一種確定芯片管腳驅(qū)動(dòng)電流的方法、設(shè)備及芯片的制作方法
【專利摘要】一種確定芯片管腳驅(qū)動(dòng)電流的方法、設(shè)備及芯片，用于給芯片確定適宜的驅(qū)動(dòng)電流。該確定芯片管腳驅(qū)動(dòng)電流的方法包括如下步驟：檢測該芯片的工藝參數(shù)；獲得該芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電壓；獲得工藝參數(shù)、驅(qū)動(dòng)電壓與驅(qū)動(dòng)電流的第一映射；根據(jù)該第一映射確定與該芯片的工藝參數(shù)以及該芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電壓對應(yīng)的第一驅(qū)動(dòng)電流，并確定該芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電流為該第一驅(qū)動(dòng)電流。
【專利說明】
一種確定芯片管腳驅(qū)動(dòng)電流的方法、設(shè)備及芯片
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，特別涉及一種確定芯片管腳驅(qū)動(dòng)電流的方法、設(shè)備及芯 片。
【背景技術(shù)】
[0002] 芯片的工藝偏差導(dǎo)致同樣配置下芯片管腳的驅(qū)動(dòng)能力差異較大，例如，在根據(jù)工 藝角（英文:Process Corner)將芯片分為SS、TT、FF等不同類型時(shí)，在相同的驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū) 動(dòng)電壓下，F(xiàn)F芯片管腳的驅(qū)動(dòng)能力最強(qiáng)，TT芯片管腳的驅(qū)動(dòng)能力次之，SS芯片管腳的驅(qū)動(dòng)能 力最弱。
[0003] 目前，芯片制造者為了保證驅(qū)動(dòng)能力較弱的芯片管腳的驅(qū)動(dòng)能力，一般基于ss芯 片發(fā)布芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電流，但是，基于SS芯片管腳驅(qū)動(dòng)能力發(fā)布的驅(qū)動(dòng)電流會使得TT芯 片和FF芯片管腳的驅(qū)動(dòng)能力過高，不僅會導(dǎo)致TT芯片和FF芯片功耗增加，還會造成TT芯片 和FF芯片管腳的信號質(zhì)量劣化。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004] 本申請?zhí)峁┮环N確定芯片管腳驅(qū)動(dòng)電流的方法、設(shè)備及芯片，用于給芯片確定適 宜的驅(qū)動(dòng)電流。
[0005] 第一方面，本申請實(shí)施例提供一種確定芯片管腳驅(qū)動(dòng)電流的方法，包括:檢測所述 芯片的工藝參數(shù)，工藝參數(shù)可以為芯片的工藝角(英文:process corner)類型;獲得所述芯 片管腳的驅(qū)動(dòng)電壓;獲得工藝參數(shù)、驅(qū)動(dòng)電壓與驅(qū)動(dòng)電流的第一映射;根據(jù)所述第一映射確 定與所述芯片的工藝參數(shù)以及所述芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電壓對應(yīng)的第一驅(qū)動(dòng)電流，并將所述第 一驅(qū)動(dòng)電流作為所述芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電流。上述步驟可以由芯片自身執(zhí)行，如由芯片內(nèi)部 的專用集成電路（英文〖application specific integrated circuit，ASIC)執(zhí)行上述步 驟，或者，由芯片內(nèi)部的中央處理器(英文：central processing unit，CPU)來執(zhí)行上述步 驟；另外，上述步驟也可以由與芯片進(jìn)行通信的外部器件執(zhí)行。上述方案中，由于該第一映 射為根據(jù)大量的仿真結(jié)果或?qū)嶒?yàn)結(jié)果所確定的每一種工藝參數(shù)、驅(qū)動(dòng)電壓組合下適宜的驅(qū) 動(dòng)電流，該驅(qū)動(dòng)電流能夠兼顧芯片管腳的驅(qū)動(dòng)能力以及芯片管腳的信號質(zhì)量，提高芯片的 整體性能。
[0006] 在一種可選的實(shí)現(xiàn)中，通過檢測所述芯片的時(shí)序特性，根據(jù)檢測的所述時(shí)序特性 確定所述芯片的工藝參數(shù)。
[0007] 在一種可選的實(shí)現(xiàn)中，在所述確定所述芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電流為所述第一驅(qū)動(dòng)電流 之后，將所述第一驅(qū)動(dòng)電流寫入所述芯片的存儲單元，以便在芯片下一次啟動(dòng)時(shí)，芯片能夠 讀取該存儲單元中存儲的第一驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而將自身的驅(qū)動(dòng)電流配置為該第一驅(qū)動(dòng)電流， 而不用再一次執(zhí)行步驟101至步驟103,減少芯片確定自身驅(qū)動(dòng)電流的時(shí)間，使芯片能夠快 速啟動(dòng)。
