專利名稱:一種多模塊時序控制電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種多模塊時序控制電路，包括與各模塊一一對應(yīng)的延時電路和整形電路，所述延時電路的輸入端與信號偵測端連接，輸出端與整形電路的輸入端連接，所述整形電路的輸出端與其所對應(yīng)模塊的使能端連接。本實(shí)用新型的多模塊時序控制電路，采用延時電路結(jié)合整形電路搭建，電路結(jié)構(gòu)簡單，靈敏度高，降低產(chǎn)品成本。
【專利說明】一種多模塊時序控制電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于時序調(diào)整電路【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地說，是涉及一種多模塊時序控制電路。

【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)前電子設(shè)備產(chǎn)品根據(jù)功能需要常常包含多個模塊。在系統(tǒng)開啟和關(guān)斷時，由于多個模塊的信號關(guān)聯(lián)，需要有一個時序的控制。目前最慣用的控制方式是采用將不同的模塊進(jìn)行電源分割，再對每個電源模塊進(jìn)行控制。每一個模塊有一個控制信號。這樣往往需要有一個MCU，用于管理和控制各電源模塊，將會增加系統(tǒng)的復(fù)雜性和成本。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型為了解決現(xiàn)有多模塊時序控制需要采用單片機(jī)進(jìn)行控制，導(dǎo)致產(chǎn)品成本高的問題，提出了一種多模塊時序控制電路，采用性能穩(wěn)定、價格低廉的電子器件搭建成控制電路，電路結(jié)構(gòu)簡單，靈敏度高，降低產(chǎn)品成本。
[0004]為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn):
[0005]一種多模塊時序控制電路，包括與各模塊--對應(yīng)的延時電路和整形電路，所述延時電路的輸入端與信號偵測端連接，輸出端與整形電路的輸入端連接，所述整形電路的輸出端與其所對應(yīng)模塊的使能端連接。
[0006]優(yōu)選的，所述延時電路包括RC電路。
[0007]進(jìn)一步的，所述的延時電路包括開機(jī)延時電路和關(guān)機(jī)延時電路，所述開機(jī)延時電路包括第一 RC電路和用于控制所述第一 RC電路導(dǎo)通狀態(tài)的第一開關(guān)電路，所述關(guān)機(jī)延時電路包括第二 RC電路和用于控制所述第二 RC電路導(dǎo)通狀態(tài)的第二開關(guān)電路。
[0008]又進(jìn)一步的，所述第一 RC電路包括第一電阻，所述第一電阻與所述第一開關(guān)電路串聯(lián)，所述第二 RC電路包括第二電阻，所述第二電阻與所述第二開關(guān)電路串聯(lián)，所述第一RC電路和第二 RC電路共用電容。
[0009]進(jìn)一步的，所述第一開關(guān)電路為第一二極管、第一 NMOS管、或者第一 NPN三極管中的其中一個，所述第一開關(guān)電路在所述偵測端輸出高電平時導(dǎo)通，所述第二開關(guān)電路為第二二極管、第二 NMOS管、或者第二 NPN三極管中的其中一個，所述第二開關(guān)電路在所述偵測端輸出低電平時導(dǎo)通。
[0010]優(yōu)選的，所述整形電路包括相順次連接的兩級反相開關(guān)電路。
[0011]進(jìn)一步的，所述整形電路包括第三NMOS管和第四NOMS管，所述第三NMOS管的柵極與所述開機(jī)延時電路和關(guān)機(jī)延時電路的輸出端連接，所述第三NMOS管的漏極一路通過第一上拉電阻與直流電源連接，另外一路與第四NMOS管的柵極連接，所述第三NMOS管的源極連接地端，所述第四NMOS管的漏極一路通過第二分壓電阻與直流電源連接，另外一路與其所對應(yīng)模塊的使能端連接，所述第四NMOS管的源極連接地端。
