專利名稱：感測(cè)像素及其觸控面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種觸控面板的感測(cè)像素，且特別是涉及利用具有光敏晶體 管的感測(cè)像素，來(lái)檢測(cè)所觸碰的位置。
背景技術(shù)：
隨著電子技術(shù)的蓬勃發(fā)展，以及無(wú)線通訊與網(wǎng)絡(luò)的普及化，具有輕薄短 小優(yōu)點(diǎn)的便攜式裝置逐漸成為新一代的數(shù)據(jù)存取平臺(tái)。然而，并非所有的裝
置都采用一般人常見的輸入與輸出(input/output， 1/0)接口，像是鍵盤或是鼠 標(biāo)。因此，觸控面板常被應(yīng)用作為人與智能裝置之間的人機(jī)接口，以執(zhí)行控 制。
一般來(lái)說(shuō)，電阻式觸控面板為兩個(gè)相距微小空間的導(dǎo)電層所組成。當(dāng)使 用者按壓觸控面板時(shí)，這兩個(gè)導(dǎo)電層會(huì)連接于某一點(diǎn)，因此于此點(diǎn)上會(huì)產(chǎn)生 電壓的變化。通過(guò)模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(analog to digital convert, ADC)將具有電壓 變化的模擬式信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字式信號(hào)后，便可定位出按壓點(diǎn)的橫軸與縱軸坐 標(biāo)。然而，電阻式觸控面板沒有保護(hù)層，因此在頻繁的按壓下很容易損壞， 且此類型的觸控面板只能檢測(cè)到一個(gè)按壓點(diǎn)。如果有多個(gè)按壓點(diǎn)時(shí)，例如是 多指(multi-finger),觸控面板便無(wú)法判斷出按壓點(diǎn)的位置。而且，設(shè)置多導(dǎo) 電層不僅會(huì)增加觸控面板的厚度，也會(huì)影響液晶顯示器(liquid crystal display, LCD)的透光率。再者，由于電阻式觸控面板不能準(zhǔn)確地定位出按壓點(diǎn)的位 置，因而無(wú)法滿足消費(fèi)者的需求。
而另一種類型的觸控面板為光學(xué)式觸控面板，其使用多個(gè)紅外線傳輸器 與紅外線接收器于周圍，也就是說(shuō)，水平與垂直方向紅外線傳輸器所產(chǎn)生的 紅外線形成數(shù)組式的排列。當(dāng)一個(gè)遮蔽物擋住其中一道紅外光的傳輸時(shí)，按 壓點(diǎn)的橫軸與縱軸位置就能被定位出來(lái)。然而，光學(xué)式觸控面板對(duì)微小物體 或是外部干擾相當(dāng)敏感，容易導(dǎo)致錯(cuò)誤的定位。因此，各大廠商莫不極盡秀 力地設(shè)計(jì)能解決上述問(wèn)題及克服缺點(diǎn)的觸控面板。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種感測(cè)像素與使用此感測(cè)像素的觸控面板，其利用光敏晶
體管來(lái)^r測(cè)每一個(gè)感測(cè)像素的光遮蔽的情形，并藉此指出所觸碰的位置。由
于此感測(cè)像素為最小的檢測(cè)單元，因而本發(fā)明的觸控面板能準(zhǔn)確地提供手指 或多指的觸碰位置，且無(wú)需設(shè)置導(dǎo)電層，以節(jié)省觸控面板的體積及具有較佳 的透光率。
