一種芯片測試裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于電性能的測試裝置領(lǐng)域，具體涉及一種芯片測試裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷進步，器件特征尺寸不斷減小，而集成度不斷上升。傳統(tǒng)的測試芯片是將每個測試結(jié)構(gòu)單獨的連接到探針引腳上。由于納米時代集成電路制造的復(fù)雜性，制造工藝中任何系統(tǒng)性、參數(shù)性和隨機性的誤差都有可能造成缺陷，測試芯片中必須包含成千上萬的測試結(jié)構(gòu)才能達到一定的缺陷覆蓋率，傳統(tǒng)測試芯片設(shè)計方法的面積利用率相當(dāng)?shù)?，無法滿足該要求。
[0003]目前常用可尋址測試芯片的設(shè)計方法，所有的測試結(jié)構(gòu)通過尋址電路和開關(guān)電路共用一組探針引腳，解決了面積利用率的問題。但是，這類方法復(fù)雜的開關(guān)電路設(shè)計增加了電路本身發(fā)生缺陷的危險，干擾了缺陷的準確定位。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型要解決的技術(shù)問題是針對目前的測試芯片的開關(guān)電路過于復(fù)雜增加了電路本省發(fā)生缺陷的危險的缺陷，為此提供一種芯片測試裝置。
[0005]為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用如下技術(shù)方案:
[0006]一種芯片測試裝置，包括第一探針引腳、第二探針引腳、列尋址模塊、行尋址模塊、開關(guān)模塊和測試模塊，第一探針引腳、列尋址模塊和開關(guān)模塊依次連接，第二探針引腳、行尋址模塊和開關(guān)模塊依次連接，開關(guān)模塊與測試模塊連接，所述的開關(guān)電路由單一的場效應(yīng)管組成；所述的測試模塊包括電阻測量模塊和漏電測量模塊，所述漏電測量模塊包括第一比較器、第二比較器、第三比較器、光電稱合器和場效應(yīng)管，第一比較器的負相輸入端與測量負載連接，第一比較器的輸出端與第二比較器的正相輸入端連接，第二比較器的輸出端與第三比較器的正相輸入端連接，光電耦合器的正極端與示波器的輸出端連接，光電耦合器的發(fā)射極端與場效應(yīng)管的柵極連接，場效應(yīng)管的漏極與第三比較器的正極端連接，第三比較器的輸出端與示波器連接。
[0007]采用本實用新型一種芯片測試裝置具有如下技術(shù)效果:
[0008]所述的開關(guān)電路由單一的場效應(yīng)管組成，取代了傳統(tǒng)方法中的邏輯門，簡化了開關(guān)電路，從而減小電路發(fā)生故障的機會；由第一探針引腳提供電測試信號；第二探針引腳用于缺陷定位；行尋址電路和列尋址電路用于控制開關(guān)電路的工作狀態(tài)；行尋址電路用于打開行選擇開關(guān)，列尋址電路用于打開列選擇開關(guān)，通過行選擇開關(guān)和列選擇開關(guān)可以精確的定位所測量的負載，同時所有的測試電路共用一個第一探針引腳，簡化了尋址電路，進一步優(yōu)化了面積利用率。開關(guān)電路打開后，測試模塊測試相對應(yīng)的測量負載。所述的測試模塊包括電阻測量模塊和漏電測量模塊。電阻測量模塊測試芯片內(nèi)部阻抗，漏電測量模塊分析芯片的線路漏電狀況，電阻測量模塊和漏電測量模塊的測量值反應(yīng)了芯片的失效分析。
[0009]進一步，還包括顯示模塊，測試模塊與顯示模塊連接。顯示模塊將所測量的電阻值和漏電值通過顯示模塊顯示出，便于工作人員觀察。
