專(zhuān)利名稱(chēng)：Ic測(cè)試裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于檢測(cè)半導(dǎo)體集成電路器件(以下簡(jiǎn)稱(chēng)為IC)的IC測(cè)試裝置，特別是涉及優(yōu)化被測(cè)試IC向接觸部的定位精度的IC測(cè)試裝置。
在被稱(chēng)為處理器(handler)的IC測(cè)試裝置中，把裝在托架上的多個(gè)IC運(yùn)送到測(cè)試裝置內(nèi)，使各個(gè)IC與檢測(cè)頭電接觸，來(lái)在IC測(cè)試裝置本體(以下稱(chēng)為測(cè)試器)中進(jìn)行測(cè)試。當(dāng)測(cè)試結(jié)束時(shí)，從檢測(cè)頭移出各個(gè)IC，重新放置在與測(cè)試結(jié)果相對(duì)應(yīng)的托架上，由此，來(lái)進(jìn)行所謂優(yōu)等品和劣等品的種類(lèi)的區(qū)分。
在現(xiàn)有的IC測(cè)試裝置中，用于容納測(cè)試前的IC及容納測(cè)試后的IC的托架(以下稱(chēng)為常規(guī)托架)與在IC測(cè)試裝置內(nèi)進(jìn)行循環(huán)運(yùn)送的托架(以下稱(chēng)為檢測(cè)托架)是不同類(lèi)型的托架，在這種IC測(cè)試裝置中，在測(cè)試前后，在常規(guī)托架與檢測(cè)托架之間進(jìn)行IC的交換放置，在使IC與檢測(cè)頭相接觸來(lái)進(jìn)行檢測(cè)的檢測(cè)工序中，IC在裝載在檢測(cè)托架上的狀態(tài)下被壓到檢測(cè)頭上。
與此相對(duì)，使用加熱板等來(lái)對(duì)容納在常規(guī)托架上的IC施加熱應(yīng)力，然后，用吸附頭一次吸附多個(gè)IC來(lái)輸送到檢測(cè)頭上，進(jìn)行電接觸，這種類(lèi)型是公知的。在這種IC測(cè)試裝置的檢測(cè)工序中，IC在被吸附在吸附頭上的狀態(tài)下被壓在檢測(cè)頭上。
因此，當(dāng)檢測(cè)網(wǎng)格焊球陣列(BGA:Ball Grid Array)型IC時(shí)，檢測(cè)頭104的接觸部，如圖30所示的那樣，由能夠通過(guò)彈簧(未圖示)而伸縮設(shè)置的多個(gè)觸針51所組成，如圖31的B部所示的那樣，在其頂端上形成與被測(cè)試IC的球狀輸入輸出端子(以下稱(chēng)為焊錫球HB)相對(duì)應(yīng)的圓錐狀凹部51a。在現(xiàn)有的IC測(cè)試裝置中，使用IC的封裝組件PM的外周形狀，來(lái)進(jìn)行被測(cè)試IC與觸針51的位置配合。
但是，芯片尺寸封裝(CSP:Chip Size Package)等的封裝組件PM的尺寸精度非常粗糙，則外周形狀與焊錫球HB的位置精度不一定能夠得到保障。因此，當(dāng)在IC封裝組件PM的外周上進(jìn)行定位時(shí)，如圖31的C部所示的那樣，會(huì)在焊錫球HB偏移的狀態(tài)下被壓到觸針51上，就有由觸針51的銳利的頂端對(duì)焊錫球HB產(chǎn)生損傷的危險(xiǎn)。
即使在除芯片尺寸封裝之外的IC中，為了避免由觸針51產(chǎn)生的對(duì)焊錫球HB的損傷，在把被測(cè)試IC壓到檢測(cè)頭的觸針51上之前，用插座來(lái)隔開(kāi)被測(cè)試IC，由此來(lái)進(jìn)行定位，因而會(huì)有IC測(cè)試裝置的移位時(shí)間變長(zhǎng)的問(wèn)題。
鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供一種IC測(cè)試裝置，能夠優(yōu)化被測(cè)試IC向接觸部的定位精度。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的IC測(cè)試裝置把被測(cè)試IC的輸入輸出端子壓到檢測(cè)頭的接觸部上，來(lái)進(jìn)行檢測(cè)，其特征在于，在上述被測(cè)試IC的保持媒體上設(shè)置與上述被測(cè)試IC的輸入輸出端子相接觸來(lái)進(jìn)行定位的導(dǎo)向裝置。
在本發(fā)明的IC測(cè)試裝置中，不對(duì)IC封裝組件進(jìn)行定位，而用導(dǎo)向裝置來(lái)對(duì)壓接到接觸部上的輸入輸出端子本體進(jìn)行定位，因此，在被測(cè)試IC的保持媒體與被測(cè)試IC之間不會(huì)產(chǎn)生誤差，而顯著提高被測(cè)試IC的輸入輸出端子對(duì)接觸部的定位精度。其結(jié)果，不需要在壓到接觸部之前進(jìn)行被測(cè)試IC的位置校正的工序，能夠縮短IC測(cè)試裝置的移位時(shí)間。
在本發(fā)明的保持媒體中包含能夠在把檢測(cè)前的被測(cè)試IC運(yùn)送到檢測(cè)頭的接觸部上期間內(nèi)保持該被測(cè)試IC的全部媒體。