[0008] 在一種可選的實(shí)現(xiàn)中，在所述芯片工作時(shí)，獲得所述芯片的工作溫度;獲得工藝參 數(shù)、驅(qū)動(dòng)電壓、工作溫度與驅(qū)動(dòng)電流的第二映射;根據(jù)所述第二映射確定與所述芯片的工藝 參數(shù)、所述芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電壓以及所述工作溫度對應(yīng)的第二驅(qū)動(dòng)電流;將所述芯片管腳 的驅(qū)動(dòng)電流調(diào)整為所述第二驅(qū)動(dòng)電流。本實(shí)現(xiàn)中芯片能夠獲得自身的溫度，并根據(jù)工藝參 數(shù)、驅(qū)動(dòng)電壓、工作溫度與驅(qū)動(dòng)電流的第二映射，確定出芯片當(dāng)前工作條件下適宜的驅(qū)動(dòng)電 流，保證芯片具有較佳的性能。
[0009] 第二方面，本申請實(shí)施例提供一種確定芯片管腳驅(qū)動(dòng)電流的設(shè)備，該設(shè)備用于執(zhí) 行上述第一方面或第一方面的任意可能的實(shí)現(xiàn)中的方法。具體的，該定位設(shè)備包括用于執(zhí) 行上述第一方面或第一方面的任意可能的實(shí)現(xiàn)中的方法的模塊。
[0010] 第三方面，本申請實(shí)施例提供一種芯片，該芯片用于執(zhí)行上述第一方面或第一方 面的任意可能的實(shí)現(xiàn)中的方法。具體的，該芯片包括工藝參數(shù)檢測單元、接口、存儲單元以 及處理單元，該工藝參數(shù)檢測單元用于檢測芯片的工藝參數(shù)，該接口用于從外部存儲器獲 得工藝參數(shù)、驅(qū)動(dòng)電壓與驅(qū)動(dòng)電流的第一映射，該存儲單元用于存儲芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電壓 以及接口獲得的第一映射，該處理單元用于通過接口、存儲單元以及工藝參數(shù)檢測單元執(zhí) 行上述第一方面或第一方面的任意可能的實(shí)現(xiàn)中的方法。
[0011] 第四方面，本申請實(shí)施例提供一種確定芯片管腳驅(qū)動(dòng)電流的設(shè)備，該設(shè)備用于執(zhí) 行上述第一方面或第一方面的任意可能的實(shí)現(xiàn)中的方法。具體的，該設(shè)備包括:處理單元、 存儲單元以及接口。其中，存儲單元用于存儲指令;接口用于連接芯片，實(shí)現(xiàn)設(shè)備與芯片的 通信。處理單元用于通過接口以及存儲單元執(zhí)行上述第一方面或第一方面的任意可能的實(shí) 現(xiàn)中的方法。
[0012] 第五方面，本申請?zhí)峁┝艘环N計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，用于存儲計(jì)算機(jī)程序，該計(jì)算機(jī)程 序包括用于執(zhí)行第一方面或第一方面的任意可能的實(shí)現(xiàn)中的方法的指令。
[0013] 本申請?jiān)谏鲜龈鞣矫嫣峁┑膶?shí)現(xiàn)的基礎(chǔ)上，還可以進(jìn)行進(jìn)一步組合以提供更多實(shí) 現(xiàn)。
【附圖說明】
[0014] 為了更清楚地說明本申請實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使 用的附圖作簡要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實(shí)施例，對于本 領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其 他的附圖。
[0015] 圖1為本申請實(shí)施例1中確定芯片管腳驅(qū)動(dòng)電流方法的流程示意圖；
[0016] 圖2為本申請實(shí)施例1中確定芯片管腳驅(qū)動(dòng)電流方法的另一流程示意圖；
[0017] 圖3為本申請實(shí)施例2中外部器件與芯片的連接關(guān)系的示意圖；
[0018] 圖4為本申請實(shí)施例3中確定芯片管腳驅(qū)動(dòng)電流設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019] 圖5為本申請實(shí)施例4中芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020] 圖6為本申請實(shí)施例5中確定芯片管腳驅(qū)動(dòng)電流設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021] 下面通過附圖以及具體實(shí)施例對本申請技術(shù)方案做詳細(xì)的說明，應(yīng)當(dāng)理解本申請 實(shí)施例以及實(shí)施例中的具體特征是對本申請技術(shù)方案的詳細(xì)的說明，而不是對本申請技術(shù) 方案的限定，在不沖突的情況下，本申請實(shí)施例以及實(shí)施例中的技術(shù)特征可以相互組合。
[0022] 在制造芯片時(shí)，不同批次的芯片之間不可避免地存在工藝偏差，且同一批次的芯 片之間也同樣存在工藝偏差，工藝偏差將導(dǎo)致芯片性能偏差，例如，在相同驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng) 電壓下芯片管腳的驅(qū)動(dòng)能力不同。
