一種高精度低溫漂帶隙基準(zhǔn)電壓源的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高精度低溫漂帶隙基準(zhǔn)電壓源，正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路產(chǎn)生與絕對溫度成正比的電流；負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路產(chǎn)生與絕對溫度成反比的電流；2次溫度探測與補(bǔ)償電路，通過對正溫度系數(shù)電流與負(fù)溫度系數(shù)電流的相加補(bǔ)償，使帶隙基準(zhǔn)在工作溫度區(qū)間得到三個(gè)以上的溫度拐點(diǎn)；啟動(dòng)電路，在電源上電過程中驅(qū)動(dòng)正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路和負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路擺脫簡并偏置點(diǎn)，建立正常工作點(diǎn)；電流求和電路，產(chǎn)生帶隙基準(zhǔn)電壓。本發(fā)明的帶隙基準(zhǔn)電壓源，引入2個(gè)溫控電流比較器來實(shí)現(xiàn)多次溫度補(bǔ)償，在全溫度范圍內(nèi)得到5個(gè)溫度拐點(diǎn)，無需額外的偏置電路；無需運(yùn)算放大器對電壓鉗位，降低了電路復(fù)雜程度。
【專利說明】
-種高精度低溫漂帶隙基準(zhǔn)電壓源
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明屬于集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，尤其設(shè)及高精度帶隙基準(zhǔn)電壓源電路。
【背景技術(shù)】
[0002] 很多高精度的電路諸如模數(shù)、數(shù)模轉(zhuǎn)換器，鎖相環(huán)、電源管理系統(tǒng)等都需要低溫漂 的帶隙基準(zhǔn)源作為參考電壓使用。傳統(tǒng)帶隙電壓電路通常采用一階溫度補(bǔ)償即對BE結(jié)溫度 系數(shù)的線性補(bǔ)償，得到一個(gè)溫度拐點(diǎn)；或二階曲率溫度補(bǔ)償即在一階補(bǔ)償?shù)幕A(chǔ)上增加對 肥中的溫度系數(shù)的平方項(xiàng)補(bǔ)償，溫度拐點(diǎn)在2~3個(gè);但補(bǔ)償后的帶隙基準(zhǔn)溫漂受加工工藝 影響較大，且溫度范圍較窄，很難滿足一些對應(yīng)用溫度范圍具有較寬要求的領(lǐng)域;一些基于 諸如雙極和薄膜電阻等工藝的帶隙基準(zhǔn)源電路可W實(shí)現(xiàn)幾個(gè)ppm的溫漂，但與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工 藝不兼容，不能實(shí)現(xiàn)全片內(nèi)集成。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種高精度低溫漂帶隙基準(zhǔn)電壓源，基于標(biāo)準(zhǔn) CMOS工藝實(shí)現(xiàn)，整個(gè)電路無需額外的偏置電路;無需運(yùn)算放大器對電壓錯(cuò)位，可降低電路復(fù) 雜程度。
[0004] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用W下技術(shù)方案：
[0005] -種高精度低溫漂帶隙基準(zhǔn)電壓源，其特征是，包括：
[0006] 正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路，產(chǎn)生與絕對溫度成正比的電流Iptat;
[0007] 負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路，產(chǎn)生與絕對溫度成反比的電流Ictat;
[000引2次溫度探測與補(bǔ)償電路，通過對正溫度系數(shù)電流與負(fù)溫度系數(shù)電流的相加補(bǔ)償， 使帶隙基準(zhǔn)在工作溫度區(qū)間得到=個(gè)W上的溫度拐點(diǎn)；
[0009] 啟動(dòng)電路，在電源上電過程中驅(qū)動(dòng)正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路和負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn) 生電路擺脫簡并偏置點(diǎn)，建立正常工作點(diǎn)；