本發(fā)明提供一種感測(cè)像素，適于具有m條掃描線與n條讀取線的觸控面 板，且此感測(cè)像素包括感測(cè)電容、讀取晶體管、重置晶體管、基部晶體管以 及光敏晶體管。讀取晶體管的柵極、第一源/漏極及第二源/漏極分別耦接第 i條掃描線、第j條讀取線及感測(cè)電容的第一端，其中1^i^m且l^j^n。 重置晶體管的柵極、第一源/漏極及第二源/漏極分別耦接第(i+l)條掃描線、 感測(cè)電容的第二端及第一電壓?；烤w管的柵極接收第i條掃描線的反相 信號(hào)，且其第一源/漏極及第二源/漏極分別耦接感測(cè)電容的第一端及第二電 壓。光敏晶體管的柵極、第一源/漏極及第二源/漏極分別耦接第i條掃描線、 感測(cè)電容的第二端及第二電壓，其中光敏晶體管于曝光時(shí)會(huì)產(chǎn)生光漏電流。
本發(fā)明提供一種觸控面板，其具有m條掃描線與n條讀取線。此觸控 面板包括多個(gè)感測(cè)像素與讀取電路，其中每一感測(cè)像素包括感測(cè)電容、讀取 晶體管、重置晶體管、基部晶體管以及光敏晶體管。讀取晶體管的柵極、第 一源/漏極及第二源/漏極分別耦接第i條掃描線、第j條讀取線及感測(cè)電容的 第一端，其中1^i^m且i^j^n。重置晶體管的柵極、第一源/漏極及第
二源/漏極分別耦接第(i+l)條掃描線、感測(cè)電容的第二端及第一電壓。基部晶 體管的柵極接收第i條掃描線的反相信號(hào)，且其第一源/漏極及第二源/漏極 分別耦接感測(cè)電容的第一端及第二電壓。光敏晶體管的柵極、第一源/漏極及 第二源/漏極分別耦接第i條掃描線、感測(cè)電容的第二端及第二電壓，其中光
敏晶體管于曝光時(shí)會(huì)產(chǎn)生光漏電流。讀取電路分別耦接至上述讀取線，并且 根據(jù)對(duì)應(yīng)的感測(cè)電容的跨壓來(lái)判斷其中 一感測(cè)像素是否有被接觸到。
在上述的觸控面板中，本發(fā)明一實(shí)施例的讀取電路包括多個(gè)讀取單元， 且每一個(gè)讀取單元包括運(yùn)算放大器、第一電容以及第一晶體管。運(yùn)算放大器 的反相端及非反相端分別耦接第j條讀取線及第二電壓，且其輸出端產(chǎn)生輸 出電壓。第一電容的第一端及第二端分別耦接運(yùn)算放大器的反相端及輸出 端。第一晶體管的柵極接收一重置信號(hào)，且其第一源/漏極及第二源/漏極分
6別耦接運(yùn)算放大器的反相端及輸出端。
本發(fā)明提供感測(cè)像素與使用此感測(cè)像素的觸控面板，其利用光敏晶體管 的特性來(lái)檢測(cè)手指或多指所觸碰的位置。因?yàn)楣饷艟w管于曝光后時(shí)會(huì)產(chǎn)生 光漏電流，本發(fā)明因此通過(guò)測(cè)量感測(cè)電容兩端的的跨電壓，并且將執(zhí)行此電 壓信號(hào)加以處理來(lái)判斷對(duì)應(yīng)的感測(cè)像素是否被觸碰接觸到。經(jīng)由適當(dāng)?shù)臅r(shí)序 控制，便可準(zhǔn)確地且立即地檢測(cè)手指或多指所觸碰的位置可以馬上準(zhǔn)確地檢 測(cè)到。
為使本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉本 發(fā)明的較佳實(shí)施例，并結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1為本發(fā)明的一實(shí)施例的觸控面板的方塊圖。
圖2為本發(fā)明實(shí)施例中顯示像素與感測(cè)像素耦接一起的電路圖。 圖3為本實(shí)施例圖2中感測(cè)像素的部分結(jié)構(gòu)圖。 圖4為本發(fā)明實(shí)施例中觸控面板運(yùn)作的時(shí)序圖。 圖5A為本發(fā)明的一實(shí)施例的讀取電路的電路圖。 圖5B為本發(fā)明的另一實(shí)施例的讀取電路的電路圖。
附圖符號(hào)說(shuō)明
100:觸控面板