[0023] 通常，芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電壓是給定的，為了保證所有芯片都有足夠的驅(qū)動(dòng)能力，芯 片制造者基于驅(qū)動(dòng)能力較差的芯片提供指導(dǎo)驅(qū)動(dòng)電流，但是，在該指導(dǎo)驅(qū)動(dòng)電流下，驅(qū)動(dòng)能 力較強(qiáng)的芯片管腳的驅(qū)動(dòng)能力會過大，不僅增加功耗，還會導(dǎo)致芯片管腳的信號質(zhì)量劣化， 例如，驅(qū)動(dòng)電流過大時(shí)，芯片管腳信號的信號完整性(英文:signal integrity，SI)變差，且 芯片的輸入/輸出（英文：input/output，10)接口的電磁干擾（英文：electro magnetic interf erence，EMI)增強(qiáng)。
[0024] 實(shí)施例1
[0025]圖1為本申請實(shí)施例1提供的確定芯片管腳驅(qū)動(dòng)電流的方法，該方法由該芯片自身 執(zhí)行，包括如下步驟：
[0026] 步驟101:檢測芯片的工藝參數(shù)；
[0027]具體的，芯片的工藝參數(shù)用于表征芯片的工藝偏差水平，工藝參數(shù)可以有多種實(shí) 現(xiàn)方式。例如，工藝參數(shù)可以為工藝角（英文:process corner)類型，在3工藝角模型中，芯 片被分為TT、FF、SS三類，其中，TT指的是N型場效應(yīng)晶體管的典型工藝角和P型場效應(yīng)晶體 管的典型工藝角（英文：NFET_Typical corner&PFET-Typical corner)，F(xiàn)F指的是N型場效 應(yīng)晶體管的快工藝角和P型場效應(yīng)晶體管的快工藝角(英文:NFET-Fast corner&PFET-Fast corner )，SS指的是N型場效應(yīng)晶體管的慢工藝角和P型場效應(yīng)晶體管的慢工藝角（英文： NFET-Slow corner&PFET-Slow corner)。
[0028]具體實(shí)施時(shí)，工藝角類型不限于上述3工藝角模型中的三種，還可以為其他模型中 定義的各種工藝角，如5工藝角模型中定義的5種工藝角。且上述工藝參數(shù)也可以通過工藝 角類型之外的方式實(shí)現(xiàn)，工藝參數(shù)只要是能夠反映芯片工藝偏差水平的參數(shù)均可。
[0029] 由于不同工藝偏差水平的芯片的性能有偏差，所以，本申請實(shí)施例中可以通過對 芯片的性能進(jìn)行測試，根據(jù)測得的芯片性能屬于哪一個(gè)范圍確定芯片的工藝參數(shù)。
[0030] 例如，通過芯片內(nèi)部的測試時(shí)序特性的電路測試芯片的時(shí)序特性，根據(jù)測試獲得 的時(shí)序參數(shù)(例如，時(shí)延)確定芯片的工藝角為FF、TT還是SS。
[0031] 上述通過測試芯片的時(shí)序特性確定芯片的工藝參數(shù)，只是檢測芯片的工藝參數(shù)的 一種方式，實(shí)際情況中，還可以通過檢測能夠表征芯片快慢的其他參數(shù)(例如，晶體管的載 流子迀移速度)來確定芯片的工藝參數(shù)，本申請實(shí)施例不再一一舉例說明。
[0032]本申請實(shí)施例中，步驟101可以由芯片中的處理模塊執(zhí)行，如該處理模塊為中央處 理器(英文:central processing unit，CPU)，該CPU通過讀取芯片的存儲單元中的指令來 執(zhí)行上述步驟101。在另一種可能的實(shí)現(xiàn)中，步驟101由芯片中的用于檢測工藝參數(shù)的硬件 模塊來執(zhí)行，該硬件模塊中固化有執(zhí)行步驟101的指令。
[0033]步驟102:獲得芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電壓。
[0034]具體的，步驟102可以由芯片中的CPU執(zhí)行，也可以由芯片中的其他類型的集成電 路來執(zhí)行，如芯片中的專用集成電路(英文〖application specific integrated circuit， ASIC)。CPU或ASIC獲得驅(qū)動(dòng)電壓的方式包括但不限于：
[0035] 其一，芯片的存儲單元中存儲有芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電壓的數(shù)值，CPU或ASIC可以從該 存儲單元中讀取驅(qū)動(dòng)電壓的數(shù)值。
[0036] 其二，與其一的區(qū)別在于，該驅(qū)動(dòng)電壓的數(shù)值存儲在與該芯片相連的外部存儲單 元中，芯片中的CPU或ASIC通過與該外部存儲單元相連的接口從該外部存儲單元中讀取驅(qū) 動(dòng)電壓的數(shù)值。
[0037]其三，芯片的CPU或ASIC直接檢測芯片被施加的驅(qū)動(dòng)電壓，進(jìn)而確定芯片管腳的驅(qū) 動(dòng)電壓的數(shù)值。
[0038] 步驟103:獲得工藝參數(shù)、驅(qū)動(dòng)電壓與驅(qū)動(dòng)電流的第一映射。
[0039] 具體的，該第一映射為各種工藝參數(shù)、驅(qū)動(dòng)電壓的可能組合與該組合下適宜的驅(qū) 動(dòng)電流的映射，表1為第一映射的一種可能實(shí)現(xiàn)方式的不意。
