用于單晶片厚度測(cè)量裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及測(cè)量裝置，具體地講是一種用于單晶片厚度測(cè)量裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有半導(dǎo)體材料單晶片厚度測(cè)量的方法一般為電容法或千分表(有接觸測(cè)試)測(cè)量。
[0003]電容法測(cè)量單晶片幾何參數(shù)(厚度、總厚度變化)已得到廣泛應(yīng)用，較有接觸測(cè)試相比其具有高效等優(yōu)點(diǎn)，目前已有ADE6034及Wafer Check 7000、7200等自動(dòng)測(cè)試分選設(shè)備。但是，當(dāng)被測(cè)單晶片的電阻率均勻性較差或與設(shè)備校正樣片的電阻率差別較大時(shí)，其測(cè)試結(jié)果誤差較大。
[0004]根據(jù)單晶片厚度測(cè)試儀器操作人員總結(jié)的經(jīng)驗(yàn)，電容法測(cè)量單晶片厚度有一定的局限性:①電阻率均勻性較差時(shí)無(wú)法用電容法進(jìn)行測(cè)量；②測(cè)量不同厚度的單晶片需要相應(yīng)厚度檔的樣片對(duì)測(cè)試設(shè)備進(jìn)行校準(zhǔn)；③測(cè)量時(shí)，對(duì)單晶片背表面質(zhì)量有影響，尤其是硬度較小的單晶片或雙面拋光的單晶片；④當(dāng)電阻率r>100W.cm時(shí)，用電容法測(cè)量結(jié)果誤差較大。
[0005]現(xiàn)有千分表(有接觸測(cè)試)測(cè)量裝置不易調(diào)零校準(zhǔn)，容易對(duì)單晶片表面造成損傷，且單晶片本身的翹曲度對(duì)測(cè)量結(jié)果有一定影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]針對(duì)現(xiàn)有單晶片厚度測(cè)量方法中存在的問(wèn)題和不足，本實(shí)用新型提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于操作的用于單晶片厚度測(cè)量裝置。
[0007]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案是:一種用于單晶片厚度測(cè)量裝置，其特征在于，包括測(cè)試臺(tái)、測(cè)試環(huán)、橫梁和千分表；測(cè)試臺(tái)一側(cè)向上設(shè)有螺紋孔，螺紋孔的下側(cè)為銷(xiāo)孔，銷(xiāo)孔的側(cè)壁上設(shè)有頂絲孔，測(cè)試臺(tái)的另一側(cè)設(shè)有支架，測(cè)試環(huán)的上端面中心位置設(shè)有圓柱形凸臺(tái)，用于放置被測(cè)單晶片，測(cè)試環(huán)的底部中心位置設(shè)有螺紋柱和銷(xiāo)柱，測(cè)試環(huán)通過(guò)螺紋柱旋入螺紋孔內(nèi)，并通過(guò)螺桿旋入頂絲孔頂住銷(xiāo)柱進(jìn)行鎖定，支架與橫梁的一端通過(guò)頂絲活動(dòng)連接，橫梁的另一端固定所述的千分表。
[0008]本實(shí)用新型具有的優(yōu)點(diǎn)和有益效果是:結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于操作，可測(cè)試晶片的厚度范圍為120 μ m—5000 μ m，直徑范圍為2—12英寸，且不損壞單晶片。
【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1是本裝置的整體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0010]圖2是本裝置的測(cè)試臺(tái)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011]圖3是圖2中測(cè)試環(huán)的俯視圖；
[0012]圖4是單晶片厚度測(cè)量示意圖；
