02系材料只要以Ti02為主成分即可，也可以含有微量的添加物。例 如，作為摻雜劑，含有Nb等的情形也優(yōu)選，通過含有這樣的摻雜劑，能進(jìn)一步降低電阻值，能 謀求響應(yīng)靈敏度的提升。
[0080] 另外，成為濺射的靶材物質(zhì)的Ti〇2燒結(jié)體能利用與上述的ZnO燒結(jié)體同樣的方法、 步驟來制作。
[0081] 此外，在上述實(shí)施方式中，雖然利用濺射法來制作η型半導(dǎo)體層2,但如下情形也優(yōu) 選:在上述的未加工層疊體的主面上層疊被切斷為給定尺寸的ZnO生片或Ti0 2生片來制作 層疊結(jié)構(gòu)體，燒成該層疊結(jié)構(gòu)體，通過共燒結(jié)來形成P型半導(dǎo)體層1和η型半導(dǎo)體層。
[0082] 此外，η型半導(dǎo)體層2使ρ型半導(dǎo)體層1的主面相對(duì)于該η型半導(dǎo)體層2與ρ型半導(dǎo)體 層1的接合區(qū)域充分露出的情形，在提升低濕度時(shí)的響應(yīng)靈敏度上優(yōu)選，因而，η型半導(dǎo)體層 2形成為條狀等的情形也優(yōu)選。
[0083]此外，第1以及第2端子電極3a、3b只要存在上述的露出的部分即可，也可以是覆蓋 η型半導(dǎo)體層2的整體的結(jié)構(gòu)，通過設(shè)為這樣的結(jié)構(gòu)，從而串聯(lián)成分的電阻值減少，能提升響 應(yīng)靈敏度。
[0084] 此外，在上述實(shí)施方式中雖然例示地說明了濕度傳感器，但對(duì)響應(yīng)于水蒸氣以外 的氣體的各種氣體傳感器也同樣能適用，通過適用本發(fā)明的檢測方法，從而能應(yīng)用在各種 氣體的檢測中。
[0085] 接下來，具體說明本發(fā)明的實(shí)施例。
[0086] 實(shí)施例1 [0087](樣本編號(hào)1)
[0088] 〔ZnO燒結(jié)體的制作〕
[0089]稱量成為主成分的ZnO和作為摻雜劑的Al2〇3,使得調(diào)配比的摩爾％分別成為 99 · 99mol %、0 · Olmol %。然后，在這些稱量物中加入純水，將PSZ小球作為粉碎介質(zhì)，在球磨 機(jī)內(nèi)進(jìn)行混合粉碎，得到平均粒徑為0.5μπι以下的漿狀混合物。接下來，將該漿狀混合物脫 水干燥，進(jìn)行造粒使得成為50μπι程度的粒徑，之后在1200°C的溫度下預(yù)燒2個(gè)小時(shí)，得到預(yù) 燒粉末。
[0090]接下來，在如此得到的預(yù)燒粉末中再次加入純水，將PSZ小球作為粉碎介質(zhì)，在球 磨機(jī)內(nèi)進(jìn)行混合粉碎，得到平均粒徑為〇.5μπι的漿狀粉碎物。接下來，在將該漿狀粉碎物脫 水干燥后，加入有機(jī)溶劑以及分散劑進(jìn)行混合，進(jìn)而加入粘合劑以及增塑劑來制作成型用 漿料，使用刮刀法而制作了厚度為20μπι的生片。接下來，將該生片層疊給定片數(shù)，使得厚度 成為20mm，在250MPa的壓力下施予5分鐘壓接處理，得到壓接體。接下來，在將該壓接體脫脂 后，在1200°C的溫度下燒成20個(gè)小時(shí)，得到ZnO燒結(jié)體。
[0091] 〔（Ni，Zn)0 生片的制作〕
[0092] 稱量NiO粉末以及ZnO粉末，使得摩爾比成為Ni:Zn = 7:3,在其中加入純水，將PSZ 小球作為粉碎介質(zhì)，在球磨機(jī)內(nèi)進(jìn)行混合粉碎，得到漿狀混合物。接下來，將該漿狀混合物 脫水干燥，進(jìn)行造粒使得成為50μπι程度的粒徑，之后在1200°C的溫度下預(yù)燒2個(gè)小時(shí)，得到 預(yù)燒粉末。接下來，在如此得到的預(yù)燒粉末中再次加入純水，將PSZ小球作為粉碎介質(zhì)，在球 磨機(jī)內(nèi)進(jìn)行粉碎，得到平均粒徑為〇.5μπι的漿狀粉碎物。接下來，在將該漿狀粉碎物脫水干 燥后，加入有機(jī)溶劑以及分散劑進(jìn)行混合，進(jìn)而加入粘合劑以及增塑劑而制作了成型用漿 料。然后，使用刮刀法，對(duì)該成型用漿料施予成型加工，得到膜厚為1〇μπι的(Ni，Zn)0生片。