[0041] 表1
[0042] 該第一映射可以由芯片制造商根據(jù)仿真結(jié)果或?qū)嶒?yàn)結(jié)果確定，也可以由使用該芯 片的工程師根據(jù)仿真結(jié)果或?qū)嶒?yàn)結(jié)果確定。
[0043]另外，該第一映射可以存儲在與芯片連接的外部存儲單元中，芯片的CPU或ASIC通 過與該外部存儲單元相連的接口讀取該第一映射。該第一映射也可以存儲在芯片內(nèi)部的存 儲單元中，芯片的CPU或ASIC從內(nèi)部存儲單元讀取該第一映射。
[0044] 步驟104:根據(jù)第一映射確定與芯片的工藝參數(shù)以及芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電壓對應(yīng)的 第一驅(qū)動(dòng)電流，并確定芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電流為第一驅(qū)動(dòng)電流。
[0045] 具體的，在獲得芯片的工藝參數(shù)、驅(qū)動(dòng)電壓之后，芯片的CPU或ASIC可以根據(jù)第一 映射確定與芯片的工藝參數(shù)以及驅(qū)動(dòng)電壓對應(yīng)的第一驅(qū)動(dòng)電流。
[0046] 上述技術(shù)方案中，芯片能夠檢測自身的工藝參數(shù)以及驅(qū)動(dòng)電壓，并獲得工藝參數(shù)、 驅(qū)動(dòng)電壓與驅(qū)動(dòng)電流的第一映射，根據(jù)該第一映射確定與芯片的工藝參數(shù)、驅(qū)動(dòng)電壓對應(yīng) 的驅(qū)動(dòng)電流。由于該第一映射為根據(jù)大量的仿真結(jié)果或?qū)嶒?yàn)結(jié)果所確定的每一種工藝參 數(shù)、驅(qū)動(dòng)電壓組合下適宜的驅(qū)動(dòng)電流，該驅(qū)動(dòng)電流能夠兼顧芯片管腳的驅(qū)動(dòng)能力以及SI、 EMI等性能，能夠提高芯片的整體性能。
[0047]另外，由于芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電流不適宜，導(dǎo)致SI以及EMI偏大，本申請之前的現(xiàn)有 技術(shù)中需要為該芯片進(jìn)行單板匹配，如在芯片中串聯(lián)電阻，以改善芯片管腳的信號質(zhì)量，但 是對芯片額外進(jìn)行的單板匹配不僅會增加芯片的成本，還會增加芯片的體積，降低集成度。 而本申請實(shí)施例中，由于芯片管腳可以被配置適宜的驅(qū)動(dòng)電流，兼顧芯片管腳的驅(qū)動(dòng)能力 以及信號質(zhì)量，所以，芯片可以減少單板匹配所用的元器件，或者，不用進(jìn)行單板匹配，進(jìn)而 降低芯片的成本，減小芯片的體積，提高集成度。
[0048] 在一種可能的實(shí)現(xiàn)中，在步驟104之后，還包括步驟105:
[0049] 將第一驅(qū)動(dòng)電流寫入芯片的存儲單元，以使芯片從存儲單元讀取作為芯片管腳驅(qū) 動(dòng)電流的第一驅(qū)動(dòng)電流。
[0050] 具體的，芯片的CPU或ASIC在確定芯片的適宜的驅(qū)動(dòng)電流的數(shù)值后，可以將芯片管 腳的驅(qū)動(dòng)電流配置為步驟103中確定出的驅(qū)動(dòng)電流數(shù)值。不僅如此，芯片的CPU或ASIC還可 以將步驟103中確定出的驅(qū)動(dòng)電流數(shù)值寫入芯片的內(nèi)部存儲單元，以便在芯片下一次啟動(dòng) 時(shí)，芯片能夠讀取該內(nèi)部存儲單元中存儲的驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而將自身的驅(qū)動(dòng)電流配置為該數(shù) 值，而不用再一次執(zhí)行步驟101至步驟104,減少芯片確定自身驅(qū)動(dòng)電流的時(shí)間，使芯片能夠 快速啟動(dòng)。
[0051] 在一種可能的實(shí)現(xiàn)中，芯片在運(yùn)行的過程中，還可以根據(jù)自身的溫度調(diào)整驅(qū)動(dòng)電 流。參照圖2,芯片根據(jù)溫度調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電流的方法包括如下步驟：
[0052]步驟106:在芯片工作時(shí)，獲得芯片的工作溫度。
[0053]具體的，芯片的工作溫度可以由檢測工作溫度的元器件檢測得到，該元器件可以 為芯片內(nèi)部的元器件，也可以為與芯片能夠進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐獠康脑骷?，芯片的CPU與 ASIC從該元器件中獲取芯片的溫度。
[0054] 步驟107:獲得工藝參數(shù)、驅(qū)動(dòng)電壓、工作溫度與驅(qū)動(dòng)電流的第二映射。
[0055]具體的，芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電流除了跟芯片的工藝參數(shù)以及驅(qū)動(dòng)電流相關(guān)之外，還 與芯片的溫度相關(guān)。該第二映射即為每一種工藝參數(shù)、驅(qū)動(dòng)電壓、芯片溫度的可能組合與該 組合下適宜的驅(qū)動(dòng)電流的映射關(guān)系。該第二映射可以由芯片制造商根據(jù)仿真結(jié)果或?qū)嶒?yàn)結(jié) 果確定，也可以由使用該芯片的工程師根據(jù)仿真結(jié)果或?qū)嶒?yàn)結(jié)果確定。