[0012]或者，所述整形電路包括相順次連接的第一反相器和第二反相器。
[0013]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是:本實(shí)用新型的多模塊時序控制電路，采用延時電路結(jié)合整形電路搭建，從而實(shí)現(xiàn)模塊的開啟和關(guān)斷時序，電路結(jié)構(gòu)簡單，靈敏度高，降低產(chǎn)品成本。
[0014]結(jié)合附圖閱讀本實(shí)用新型實(shí)施方式的詳細(xì)描述后，本實(shí)用新型的其他特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚。

【附圖說明】

[0015]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0016]圖1是本實(shí)用新型所提出的多模塊時序控制電路的一種實(shí)施例原理方框圖；
[0017]圖2是本實(shí)用新型所提出的多模塊時序控制電路中延時電路的一種實(shí)施例原理方框圖；
[0018]圖3是本實(shí)用新型所提出的多模塊時序控制電路的一種實(shí)施例電路原理圖；
[0019]圖4是本實(shí)用新型所提出的多模塊時序控制電路的另外一種實(shí)施例電路原理圖；
[0020]圖5是本實(shí)用新型所提出的多模塊時序控制電路的再一種實(shí)施例電路原理圖。

【具體實(shí)施方式】
[0021 ] 下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0022]實(shí)施例一，本實(shí)施例提出了一種多模塊時序控制電路，如圖1所示，包括延時電路和整形電路，所述延時電路和整形電路與各模塊--對應(yīng)連接，也即如果需要控制多個模塊，就需要對每個模塊分別設(shè)置一套時序控制電路，延時電路的輸入端與信號偵測端連接，偵測端用于偵測接頭的插拔狀態(tài)并產(chǎn)生偵測信號，輸出端與整形電路的輸入端連接，所述整形電路的輸出端與其所對應(yīng)模塊的使能端連接。本實(shí)施例的多模塊時序控制電路，采用延時電路結(jié)合整形電路搭建，僅用到有限的電子元件，比如，所述延時電路可以采用RC電路實(shí)現(xiàn)，電路結(jié)構(gòu)簡單，有利于降低產(chǎn)品成本，而且通過調(diào)整延時電路的參數(shù)值，即可實(shí)現(xiàn)調(diào)整延時時長，可以根據(jù)不同模塊的延時需要選擇不同參數(shù)值的電子元件，控制電子靈敏度高。
[0023]作為一個優(yōu)選的實(shí)施例，為了實(shí)現(xiàn)各模塊開機(jī)延時和關(guān)機(jī)延時分別可控，所述的延時電路包括開機(jī)延時電路和關(guān)機(jī)延時電路，如圖2所示，所述開機(jī)延時電路包括第一 RC電路和用于控制所述第一 RC電路導(dǎo)通狀態(tài)的第一開關(guān)電路，所述關(guān)機(jī)延時電路包括第二RC電路和用于控制所述第二 RC電路導(dǎo)通狀態(tài)的第二開關(guān)電路。通過調(diào)整RC電路中電阻的阻值參數(shù)，即可實(shí)現(xiàn)延時電路所延時長的可控，將開機(jī)延時電路和關(guān)機(jī)延時電路分別設(shè)置，能夠分別設(shè)置該模塊的開機(jī)延時時長和關(guān)機(jī)延時時長，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)各模塊開機(jī)延時時長和關(guān)機(jī)延時時長的分別可控。