本發(fā)明的IC測(cè)試裝置中，上述保持媒體是用于把上述被測(cè)試IC從上述被測(cè)試IC的裝載部向上述檢測(cè)頭運(yùn)送的檢測(cè)托架，并且，上述保持媒體也可以是用于在把上述被測(cè)試IC壓到上述接觸部之前對(duì)上述被測(cè)試IC施加熱應(yīng)力的加熱板。而且，上述保持媒體還可以是在檢測(cè)室內(nèi)進(jìn)行循環(huán)運(yùn)送的IC載架，是承載被移入上述檢測(cè)室內(nèi)的上述被測(cè)試IC而移送到上述檢測(cè)頭附近的IC載架。不言而喻，在本發(fā)明的IC測(cè)試裝置中，旨在包含除運(yùn)送裝置的吸附頭之外的其他保持媒體。
在本發(fā)明中所使用的被測(cè)試IC并沒(méi)有特別的限制，包含全部類(lèi)型的IC，當(dāng)用于上述被測(cè)試IC的輸入輸出端子是球狀端子即所謂網(wǎng)格焊球陣列型IC時(shí)，效果特別顯著。
本發(fā)明中的導(dǎo)向裝置包括與被測(cè)試IC的輸入輸出端子相接觸來(lái)對(duì)其進(jìn)行定位的功能，其形狀、設(shè)定位置、數(shù)量、材質(zhì)等沒(méi)有特別限制，包含全部的類(lèi)型。
在本發(fā)明的一例IC測(cè)試裝置中，上述導(dǎo)向裝置是與網(wǎng)格焊球陣列型IC的球狀端子相嵌合的孔。在此情況下，可以設(shè)置分別與全部球狀端子相嵌合的孔，或者設(shè)置分別與幾個(gè)球狀端子相嵌合的孔。而且，除了把一個(gè)球狀端子與一個(gè)孔相嵌合的裝置之外，也可以在一個(gè)孔中嵌合一個(gè)球狀端子的一端和另一個(gè)球狀端子的一端。其中所謂的「孔」是指除了貫通保持媒體的貫通孔之外還包含不貫通保持媒體的凹部等的意思。
在本發(fā)明的另一例IC測(cè)試裝置中，上述導(dǎo)向裝置是與兩個(gè)球狀端子之間相嵌合的突起。在此情況下，可以設(shè)置分別與全部球狀端子之間相嵌合的突起，或者設(shè)置分別與幾個(gè)球狀端子之間相嵌合的突起。而且，可以是與三個(gè)以上的球狀端子之間相嵌合的突起。該突起的形狀并沒(méi)有特別限制，可以是能夠與球狀端子之間相嵌合的形狀，但是，如果在其頂端設(shè)置錐形面或者使頂端尺寸減小，可以更好地實(shí)現(xiàn)與球狀端子的順滑嵌合。
在本發(fā)明的又一例IC測(cè)試裝置中，上述導(dǎo)向裝置是與上述球狀端子相接合的錐形面。在此情況下，可以設(shè)置分別與全部球狀端子相接合的錐形面，也可以設(shè)置分別與幾個(gè)球狀端子相接合的錐形面。而且，除了把一個(gè)球狀端子與一個(gè)孔相接合之外，也可以在一個(gè)孔中接合一個(gè)球狀端子的一端和另一個(gè)球狀端子的一端。錐形面的傾斜角度和深度等各種條件并沒(méi)有特別限制。
在本發(fā)明的IC測(cè)試裝置中，包含下列各種IC測(cè)試裝置在把被測(cè)試IC裝載在托架上的狀態(tài)下壓到檢測(cè)頭的接觸部上的IC測(cè)試裝置類(lèi)型和在用吸附頭吸附保持被測(cè)試IC的狀態(tài)下壓到檢測(cè)頭的接觸部上的IC測(cè)試裝置類(lèi)型。
本發(fā)明的這些和其他的目的、優(yōu)點(diǎn)及特征將通過(guò)結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例的描述而得到進(jìn)一步說(shuō)明。在這些附圖中

圖1是表示本發(fā)明的IC測(cè)試裝置的第一實(shí)施例的透視圖；圖2是表示圖1的IC測(cè)試裝置中的被測(cè)試IC的取回方法的托架流程圖；圖3是表示圖1的IC測(cè)試裝置的IC儲(chǔ)料器的構(gòu)造的透視圖；圖4是表示在圖1的IC測(cè)試裝置中所使用的常規(guī)托架的透視圖；圖5是表示在圖1的IC測(cè)試裝置中所使用的檢測(cè)托架的局部透視圖；圖6是表示圖1的檢測(cè)頭中的推出器、插入器(檢測(cè)托架)、插座導(dǎo)向和觸針(插座)的構(gòu)造的分解透視圖；圖7是圖6的斷面圖；圖8是表示在圖1的檢測(cè)頭中推出器下降狀態(tài)的斷面圖；圖9是圖8的A部放大斷面圖；圖10是表示圖9的IC容納部的透視圖；圖11是表示本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的斷面圖(相當(dāng)于圖8的A部的圖)；圖12是表示圖11的裝置導(dǎo)向的透視圖；圖13是表示本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的斷面圖(相當(dāng)于圖8的A部的圖)；圖14是表示圖13的裝置導(dǎo)向的透視圖；圖15是表示本發(fā)明的IC測(cè)試裝置的第二實(shí)施例的透視圖；圖16是表示圖15的加熱板中的被測(cè)試IC的導(dǎo)向裝置的實(shí)施例的斷面圖；圖17是表示圖15的加熱板中的被測(cè)試IC的導(dǎo)向裝置的另一個(gè)實(shí)施例的斷面圖；圖18是表示圖15的加熱板中的被測(cè)試IC的導(dǎo)向裝置的另一個(gè)實(shí)施例的斷面圖；圖19是表示本發(fā)明的IC測(cè)試裝置的