[0056]另外，該第二映射可以存儲在與芯片連接的外部存儲單元中，芯片的CPU或ASIC通 過與該外部存儲單元相連的接口讀取該第二映射。該第二映射也可以存儲在芯片內(nèi)部的存 儲單元中，芯片的CPU或ASIC從內(nèi)部存儲單元讀取該第二映射。
[0057]步驟108:根據(jù)第二映射確定與芯片的工藝參數(shù)、芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電壓以及工作溫 度對應(yīng)的第二驅(qū)動(dòng)電流。
[0058]步驟109:將芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電流調(diào)整為第二驅(qū)動(dòng)電流。
[0059] 上述步驟107、108均可以由芯片的CPU或ASIC執(zhí)行。上述技術(shù)方案中，芯片能夠獲 得自身的溫度，并根據(jù)工藝參數(shù)、驅(qū)動(dòng)電壓、工作溫度與驅(qū)動(dòng)電流的第二映射，確定出芯片 當(dāng)前工作條件下適宜的驅(qū)動(dòng)電流，保證芯片具有較佳的驅(qū)動(dòng)能力以及SI、EMI等性能。
[0060] 可選的，芯片每個(gè)設(shè)定時(shí)間就根據(jù)上述步驟105至步驟108更新自身的驅(qū)動(dòng)電流， 使得芯片始終具有較佳的性能。
[0061 ] 實(shí)施例2
[0062]參照圖3,與實(shí)施例1的不同之處在于，實(shí)施例2中由與芯片201相連的外部器件202 確定芯片201的工作溫度，該外部器件可以為另一芯片，例如，設(shè)備中包括多個(gè)芯片，其中有 一個(gè)芯片用于為設(shè)備中的其他芯片配置驅(qū)動(dòng)電流。該外部器件也可以為與芯片201相連的 固化有指令的硬件模塊，該硬件模塊通過執(zhí)行固化的指令，實(shí)現(xiàn)確定設(shè)備中芯片201的驅(qū)動(dòng) 電流。
[0063]首先，該外部器件202獲得芯片201的工藝參數(shù)，該工藝參數(shù)可以由該外部器件202 自己對芯片201的性能進(jìn)行檢測獲得，也可以由芯片201自己檢測獲得，該外部器件202從該 芯片201中讀取芯片檢測的工藝參數(shù)。檢測工藝參數(shù)的具體實(shí)現(xiàn)方式請參照實(shí)施例1，在此 不再重復(fù)。
[0064]然后，該外部器件202獲得芯片201的驅(qū)動(dòng)電壓，獲得方式包括但不限于：從芯片 201的內(nèi)部存儲單元中讀取芯片201的驅(qū)動(dòng)電壓;或者，從芯片201外部的存儲單元(包括外 部器件自身的存儲單元)中讀取該驅(qū)動(dòng)電壓;或者，檢測芯片201被施加的驅(qū)動(dòng)電壓。
[0065]然后，該外部器件獲得第一映射，獲得的方式包括但不限于:從芯片201內(nèi)部的存 儲單元讀取該第一映射;或者，從芯片201外部的存儲單元(包括外部器件自身的存儲單元） 中讀取該第一映射。
[0066]然后，該外部器件202確定第一映射中與芯片201的工藝參數(shù)、驅(qū)動(dòng)電壓對應(yīng)的驅(qū) 動(dòng)電流的數(shù)值，將確定的驅(qū)動(dòng)電流作為芯片201的驅(qū)動(dòng)電流。
[0067]可選的，該外部器件202在確定芯片201的驅(qū)動(dòng)電流后，將確定出的驅(qū)動(dòng)電流寫入 芯片201的內(nèi)部存儲單元，以便芯片201在下一次啟動(dòng)時(shí)能夠從內(nèi)部存儲單元讀取驅(qū)動(dòng)電流 的數(shù)值，根據(jù)讀取的數(shù)值配置自身的驅(qū)動(dòng)電流。
[0068]可選的，該外部器件202還可以在芯片運(yùn)行的過程中，獲得芯片201的溫度，然后， 根據(jù)預(yù)存的工藝參數(shù)、驅(qū)動(dòng)電壓、工作溫度與驅(qū)動(dòng)電流的第二映射確定當(dāng)前工作條件下芯 片201適宜的驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而將芯片201的驅(qū)動(dòng)電流調(diào)整為根據(jù)溫度重新確定的驅(qū)動(dòng)電流， 以使芯片具有較佳的性能。
[0069] 實(shí)施例3
[0070] 參照圖4,本申請實(shí)施例3提供一種確定芯片管腳驅(qū)動(dòng)電流的設(shè)備，包括：
[0071] 檢測模塊301，用于檢測芯片的工藝參數(shù)；
[0072]獲得模塊302,用于獲得芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電壓以及工藝參數(shù)、驅(qū)動(dòng)電壓與驅(qū)動(dòng)電流 的第一映射；
[0073]確定模塊303,用于根據(jù)第一映射確定與芯片的工藝參數(shù)以及芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電 壓對應(yīng)的第一驅(qū)動(dòng)電流，并確定芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電流為第一驅(qū)動(dòng)電流。