11:數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器
12:掃描驅(qū)動(dòng)器
13:主動(dòng)矩陣區(qū)域
14:讀取電路
15:掃描線
16:讀取線
17:數(shù)據(jù)線
18:感測(cè)像素
19:顯示像素
T0:晶體管
Tl:讀取晶體管T2:重置晶體管
T3:基部晶體管
Pl:光敏晶體管
Cst:儲(chǔ)存電容
Clc:液晶電容
Cl:感測(cè)電容
s、Si+1、 Si，掃描線
Rj:讀取線
數(shù)據(jù)線
31a、,32a:柵極
31b'.32b:第一源/漏極
31c、32c第二源/漏極
31d、.32d通道層
33、34:基底
35:彩色濾光片
36:黑色矩陣
LC:液晶層
51:讀取單元
51a:運(yùn)算放大器
52:多路復(fù)用器
53:比較器
54:模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器
55:影像處理單元
C2:第一電容
T4:第一晶體管
具體實(shí)施例方式
圖1為本發(fā)明的一實(shí)施例的觸控面板的方塊圖。請(qǐng)參考圖1，觸控面板
100包括掃描驅(qū)動(dòng)器12、 lt據(jù)驅(qū)動(dòng)器11、讀取電路14以及主動(dòng)矩陣區(qū)域13, 其中觸控面板100具有m條掃描線15與n條讀取線16。在主動(dòng)矩陣13上 排列有多個(gè)顯示像素(未繪示于圖l)與多個(gè)感測(cè)像素18。掃描驅(qū)動(dòng)器12經(jīng)由掃描線15傳送掃描驅(qū)動(dòng)信號(hào)至顯示像素，且數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器11經(jīng)由數(shù)據(jù)線17
傳送數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)信號(hào)至顯示像素，以顯示影像畫面。
圖2為本發(fā)明實(shí)施例中顯示像素與感測(cè)像素耦接一起的電路圖。請(qǐng)參考 圖2,顯示像素19包括晶體管T0、儲(chǔ)存電容Cst以及液晶層，其中液晶層 為以液晶電容Clc表示。晶體管TO的柵極以及第一源/漏極分別耦接第i條 掃描線Si及數(shù)據(jù)線Dj,而晶體管TO的第二源/漏極耦接儲(chǔ)存電容Cst與液晶 電容Clc,其中l(wèi)^i^m且1^j^n。當(dāng)?shù)趇條掃描線Si致能時(shí)，晶體管 TO會(huì)導(dǎo)通，于是數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)信號(hào)可以經(jīng)由數(shù)據(jù)線Dj與導(dǎo)通的晶體管TO,而儲(chǔ) 存于儲(chǔ)存電容Cst之中。之后，液晶層依據(jù)所傳送的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)信號(hào)，顯示對(duì) 應(yīng)透光率(transparency)。
請(qǐng)參考圖2，感測(cè)像素18包括感測(cè)電容C1、讀取晶體管Tl、重置晶體 管T2、基部晶體管T3以及光敏晶體管P1。讀取晶體管T1的柵極、第一源 /漏極以及第二源/漏極分別耦第i條掃描線S。第j條讀取線Rj以及感測(cè)電 容Cl的第一端Nl。重置晶體管T2的柵極、第一源/漏極以及第二源/漏極 分別耦接第(i+l)條掃描線Sw、感測(cè)電容Cl的第二端N2以及第一電壓VA。 基部晶體管T3的柵極接收第i條掃描線Si的反相信號(hào)Si，，且基部晶體管T3 的第一源/漏極以及第二源/漏極分別耦接感測(cè)電容Cl的第一端N1及第二電 壓VB。光敏晶體管Pl的柵極、第一源/漏極以及第二源/漏極分別耦第i條 掃描線感測(cè)電容Cl的第二端N2以及第二電壓VB,其中光^:晶體管 P1于曝光時(shí)會(huì)產(chǎn)生光漏電流(photo leakage current)。
