本發(fā)明涉及了一種壓控振蕩器，尤其涉及了一種用于全MOS電壓基準(zhǔn)源的預(yù)抑制電路。

背景技術(shù)：

SOC的發(fā)展使得越來越小的芯片能夠集成越來越多的功能模塊，相應(yīng)的，每個功能模塊所占用的面積也越來越小。電壓基準(zhǔn)源是模擬集成電路的重要模塊之一，為系統(tǒng)提供高精度的基準(zhǔn)電壓。傳統(tǒng)的電壓基準(zhǔn)源需要大面積的三極管和電阻，以獲得較高的精度。為了減小電壓基準(zhǔn)源的版圖面積，國內(nèi)外研究人員設(shè)計(jì)了不同結(jié)構(gòu)的全MOS 電壓基準(zhǔn)源。

可見，在不增加占用面積的條件下，提高電壓基準(zhǔn)源的電源調(diào)整率、溫度穩(wěn)定性和電源電壓抑制比是關(guān)鍵技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用前景。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的主要技術(shù)問題是提供一種用于全MOS電壓基準(zhǔn)源的預(yù)抑制電路，能夠提高電壓基準(zhǔn)源的電源調(diào)整率、溫度穩(wěn)定性和電源電壓抑制比。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種用于全MOS電壓基準(zhǔn)源的預(yù)抑制電路，包括：采用一個大寬長比PMOS管和負(fù)反饋環(huán)路，將預(yù)抑制電壓與基準(zhǔn)電壓之差固定為一個閾值電壓；獲得的預(yù)抑制電壓用來為全MOS電壓基準(zhǔn)源供電，極大地改善了基準(zhǔn)電壓的電源調(diào)整率、溫度穩(wěn)定性和電源電壓抑制比。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的技術(shù)方案具備以下有益效果：本發(fā)明提供了一種用于全MOS電壓基準(zhǔn)源的預(yù)抑制電路，電壓基準(zhǔn)源的輸出基準(zhǔn)電壓為1.53V；電源電壓在3.4~5.5V范圍內(nèi)，線性調(diào)整率為97.8μV/V；PSRR在10 Hz處為-143.2dB，在100Hz處為-123.3dB，在1kHz處為103.3dB；環(huán)境溫度在-45℃~125℃范圍內(nèi)，平均溫度系數(shù)為8.7×10^-6/℃。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的全MOS 電壓基準(zhǔn)源整體電路。

具體實(shí)施方式

下文結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本發(fā)明做進(jìn)一步說明。

參考圖1，一種用于全MOS電壓基準(zhǔn)源的預(yù)抑制電路，包括：采用一個大寬長比PMOS管和負(fù)反饋環(huán)路，將預(yù)抑制電壓與基準(zhǔn)電壓之差固定為一個閾值電壓；獲得的預(yù)抑制電壓用來為全MOS電壓基準(zhǔn)源供電，極大地改善了基準(zhǔn)電壓的電源調(diào)整率、溫度穩(wěn)定性和電源電壓抑制比。

全MOS 電壓基準(zhǔn)源，主體電路由PM4~PM6，NM1~NM5管組成。三條支路的電流分別為I1，I2，I3，具體關(guān)系為I1=I2<I3；NM1~NM3管工作在亞閾值區(qū)，NM4管工作在線性區(qū)，NM5管工作在飽和區(qū)；NM1~NM5 管的工作特性可通過調(diào)節(jié)PM4~PM6管的尺寸來實(shí)現(xiàn)。

由于VTH 具有負(fù)溫度系數(shù)(約為-1.2 mV/℃)，只需調(diào)節(jié)NM4與NM5管的寬長比或者λ值就可得到一個與VTH相抵消的正溫度系數(shù)，二者相加就可以得到一個零溫度系數(shù)的帶隙基準(zhǔn)電壓。λ值會隨著輸入電壓的變化發(fā)生微小的變化，這種微小的變化會使得輸出帶隙基準(zhǔn)電壓不再為零溫度系數(shù)。

預(yù)抑制電路，包括NM12~NM14，PM1~PM3，PM7管和C1，R1。PM7管具有較大的寬長比，可以將vGS7鉗位在閾值電壓附近；NM12~NM14，PM1~PM3 和PM7管構(gòu)成反饋調(diào)節(jié)電路；當(dāng)vreg增大時，通過反饋調(diào)節(jié)可以使PM1管的過驅(qū)動電壓減??；C1和R1構(gòu)成密勒補(bǔ)償電路，使環(huán)路穩(wěn)定；該反饋環(huán)路的直流開環(huán)增益可表示為：

（1）

只需要選擇合適的器件參數(shù)使該系數(shù)為零，就可使vreg 與vin 無關(guān)。

本實(shí)施例中，所述一種用于全MOS電壓基準(zhǔn)源的預(yù)抑制電路，電壓基準(zhǔn)源的輸出基準(zhǔn)電壓為1.53V；電源電壓在3.4~5.5V范圍內(nèi)，線性調(diào)整率為97.8μV/V；PSRR在10 Hz處為-143.2dB，在100Hz處為-123.3dB，在1kHz處為103.3dB；環(huán)境溫度在-45℃~125℃范圍內(nèi)，平均溫度系數(shù)為8.7×10^-6/℃。

以上所述，僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，不以此限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，依本發(fā)明的技術(shù)方案及說明書內(nèi)容所作的等效變化與修飾，皆應(yīng)屬于本發(fā)明涵蓋的范圍。