[0013]圖5是千分表零點(diǎn)校準(zhǔn)不意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明:
[0015]參照?qǐng)D1至圖5，本裝置包括測(cè)試臺(tái)1、測(cè)試環(huán)2、橫梁3和千分表4;測(cè)試臺(tái)I 一側(cè)向上設(shè)有螺紋孔1.1，螺紋孔1.1的下側(cè)為銷(xiāo)孔1.2，銷(xiāo)孔1.2的側(cè)壁上設(shè)有頂絲孔1.3，測(cè)試臺(tái)I的另一側(cè)設(shè)有支架1.4，測(cè)試環(huán)2的上端面中心位置設(shè)有圓柱形凸臺(tái)2.1，用于放置被測(cè)單晶片，測(cè)試環(huán)2的底部中心位置設(shè)有螺紋柱2.2和圓柱2.3，圓柱2.3的直徑略小于螺紋柱2.2的直徑，測(cè)試環(huán)2通過(guò)螺紋柱2.2旋入螺紋孔1.1內(nèi)，并通過(guò)螺桿旋入頂絲孔1.3頂住圓柱2.3進(jìn)行鎖定，支架1.4與橫梁3的一端通過(guò)頂絲活動(dòng)連接，橫梁3的另一端固定千分表4。
[0016]參照?qǐng)D2和圖3，作為本裝置的優(yōu)選實(shí)施例，測(cè)試環(huán)2上設(shè)有扇形缺口 2.4，由PVDF材料制成，扇形缺口 2.4的設(shè)計(jì)可方便取放單晶片，有效的防止單晶片的劃傷。
[0017]作為本裝置的優(yōu)選實(shí)施例，測(cè)試環(huán)2的上端面中心位置設(shè)有圓柱形凸臺(tái)2.1的直徑為20mm，高度為1mm，上表面的粗糙度為1.2。
[0018]作為本裝置的優(yōu)選實(shí)施例，橫梁3的長(zhǎng)度為橫梁3與支架1.4連接處至測(cè)試環(huán)2上的圓柱形凸臺(tái)2.1中心的距離。此設(shè)計(jì)可保持橫梁3上的千分表4轉(zhuǎn)動(dòng)到圓柱形凸臺(tái)的正上方進(jìn)行測(cè)量。
[0019]作為本裝置的優(yōu)選實(shí)施例，測(cè)試臺(tái)I的螺紋孔1.1的螺紋公稱(chēng)直徑20_，銷(xiāo)孔1.2直徑為16mm，頂絲孔1.3的螺紋公稱(chēng)直徑6mm。
[0020]作為本裝置的優(yōu)選實(shí)施例，測(cè)試臺(tái)I和橫梁3的材料均為不銹鋼。
[0021]使用時(shí)，裝置調(diào)零如圖5所示，步驟為:①將測(cè)試環(huán)的螺紋柱部分旋入測(cè)試臺(tái)的螺紋孔；②調(diào)整橫梁，目測(cè)使千分表表頭鋼柱與測(cè)試環(huán)圓柱形凸臺(tái)表面接觸上，千分表表盤(pán)正面面向操作者，方便操作者讀數(shù)；③固定活動(dòng)支架和橫梁以及千分表；④順時(shí)針或逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)測(cè)試環(huán)至千分表指針置零點(diǎn)；⑤用螺桿固定測(cè)試環(huán)；⑥調(diào)零校準(zhǔn)完成。
[0022]厚度校準(zhǔn)如圖4所示，校準(zhǔn)步驟為:①裝置調(diào)零校準(zhǔn)；②提起千分表表頭；③放入需標(biāo)準(zhǔn)厚度的樣片；④放下千分表表頭；⑤讀數(shù)并記錄；?提起表頭并取出樣片；?千分表示數(shù)若與樣片的實(shí)際片厚無(wú)誤差則校準(zhǔn)完成，如與樣片的實(shí)際片厚偏差較大，則重新進(jìn)行零點(diǎn)校準(zhǔn)或更換千分表。
[0023]厚度校準(zhǔn)完成后即可開(kāi)始測(cè)量單晶片，測(cè)量方法與厚度校準(zhǔn)方法基本相同。其步驟為:①裝置調(diào)零校準(zhǔn)；②提起千分表表頭；③放入被測(cè)單晶片；④放下千分表表頭；⑤讀數(shù)并記錄；⑥提起表頭并取出被測(cè)單晶片。