第三實(shí)施例的透視圖；圖20是表示圖19的IC測(cè)試裝置中的被測(cè)試IC的取回方法的概念圖；圖21是模式地表示設(shè)在圖19的IC測(cè)試裝置中的移送裝置的平面圖；圖22是用于說(shuō)明在圖19的IC測(cè)試裝置中所使用的IC載架的運(yùn)送路徑的透視圖；圖23是用于說(shuō)明在圖19的IC測(cè)試裝置中所使用的IC載架的運(yùn)送路徑的透視圖；圖24是用于說(shuō)明在圖19的IC測(cè)試裝置的檢測(cè)室中的被測(cè)試IC的檢測(cè)順序的平面圖；圖25是沿著圖21的ⅩⅩⅤ-ⅩⅩⅤ線的斷面圖；圖26是用于說(shuō)明圖19的IC測(cè)試裝置中的被測(cè)試IC的取回方法的相當(dāng)于圖9的斷面圖；圖27是表示圖23的IC載架中的被測(cè)試IC的導(dǎo)向裝置的實(shí)施例的斷面圖；圖28是表示圖23的IC載架中的被測(cè)試IC的導(dǎo)向裝置的另一個(gè)實(shí)施例的斷面圖；圖29是表示圖23的IC載架中的被測(cè)試IC的導(dǎo)向裝置的另一個(gè)實(shí)施例的斷面圖；圖30是表示一般的觸針(插座)的透視圖；圖31是表示IC的球狀端子與觸針的接觸狀態(tài)的主要部分?jǐn)嗝鎴D。
下面根據(jù)附圖來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。
第一實(shí)施例圖1是表示本發(fā)明的IC測(cè)試裝置的第一實(shí)施例的透視圖；圖2是表示被測(cè)試IC的取回方法的托架流程圖；圖3是表示該IC測(cè)試裝置的IC儲(chǔ)料器的構(gòu)造的透視圖；圖4是表示在該IC測(cè)試裝置中所使用的常規(guī)托架的透視圖；圖5是表示在該IC測(cè)試裝置中所使用的檢測(cè)托架的局部透視圖。
圖2是用于理解本實(shí)施例的IC測(cè)試裝置中的被測(cè)試IC的取回方法的圖，實(shí)際上具有平面地表示在上下方向上并排配置的部件的部分。因此，參照?qǐng)D1來(lái)說(shuō)明該機(jī)械的(三維)構(gòu)造。
本實(shí)施例的IC測(cè)試裝置1是檢測(cè)(檢查)在給被測(cè)試IC施加高溫或低溫的溫度應(yīng)力的狀態(tài)下IC是否正常工作并根據(jù)該檢測(cè)結(jié)果對(duì)IC進(jìn)行分類(lèi)的裝置，把被測(cè)試IC從裝載多個(gè)成為檢測(cè)對(duì)象的被測(cè)試IC的托架(以下稱(chēng)為常規(guī)托架KST，參照?qǐng)D4)重新放置到在該IC測(cè)試裝置1內(nèi)進(jìn)行運(yùn)送的檢測(cè)托架TST上(參照?qǐng)D5)，然后實(shí)施在施加了這樣的溫度應(yīng)力的狀態(tài)下的工作檢測(cè)。
由此，如圖1和圖2所示的那樣，本實(shí)施例的IC測(cè)試裝置1包括IC存儲(chǔ)部200，存儲(chǔ)從此進(jìn)行檢測(cè)的被測(cè)試IC，并且，對(duì)檢測(cè)后的IC進(jìn)行分類(lèi)放置；裝載部300，把從IC存儲(chǔ)部200所送來(lái)的被測(cè)試IC送入檢測(cè)室部100；檢測(cè)室部100，包含檢測(cè)頭；卸載部400，把在檢測(cè)室部100中進(jìn)行了檢測(cè)的檢測(cè)后的IC進(jìn)行分類(lèi)并取出。
IC存儲(chǔ)部200在IC存儲(chǔ)部200中設(shè)置存儲(chǔ)檢測(cè)前的被測(cè)試IC的檢測(cè)前IC儲(chǔ)料器201和存儲(chǔ)根據(jù)檢測(cè)結(jié)果所分類(lèi)的被測(cè)試IC的檢測(cè)后IC儲(chǔ)料器202。
如圖3所示的那樣，這些檢測(cè)前IC儲(chǔ)料器201和檢測(cè)后IC儲(chǔ)料器202包括框狀的托架支承框203和能夠從該托架支承框203的下部進(jìn)入并向著上部升降的升降器204。在托架支承框203上層疊支承多個(gè)常規(guī)托架KST，由升降器204使該層疊的常規(guī)托架KST上下移動(dòng)。
接著，在檢測(cè)前IC儲(chǔ)料器201中層疊保持著在此進(jìn)行檢測(cè)的被測(cè)試IC所放置的常規(guī)托架KST，另一方面，在檢測(cè)后IC儲(chǔ)料器202中層疊保持著把完成檢測(cè)后的被測(cè)試IC進(jìn)行適當(dāng)分類(lèi)的常規(guī)托架KST。
這些檢測(cè)前IC儲(chǔ)料器201和檢測(cè)后IC儲(chǔ)料器202具有相同的構(gòu)造，因此，可以根據(jù)各自需要的數(shù)量來(lái)適當(dāng)設(shè)置檢測(cè)前IC儲(chǔ)料器201和檢測(cè)后IC儲(chǔ)料器202。