圖3為本實(shí)施例圖2中感測(cè)像素的部分結(jié)構(gòu)圖。請(qǐng)參考圖3，光敏晶體 管Pl與讀取晶體管Tl形成于基底33上。光敏晶體管Pl包括柵極31a、第 一源/漏極31b、第二源/漏極31c以及通道層31d。讀取晶體管Tl包括柵極 32a、第一源/漏極32b、第二源/漏極32c以及通道層32d。另外，彩色濾光 片35與黑色矩陣36形成于基底34上，且液晶層LC形成于基底33、 34之 間。值得注意的是，基底34上的區(qū)域37對(duì)應(yīng)到光敏晶體管Pl的通道層31d, 且黑色矩陣36并未形成于基底34上的區(qū)域37,因而基底34上的區(qū)域37 可視為開啟或透光。所以，光敏晶體管P1于曝光時(shí)會(huì)導(dǎo)通且產(chǎn)生光漏電流； 反之，當(dāng)手指或是其它物體遮住區(qū)域37時(shí)，光敏晶體管P1便會(huì)不導(dǎo)通。
圖4為本發(fā)明實(shí)施例中觸控面板運(yùn)作的時(shí)序圖。請(qǐng)參考圖2與圖4，在 本實(shí)施例中，觸控面板的運(yùn)作主要有預(yù)充電階段、曝光階段以及評(píng)估階段。
9在此以對(duì)應(yīng)到掃描線Si的感測(cè)像素為例說(shuō)明。首先，感測(cè)像素18會(huì)先于預(yù)
充電階段重置在畫面期間Fl，當(dāng)掃描線Sw致能時(shí)，掃描線Si為未致能(例 如邏輯低電平)，且掃描線Si的反相信號(hào)Si，為邏輯高電平，因而使重置晶體 管T2與基部晶體管T3導(dǎo)通。接著，感測(cè)電容C1的第一端N1具有第二電 壓VB的電平，且感測(cè)電容C1的第二端N2具有第一電壓VA的電平。也就 是說(shuō)，在預(yù)充電階段，感測(cè)電容C1的兩端充電至第一電壓VA與第二電壓 VB。
在預(yù)充電階段后，感測(cè)像素18會(huì)于曝光階段曝光或者受遮蔽而未曝光。 在曝光階段，掃描線Si與Siw為未致能，如此一來(lái)，僅有基部晶體管T3導(dǎo) 通，而其它晶體管T1、 T2以及P1不導(dǎo)通。于曝光階段期間，如果感測(cè)像素 18沒有被手指或其它物體遮蔽時(shí)，光敏晶體管P1因曝光而視為導(dǎo)通，這使 得感測(cè)電容C1的第二端N2的電壓會(huì)降至第二電壓VB。另一方面，如果感 測(cè)像素18被手指或其它物體遮蔽時(shí)，光敏晶體管P1因沒有曝光而視為不導(dǎo) 通，因此感測(cè)電容C1的第二端點(diǎn)N2的電壓會(huì)維持為第一電壓VA。如果感 測(cè)像素18部分曝光的話，感測(cè)電容C1的第二端點(diǎn)N2的電壓會(huì)落在第一電 壓VA與第二電壓VB之間。因此，在本實(shí)施例中，當(dāng)感測(cè)電容C1的跨壓 大于預(yù)設(shè)電壓時(shí)，便會(huì)判斷此其中之一的感測(cè)像素18有被接觸到。否則， 當(dāng)感測(cè)電容C1的跨壓小于預(yù)設(shè)電壓時(shí)，便會(huì)判斷此感測(cè)像素18未被接觸到。
在曝光階段后，便進(jìn)入評(píng)估階段來(lái)評(píng)估感測(cè)像素18是否有被接觸到。 在畫面期間F2，當(dāng)掃描線Si被打開時(shí)，晶體管T1與P1會(huì)導(dǎo)通，而晶體管 T2與T3不導(dǎo)通，因此感測(cè)電容C1的跨壓經(jīng)由導(dǎo)通的讀取晶體管Tl與讀取 線Rj而傳送至讀取電路14。因此，讀取電路14利用感測(cè)電容C1的跨壓來(lái) 評(píng)估感測(cè)像素18是否有被接觸到。