[0074]可選的，檢測模塊301具體用于：
[0075]檢測芯片的時(shí)序特性，根據(jù)檢測的時(shí)序特性確定芯片的工藝參數(shù)。
[0076] 可選的，設(shè)備還包括：
[0077]保存單元304,用于將第一確定模塊確定的第一驅(qū)動(dòng)電流寫入芯片的存儲單元，以 使芯片從存儲單元讀取作為驅(qū)動(dòng)電流的第一驅(qū)動(dòng)電流。
[0078]可選的，獲得模塊302還用于:在芯片工作時(shí)，獲得芯片的工作溫度；以及獲得工藝 參數(shù)、驅(qū)動(dòng)電壓、工作溫度與驅(qū)動(dòng)電流的第二映射；
[0079]確定模塊303,還用于:根據(jù)第二映射確定與芯片的工藝參數(shù)、芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電 壓以及工作溫度對應(yīng)的第二驅(qū)動(dòng)電流；
[0080] 該設(shè)備還包括:調(diào)整模塊305,用于將芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電流調(diào)整為第二驅(qū)動(dòng)電流。
[0081] 以上確定芯片管腳驅(qū)動(dòng)電流的設(shè)備包含的各模塊的實(shí)施方式可以參照實(shí)施例1中 芯片執(zhí)行的對應(yīng)步驟或?qū)嵤├?中外部器件執(zhí)行的對應(yīng)步驟，本申請實(shí)施例不再贅述。
[0082] 實(shí)施例4
[0083] 參照圖5,本申請實(shí)施例4提供一種芯片，該芯片包括：
[0084]工藝參數(shù)檢測單元401，用于檢測芯片的工藝參數(shù)；
[0085]接口 402,用于從外部存儲器獲得工藝參數(shù)、驅(qū)動(dòng)電壓與驅(qū)動(dòng)電流的第一映射； [0086]存儲單元403,用于存儲芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電壓以及接口 402獲得的第一映射；
[0087] 處理單元404,用于從工藝參數(shù)檢測單元401獲得芯片的工藝參數(shù)，從存儲單元獲 得芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電壓以及第一映射，并根據(jù)第一映射確定與芯片的工藝參數(shù)以及芯片管 腳的驅(qū)動(dòng)電壓對應(yīng)的第一驅(qū)動(dòng)電流，并確定芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電流為第一驅(qū)動(dòng)電流。
[0088]可選的，工藝參數(shù)檢測單元401具體用于：
[0089]檢測芯片的時(shí)序特性，根據(jù)檢測的時(shí)序特性確定芯片的工藝參數(shù)。
[0090] 可選的，處理單元404還用于：
[0091]將第一驅(qū)動(dòng)電流寫入存儲單元403,以使芯片能夠從存儲單元讀取第一驅(qū)動(dòng)電流。 [0092] 可選的，芯片還包括；
[0093]溫度確定單元，用于在芯片工作時(shí)，獲得芯片的工作溫度；
[0094]存儲單元403還存儲有工藝參數(shù)、驅(qū)動(dòng)電壓、工作溫度與驅(qū)動(dòng)電流的第二映射； [0095]處理單元404還用于:根據(jù)第二映射確定與芯片的工藝參數(shù)、芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電壓 以及工作溫度對應(yīng)的第二驅(qū)動(dòng)電流;將芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電流調(diào)整為第二驅(qū)動(dòng)電流。
[0096] 上述工藝參數(shù)檢測單元401可以為用于測試時(shí)延的電路，也可以為測試其它能夠 表征芯片快慢的參數(shù)的電路。
[0097]以上接口 402可以為芯片與外部器件進(jìn)行通信的接口，例如系統(tǒng)總線接口。
[0098]以上存儲單元403可以為一個(gè)存儲元件，也可以是多個(gè)存儲元件的統(tǒng)稱。存儲單元 403可以包括隨機(jī)存儲器(英文:random-access memory，RAM)，也可以包括非易失性存儲器 (英文:11011-￥〇1&1：；[16 11161]10^，觀]\〇，例如閃存（英文：；1^1&811(1181〇等。
[0099] 以上處理單元404可以是一個(gè)處理元件，也可以是多個(gè)處理元件的統(tǒng)稱。例如，該 處理單元404可以是CPU，也可以是ASIC，或者是被配置成實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè) 集成電路，例如：一個(gè)或多個(gè)微處理器(英文:digital singnal processor，DSP)，或，一個(gè) 或者多個(gè)現(xiàn)場可編程門陣列（英文:field programmable gate array，F(xiàn)PGA)。
[0100] 實(shí)施例4中芯片包含的各單元所執(zhí)行操作的具體實(shí)現(xiàn)方式可以參照實(shí)施例1中芯 片執(zhí)行的對應(yīng)步驟，本申請實(shí)施例不再贅述。