[0010]進一步，所述測試模塊包括設(shè)于設(shè)于各線路中電流互感器與電壓互感器。
[0011]進一步，所述顯示模塊為IXD顯示屏。
[0012]對于測試模塊與顯示模塊的選型僅是具體實用性選擇，便于現(xiàn)實使用。
【附圖說明】
[0013]圖1是本實用新型一種芯片測試裝置的實施例的模塊圖。
[0014]圖2是圖1的漏電測量模塊的電路原理圖。
【具體實施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖對本實用新型做進一步說明:
[0016]如圖1所示，本實用新型芯片測試裝置，具體包括:第一探針引腳、第二探針引腳、列尋址模塊、行尋址模塊、開關(guān)模塊和測試模塊，第一探針引腳、列尋址模塊和開關(guān)模塊依次連接，第二探針引腳、行尋址模塊和開關(guān)模塊依次連接，開關(guān)模塊與測試模塊連接，所述的開關(guān)電路由單一的場效應(yīng)管組成。
[0017]在具體實施過程中，由第一探針引腳為測試模塊提供電測試信號，以及為列尋址模塊和行尋址模塊提供所需的地址訪問信號。假設(shè)所選定的行地址為第三行，列地址為第四列，行尋址模塊產(chǎn)生行選擇信號，打開多個行選擇電路中的第三行，列尋址模塊產(chǎn)生列選擇信號，打開多列開關(guān)電路中的第四列和第五列。
[0018]當(dāng)選擇電阻測量模塊時，電流由第四列的第一探針引腳流入，經(jīng)測量電阻后由電壓表經(jīng)第五列的第一探針引腳流出，讀出電壓表的值可測出電阻值。
[0019]另外，如圖2所示，漏電測量模塊包括第一比較器IC1、第二比較器IC2、第三比較器IC3、光電稱合器OC和場效應(yīng)管VT,第一比較器ICl的負相輸入端與測量負載連接,第一比較器ICl的輸出端與第二比較器IC2的正相輸入端連接，第二比較器IC2的輸出端與第三比較器IC3的正相輸入端連接,光電稱合器OC的正極端與不波器A的輸出端連接,光電耦合器OC的發(fā)射極端與場效應(yīng)管VT的柵極連接，場效應(yīng)管VT的漏極與第三比較器IC3的正極端連接，第三比較器IC3的輸出端與示波器A連接。流過測試負載的電流進入第一比較器ICl的負相輸入端,經(jīng)第一比較器ICl的放大后輸出，再由第二放大器IC2和第三放大器IC3峰值保持后，由第二電容C2濾波，然后輸入示波器A，顯示出漏電值，示波器的輸出值輸入到光電I禹合器oc的正極端,使其內(nèi)部的發(fā)光二極管發(fā)光，從而使其內(nèi)部的光敏三極管導(dǎo)通，場效應(yīng)管VT導(dǎo)通，電流流入地，漏電測量模塊數(shù)值清零。
[0020]再者，本實用新型的芯片測試保護裝置包括:動態(tài)信號產(chǎn)生器、動態(tài)信號比較器、測試壓焊塊、金屬線、控制電路和報警電路，動態(tài)信號產(chǎn)生器、動態(tài)信號比較器、控制電路和報警電路位于芯片內(nèi)，芯片一側(cè)設(shè)有劃片槽，金屬線位于劃片槽內(nèi)，動態(tài)信號產(chǎn)生器一條支路與動態(tài)信號比較器連接，另一條支路通過金屬線與動態(tài)信號比較器連接，測試壓焊塊一條支路通過金屬線與控制電路連接，另一條支路通過金屬線與報警電路連接，動態(tài)信號比較器一條支路與控制電路連接，另一條支路與報警電路連接。