在圖1和圖2所示的例子中，在檢測(cè)前IC儲(chǔ)料器201中設(shè)置兩個(gè)儲(chǔ)料器STK-B，并且與其相鄰設(shè)置兩個(gè)被送入卸載部400的空儲(chǔ)料器STK-E，同時(shí)，在檢測(cè)后IC儲(chǔ)料器202中設(shè)置8個(gè)儲(chǔ)料器STK-1、STK-2、…、STK-8，根據(jù)檢測(cè)結(jié)果來(lái)最大分成8類(lèi)并存儲(chǔ)。即，除了優(yōu)等品和劣等品之外，在優(yōu)等品中還可以區(qū)分為工作速度為高速、中速、低速的產(chǎn)品，或者在劣等品中區(qū)分為需要再次進(jìn)行檢測(cè)的產(chǎn)品等。
裝載部300上述常規(guī)托架KST通過(guò)設(shè)在IC存儲(chǔ)部200與裝置基板105之間的托架移送桿205而從裝置基板105的下側(cè)運(yùn)送到裝載部300的窗口部306中。在該裝載部300中，通過(guò)X-Y運(yùn)送裝置304把疊裝在常規(guī)托架KST上的被測(cè)試IC暫時(shí)移送到精確定位器(preciser)305中，在此修正被測(cè)試IC的相互位置，然后，再次使用X-Y運(yùn)送裝置304把移送到該精確定位器305中的被測(cè)試IC重新層疊在停在裝載部300中的檢測(cè)托架TST上。
作為常規(guī)托架KST向檢測(cè)托架TST重新層疊被測(cè)試IC的X-Y運(yùn)送裝置304，如圖1所示的那樣，包括架設(shè)在裝置基板105的上部的兩根導(dǎo)軌301、能夠通過(guò)該兩根導(dǎo)軌301而在檢測(cè)托架TST與常規(guī)托架KST之間往復(fù)移動(dòng)(其方向?yàn)閅方向)的可動(dòng)桿302、由該可動(dòng)桿302所支承而能夠沿著可動(dòng)桿302在X方向上移動(dòng)的可動(dòng)頭303。
在該X-Y運(yùn)送裝置304的可動(dòng)頭303中向下裝有吸附頭，該吸附頭一邊抽吸空氣一邊移動(dòng)，由此，從常規(guī)托架KST上吸附被測(cè)試IC，而把該被測(cè)試IC重新層疊在檢測(cè)托架TST上。這樣的吸附頭可以在可動(dòng)頭303上安裝例如8個(gè)，就能一次把8個(gè)被測(cè)試IC重新層疊在檢測(cè)托架TST上。
在一般的常規(guī)托架KST上，形成大于被測(cè)試IC的形狀的用于保持被測(cè)試IC的凹部，因此，在被存儲(chǔ)在常規(guī)托架KST中的狀態(tài)下的IC的位置具有較大的偏差。因此，在此狀態(tài)下把被測(cè)試IC吸附在吸附頭上，如果直接運(yùn)到檢測(cè)托架TST上，而難于正確地落到在檢測(cè)托架TST上所形成的IC容納凹部中。因此，在本實(shí)施例的IC測(cè)試裝置中，在常規(guī)托架KST的設(shè)置位置與檢測(cè)托架TST之間設(shè)置被稱(chēng)為精確定位器305的IC的位置修正裝置。該精確定位器305具有比較深的凹部，該凹部的周緣為由傾斜面圍繞的形狀，因此，當(dāng)在吸附頭上所吸附的被測(cè)試IC落入該凹部中時(shí)，由傾斜面來(lái)修正被測(cè)試IC的落下位置。由此，8個(gè)被測(cè)試IC的相互位置能夠正確確定，用吸附頭再次吸附位置被修正了的被測(cè)試IC，并重新層疊在檢測(cè)托架TST上，由此，能夠把被測(cè)試IC高精度地重新層疊到在檢測(cè)托架TST中所形成的IC容納凹部中。
檢測(cè)室部100上述檢測(cè)托架TST在由裝載部300層疊裝入了被測(cè)試IC之后，被送入檢測(cè)室部100中，在裝載在該檢測(cè)托架TST上的狀態(tài)下，對(duì)各個(gè)被測(cè)試IC進(jìn)行檢測(cè)。
檢測(cè)室部100包括恒溫槽101，給被層疊裝在檢測(cè)托架TST上的被測(cè)試IC施加作為目的的高溫或者低溫的熱應(yīng)力；檢測(cè)室102，使在該恒溫槽101中處于施加了熱應(yīng)力的被測(cè)試IC與檢測(cè)頭相接觸；去熱槽103，從在檢測(cè)室102中被檢測(cè)的被測(cè)試IC除去所施加的熱應(yīng)力。
在去熱槽103中，當(dāng)在恒溫槽101中施加了高溫的情況下，通過(guò)送風(fēng)來(lái)冷卻被測(cè)試IC來(lái)恢復(fù)到室溫下，并且，當(dāng)在恒溫槽101中施加了例如-30℃的低溫的情況下，用熱風(fēng)或者加熱器等來(lái)加熱被測(cè)試IC，而恢復(fù)到不會(huì)發(fā)生結(jié)露的溫度下。接著，把該去熱了的被測(cè)試IC送出到卸載部400中。
如圖1所示的那樣，檢測(cè)室部100的恒溫槽101和去熱槽103配置成從檢測(cè)室102突出到上方。如圖2概念地所示的那樣，在恒溫槽101中設(shè)置垂直運(yùn)送裝置，在檢測(cè)室102空的時(shí)候，一邊把多個(gè)檢測(cè)托架TST支承在該垂直運(yùn)送裝置上一邊待機(jī)。作為主要方面，在該待機(jī)中，該被測(cè)試IC施加高溫或者低溫的熱應(yīng)力。