圖5A為本發(fā)明的一實(shí)施例的讀取電路的電路圖。請(qǐng)參考圖1與圖5A, 讀取電路14包括對(duì)應(yīng)各別讀取線的多個(gè)讀取單元51,且讀取電路14也包括 多路復(fù)用器52、比較器53以及影像處理單元55。以對(duì)應(yīng)到讀取線Rj的讀取 單元51為例說(shuō)明，此讀取單元51包括了運(yùn)算放大器51a、第一電容C2以 及第一晶體管T4。運(yùn)算放大器51a的反相端及非反相端分別耦接第j條讀取 線及第二電壓VB，其中1^j^n。而運(yùn)算放大器51a的輸出端產(chǎn)生輸出電 壓VoutJ。第一電容C2的第一端及第二端分別耦接運(yùn)算放大器51a的反相 端及輸出端。第一晶體管T4的柵極接收重置信號(hào)Reset,且第一晶體管T4的第一源/漏極及第二源/漏極分別耦接運(yùn)算放大器51a的反相端及輸出端。
請(qǐng)參考圖4與圖5A,當(dāng)重置信號(hào)Reset致能時(shí)，第一晶體管T4會(huì)導(dǎo)通， 使得儲(chǔ)存在第 一 電容C2內(nèi)的殘余電壓經(jīng)由導(dǎo)通的晶體管T4放電。輸出單元 51可視為積分器，也就是說(shuō)，對(duì)應(yīng)到讀取線Rj的讀取單元51會(huì)累計(jì)圖2感 測(cè)電容C1的跨壓，以判斷感測(cè)像素18是否有被接觸到。假設(shè)于曝光階段結(jié) 束后，感測(cè)像素18內(nèi)的感測(cè)電容C1的第二端N2降至電壓VA，。如果光敏 晶體管P1受到曝光時(shí)，則電壓VA，會(huì)與第二電壓VB相同；如果光敏晶體 管P1未受到曝光時(shí)，則電壓VA，會(huì)與第一電壓V A相同；如果光^t晶體管 Pl受到部分曝光時(shí)，電壓VA，會(huì)介于第一電壓VA與第二電壓VB之間。因 此，儲(chǔ)存在感測(cè)電容C1的電荷為(VA，-VB)xCl。所以讀取單元51的輸出電 壓VoutJ為VB+(VA，-VB)xCl/C2。
多路復(fù)用器52耦接讀取單元51,且多路復(fù)用器52依據(jù)讀取線選擇信 號(hào)RLS選擇其中一讀取單元51的輸出電壓。當(dāng)讀取線選擇信號(hào)RLS的第j 個(gè)位Lj致能時(shí)，多路復(fù)用器52便選擇對(duì)應(yīng)讀取線Rj的讀取單元51的輸出 電壓VoutJ。比較器53耦接多路復(fù)用器52的輸出端，其將多路復(fù)用器52 所選擇的輸出電壓與預(yù)設(shè)電壓Vref做比較，并進(jìn)而輸出一輸出信號(hào)至影像 處理單元55。倘若此輸出信號(hào)為邏輯高電平，則對(duì)應(yīng)的感測(cè)像素18有受到 遮蔽；反之，則感測(cè)像素18未受到遮蔽。
圖5B依據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的讀取電路的電路圖。請(qǐng)參考圖5A與 圖5B,實(shí)施例圖5B與實(shí)施例圖5A不同之處在于，圖5B中的讀取電路14 采用模擬數(shù)字(analog to digital, A/D)轉(zhuǎn)換器54來(lái)取代圖5A中的比較器53。 A/D轉(zhuǎn)換器54將讀取單元51的輸出電壓VoutJ從模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信 號(hào)。而影像處理單元55將數(shù)字信號(hào)進(jìn)行處理，以顯示觸控面板上所觸碰的 位置或?qū)?yīng)的影^^。