[0024]在本實(shí)施例中，為了進(jìn)一步簡化本時序控制電路的結(jié)構(gòu)，減少電子元件的使用，如圖3所示，給出了其中一個模塊的時序控制電路，所述第一 RC電路包括第一電阻Rl，所述第一電阻Rl與第一開關(guān)電路串聯(lián)，所述第二 RC電路包括第二電阻R2，所述第二電阻R2與第二開關(guān)電路串聯(lián)，所述第一 RC電路和第二 RC電路共用電容Cl。通過兩RC電路共用電容Cl，可以分別調(diào)整第一電阻Rl和第二電阻R2的值來實(shí)現(xiàn)開機(jī)延時時長和關(guān)機(jī)延時時長的可控。當(dāng)偵測端偵測到設(shè)備插入的信號，輸出高電平，此時第一開關(guān)電路導(dǎo)通，第二開關(guān)電路截止，因此，此時第一電阻Rl與電容Cl組成RC電路，電容Cl充電，其充電速度與第一電阻Rl的阻值和電容Cl的電容值有關(guān)，當(dāng)電容Cl充電至一定電荷時，整形電路輸出高電平至模塊的使能端，該模塊為有效狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)了該模塊延時上電開啟。同樣道理的，當(dāng)偵測端偵測到設(shè)備拔下的信號，輸出低電平，此時第一開關(guān)電路截止，第二開關(guān)電路導(dǎo)通，因此，此時第二電阻R2與電容Cl組成RC電路，電容Cl充電，其充電速度與第二電阻R2的阻值和電容Cl的電容值有關(guān)，當(dāng)電容Cl充電至一定電荷時，整形電路輸出低電平至模塊的使能端，該模塊為無效狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)了該模塊延時掉電停止工作。圖3中示出了多模塊時序控制電路中的開關(guān)電路的其中一個實(shí)施例電路原理圖，所述第一開關(guān)電路采用第一二極管Dl實(shí)現(xiàn)，所述第二開關(guān)電路采用第二二極管D2實(shí)現(xiàn)，所述第一二極管Dl的陽極與偵測端連接，當(dāng)所述偵測端輸出高電平時第一二極管Dl導(dǎo)通，進(jìn)而開機(jī)延時電路工作，所述第二二極管D2的陰極與偵測端連接，所述第二二極管D2在所述偵測端輸出低電平時導(dǎo)通，進(jìn)而關(guān)機(jī)延時電路工作。
[0025]本實(shí)施例的多模塊時序控制電路，通過將每個模塊的開、關(guān)機(jī)電路分別設(shè)置有一RC延時電路控制，由于RC電路的充放電時間常數(shù)τ =RXC，只需調(diào)整相應(yīng)的R或者C參數(shù)值，即可實(shí)現(xiàn)模塊間開、關(guān)機(jī)時序，比如，模塊I的開機(jī)延時電路(也即第一 RC電路)的時間常數(shù)為τ?，其中τ?= Rl XC1，關(guān)機(jī)延時電路(也即第二 RC電路)的時間常數(shù)為τ2，其中τ2= R2XC1，模塊2的開機(jī)延時電路的時間常數(shù)為τ 3，關(guān)機(jī)延時電路的時間常數(shù)為τ 4，若使模塊I早于模塊2開啟，只需模塊I的開機(jī)延時電路的時間常數(shù)τI小于模塊2的開機(jī)延時電路的時間常數(shù)τ 3，若使模塊I晚于模塊2關(guān)閉，只需模塊I的關(guān)機(jī)延時電路的時間常數(shù)τ 2大于模塊2的充放電時間常數(shù)τ 4。
[0026]實(shí)施例二，本實(shí)施例給出了多模塊時序控制電路中的開關(guān)電路的另外一個實(shí)施例電路原理圖，如圖4所示，所述第一開關(guān)電路采用第一 NMOS管Ql實(shí)現(xiàn)，所述第二開關(guān)電路采用第二 NMOS管Q2實(shí)現(xiàn)，所述第一 NMOS管Ql的柵極I與偵測端連接，柵極I與漏極3連接，源極2與第一電阻Rl連接，第二 NMOS管Q2的源極通過第二電阻R2與偵測端連接，柵極I和漏極3通過電容Cl連接地端，所述第一 NMOS管Ql在所述偵測端輸出高電平時，柵極I電壓大于源極2電壓，進(jìn)而第一 NMOS管Ql導(dǎo)通，開機(jī)延時電路工作，而第二 NMOS管Q2的源極2電壓大于柵極I電壓，因此第二 NMOS管Q2截止，關(guān)機(jī)延時電路關(guān)斷，反之，當(dāng)偵測端輸出低電平時，所述第二 NMOS管Q2導(dǎo)通，進(jìn)而關(guān)機(jī)延時電路工作，第一 NMOS管Ql截止，開機(jī)延時電路關(guān)斷。