[0010] 電流求和電路，對正溫度系數(shù)電流與負(fù)溫度系數(shù)電流的電流求和，產(chǎn)生帶隙基準(zhǔn) 電壓化ef。
[0011] 正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路包括由MOS管Ml、M2、M3和M4構(gòu)成的電流鏡，電流鏡對應(yīng) 由MOS管M5、M6、M7和M8構(gòu)成負(fù)反饋錯(cuò)位，使電流鏡的節(jié)點(diǎn)3和節(jié)點(diǎn)4的電壓相等。
[0012] 正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路包括MOS管亂、]?2、]\0、]\14、]\15、]\16、]\17、]\18和?肥管91、92及 電阻Rl;
[OOK] MOS管M1、M2、M5和M6的源極接電源VDD;M1、M2的柵極及M2的漏極共連，M1、M2的漏 極分別連接M3、M4的漏極，M3的柵極連接M8的柵極和漏極，M4的柵極連接M7的柵極和漏極形 成節(jié)點(diǎn)11 ;M3的源極與M7的源極、電阻Rl的一端共接形成電流鏡節(jié)點(diǎn)3，M4的源極與M8的源 極、PNP管Q2的發(fā)射極共接形成電流鏡節(jié)點(diǎn)4;電阻Rl的另一端連接PNP管Ql的發(fā)射極，PNP管 Ql的集電極接地;PNP管Ql的基極與PNP管Q2的基極共連接地，PNP管Q2的集電極接地;M7、M8 的漏極分別與M5、M6的漏極連接;M5、M6的柵極與Ml的漏極共連形成節(jié)點(diǎn)1。
[0014] 負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路包括由MOS管M1A、M2A、M3A和M4A構(gòu)成的電流鏡，電流鏡 對應(yīng)由MOS管M5A、M6A、M7A和M8A構(gòu)成負(fù)反饋錯(cuò)位，使電流鏡的節(jié)點(diǎn)5和節(jié)點(diǎn)4的電壓相等。
[0015] 負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路包括]\114、]\124、]\04、]\144、]\154、]\164、]\174、]\184和電阻尺2;
[0016] MOS管M1A、M2A、M5A和M6A的源極接電源VDD;M1A、M2A的柵極及M2A的漏極共連， M1A、M2A的漏極分別連接M3A、M4A的漏極，M3A、M4A的柵極分別連接M8AA、M7A的柵極和漏極， M3A的源極與M7A的源極、電阻R2的一端共接形成電流鏡節(jié)點(diǎn)5，M4A的源極與M8A的源極共接 形成電流鏡節(jié)點(diǎn)4;電阻R2的另一端接地;M7A、M8AA的漏極分別與M5A、M6A的漏極連接;M5A、 M6A的柵極與MlA的漏極共接形成節(jié)點(diǎn)2。
[0017] 2 次溫度探測與補(bǔ)償電路包括 MOS 管亂1、]?12、]\113、]\114、]\115、]\116、]\117、]\118、]\119和 M20；
[0018] 111、]?13、]\114、]\115、]\117、]\118和]\119源極接電源￥00;]\111的柵極連接至節(jié)點(diǎn)1，]\111的 漏極連接至M12的漏極與柵極形成節(jié)點(diǎn)6;M13的柵極連接至節(jié)點(diǎn)2，M13的漏極與M14的漏極 和柵極、Ml 5的柵極、Ml 6的漏極共連形成節(jié)點(diǎn)7; Ml 7的柵極連接至節(jié)點(diǎn)2，Ml 7的漏極與Ml 8的 漏極和柵極、M19的柵極、M20的漏極共連形成節(jié)點(diǎn)8;M15的漏極與M19的漏極共連形成節(jié)點(diǎn) 10;M12、M16、M20的源極共連至地。
[0019] 啟動(dòng)電路包括MOS管M21、M22、M23和M24;
[0020] M21的源極接電源VDD，M21的柵極接地，M21的漏極與M22的漏極、M23的柵極、M24的 柵極共連形成節(jié)點(diǎn)12;M22的柵極連接至節(jié)點(diǎn)11;M23的漏極連接至節(jié)點(diǎn)1;M24的漏極連接至 節(jié)點(diǎn)2;M22、M23和M24的源極接地。