綜上所述，上述實(shí)施例利用光遮蔽的特性來(lái)檢測(cè)手指或其它物體的位 置。由于光敏晶體管于曝光時(shí)會(huì)產(chǎn)生光漏電流，因此此具有光敏晶體管的感 測(cè)像素可應(yīng)用于觸控面板。不同于以往電阻式觸控面板需設(shè)置多層導(dǎo)電層所 造成的缺點(diǎn)，上述實(shí)施例不僅能使顯示面板具有較佳的透光率，也能準(zhǔn)確地 檢測(cè)單指或者多指所觸碰的位置。 -
雖然本發(fā)明已以實(shí)施例披露如上，但其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域技 術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的前提下，當(dāng)可作若干的更改與修飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以本發(fā)明的權(quán)利要求為準(zhǔn),
權(quán)利要求
1. 一種感測(cè)像素，適于具有m條掃描線與n條讀取線的一觸控面板，且該感測(cè)像素包括一感測(cè)電容，具有第一端與第二端；一讀取晶體管，其柵極耦接該第i條掃描線，其第一源/漏極耦接該第j條讀取線，且其第二源/漏極耦接該感測(cè)電容的第一端，其中1≦i≦m且1≦j≦n；一重置晶體管，其柵極耦接該第(i+1)條掃描線，其第一源/漏極耦接該感測(cè)電容的第二端，且其第二源/漏極耦接一第一電壓；一基部晶體管，其柵極接收該第i條掃描線的一反相信號(hào)，其第一源/漏極耦接該感測(cè)電容的第一端，且其第二源/漏極耦接一第二電壓；以及一光敏晶體管，其柵極耦接該第i條掃描線，其第一源/漏極耦接該感測(cè)電容的第二端，且其第二源/漏極耦接該第二電壓，其中該光敏晶體管在曝光時(shí)為導(dǎo)通。
2. 如權(quán)利要求1所述的感測(cè)像素，其中當(dāng)該第i條掃描線致能時(shí)，經(jīng)由 該第j條讀取線讀取該感測(cè)電容的跨壓。
3. 如權(quán)利要求2所述的感測(cè)像素，其中當(dāng)該感測(cè)電容的跨壓大于一預(yù) 設(shè)電壓時(shí)，判斷該感測(cè)像素有被接觸到。
4. 如權(quán)利要求2所述的感測(cè)像素，其中當(dāng)該光敏晶體管曝光且該感測(cè) 電容的跨壓放電至小于一預(yù)設(shè)電壓時(shí)，判斷該感測(cè)像素未被接觸到。
5. 如權(quán)利要求1所述的感測(cè)像素，其中當(dāng)該第(i+l)條掃描線致能時(shí)， 重置該感測(cè)電容的跨壓。
6. —種觸控面板，其具有m條掃描線與n條讀取線，包括 多個(gè)感測(cè)像素，各該感測(cè)像素包括一感測(cè)電容，具有第一端與第二端；一讀取晶體管，其柵極耦接該第i條掃描線，其第一源/漏極耦接該第 j條讀取線，且其第二源/漏極耦接該感測(cè)電容的第一端，其中1^i^m且一重置晶體管，其柵極耦接該第(i+l)條掃描線，其第一源/漏極耦接該 感測(cè)電容的第二端，且其第二源/漏極耦接一第一電壓；一基部晶體管，其柵極接收該第i條掃描線的一反相信號(hào)，其第一源/漏極耦接該感測(cè)電容的第一端，且一第二源/漏極耦接一第二電壓；以及一光敏晶體管，其柵極耦接該第i條掃描線，其第一源/漏極耦接該感測(cè) 電容的第二端，且其第二源/漏極耦接該第二電壓，其中該光敏晶體管于曝光時(shí)為導(dǎo)通；以及一讀取電路，分別耦接所述讀取線，用以根據(jù)對(duì)應(yīng)的該感測(cè)電容的跨壓 來(lái)判斷所述感測(cè)像素其中之一是否被接觸到。