[0027]需要說明的是，開關(guān)電路除了本實(shí)施例所采用NMOS管實(shí)現(xiàn)之外，還可以采用NPN型三極管實(shí)現(xiàn)，在此本實(shí)施例中不再具體描述。
[0028]在本實(shí)施例中，所述整形電路包括相順次連接的兩級反相開關(guān)電路。如圖4所示，示出了一種整形電路的具體電路原理圖，本實(shí)施例中，整形電路包括第三NMOS管Q3和第四NOMS管Q4，所述第三NMOS管Q3的柵極I與所述開機(jī)延時電路和關(guān)機(jī)延時電路的輸出端連接，所述第三NMOS管Q3的漏極3 —路通過第一上拉電阻R3與直流電源Vccl連接，另外一路與第四NMOS管Q4的柵極I連接，第三NOMO管Q3的源極2連接地端，所述第四NMOS管Q4的漏極3 —路通過第二分壓電阻R4與直流電源Vcc2連接，另外一路與其所對應(yīng)模塊的使能端EN連接。本實(shí)施例中整形電路的工作原理是，當(dāng)偵測端未偵測到設(shè)備拔出的信號，輸出低電平，因此第三NMOS管Q3的柵極I與源極2的電平均為低電平，因此第三NMOS管Q3截止，第三NMOS管Q3的漏極3為高電平，第四NMOS管Q4的柵極I與第三NMOS管Q3的漏極連接，為高電平，第四NMOS管Q4的源極2連接地端，為低電平，因此第四NMOS管Q4導(dǎo)通，第四NMOS管的漏極3輸出低電平，第四NMOS管Q4的漏極3與其所控制模塊的使能端相連接，因此該模塊的使能端輸入低電平。當(dāng)偵測端偵測到設(shè)備插入的信號，輸出高電平，開機(jī)延時電路導(dǎo)通，電容Cl充電，此時第三NMOS管Q3的柵極I與電容Cl的正極連接，當(dāng)電容Cl充電至一定電荷量，使得大于第三NMOS管Q3的開啟電壓時，第三NMOS管Q3導(dǎo)通，其漏極3的電平拉低，因此第四NMOS管Q4截止，此時，第四NMOS管Q4的漏極3向其所控制模塊的使能端輸出高電平。當(dāng)偵測端偵測到設(shè)備拔出的信號時，輸出電壓由高電平轉(zhuǎn)為低電平，電容Cl放電，關(guān)機(jī)電路導(dǎo)通，當(dāng)電容的陽極電壓低于第三NMOS管的開啟電壓值時，第三NMOS管截止，第三NMOS管的漏極3電平拉高，因此第四NMOS管的柵極I電平相應(yīng)拉高，第四NMOS管導(dǎo)通，因此第四NMOS管的漏極2電平拉低，向其所控制模塊的使能端輸出低電平。
[0029]實(shí)施例三，本實(shí)施例給出了多模塊時序控制電路中的整形電路的另外一個實(shí)施例電路原理圖，其他電路部分與實(shí)施例一或?qū)嵤├兴涊d的結(jié)構(gòu)相同，在此不作贅述。如圖5所示，本實(shí)施例的整形電路包括相順次連接的第一反相器Ul和第二反相器U2，當(dāng)偵測端未偵測到設(shè)備拔出的信號，輸出低電平，因此第一反相器Ul輸入低電平，經(jīng)第一反相器Ul的反相后向第二反相器U2輸出高電平，第二反相器U2將該高電平再次反相，輸出低電平，第二反相器U2的輸出端與其所控制模塊的使能端相連接，因此該模塊的使能端輸入低電平，模塊不上電工作。當(dāng)偵測端偵測到設(shè)備插入的信號，輸出高電平，開機(jī)延時電路導(dǎo)通，電容Cl充電，當(dāng)電容Cl充電一定時間，第一反相器Ul輸入高電平，反相輸出低電平，第二反相器U2輸入低電平，反相輸出高電平，也即向其所控制模塊的使能端輸出高電平，該模塊上電工作。當(dāng)偵測端偵測到設(shè)備拔出的信號時，輸出電壓由高電平轉(zhuǎn)為低電平，電容Cl放電，關(guān)機(jī)電路導(dǎo)通，當(dāng)電容的陽極電壓低于第一反相器Ul輸入電平門限時，判為向其輸入低電平，第一反相器Ul反相輸出高電平，第二反相器U2再進(jìn)行反相輸出低電平，因此向其所控制模塊的使能端輸出低電平，該模塊掉電停止工作。
