù)留出空白區(qū)域，然后在空白區(qū)域上根據(jù)周邊兼容控制電路的綜合原理圖繪制線路圖、進(jìn)行元件設(shè)置和功能組件選擇等，將多個(gè)控制電路的控制功能轉(zhuǎn)移到TFT有源陣列顯示裝置上，使得在TFT有源陣列顯示裝置完成之后，可通過(guò)對(duì)某些特定部位進(jìn)行電路刻斷或連線修補(bǔ)，實(shí)現(xiàn)功能選擇，能夠兼容多種控制功能；采用導(dǎo)電層和絕緣層來(lái)等效電阻、電容和導(dǎo)線，省去購(gòu)買元件，節(jié)約成本；連接器僅實(shí)現(xiàn)連接功能，無(wú)需在連接器上安裝元件，尺寸也可以相應(yīng)做小，提高了生產(chǎn)良率；背光裝置無(wú)需制造元件槽，減少了加工環(huán)節(jié)，提高了產(chǎn)品抗沖擊性能。
文檔編號(hào)G06F17/50GK101840455SQ20101015930
公開(kāi)日2010年9月22日 申請(qǐng)日期2010年4月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月23日
發(fā)明者呂岳敏, 吳利剛, 吳永俊, 林鋼, 沈奕, 王焰, 黃浩泓 申請(qǐng)人:汕頭超聲顯示器(二廠)有限公司