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于單晶片厚度測(cè)量裝置，其特征在于，包括測(cè)試臺(tái)(1)、測(cè)試環(huán)(2)、橫梁(3)和千分表(4)，測(cè)試臺(tái)(I)一側(cè)向上設(shè)有螺紋孔(1.1)，螺紋孔(1.1)的下側(cè)為銷(xiāo)孔(1.2)，銷(xiāo)孔(1.2)的側(cè)壁上設(shè)有頂絲孔(1.3)，測(cè)試臺(tái)(I)的另一側(cè)設(shè)有支架(1.4)，測(cè)試環(huán)(2)的上端面中心位置設(shè)有圓柱形凸臺(tái)(2.1)，用于放置被測(cè)單晶片，測(cè)試環(huán)(2)的底部中心位置設(shè)有螺紋柱(2.2)和圓柱(2.3)，測(cè)試環(huán)(2)通過(guò)螺紋柱(2.2)旋入螺紋孔(1.1)內(nèi)，并通過(guò)螺桿旋入頂絲孔(1.3)頂住圓柱(2.3)進(jìn)行鎖定，支架(1.4)與橫梁(3)的一端通過(guò)頂絲活動(dòng)連接，橫梁(3)的另一端固定所述的千分表(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于單晶片厚度測(cè)量裝置，其特征在于，測(cè)試環(huán)(2)上設(shè)有扇形缺口(2.4)，由PVDF材料制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于單晶片厚度測(cè)量裝置，其特征在于，測(cè)試環(huán)(2)上的圓柱形凸臺(tái)(2.1)的直徑為20mm，高度為1mm，上表面的粗糙度為1.2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于單晶片厚度測(cè)量裝置，其特征在于，橫梁(3)的長(zhǎng)度為橫梁(3)與支架(1.4)連接處至測(cè)試環(huán)(2)上的圓柱形凸臺(tái)(2.1)中心的距離。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于單晶片厚度測(cè)量裝置，其特征在于，測(cè)試臺(tái)(I)的螺紋孔(1.0的螺紋公稱(chēng)直徑20mm，銷(xiāo)孔(1.2)直徑為16mm，頂絲孔(1.3)的螺紋公稱(chēng)直徑6mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于單晶片厚度測(cè)量裝置，其特征在于，測(cè)試臺(tái)(I)和橫梁(3)的材料均為不銹鋼。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型涉及一種用于單晶片厚度測(cè)量裝置，該裝置包括測(cè)試臺(tái)、測(cè)試環(huán)、橫梁和千分表；測(cè)試臺(tái)一側(cè)向上設(shè)有螺紋孔，螺紋孔的下側(cè)為銷(xiāo)孔，銷(xiāo)孔的側(cè)壁上設(shè)有頂絲孔，測(cè)試臺(tái)的另一側(cè)設(shè)有支架，測(cè)試環(huán)的上端面中心位置設(shè)有圓柱形凸臺(tái)用于放置被測(cè)單晶片，測(cè)試環(huán)的底部中心位置設(shè)有螺紋柱和銷(xiāo)柱，測(cè)試環(huán)通過(guò)螺紋柱旋入螺紋孔內(nèi)，并通過(guò)螺桿旋入頂絲孔頂住銷(xiāo)柱進(jìn)行鎖定，支架與橫梁的一端通過(guò)頂絲活動(dòng)連接，橫梁的另一端固定千分表。本實(shí)用新型具有的優(yōu)點(diǎn)和有益效果是：結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于操作，可測(cè)試單晶片的厚度范圍為120μm—5000μm，直徑范圍為2—12英寸，且不損壞單晶片。
【IPC分類(lèi)】G01B5-06
【公開(kāi)號(hào)】CN204269033
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420757706
【發(fā)明人】唐文虎, 楊洪星, 劉春香, 王云彪, 陳晨, 趙 權(quán)
【申請(qǐng)人】中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
【公開(kāi)日】2015年4月15日
【申請(qǐng)日】2014年12月7日