7. 如權(quán)利要求6所述的觸控面板，其中該讀取電路包括 多個(gè)讀取單元，各該讀取單元包括一運(yùn)算放大器，其反相端耦接第j條讀取線，其非反相端耦接該第二 電壓，且其輸出端產(chǎn)生一輸出電壓；一第一電容，其第一端耦接該運(yùn)算放大器的反相端，且其第二端耦接 該運(yùn)算放大器的輸出端；以及一第一晶體管，其柵極接收一重置信號(hào)，其第一源/漏極耦接該運(yùn)算放大器的反相端，且其第二源/漏極耦接該運(yùn)算放大器的輸出端。
8. 如權(quán)利要求7所述的觸控面板，其中該讀取電路還包括 一多路復(fù)用器，耦接所述讀取單元，用以根據(jù)一讀取線選擇信號(hào)來(lái)選擇所述讀取單元其中的一的該輸出電壓；一比較器，耦接該多路復(fù)用器，用以比較所述讀取單元其中之一的該輸 出電壓與一參考電壓，并進(jìn)而輸出一誤差信號(hào)；以及一影像處理單元，耦接該比較器，用以處理該誤差信號(hào)，并進(jìn)而顯示被 接觸到的該感測(cè)像素的位置。
9. 如權(quán)利要求7所述的觸控面板，其中該讀取電路還包括 一多路復(fù)用器，耦接所述讀取單元，用以根據(jù)一讀取線選擇信號(hào)來(lái)選擇所述讀取單元其中之一的該輸出電壓；一模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器，耦接該多路復(fù)用器，用以將所述讀取單元其中之一 的該輸出電壓轉(zhuǎn)換為一數(shù)字信號(hào)；以及一影像處理單元，耦接該模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器，用以處理該數(shù)字信號(hào)，并進(jìn) 而顯示被接觸到的該感測(cè)像素的位置。
10.如權(quán)利要求7所述的觸控面板，其中當(dāng)該重置信號(hào)致能時(shí)，重置該 第一電容的跨壓。
11. 如權(quán)利要求6所述的觸控面板，其中當(dāng)該第i條掃描線致能時(shí)，經(jīng)由 該第j條讀取線讀取該感測(cè)電容的跨壓。
12. 如權(quán)利要求6所迷的觸控面板，其中當(dāng)該感測(cè)電容的跨壓大于一預(yù)設(shè)電壓時(shí)，判斷該感測(cè)像素有被接觸到。
13. 如權(quán)利要求6所述的觸控面板，其中當(dāng)該光敏晶體管曝光且該感測(cè) 電容的跨壓放電至小于一預(yù)設(shè)電壓時(shí)，判斷該感測(cè)像素未被接觸到。
14. 如權(quán)利要求6所迷的觸控面板，其中當(dāng)該第(i+l)條掃描線致能時(shí)， 重置該感測(cè)電容的跨壓。
全文摘要
在此提供一種感測(cè)像素及其觸控面板，而觸控面板具有m條掃描線與n條讀取線。感測(cè)像素包括感測(cè)電容、讀取晶體管、重置晶體管、基部晶體管以及光敏晶體管。光敏晶體管在曝光時(shí)會(huì)產(chǎn)生光漏電流，因此利用光敏晶體管的光遮蔽特性來(lái)檢測(cè)被觸碰的感測(cè)像素的位置。經(jīng)由適當(dāng)?shù)臅r(shí)序控制，本發(fā)明不僅可以用于多指檢測(cè)，且也易于實(shí)現(xiàn)。
文檔編號(hào)G06F3/041GK101510132SQ20081009480
公開日2009年8月19日 申請(qǐng)日期2008年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月13日
發(fā)明者莊凱嵐 申請(qǐng)人:奇景光電股份有限公司