在檢測(cè)室102的中央配置檢測(cè)頭104，把檢測(cè)托架TST運(yùn)到檢測(cè)頭104之上，通過(guò)使被測(cè)試IC的輸入輸出端子HB與檢測(cè)頭104的觸針51電接觸，來(lái)進(jìn)行檢測(cè)。另一方面，檢測(cè)結(jié)束的檢測(cè)托架TST在去熱槽103中被去熱，而使IC的溫度返回到室溫下，然后，被排出到卸載部400中。
在恒溫槽101與去熱槽103的上部之間，如圖1所示的那樣，移動(dòng)裝置基板105，在該裝置基板105上裝有檢測(cè)托架運(yùn)送裝置108。通過(guò)設(shè)在該裝置基板105上的檢測(cè)托架運(yùn)送裝置108，從去熱槽103所排出的檢測(cè)托架TST經(jīng)過(guò)卸載部400和裝載部300被送回恒溫槽101。
圖5是表示在本實(shí)施例中所使用的檢測(cè)托架TST的構(gòu)造的分解透視圖。該檢測(cè)托架TST這樣形成在方形框12中平行并且等間隔地設(shè)置多個(gè)(三個(gè))橫格條13，在這些橫格條13的兩側(cè)和與橫格條13相對(duì)的方形框12的邊12a上分別等間隔地突出多個(gè)安裝片14。在這些橫格條13之間和橫格條13與邊12a之間通過(guò)兩個(gè)安裝片14而構(gòu)成插入器容納部15。
在各個(gè)插入器容納部15中分別容納一個(gè)插入器16，該插入器16使用鉤扣17而在浮動(dòng)的狀態(tài)下被安裝在兩個(gè)安裝片14上。由此，在插入器16的兩端部分別形成向安裝片14的安裝孔21。這樣的插入器16以16×4個(gè)程度安裝在例如一個(gè)檢測(cè)托架TST上。
各個(gè)插入器16為相同形狀、相同尺寸，在各個(gè)插入器16中容納被測(cè)試IC。插入器16的IC容納部19由容納的被測(cè)試IC的形狀所決定，在圖5所示的例子中，為方形的凹部。
其中，如果暫時(shí)連接在檢測(cè)頭104上的被測(cè)試IC如圖5所示的那樣為以4行×16列排列的被測(cè)試IC，就能在例如每4列中同時(shí)檢測(cè)4行被測(cè)試IC。即，在第一次的檢測(cè)中，從第一列開(kāi)始，把配置在每4列上的16個(gè)被測(cè)試IC連接到檢測(cè)頭104的觸針51上來(lái)進(jìn)行檢測(cè)，在第二次的檢測(cè)中，把檢測(cè)托架TST移動(dòng)一列，從第二列開(kāi)始，同樣地檢測(cè)配置在每4列上的被測(cè)試IC，通過(guò)重復(fù)4次進(jìn)行上述檢測(cè)，就能檢測(cè)到全部被測(cè)試IC。該檢測(cè)結(jié)果被存儲(chǔ)在由加在檢測(cè)托架TST上的例如識(shí)別編號(hào)和在檢測(cè)托架TST內(nèi)部所分配的被測(cè)試IC的編號(hào)所決定的地址上。
圖6是表示具有該IC測(cè)試裝置的檢測(cè)頭104中的推進(jìn)器30、插入器16(檢測(cè)托架TST側(cè))、插座導(dǎo)向器40和觸針51的插座50的構(gòu)造的分解透視圖，圖7是圖6的斷面圖，圖8是表示檢測(cè)頭104中推進(jìn)器30下降狀態(tài)的斷面圖。
推進(jìn)器30被設(shè)在檢測(cè)頭104的上側(cè)，通過(guò)未圖示的Z軸驅(qū)動(dòng)裝置(例如液壓缸)而沿Z軸方向上下移動(dòng)。該推進(jìn)器30根據(jù)所測(cè)試的被測(cè)試IC的間隔(在上述檢測(cè)托架上為每4列4行的共計(jì)16個(gè))而安裝在Z軸驅(qū)動(dòng)裝置上。
在推進(jìn)器30的中央，形成用于壓接被測(cè)試IC的壓接子31，在其兩側(cè)設(shè)置被插入到下述的插入器16的導(dǎo)向孔20和插座導(dǎo)向器40的導(dǎo)向套管41中的導(dǎo)向銷(xiāo)32。在壓接子31與導(dǎo)向銷(xiāo)32之間設(shè)置當(dāng)該推進(jìn)器30通過(guò)Z軸驅(qū)動(dòng)裝置而下降時(shí)用于限制下限的限位導(dǎo)向器33，通過(guò)該限位導(dǎo)向器33接觸到插座導(dǎo)向器40的限位面42，來(lái)決定用不會(huì)破壞被測(cè)試IC的適當(dāng)壓力進(jìn)行壓接的推進(jìn)器的下限位置。
如在圖5中說(shuō)明的那樣，插入器16使用鉤扣17而安裝在檢測(cè)托架TST上，在其兩側(cè)形成上述推進(jìn)器30的導(dǎo)向銷(xiāo)32和插座導(dǎo)向器40的導(dǎo)向套管41從上下分別插入的導(dǎo)向孔20。如在圖8的推進(jìn)器下降狀態(tài)下所示的那樣，在圖中的左側(cè)的導(dǎo)向孔20，上半部分為插入推進(jìn)器30的導(dǎo)向銷(xiāo)32來(lái)進(jìn)行定位的小直徑孔，而下半部分為插入插座導(dǎo)向器40的導(dǎo)向套管41來(lái)進(jìn)行定位的大直徑孔。圖中右側(cè)的導(dǎo)向孔20和推進(jìn)器30的導(dǎo)向銷(xiāo)32以及插座導(dǎo)向器40的導(dǎo)向套管41為活動(dòng)插入狀態(tài)。