動態(tài)信號產(chǎn)生器產(chǎn)生信號特性相同的第一動態(tài)信號和第二動態(tài)信號，第一動態(tài)信號通過劃片槽內(nèi)的金屬線輸入到動態(tài)信號比較器中，第二動態(tài)信號直接輸入到動態(tài)信號比較器中，動態(tài)信號比較器對接收到的信號進行比較，若相同就將高電SS平輸入控制電路，若不相同，就觸發(fā)報警電路發(fā)出報警信號；與此同時，測試壓焊塊產(chǎn)生外部測試模式使能信號，通過金屬線輸入到控制電路內(nèi)，若控制電路未收到外部測試模式使能信號，則控制報警電路發(fā)出報警信號，若控制電路收到外部測試模式使能信號且動態(tài)信號比較器輸出高電平到控制電路，則控制電路輸出內(nèi)部測試模式使能信號，芯片進入測試模式。當(dāng)芯片從晶圓上分離出來時，劃片槽與芯片分開，使金屬線與芯片內(nèi)的動態(tài)信號產(chǎn)生器、動態(tài)信號比較器和控制電路斷開連接，使動態(tài)信號比較器無法輸出高電平到控制電路中，從而控制電路無法輸出內(nèi)部測試模式使能信號，芯片無法進入測試模式，在芯片邊緣的金屬線的數(shù)量較多，同時金屬線之間的間距可以很小，這大大增加了 FIB技術(shù)重建金屬線的難度和復(fù)雜度，大大提高了攻擊者進入芯片的測試模式的難度，從而大大提升了芯片的安全性。
[0021]所述測試模塊包括設(shè)于設(shè)于各線路中電流互感器與電壓互感器。所述顯示模塊為IXD顯示屏。
[0022]對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型結(jié)構(gòu)的前提下，還可以作出若干變形和改進，這些也應(yīng)該視為本實用新型的保護范圍，這些都不會影響本實用新型實施的效果和專利的實用性。
【主權(quán)項】
1.一種芯片測試裝置，其特征在于:包括第一探針引腳、第二探針引腳、列尋址模塊、行尋址模塊、開關(guān)模塊和測試模塊，第一探針引腳、列尋址模塊和開關(guān)模塊依次連接，第二探針引腳、行尋址模塊和開關(guān)模塊依次連接，開關(guān)模塊與測試模塊連接，所述的開關(guān)電路由單一的場效應(yīng)管組成；所述的測試模塊包括電阻測量模塊和漏電測量模塊，所述漏電測量模塊包括第一比較器、第二比較器、第三比較器、光電稱合器和場效應(yīng)管，第一比較器的負相輸入端與測量負載連接，第一比較器的輸出端與第二比較器的正相輸入端連接，第二比較器的輸出端與第三比較器的正相輸入端連接，光電I禹合器的正極端與不波器的輸出端連接，光電耦合器的發(fā)射極端與場效應(yīng)管的柵極連接，場效應(yīng)管的漏極與第三比較器的正極端連接，第三比較器的輸出端與示波器連接。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片測試裝置，其特征在于:還包括顯示模塊，測試模塊與顯示模塊連接。
3.如權(quán)利要求2所述的芯片測試裝置，其特征在于:所述測試模塊包括設(shè)于設(shè)于各線路中電流互感器與電壓互感器。
4.如權(quán)利要求2或3所述的芯片測試裝置，其特征在于:所述顯示模塊為LCD顯示屏。
【專利摘要】本實用新型公開了一種芯片測試裝置，它屬于電性能的測試裝置領(lǐng)域，具體包括第一探針引腳、第二探針引腳、列尋址模塊、行尋址模塊、開關(guān)模塊和測試模塊，第一探針引腳、列尋址模塊和開關(guān)模塊依次連接，第二探針引腳、行尋址模塊和開關(guān)模塊依次連接，開關(guān)模塊與測試模塊連接，所述的開關(guān)電路由單一的場效應(yīng)管組成。本實用新型解決了目前的測試芯片的開關(guān)電路過于復(fù)雜增加了電路本省發(fā)生缺陷的危險的缺陷，提供一種芯片測試裝置。
【IPC分類】G01R31-28
【公開號】CN204287409
【申請?zhí)枴緾N201420805600
【發(fā)明人】陳佳英
【申請人】重慶智銳德科技有限公司
【公開日】2015年4月22日
【申請日】2014年12月18日