[0021] 電流求和電路包括MOS管M9、M10、電阻R3、電阻R4、電阻R5;
[0022] M9、M10的源極接電源VDD;M9、M10的柵極分別連接至節(jié)點(diǎn)2和節(jié)點(diǎn)1;M10的漏極與 電阻R3-端共接形成帶隙基準(zhǔn)電壓化ef;電阻R3另一端與M9的漏極、電阻R4的一端共接形 成節(jié)點(diǎn)9;電阻R4的另一端與電阻R5的一端共接形成節(jié)點(diǎn)10;電阻R5的另一端接地。
[0023] 本發(fā)明所達(dá)到的有益效果：
[0024] 本發(fā)明的基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的高精度低溫漂帶隙基準(zhǔn)電壓源，引入2個(gè)溫控 電流比較器來實(shí)現(xiàn)多次溫度補(bǔ)償，在全溫度范圍內(nèi)得到5個(gè)溫度拐點(diǎn)，整個(gè)電路無需額外的 偏置電路;通過簡單的環(huán)路負(fù)反饋電壓錯(cuò)位得到高精度的正溫度系數(shù)和負(fù)溫度系數(shù)電流， 因而無需運(yùn)算放大器對電壓錯(cuò)位，降低了電路復(fù)雜程度。
【附圖說明】
[0025] 圖1本發(fā)明的高精度低溫漂帶隙基準(zhǔn)電壓源；
[0026] 圖2本發(fā)明的高精度低溫漂帶隙基準(zhǔn)電壓源溫度曲線。
【具體實(shí)施方式】
[0027] 下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步描述。W下實(shí)施例僅用于更加清楚地說明本發(fā)明 的技術(shù)方案，而不能W此來限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0028] 如圖1和圖2所示，本發(fā)明的電路組成：
[0029] (1)]?05管亂、]\12、]\〇、]\14、]\15、]\16、]\17、]\18和襯底?肥管91、92及電阻1?1構(gòu)成高精度正溫 度系數(shù)電流產(chǎn)生電路，即產(chǎn)生與絕對溫度成正比的電流Iptat。
[0030] 設(shè)MOS管Ml和M2、M3和M4、M5和M6，M7和M8寬W、長L比分別相同，即：
[0031]
[0032] MOS管M5、M6、M7和M8構(gòu)成負(fù)反饋錯(cuò)位，使由MOS管M1、M2、M3和M4構(gòu)成的電流鏡節(jié)點(diǎn) 3和節(jié)點(diǎn)4的電壓精確相等，即V3 = V4;同時(shí)保證V3和V4不受電源VDD和溝道調(diào)制效應(yīng)的影響。
[0033] MOS管M1、M2、M5和M6的源極接電源VDD;M1、M2的柵極及M2的漏極共連，M1、M2的漏 極分別連接M3、M4的漏極，M3的柵極連接M8的柵極和漏極，M4的柵極連接M7的柵極和漏極形 成節(jié)點(diǎn)11 ;M3的源極與M7的源極、電阻Rl的一端共接形成電流鏡節(jié)點(diǎn)3，M4的源極與M8的源 極、PNP管Q2的發(fā)射極共接形成電流鏡節(jié)點(diǎn)4;電阻Rl的另一端連接PNP管Ql的發(fā)射極，PNP管 Ql的集電極接地;PNP管Ql的基極與PNP管Q2的基極共連接地，PNP管Q2的集電極接地。M7、M8 的漏極分別與M5、M6的漏極連接;M5、M6的柵極與Ml的漏極共連形成節(jié)點(diǎn)1。
[0034] 設(shè)PNP管Ql發(fā)射極電流為Iptat:
[0035]
電1)
[0036] 其牛
封典電壓，Kb為波爾茲曼常數(shù)，T為絕對溫度，q為一個(gè)電子的電量;N 為PNP管Ql和Q2的發(fā)射極面積比，M為PNP管Q2和Ql集電極電流值比;Rl為電阻Rl的阻值;Veb2 為PNP管Q2的發(fā)射結(jié)偏置電壓，Vebi為PNP管Ql的發(fā)射結(jié)偏置電壓。
[0037] 至
，a為比例系數(shù)，a〉0
[003引早為MOS管MlO的寬長比；
[0039] 則MOS管M5和MlO的電流為
[0040] (2)M0S管亂4、124、134、144、154、164、174、184和電阻32構(gòu)成高精度負(fù)溫度系數(shù)電 流產(chǎn)生電路，即產(chǎn)生與絕對溫度成反比的電流ICTAT。
[0041] 鳴 Mnc 咎 Ml A 壬……A MQA;riM/lA M：^A;riMGA M7 A ;riMQ A 錠 W 4^1 ZV 島 I 擊FI 同，良口 .