在插入器16的中央形成IC容納部19，通過(guò)使被測(cè)試IC落入其中，來(lái)在檢測(cè)托架TST上疊裝被測(cè)試IC。
特別是，在本實(shí)施例中，如圖9和圖10所示的那樣，在IC容納部19的底面上，與作為被測(cè)試IC的網(wǎng)格焊球陣列型IC的焊錫球HB的位置相對(duì)應(yīng)，形成這些焊錫球HB能夠嵌入的導(dǎo)向孔23。在與封裝組件PM的外周面之間形成較小的間隙S，以便于被測(cè)試IC的焊錫球HB能夠沒(méi)有任何障礙地順滑地嵌入到這些導(dǎo)向孔23中。
該圖所示的導(dǎo)向孔23形成的數(shù)量為能夠使全部焊錫球HB嵌入，但是，本發(fā)明的導(dǎo)向裝置可以是除此之外的各種形態(tài)。
在圖11和圖12所示的其他實(shí)施例中，在IC容納部19的底面設(shè)置僅使BGA型IC的焊錫球HB中最外周的焊錫球HB插入的導(dǎo)向孔23，在IC容納部19的底面中央形成開(kāi)口24，以使觸針51能夠接觸到除此之外的焊錫球HB上。
在圖13和圖14所示的其他實(shí)施例中，不設(shè)置使BGA型IC的焊錫球HB分別插入的導(dǎo)向孔，而是在IC容納部19的底面形成僅對(duì)這些焊錫球HB中最外周的焊錫球HB的外周側(cè)進(jìn)行導(dǎo)向的開(kāi)口25。
另一方面，在固定在檢測(cè)頭104上的插座導(dǎo)向器40的兩側(cè)插入推進(jìn)器30的兩個(gè)導(dǎo)向銷(xiāo)32，在與這兩個(gè)導(dǎo)向銷(xiāo)32之間設(shè)置用于進(jìn)行定位的導(dǎo)向套管41，該導(dǎo)向套管41的左側(cè)的那個(gè)是在與插入器16之間進(jìn)行定位。
具有多個(gè)觸針51的插座50被固定在插座導(dǎo)向器40的下側(cè)，該觸針51通過(guò)圖外的彈簧而向上方向壓緊彈簧。因此，壓緊被測(cè)試IC，觸針51后退到插座50的上表面上，另一方面，被測(cè)試IC稍稍?xún)A斜地被壓緊，觸針51能夠與全部端子HB相接觸。在觸針51的頂端形成容納網(wǎng)格焊球陣列型IC的焊錫球HB的大致圓錐狀凹部51a。
卸載部400在卸載部400中設(shè)置與設(shè)在裝載部300中的X-Y運(yùn)送裝置304相同構(gòu)造的X-Y運(yùn)送裝置404，通過(guò)X-Y運(yùn)送裝置404,404來(lái)把檢測(cè)后的IC從卸載部400所運(yùn)出的檢測(cè)托架TST上重新層疊到常規(guī)托架KST上。
如圖1所示的那樣，在卸載部400的裝置基板105上開(kāi)設(shè)兩對(duì)窗口部406、406。每對(duì)窗口部406配置成向該卸載部400運(yùn)送的常規(guī)托架KST接近裝置基板105的上表面。
雖然省略了圖示，但在各個(gè)窗口部406的下側(cè)設(shè)置用于使常規(guī)托架KST升降的升降臺(tái)，在此，重新層疊檢測(cè)后的被測(cè)試IC，并使裝滿(mǎn)的常規(guī)托架KST下降，使該滿(mǎn)載的托架移到托架移送桿205上。
在本實(shí)施例的IC測(cè)試裝置1中，能夠區(qū)分的種類(lèi)最大為8種，在卸載部400的窗口部406中最大只能配置4個(gè)常規(guī)托架KST。因此，能夠?qū)崟r(shí)進(jìn)行分類(lèi)的種類(lèi)被限制為4類(lèi)。一般，把優(yōu)等品分為高速響應(yīng)元件、中速響應(yīng)元件、低速響應(yīng)元件三種，在此基礎(chǔ)上再增加劣等品而有4種就足夠了，但是，例如為了需要進(jìn)行再檢測(cè)等，就會(huì)產(chǎn)生不屬于這些種類(lèi)的種類(lèi)。
這樣，在被分類(lèi)為除被分配給配置在卸載部400的窗口部406中的4個(gè)常規(guī)托架KST的種類(lèi)之外的種類(lèi)的被測(cè)試IC產(chǎn)生的情況下，使一個(gè)常規(guī)托架KST從卸載部400返回IC存儲(chǔ)部200，取代其而把將存儲(chǔ)新產(chǎn)生的種類(lèi)的被測(cè)試IC的常規(guī)托架KST轉(zhuǎn)送到卸載部400中，來(lái)存儲(chǔ)該被測(cè)試IC。但是，當(dāng)在分類(lèi)作業(yè)的過(guò)程中進(jìn)行常規(guī)托架KST的更換時(shí)，在此期間必須中斷分類(lèi)作業(yè)，而存在使生產(chǎn)率下降的問(wèn)題。為此，在本實(shí)施例的IC測(cè)試裝置1中，在卸載部400的檢測(cè)托架TST與窗口部406之間設(shè)置緩沖部405，在該緩沖部405中暫時(shí)保管僅很少產(chǎn)生的種類(lèi)的被測(cè)試IC。
