專利名稱：有源元件陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種陣列基板，特別是涉及一種用于液晶顯示裝置的有源 元件陣列基板。
技術(shù)背景液晶顯示裝置具有低功能、外型薄、重量輕等特點(diǎn)，目前廣泛應(yīng)用于顯示 器、電視、筆記本電腦等。液晶顯示裝置的電路結(jié)構(gòu)如圖1所示，在有源元件陣列基板上形成柵極引線1、數(shù)據(jù)線2、薄膜晶體管3、存儲(chǔ)電容4和像素電極 6，薄膜晶體管(TFT) 3的柵極與柵極引線1相連，用來(lái)提供掃描信號(hào)，從而可 以將柵極信號(hào)輸入到柵極，控制TFT3的開關(guān)。TFT3的源極與源極引線2相連， 用來(lái)提供數(shù)據(jù)信號(hào)，從而當(dāng)TFT3打開時(shí)，可以通過TFT3將數(shù)據(jù)信號(hào)輸入到相 應(yīng)的像素電極6。柵極引線1和源極引線2在靠近像素電極6的地方穿行，排列 成矩陣，相互交叉在一起。TFT3的漏極與像素電極6和存儲(chǔ)電容4，液晶電容5 分別相連。存儲(chǔ)電容4和液晶電容5的另一極與公共電極(Vcom)相連。存儲(chǔ) 電容4用來(lái)保持液晶層上施加的電壓，與液晶電容5并聯(lián)，液晶電容5包括一 有源矩陣基板上的像素電極6、另一基板上的相應(yīng)公共電極及介于它們之間的液 晶層。圖2為傳統(tǒng)薄膜晶體管陣列基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖。柵極引線1及與柵極 引線1相連的柵極11形成在透明基板10上，柵絕緣層12包覆在柵極11上。 半導(dǎo)體層31形成在柵絕緣層12上，從而通過柵絕緣層12覆蓋在柵極11上。 N+Si層32作為半導(dǎo)體層31和金屬層20的連接層。中間絕緣膜41覆蓋在TFT3、 柵極引線1和數(shù)據(jù)線2上。透明導(dǎo)電層(IT0)形成在中間絕緣膜41上，以構(gòu) 成像素電極6。透明導(dǎo)電層與金屬層20相連，透明導(dǎo)電層通過一接觸孔51與TFT3的漏極相連，接觸孔51穿過中間絕緣膜41。當(dāng)通過CVD (化學(xué)氣相沉積) 形成SiNx、 Si02等的中間絕緣膜41時(shí)，中間絕緣膜41的表面直接反映了有源 矩陣的表面形狀。所以，當(dāng)在中間絕緣膜41上形成像素電極6時(shí)，由于中間絕 緣膜41上具有臺(tái)階，最終在像素電極6上也會(huì)形成臺(tái)階，從而使液晶分子的取 向出現(xiàn)擾動(dòng)，影響液晶顯示裝置的顯示畫質(zhì)。 實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種具有平坦化像素電極結(jié)構(gòu)的有源 元件陣列基板，以提高液晶顯示裝置的顯示畫質(zhì)。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種有源元件陣列基板，包括在一透明基板上形成的柵極及與柵極電氣連接的柵極引線； 一柵絕緣層，覆蓋柵極與 柵極引線； 一半導(dǎo)體層，形成在所述柵絕緣層上；源/漏極及與源極電氣連接的 源極引線；形成在源/漏極層上的中間絕緣膜；其中所述中間絕緣膜上覆蓋有第 二絕緣膜；所述第二絕緣膜上形成平坦化的像素電極。所述第二絕緣膜可以為光敏絕緣膜。所述光敏絕緣膜可以為負(fù)性光刻膠。基于上述構(gòu)思，本實(shí)用新型的有源元件陣列基板，由于在中間絕緣膜上增 加了一層表面平坦的第二絕緣膜，從而形成平坦化的像素電極，改善了液晶顯 示畫質(zhì)；特別是釆用光敏絕緣膜作為第二絕緣膜，又有利于提高光的透過率， 可提高液晶顯示亮度。為了更進(jìn)一步了解本實(shí)用新型的特征及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本實(shí)用新 型的詳細(xì)說明與附圖。然而附圖僅供參考與輔助說明用，不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型 的限制。