[0030]當(dāng)然，上述說明并非是對本實(shí)用新型的限制，本實(shí)用新型也并不僅限于上述舉例，本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員在本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)范圍內(nèi)所做出的變化、改型、添加或替換，也應(yīng)屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種多模塊時序控制電路，其特征在于:包括與各模塊一一對應(yīng)的延時電路和整形電路，所述延時電路的輸入端與信號偵測端連接，輸出端與整形電路的輸入端連接，所述整形電路的輸出端與其所對應(yīng)模塊的使能端連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多模塊時序控制電路，其特征在于:所述延時電路包括RC電路。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多模塊時序控制電路，其特征在于:所述的延時電路包括開機(jī)延時電路和關(guān)機(jī)延時電路，所述開機(jī)延時電路包括第一 RC電路和用于控制所述第一 RC電路導(dǎo)通狀態(tài)的第一開關(guān)電路，所述關(guān)機(jī)延時電路包括第二 RC電路和用于控制所述第二RC電路導(dǎo)通狀態(tài)的第二開關(guān)電路。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多模塊時序控制電路，其特征在于:所述第一RC電路包括第一電阻，所述第一電阻與所述第一開關(guān)電路串聯(lián)，所述第二 RC電路包括第二電阻，所述第二電阻與所述第二開關(guān)電路串聯(lián)，所述第一 RC電路和第二 RC電路共用電容。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多模塊時序控制電路，其特征在于:所述第一開關(guān)電路為第一二極管、第一 NMOS管、或者第一 NPN三極管中的其中一個，所述第一開關(guān)電路在所述偵測端輸出高電平時導(dǎo)通，所述第二開關(guān)電路為第二二極管、第二 NMOS管、或者第二 NPN三極管中的其中一個，所述第二開關(guān)電路在所述偵測端輸出低電平時導(dǎo)通。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多模塊時序控制電路，其特征在于:所述整形電路包括相順次連接的兩級反相開關(guān)電路。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多模塊時序控制電路，其特征在于:所述整形電路包括第三NMOS管和第四NOMS管，所述第三NMOS管的柵極與所述開機(jī)延時電路和關(guān)機(jī)延時電路的輸出端連接，所述第三NMOS管的漏極一路通過第一上拉電阻與直流電源連接，另外一路與第四NMOS管的柵極連接，所述第三NMOS管的源極連接地端，所述第四NMOS管的漏極一路通過第二分壓電阻與直流電源連接，另外一路與其所對應(yīng)模塊的使能端連接，所述第四NMOS管的源極連接地端。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多模塊時序控制電路，其特征在于:所述整形電路包括相順次連接的第一反相器和第二反相器。
【文檔編號】G05B19-042GK204287846SQ201420767914
【發(fā)明者】李樹鵬 [申請人]青島歌爾聲學(xué)科技有限公司