[0042] 。
[0043] MOS管M5A、M6A、M7A和M8A構(gòu)成負(fù)反饋錯(cuò)位，使由MOS管M1A、M2A、M3A和M4A構(gòu)成的電 流鏡節(jié)點(diǎn)5和節(jié)點(diǎn)4的電壓精確相等，即Vs = V4;同時(shí)保證Vs和V4不受電源VDD和溝道調(diào)制效 應(yīng)的影響。
[0044] MOS管M1A、M2A、M5A和M6A的源極接電源VDD;M1A、M2A的柵極及M2A的漏極共連， M1A、M2A的漏極分別連接M3A、M4A的漏極，M3A、M4A的柵極分別連接M8AA、M7A的柵極和漏極， M3A的源極與M7A的源極、電阻R2的一端共接形成電流鏡節(jié)點(diǎn)5，M4A的源極與M8A的源極、PNP 管Q2的發(fā)射極共接形成電流鏡節(jié)點(diǎn)4;電阻R2的另一端接地。M7A、M8AA的漏極分別與M5A、 M6A的漏極連接;M5A、M6A的柵極與MlA的漏極共接形成節(jié)點(diǎn)2。
[0045] 設(shè)電阻R2上的電流為ICTAT:
[0046]
(2)
[0047] 其中，R2為電阻R2的阻值；
[004引如J
,b為比例系數(shù)，b〉0
[0049] (―),,為MOS管M9的寬長比； L-I
[0050] 貝1JM5A和M9的電流戈
[0051] (3)M0S 管亂1、]?12、]\113、]\114、]\115、]\116、]\117、]\118、]\119、]\120構(gòu)成2次溫度探測與補(bǔ)償 電路。
[0化2] MOS 管 111、]\113、]\114、]\115、]\117、]\118和]\119源極接電源￥00。]\111的柵極連接至節(jié)點(diǎn)1， Ml 1的漏極連接至Ml 2的漏極與柵極形成節(jié)點(diǎn)6; Ml 3的柵極連接至節(jié)點(diǎn)2，Ml 3的漏極與M14的 漏極和柵極、M15的柵極、M16的漏極共連形成節(jié)點(diǎn)7;M17的柵極連接至節(jié)點(diǎn)2，M17的漏極與 M18的漏極和柵極、M19的柵極、M20的漏極共連形成節(jié)點(diǎn)8;M15的漏極與M19的漏極、電阻R4 的另一端、電阻R5的一端共連形成節(jié)點(diǎn)10;112、116、120的源極共連至地。
[0053]通過正溫度系數(shù)與負(fù)溫度系數(shù)電流的相加補(bǔ)償，帶隙基準(zhǔn)得到一個(gè)溫度拐點(diǎn)To。 當(dāng)電路的應(yīng)用溫度范圍較寬時(shí)，基準(zhǔn)電壓隨溫度的變化相應(yīng)增大。 IV W
[0化4] 設(shè)MOS管M5和Ml 1、M12和M16、M20的寬W、長L比分別相同，（一)，=(-)ii， Lj Lj
[005 引則 MOS 管 M5、M11、M12、M16 和 M20 的電流相等，Is = Iii = 112 = 116= 120 [0化6] 巧
[0057]則 MOS管 M13 的電流 Ii3 = cl 日a，M0S管 M17 的電流 Ii7 = dl 己A。
[005引因?yàn)镮l3為負(fù)溫度系數(shù)電流，Il6為正溫度系數(shù)電流。當(dāng)溫度較低時(shí)，Il3>Il6,所W M14和M15沒有電流，處于截止?fàn)顟B(tài)，M15不在節(jié)點(diǎn)10注入電流。直到升高至溫度Tl時(shí)，當(dāng)Ii3< Ii6，M15開始在節(jié)點(diǎn)10注入電流，電流為Il5 = kl(Il6-Il3)，其中ki是比例系數(shù)，此電流Iis具有 正溫度系數(shù)，因而得到第二個(gè)溫度拐點(diǎn)Ti。其中：