圖1為液晶顯示裝置的電路結(jié)構(gòu)圖；圖2為傳統(tǒng)有源元件陣列基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例的有源元件陣列基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)號(hào)說明1、柵極引線 2、源極引線3、薄膜晶體管(TFT)4、存儲(chǔ)電容5、液晶電容 6、像素電極10:透明基板11、柵極 12、柵絕緣層20:金屬層31、半導(dǎo)體層 32、 N+Si層 41、中間絕緣膜 42、第二絕緣膜 51、接觸孔具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖及典型實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。 圖3為本實(shí)施例的有源元件陣列基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖。 參照?qǐng)D3，在洗凈的透明基板10表面濺射上一層金屬膜，透明基板10可以 為坡璃基板或塑膠基板，金屬膜如鋁(Al)或鋁合金(AlNd),或多層金屬膜 (AlNd/MoNb)作為柵極材料，然后在該金屬膜上涂布光刻膠并圖形化后，通過刻 蝕制成柵極ll。隨后在柵極11上通過PECVD (等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)工藝 沉積一層?xùn)沤^緣層12，柵絕緣層12可由SiNx或Si02材料制成。接著在柵絕緣層12上通過CVD (化學(xué)氣相沉積)工藝，繼續(xù)沉積半導(dǎo)體材 料a-Si和N+Si薄膜層，然后濺射第二層金屬層20,例如Cr或Al及其合金材 料。通過GTM (Gray Tone Mask;灰階光罩)技術(shù)，經(jīng)曝光和刻蝕后，分別定義 出源、漏極和a-Si半導(dǎo)體層31和N十Si層32圖形，形成TFT開關(guān)元件。通過PECVD技術(shù)在半導(dǎo)體層31和源、漏極上形成一層SiNx保護(hù)膜即中間絕緣膜 41后，在透明基板10上涂覆一層透明的光敏絕緣膜，如負(fù)性光刻膠或光敏聚酰 乙胺等；然后進(jìn)行曝光，得到接觸孔51的圖案，再利用該光敏絕緣膜作為掩膜 材料，釆用干法刻蝕第一絕緣膜41。同時(shí)該工藝后，將光刻膠保留下來(lái)，作為 第二絕緣膜42,形成具有平坦化的平面的接觸孔51。最后在中間絕緣膜41和第二絕緣膜42上濺射一層透明導(dǎo)電層，如IT0 (氧 化銦錫)或IZ0 (氧化銦鋅)，然后進(jìn)行圖形化后形成表面平坦化的像素電極6。本實(shí)用新型實(shí)施例的有源矩陣陣列基板，由于像素電極的平面平坦，將可 以獲得高品質(zhì)的液晶顯示效果。
權(quán)利要求1.一種有源元件陣列基板，包括在一透明基板上形成的柵極及與柵極電氣連接的柵極引線；一柵絕緣層，覆蓋柵極與柵極引線；一半導(dǎo)體層，形成在所述柵絕緣層上；源/漏極及與源極電氣連接的源極引線；形成在源/漏極層上的中間絕緣膜；其特征在于所述中間絕緣膜上覆蓋有第二絕緣膜；所述第二絕緣膜上形成平坦化的像素電極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的有源元件陣列基板，其特征在于所述的第二絕緣 膜為光敏絕緣膜。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有源元件陣列基板，其特征在于所述的光敏絕緣 膜為負(fù)性光刻膠。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種有源元件陣列基板，包括在一透明基板上形成的柵極及與柵極電氣連接的柵極引線；一柵絕緣層，覆蓋柵極與柵極引線；一半導(dǎo)體層，形成在所述柵絕緣層上；源/漏極及與源極電氣連接的源極引線；形成在源/漏極層上的中間絕緣膜；其中所述中間絕緣膜上覆蓋有第二絕緣膜，所述第二絕緣膜上形成平坦化的像素電極；該結(jié)構(gòu)的陣列基板改善了液晶顯示畫質(zhì)。
文檔編號(hào)H01L27/12GK201117660SQ200720073988
公開日2008年9月17日 申請(qǐng)日期2007年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月23日
發(fā)明者高孝裕 申請(qǐng)人:上海廣電光電子有限公司