例如，設(shè)置能夠在緩沖部405中容納20～30個(gè)被測(cè)試IC的容量，同時(shí)，設(shè)置分別存儲(chǔ)在緩沖部405的各個(gè)IC容納位置上所容納的IC的種類(lèi)的存儲(chǔ)器，把在緩沖部405中暫時(shí)保管的被測(cè)試IC的種類(lèi)和位置存儲(chǔ)到每個(gè)被測(cè)試IC上。這樣，在分類(lèi)作業(yè)的間隔或者緩沖部405裝滿(mǎn)的時(shí)刻上，從IC存儲(chǔ)部200調(diào)出在緩沖部405中保管的被測(cè)試IC屬于的種類(lèi)的常規(guī)托架KST，而容納到該常規(guī)托架KST中。此時(shí)，當(dāng)在緩沖部405中暫時(shí)保管的被測(cè)試IC具有多種時(shí)，可以在調(diào)出常規(guī)托架KST時(shí)，一次把多個(gè)常規(guī)托架KST調(diào)出到卸載部400的窗口部406中。
下面說(shuō)明其作用。
在檢測(cè)室部100內(nèi)的檢測(cè)工序中，被測(cè)試IC在如圖5所示的裝載在檢測(cè)托架TST上的狀態(tài)下，更詳細(xì)地說(shuō)，各個(gè)被測(cè)試IC在落入到該圖的插入器16的IC容納部19中的狀態(tài)下，被運(yùn)送到檢測(cè)頭104的上部。
當(dāng)檢測(cè)托架TST在檢測(cè)頭104中停止時(shí)，Z軸驅(qū)動(dòng)裝置開(kāi)始動(dòng)作，圖6～圖8所示的一個(gè)推進(jìn)器30對(duì)著一個(gè)插入器下降。接著，推進(jìn)器30的兩個(gè)導(dǎo)向銷(xiāo)32、32分別穿過(guò)插入器16的導(dǎo)向孔20、20，接著，與插座導(dǎo)向器40的導(dǎo)向套管41、41相嵌合。
在圖8中表示了該狀態(tài)，相對(duì)于固定在檢測(cè)頭104(即，IC測(cè)試裝置1側(cè))的插座50和插座導(dǎo)向器40，插入器16和推進(jìn)器30存在某種程度的位置誤差，但通過(guò)推進(jìn)器30的左側(cè)的導(dǎo)向銷(xiāo)32嵌入到插入器16的導(dǎo)向孔20的小直徑孔中，來(lái)進(jìn)行推進(jìn)器30與插入器16的位置配合，其結(jié)果，推進(jìn)器30的壓接子31能夠在適當(dāng)?shù)奈恢蒙蠅壕o被測(cè)試IC。
通過(guò)插入器16的左側(cè)導(dǎo)向孔20的大直徑孔與插座導(dǎo)向器40的左側(cè)導(dǎo)向套管41相嵌合，來(lái)進(jìn)行插入器16與插座導(dǎo)向器40的位置配合，由此，提高被測(cè)試IC與觸針51的位置精度。
特別是，在本實(shí)施例和其他的變形例中，如圖9～圖14所示的那樣，用插入器16的IC容納部19的導(dǎo)向孔23和開(kāi)口25來(lái)對(duì)被測(cè)試IC的焊錫球HB本身進(jìn)行定位，因此，插入器16與插座導(dǎo)向器40的位置精度能夠達(dá)到，能夠高精度實(shí)現(xiàn)焊錫球HB與觸針51的位置配合。
在圖8所示的狀態(tài)下，由于充分達(dá)到被測(cè)試IC的焊錫球HB與觸針51的位置精度，不進(jìn)行其他的位置配合，限位導(dǎo)向器33在接觸到限位面42之前，使推進(jìn)器30進(jìn)一步下降，通過(guò)壓接子31來(lái)使被測(cè)試IC與觸針51相接觸。在此狀態(tài)下，靜止地進(jìn)行預(yù)定檢測(cè)。
第二實(shí)施例上述第一實(shí)施例是把本發(fā)明用于所謂檢測(cè)室型的IC測(cè)試裝置1的例子，而本發(fā)明也可以用于所謂加熱板型的IC測(cè)試裝置。
圖15是表示本發(fā)明的IC測(cè)試裝置的第二實(shí)施例的透視圖，若說(shuō)明其概況，本實(shí)施例的IC測(cè)試裝置1通過(guò)X-Y運(yùn)送裝置64、65而把在供給托架62上所裝載的試驗(yàn)前的被測(cè)試IC壓接到檢測(cè)頭67的接觸部上，把完成了檢測(cè)的被測(cè)試IC根據(jù)檢測(cè)結(jié)果而容納在分類(lèi)托架63中。
其中的X-Y運(yùn)送裝置64這樣構(gòu)成可動(dòng)頭64c可以通過(guò)分別沿著X軸方向和Y軸方向設(shè)置的導(dǎo)軌64a,64b而從分類(lèi)托架63移動(dòng)到能夠到達(dá)供給托架62、空托架61、加熱板66和兩個(gè)緩沖部68,68的區(qū)域，而且，該可動(dòng)頭64c通過(guò)未圖示的Z軸致動(dòng)器而可以在Z軸方向(即上下方向)上移動(dòng)。通過(guò)設(shè)在可動(dòng)頭64c上的兩個(gè)吸附頭64d可以吸附、運(yùn)送和釋放兩個(gè)被測(cè)試IC。
與此相對(duì)，X-Y運(yùn)送裝置65這樣構(gòu)成可動(dòng)頭65c可以通過(guò)分別沿著X軸方向和Y軸方向設(shè)置的導(dǎo)軌65a,65b移動(dòng)到兩個(gè)緩沖部68,68與檢測(cè)頭67之間的區(qū)域，而且，該可動(dòng)頭65c通過(guò)未圖示的Z軸致動(dòng)器而可以在Z軸方向(即上下方向)上移動(dòng)。通過(guò)設(shè)在可動(dòng)頭65c上的兩個(gè)吸附頭65d可以吸附、運(yùn)送和釋放兩個(gè)被測(cè)試IC。