分別為 MOS管M15、M14的寬W、長L比。
[0059] 隨著溫度繼續(xù)升，邸結(jié)電壓下降占優(yōu)，直到升至溫度T2時(shí)，出現(xiàn)第=個(gè)溫度拐點(diǎn)T2。
[0060] 同理，因?yàn)镮l7為負(fù)溫度系數(shù)電流，120為正溫度系數(shù)電流，當(dāng)溫度大于T2小于T3，Ii7 >l2〇，M18和M19沒有電流，處于截止?fàn)顟B(tài)，因而M19不在節(jié)點(diǎn)10注入電流。直到溫度T3時(shí)，Ii7< l20，Ml 9開始在節(jié)點(diǎn)10注入電流，電流為119 = k2 (120-117 )，其中k2是比例系數(shù)，得到第四個(gè)溫 度拐點(diǎn)了3。
[0061 ] 其C8分別為MOS管M19、M18的寬W、長L比。
[0062] 運(yùn)時(shí)總的補(bǔ)償電流為
Ii日+119，甘八(1。
[0063] 隨著溫度繼續(xù)升高至T4時(shí)，邸結(jié)電壓下降開始占優(yōu)，出現(xiàn)第五個(gè)溫度拐點(diǎn)T4。其中， 溫度拐點(diǎn) To<1\<T2<T3<T4。
[0064] 本電路在整個(gè)工作溫度區(qū)間出現(xiàn)5個(gè)溫度拐點(diǎn)，與傳統(tǒng)的一階溫度補(bǔ)償?shù)囊粋€(gè)溫 度拐點(diǎn)或二階溫度補(bǔ)償?shù)?~3個(gè)溫度拐點(diǎn)相比，大大降低了基準(zhǔn)電壓隨溫度的變化。
[0065] (4)M0S管M21、M22、M23和M24構(gòu)成啟動(dòng)電路，保證電源上電過程中驅(qū)動(dòng)帶隙基準(zhǔn)源 電路擺脫簡并偏置點(diǎn)，建立正常工作點(diǎn)。
[0066] MOS管M21的源極接電源VDD，M21的柵極接地，M21的漏極與M22的漏極、M23的柵極、 M24的柵極共連形成節(jié)點(diǎn)12;M22的柵極連接至節(jié)點(diǎn)11;M23的漏極連接至節(jié)點(diǎn)1;M24的漏極 連接至節(jié)點(diǎn)2;M22、M23和M24的源極接地。
[0067] 電源V孤從0升高初期，節(jié)點(diǎn)12的電壓等于電源VDD，因此節(jié)點(diǎn)1的電壓為0，M0S管M5 和M6導(dǎo)通給正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路充電；同理，節(jié)點(diǎn)2的電壓為0，M0S管M5A和M6A導(dǎo)通給 負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路充電直到建立正常的工作點(diǎn)。當(dāng)節(jié)點(diǎn)11的電壓大于1個(gè)醒OS闊值 電壓后，MOS管M22導(dǎo)通，節(jié)點(diǎn)12的電壓被拉至0,因而MOS管M23和M24關(guān)斷，啟動(dòng)完成。
[0068] (5)M0S管M9、M10、電阻R3、電阻R4、電阻R5構(gòu)成電流求和電路，產(chǎn)生帶隙基準(zhǔn)電壓 化efDM9、M10的源極接電源V孤。M9、M10的柵極分別連接至節(jié)點(diǎn)2和節(jié)點(diǎn)IdMIO的漏極與電阻 R3-端共接形成帶隙基準(zhǔn)電壓化ef;電阻R3另一端與M9的漏極、電阻R4的一端共接形成節(jié) 點(diǎn)9;電阻R4的另一端與電阻R5的一端、M15的漏極與M19的漏極共接形成節(jié)點(diǎn)10;電阻R5的 另一端接地。