[0093]〔內(nèi)部電極形成用膏〕
[0094]將乙基纖維素樹脂和α_萜品醇進(jìn)行混合，使得作為粘合劑樹脂而乙基纖維素樹脂 成為30體積％，作為有機(jī)溶劑而α-萜品醇成為70體積％，制作有機(jī)載體。然后，使Pd粉末與 有機(jī)載體進(jìn)行混合，利用三輥研磨機(jī)混勻，由此制作內(nèi)部電極形成用膏。
[0095]〔未加工層疊體的制作〕
[0096]對(duì)于(Ni，Zn)0生片之中的1片，在表面上進(jìn)行絲網(wǎng)印刷來涂敷內(nèi)部電極形成用膏， 在60°C的溫度下干燥1個(gè)小時(shí)，形成給定圖案的導(dǎo)電膜。
[0097]接下來，層疊20片未形成有導(dǎo)電膜的（Ni，Zn)0生片，依次在其上層疊形成有導(dǎo)電 膜的（Ni，Zn)0生片，進(jìn)而在其上層疊1片未形成有導(dǎo)電膜的（Ni，Zn)0生片。然后，在將它們 以20MPa的壓力壓接后，切斷為2.1_X 1.0_的尺寸，由此制作未加工層疊體。
[0098] 〔p型半導(dǎo)體層的制作〕
[0099]將未加工層疊體在300°C的溫度下充分脫脂后，在1250°C的溫度下燒成5個(gè)小時(shí)， 由此得到P型半導(dǎo)體層。
[0?00] 〔η型半導(dǎo)體層的形成〕
[0101 ]將ΖηΟ燒結(jié)體作為祀材物質(zhì)，使用金屬掩模以覆蓋ρ型半導(dǎo)體層的一個(gè)主面的一部 分，來進(jìn)行濺射，制作具有厚度約0.5μπι的給定圖案的η型半導(dǎo)體層。
[0102] 〔端子電極的制作〕
[0103] 在包含η型半導(dǎo)體層的一個(gè)端部的ρ型半導(dǎo)體層的兩端部涂敷Ag膏并在800°C的溫 度下進(jìn)行燒固處理，制作第1以及第2外部電極。然后，在該第1以及第2外部電極的表面施予 電解鍍來依次形成Ni覆膜以及Sn覆膜，由此制作第1以及第2端子電極，由此得到樣本編號(hào)1 的樣本。
[0104] (樣本編號(hào)2)
[0105] 利用與樣本編號(hào)1的〔ZnO燒結(jié)體的制作〕中敘述的內(nèi)容同樣的方法、步驟來制作厚 度為20μπι的ZnO生片，切斷為給定尺寸。
[0106]接下來，在樣本編號(hào)1所制作的未加工層疊體上層疊ZnO生片，將其在20MPa的壓力 下壓接后，切斷為2. ImmX 1.0mm的尺寸，由此制作層疊結(jié)構(gòu)體。
[0107]然后，將該層疊結(jié)構(gòu)體在300°C的溫度下充分脫脂后，在1250°C的溫度下燒成5個(gè) 小時(shí)，使未加工層疊體和ZnO生片共燒結(jié)，由此在ρ型半導(dǎo)體層上形成了η型半導(dǎo)體層。
[0108] 然后，利用與樣本編號(hào)1同樣的方法、步驟來形成第1以及第2端子電極，由此制作 樣本編號(hào)2的樣本。
[0109] (樣本編號(hào)3)
[0110] 除了對(duì)于η型半導(dǎo)體材料而使用了Ti02燒結(jié)體以外，利用與樣本編號(hào)1同樣的方 法、步驟來制作樣本編號(hào)3的樣本。
[0111] 另外，Ti02燒結(jié)體利用以下的方法來制作。
[0112]首先，稱量成為主成分的Ti02和作為摻雜劑的Nb2〇5，使得調(diào)配比的mol %分別成為 99. Omol %、1. Omol %。然后，在這些稱量物中加入純水，將PSZ小球作為粉碎介質(zhì)，在球磨機(jī) 內(nèi)進(jìn)行混合粉碎，得到平均粒徑為〇.5μπι以下的漿狀混合物。接下來，將該漿狀混合物脫水 干燥，進(jìn)行造粒使得成為50μπι程度的粒徑，之后在1200°C的溫度下預(yù)燒2個(gè)小時(shí)，得到預(yù)燒 粉末。