[0101] 實(shí)施例5
[0102] 參照圖6,本申請實(shí)施例5提供一種確定芯片管腳驅(qū)動(dòng)電流的設(shè)備，包括:處理單元 501、存儲單元502以及接口503。其中，存儲單元502用于存儲指令，該指令用于執(zhí)行實(shí)施例2 中的方法;接口 503，用于連接芯片，使本實(shí)施例5中的設(shè)備與芯片進(jìn)行通信。處理單元501， 分別與存儲單元502以及接口 503耦合，用于執(zhí)行存儲單元502中的指令，使得本申請實(shí)施例 5中的設(shè)備執(zhí)行實(shí)施例2中外部器件所執(zhí)行的步驟，確定芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電流。
[0103] 實(shí)施例5中確定芯片管腳驅(qū)動(dòng)電流的設(shè)備包含的各單元所執(zhí)行操作的具體實(shí)現(xiàn)方 式可以參照實(shí)施例2中外部器件執(zhí)行的對應(yīng)步驟，本申請實(shí)施例不再贅述。
[0104] 本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)明白，本申請的實(shí)施例可提供為方法、系統(tǒng)、或計(jì)算機(jī)程序 產(chǎn)品。因此，本申請可采用完全硬件實(shí)施例、完全軟件實(shí)施例、或結(jié)合軟件和硬件方面的實(shí) 施例的形式。而且，本申請可采用在一個(gè)或多個(gè)其中包含有計(jì)算機(jī)可用程序代碼的計(jì)算機(jī) 可用存儲介質(zhì)（包括但不限于磁盤存儲器、CD-ROM、光學(xué)存儲器等）上實(shí)施的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn) 品的形式。
[0105] 本申請是參照根據(jù)本申請實(shí)施例的方法、設(shè)備（系統(tǒng)）、和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的流程 圖和/或方框圖來描述的。應(yīng)理解可由計(jì)算機(jī)程序指令實(shí)現(xiàn)流程圖和/或方框圖中的每一流 程和/或方框、以及流程圖和/或方框圖中的流程和/或方框的結(jié)合?？商峁┻@些計(jì)算機(jī)程序 指令到通用計(jì)算機(jī)、專用計(jì)算機(jī)、嵌入式處理機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器以產(chǎn) 生一個(gè)機(jī)器，使得通過計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器執(zhí)行的指令產(chǎn)生用于實(shí) 現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能的裝置。
[0106] 顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本申請進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本申請的精 神和范圍。這樣，倘若本申請的這些修改和變型屬于本申請權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍 之內(nèi)，則本申請也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種確定芯片管腳驅(qū)動(dòng)電流的方法，其特征在于，包括： 檢測所述芯片的工藝參數(shù)； 獲得所述芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電壓； 獲得工藝參數(shù)、驅(qū)動(dòng)電壓與驅(qū)動(dòng)電流的第一映射； 根據(jù)所述第一映射確定與所述芯片的工藝參數(shù)以及所述芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電壓對應(yīng)的 第一驅(qū)動(dòng)電流，并確定所述芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電流為所述第一驅(qū)動(dòng)電流。2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述檢測芯片的工藝參數(shù)，包括： 檢測所述芯片的時(shí)序特性，根據(jù)檢測的所述時(shí)序特性確定所述芯片的工藝參數(shù)。3. 如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述確定所述芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電流為 所述第一驅(qū)動(dòng)電流之后，所述方法還包括： 將所述第一驅(qū)動(dòng)電流寫入所述芯片的存儲單元，以使所述芯片從所述存儲單元讀取作 為驅(qū)動(dòng)電流的所述第一驅(qū)動(dòng)電流。4. 