(3)
[0071] 其中，R3、R4、R5分別為電阻R3、電阻R4、電阻R5的阻值；
(4) (5)。：
[0076] W上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人 員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可W做出若干改進(jìn)和變形，運(yùn)些改進(jìn)和變形 也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種高精度低溫漂帶隙基準(zhǔn)電壓源，其特征是，包括： 正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路，產(chǎn)生與絕對溫度成正比的電流； 負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路，產(chǎn)生與絕對溫度成反比的電流； 2次溫度探測與補(bǔ)償電路，通過對正溫度系數(shù)電流與負(fù)溫度系數(shù)電流的相加補(bǔ)償，使帶 隙基準(zhǔn)在工作溫度區(qū)間得到三個(gè)以上的溫度拐點(diǎn)； 啟動(dòng)電路，在電源上電過程中驅(qū)動(dòng)正溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電路和負(fù)溫度系數(shù)電流產(chǎn)生電 路擺脫簡并偏置點(diǎn)，建立正常工作點(diǎn)； 電流求和電路，對正溫度系數(shù)電流與負(fù)溫度系數(shù)電流的電流求和，產(chǎn)生帶隙基準(zhǔn)電壓。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精度低溫漂帶隙基準(zhǔn)電壓源，其特征是，正溫度系數(shù)電 流產(chǎn)生電路包括由MOS管M1、M2、M3和M4構(gòu)成的電流鏡，電流鏡對應(yīng)由MOS管M5、M6、M7和M8構(gòu) 成負(fù)反饋鉗位，使電流鏡的節(jié)點(diǎn)3和節(jié)點(diǎn)4的電壓相等。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精度低溫漂帶隙基準(zhǔn)電壓源，其特征是，正溫度系數(shù)電 流產(chǎn)生電路包括 MOS 管組、]?2、]\〇、]\14、]\15、]\16、]\17、]\18和?陬管01、02及電阻1?1; MOS管Ml、M2、M5和M6的源極接電源VDD; Ml、M2的柵極及M2的漏極共連，Ml、M2的漏極分 別連接M3、M4的漏極，M3的柵極連接M8的柵極和漏極，M4的柵極連接M7的柵極和漏極形成節(jié) 點(diǎn)11;M3的源極與M7的源極、電阻R1的一端共接形成電流鏡節(jié)點(diǎn)3，M4的源極與M8的源極、 PNP管Q2的發(fā)射極共接形成電流鏡節(jié)點(diǎn)4;電阻R1的另一端連接PNP管Q1的發(fā)射極，PNP管Q1 的集電極接地;PNP管Q1的基極與PNP管Q2的基極共連接地，PNP管Q2的集電極接地;M7、M8 的漏極分別與M5、M6的漏極連接;M5、M6的柵極與Ml的漏極共連形成節(jié)點(diǎn)1。