[0113] 接下來，在如此得到的預(yù)燒粉末中再次加入純水，將PSZ小球作為粉碎介質(zhì)，在球 磨機(jī)內(nèi)進(jìn)行混合粉碎，得到平均粒徑為〇.5μπι的漿狀粉碎物。接下來，在將該漿狀粉碎物脫 水干燥后，加入有機(jī)溶劑以及分散劑進(jìn)行混合，進(jìn)而加入粘合劑以及增塑劑來制作成型用 漿料，使用刮刀法來制作厚度為20μπι的生片。接下來，將該生片層疊給定片數(shù)，使得厚度成 為20mm，在250MPa的壓力下實(shí)予5分鐘壓接處理，得到壓接體。接下來，在將該壓接體脫脂 后，在1200°C的溫度下燒成20個(gè)小時(shí)，得到Ti0 2燒結(jié)體。
[0114] (樣本編號(hào)4)
[0115]使用在樣本編號(hào)3的Ti02燒結(jié)體的制作過程中得到的Ti02生片，將未加工層疊體層 疊在Ti〇2生片上來制作層疊結(jié)構(gòu)體，燒成該層疊結(jié)構(gòu)體，來使未加工層疊體和Ti〇2生片共燒 結(jié)，除此以外利用與樣本編號(hào)2同樣的方法來制作樣本編號(hào)4的樣本。
[0116] (樣本編號(hào)5~8)
[0117] 除了在(Ni，Zn)0生片中相對(duì)于NiO而含有0.1~20mol%的Mn〇4/3以外，利用與樣本 編號(hào)1同樣的方法、步驟來制作樣本編號(hào)5~8的樣本。
[0118] (樣本編號(hào)9~11)
[0119] 除了在(Ni，Zn)0生片中相對(duì)于NiO而含有0.1~5mol%的La03/2以外，利用與樣本 編號(hào)1同樣的方法、步驟來制作樣本編號(hào)9~11的樣本。
[0120] (樣本編號(hào)12~16)
[0121] 除了在（Ni，Zn)0生片中相對(duì)于NiO而各含有0 · lmol % 的PrOn/6、Nd03/2、Sm03/ 2、 Dy 〇3/2、Ε1?3/2以外，利用與樣本編號(hào)1同樣的方法、步驟來制作樣本編號(hào)12~16的樣本。
[0122] (樣本編號(hào)17)
[0123] 除了在(Ni，Ζη)0生片中相對(duì)于NiO而分別各含有0. lmol %的Mn〇4/3、以及La03/2以 外，利用與樣本編號(hào)1同樣的方法、步驟來制作樣本編號(hào)17的樣本。
[0124] (樣本編號(hào)18)
[0125] 除了對(duì)于p型半導(dǎo)體層而使用NiO生片以外，利用與樣本編號(hào)1同樣的方法、步驟來 制作樣本編號(hào)18的樣本。
[0126] 另外，NiO生片利用以下的方法來制作。
[0127] 即，稱量成為主成分的NiO和作為摻雜劑的Li20,使得調(diào)配比的mol %分別成為 99. Omol %、1. Omol %。然后，在該稱量物中加入純水，將PSZ小球作為粉碎介質(zhì)，在球磨機(jī)內(nèi) 進(jìn)行混合粉碎，得到漿狀混合物。接下來，將該漿狀混合物脫水干燥，進(jìn)行造粒使得成為50μ m程度的粒徑，之后在1200°C的溫度下預(yù)燒2個(gè)小時(shí)，得到預(yù)燒粉末。接下來，在如此得到的 預(yù)燒粉末中再次加入純水，將PSZ小球作為粉碎介質(zhì)，在球磨機(jī)內(nèi)進(jìn)行粉碎，得到平均粒徑 為0.5μπι的漿狀粉碎物。接下來，在將該漿狀粉碎物脫水干燥后，加入有機(jī)溶劑以及分散劑 進(jìn)行混合，進(jìn)而加入粘合劑以及增塑劑來制作成型用漿料。然后，使用刮刀法，對(duì)該成型用 漿料施予成型加工，得到膜厚為1〇μπι的NiO生片。
[0128] 〔樣本的評(píng)價(jià)〕
[0129] 如圖3所示，樣本編號(hào)1~18的各樣本均在p型半導(dǎo)體層51埋設(shè)內(nèi)部電極5