如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，還包括； 在所述芯片工作時(shí)，獲得所述芯片的工作溫度； 獲得工藝參數(shù)、驅(qū)動(dòng)電壓、工作溫度與驅(qū)動(dòng)電流的第二映射； 根據(jù)所述第二映射確定與所述芯片的工藝參數(shù)、所述芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電壓以及所述工 作溫度對應(yīng)的第二驅(qū)動(dòng)電流； 將所述芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電流調(diào)整為所述第二驅(qū)動(dòng)電流。5. -種確定芯片管腳驅(qū)動(dòng)電流的設(shè)備，其特征在于，包括： 檢測模塊，用于檢測所述芯片的工藝參數(shù)； 獲得模塊，用于獲得所述芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電壓以及工藝參數(shù)、驅(qū)動(dòng)電壓與驅(qū)動(dòng)電流的 第一映射； 確定模塊，用于根據(jù)所述第一映射確定與所述芯片的工藝參數(shù)以及所述芯片管腳的驅(qū) 動(dòng)電壓對應(yīng)的第一驅(qū)動(dòng)電流，并確定所述芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電流為所述第一驅(qū)動(dòng)電流。6. 如權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其特征在于，所述檢測模塊具體用于： 檢測所述芯片的時(shí)序特性，根據(jù)檢測的所述時(shí)序特性確定所述芯片的工藝參數(shù)。7. 如權(quán)利要求5或6所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備還包括： 保存單元，用于將所述確定模塊確定的所述第一驅(qū)動(dòng)電流寫入所述芯片的存儲單元， 以使所述芯片從所述存儲單元讀取作為驅(qū)動(dòng)電流的所述第一驅(qū)動(dòng)電流。8. 如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于，所述獲得模塊還用于:在所述芯片 工作時(shí)，獲得所述芯片的工作溫度；以及獲得工藝參數(shù)、驅(qū)動(dòng)電壓、工作溫度與驅(qū)動(dòng)電流的 第二映射； 所述確定模塊還用于:根據(jù)所述第二映射確定與所述芯片的工藝參數(shù)、所述芯片管腳 的驅(qū)動(dòng)電壓以及所述工作溫度對應(yīng)的第二驅(qū)動(dòng)電流； 所述設(shè)備還包括：調(diào)整模塊，用于將所述芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電流調(diào)整為所述第二驅(qū)動(dòng)電 流。9. 一種芯片，其特征在于，包括： 工藝參數(shù)檢測單元，用于檢測所述芯片的工藝參數(shù)； 接口，用于從外部存儲器獲得工藝參數(shù)、驅(qū)動(dòng)電壓與驅(qū)動(dòng)電流的第一映射； 存儲單元，用于存儲所述芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電壓以及所述第一映射； 處理單元，用于從所述工藝參數(shù)檢測單元獲得所述芯片的工藝參數(shù)，從所述存儲單元 獲得所述芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電壓以及所述第一映射，并根據(jù)所述第一映射確定與所述芯片的 工藝參數(shù)以及所述芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電壓對應(yīng)的第一驅(qū)動(dòng)電流，并確定所述芯片管腳的驅(qū)動(dòng) 電流為所述第一驅(qū)動(dòng)電流。10. 如權(quán)利要求9所述的芯片，其特征在于，所述工藝參數(shù)檢測單元具體用于： 檢測所述芯片的時(shí)序特性，根據(jù)檢測的所述時(shí)序特性確定所述芯片的工藝參數(shù)。11. 如權(quán)利要求9或10所述的芯片，其特征在于，所述處理單元還用于： 將確定的所述第一驅(qū)動(dòng)電流寫入所述存儲單元，以使所述芯片能夠從所述存儲單元讀 取所述第一驅(qū)動(dòng)電流。12. 如權(quán)利要求9至11任一項(xiàng)所述的芯片，其特征在于，所述芯片還包括； 溫度確定單元，用于在所述芯片工作時(shí)，獲得所述芯片的工作溫度； 所述存儲單元還存儲有工藝參數(shù)、驅(qū)動(dòng)電壓、工作溫度與驅(qū)動(dòng)電流的第二映射； 所述處理單元還用于：根據(jù)所述第二映射確定與所述芯片的工藝參數(shù)、所述芯片管腳 的驅(qū)動(dòng)電壓以及所述工作溫度對應(yīng)的第二驅(qū)動(dòng)電流;將所述芯片管腳的驅(qū)動(dòng)電流調(diào)整為所 述第二驅(qū)動(dòng)電流。
【文檔編號】G01R19/00GK106053919SQ201610369993
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年5月30日
【發(fā)明人】張潛龍, 靳亞東
【申請人】華為技術(shù)有限公司