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精度低溫漂帶隙基準(zhǔn)電壓源，其特征是，負(fù)溫度系數(shù)電 流產(chǎn)生電路包括由MOS管M1A、M2A、M3A和M4A構(gòu)成的電流鏡，電流鏡對應(yīng)由MOS管M5A、M6A、 M7A和M8A構(gòu)成負(fù)反饋鉗位，使電流鏡的節(jié)點(diǎn)5和節(jié)點(diǎn)4的電壓相等。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精度低溫漂帶隙基準(zhǔn)電壓源，其特征是，負(fù)溫度系數(shù)電 流產(chǎn)生電路包括Ml A、M2A、M3A、M4A、M5A、M6A、M7A、M8A和電阻R2; MOS管M1A、M2A、M5A和M6A的源極接電源VDD ;M1A、M2A的柵極及M2A的漏極共連，M1A、M2A 的漏極分別連接M3A、M4A的漏極，M3A、M4A的柵極分別連接M8AA、M7A的柵極和漏極，M3A的源 極與M7A的源極、電阻R2的一端共接形成電流鏡節(jié)點(diǎn)5，M4A的源極與M8A的源極共接形成電 流鏡節(jié)點(diǎn)4;電阻R2的另一端接地;M7A、M8AA的漏極分別與M5A、M6A的漏極連接;M5A、M6A的 柵極與M1A的漏極共接形成節(jié)點(diǎn)2。6. 根據(jù)權(quán)利要求1、3或5所述的一種高精度低溫漂帶隙基準(zhǔn)電壓源，其特征是，2次溫度 探測與補(bǔ)償電路包括 M0S 管組1、]?12、]\113、]\114、]\115、]\116、]\117、]\118、]\119和]\120; 111、113、114、115、117、118和組9源極接電源￥00;111的柵極連接至節(jié)點(diǎn)1，111的漏極 連接至M12的漏極與柵極形成節(jié)點(diǎn)6;M13的柵極連接至節(jié)點(diǎn)2，M13的漏極與M14的漏極和柵 極、M15的柵極、M16的漏極共連形成節(jié)點(diǎn)7;M17的柵極連接至節(jié)點(diǎn)2，M17的漏極與M18的漏極 和柵極、M19的柵極、M20的漏極共連形成節(jié)點(diǎn)8;M15的漏極與M19的漏極共連形成節(jié)點(diǎn)10; M12、M16、M20的源極共連至地。7. 根據(jù)權(quán)利要求1、3或5所述的一種高精度低溫漂帶隙基準(zhǔn)電壓源，其特征是，啟動(dòng)電 路包括M0S管M21、M22、M23和M24; M21的源極接電源VDD，M21的柵極接地，M21的漏極與M22的漏極、M2 3的柵極、M24的柵極 共連形成節(jié)點(diǎn)12; M22的柵極連接至節(jié)點(diǎn)11; M23的漏極連接至節(jié)點(diǎn)1; M24的漏極連接至節(jié)點(diǎn) 2;M22、M23和M24的源極接地。8.根據(jù)權(quán)利要求1、3或5所述的一種高精度低溫漂帶隙基準(zhǔn)電壓源，其特征是，電流求 和電路包括MOS管M9、M10、電阻R3、電阻R4、電阻R5; M9、M10的源極接電源VDD;M9、M10的柵極分別連接至節(jié)點(diǎn)2和節(jié)點(diǎn)1;M10的漏極與電阻 R3-端共接形成帶隙基準(zhǔn)電壓；電阻R3另一端與M9的漏極、電阻R4的一端共接形成節(jié)點(diǎn)9; 電阻R4的另一端與電阻R5的一端共接形成節(jié)點(diǎn)10;電阻R5的另一端接地。
【文檔編號(hào)】G05F1/565GK106020318SQ201610608523
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年7月28日
【發(fā)明人】白濤, 劉小淮
【申請人】北方電子研究院安徽有限公司