兩個(gè)緩沖部68,68通過(guò)導(dǎo)軌68a和未圖示的致動(dòng)器來(lái)在兩個(gè)X-Y運(yùn)送裝置64,65的動(dòng)作區(qū)域之間往復(fù)移動(dòng)。在圖中，上側(cè)的緩沖部68進(jìn)行把從加熱板66所運(yùn)送的被測(cè)試IC移送到檢測(cè)頭67的作業(yè)，另一方面，下側(cè)的緩沖部68進(jìn)行取出由檢測(cè)頭67完成了檢測(cè)的被測(cè)試IC的作業(yè)。通過(guò)這兩個(gè)緩沖部68,68的存在，兩個(gè)X-Y運(yùn)送裝置64,65不會(huì)相互干涉而能夠同時(shí)動(dòng)作。
在X-Y運(yùn)送裝置64的動(dòng)作區(qū)域中，配置裝載在此進(jìn)行檢測(cè)的被測(cè)試IC的供給托架62、把檢測(cè)后的IC分成與檢測(cè)結(jié)果相對(duì)應(yīng)的種類(lèi)并存儲(chǔ)的4個(gè)分類(lèi)托架63、空的托架61，而且，在接近緩沖部68的位置上設(shè)置加熱板66。
該加熱板66是例如金屬板，形成使被測(cè)試IC落入的多個(gè)凹部66a，來(lái)自供給托架62的檢測(cè)前的IC通過(guò)X-Y運(yùn)送裝置64移動(dòng)到該凹部66a。加熱板66是用于給被測(cè)試IC施加預(yù)定的熱應(yīng)力的加熱源，被測(cè)試IC被加熱板66加熱到預(yù)定的溫度，然后，通過(guò)一方的緩沖部68被壓到檢測(cè)頭67的接觸部上。
特別是，在本實(shí)施例的加熱板66中，在凹部66a(相當(dāng)于本發(fā)明的被測(cè)試IC的保持媒體)中設(shè)置被測(cè)試IC的輸入輸出端子，即，如果是BGA型IC，設(shè)置與焊錫球HB接觸并進(jìn)行定位的導(dǎo)向裝置。
圖16是表示被測(cè)試IC的導(dǎo)向裝置的實(shí)施例的斷面圖，圖17和圖18分別是表示被測(cè)試IC的導(dǎo)向裝置的另一實(shí)施例的斷面圖。
在圖16所示的實(shí)施例中，在加熱板66的凹部66a中形成與BGA型IC的焊錫球HB中的最外周的焊錫球HB相接觸的錐面66b，通過(guò)該錐面66b來(lái)使被測(cè)試IC的焊錫球HB進(jìn)行定位。
在圖17所示的實(shí)施例中，在加熱板66的凹部66a中形成與BGA型IC的焊錫球間相嵌合的導(dǎo)向銷(xiāo)66c，通過(guò)該導(dǎo)向銷(xiāo)66c來(lái)使被測(cè)試IC的焊錫球HB進(jìn)行定位。
在圖18所示的實(shí)施例中，在加熱板66的凹部66a中形成與BGA型IC的焊錫球HB中的最外周的焊錫球HB相嵌合的錐狀凹部66d，通過(guò)該導(dǎo)向銷(xiāo)66c能夠使被測(cè)試IC的焊錫球HB進(jìn)行定位。
在本實(shí)施例的IC測(cè)試裝置1中，由于直接使被測(cè)試IC的輸入輸出端子HB進(jìn)行定位的導(dǎo)向裝置66b、66c、66d設(shè)在加熱板66上，則當(dāng)由X-Y運(yùn)送裝置64、緩沖部68和X-Y運(yùn)送裝置65把被測(cè)試IC壓向檢測(cè)頭67的接觸部時(shí)，能夠顯著提高焊錫球HB和觸針的位置精度，而能夠防止對(duì)球HB產(chǎn)生損傷。
第三實(shí)施例本發(fā)明可以用于除第一實(shí)施例中說(shuō)明的檢測(cè)室型IC測(cè)試裝置之外的檢測(cè)室型IC測(cè)試裝置。
圖19是表示本發(fā)明的IC測(cè)試裝置的第三實(shí)施例的透視圖，圖20是表示該IC測(cè)試裝置中的被測(cè)試IC的取回方法的概念圖，圖21是模式地表示設(shè)在該IC測(cè)試裝置中的移送裝置的平面圖，圖22是用于說(shuō)明在該IC測(cè)試裝置中所使用的IC載架的運(yùn)送路徑的透視圖，圖23是用于說(shuō)明在該IC測(cè)試裝置中所使用的IC載架的運(yùn)送路徑的透視圖，圖24是用于說(shuō)明在該IC測(cè)試裝置的檢測(cè)室中的被測(cè)試IC的檢測(cè)順序的平面圖，圖25是沿著圖21的ⅩⅩⅤ-ⅩⅩⅤ線的斷面圖，圖26是用于說(shuō)明檢測(cè)室中的被測(cè)試IC的取回方法的相當(dāng)于圖25的斷面圖。
圖27是表示圖23的IC載架中的被測(cè)試IC的導(dǎo)向裝置的實(shí)施例的斷面圖，圖28和圖29分別是表示IC載架中的被測(cè)試IC的導(dǎo)向裝置的另一實(shí)施例的斷面圖。
圖20和圖21是用于理解本實(shí)施例的IC測(cè)試裝置中的被測(cè)試IC的取回方法和移送裝置的動(dòng)作范圍的圖，實(shí)際上是平面地表示在上下方向上并排配置的部件的部分。因此，參照?qǐng)D19來(lái)說(shuō)明該機(jī)械的(三維)構(gòu)造。
本實(shí)施例的IC測(cè)試裝置1是檢測(cè)(檢查)在給被測(cè)試IC施加高溫或低溫的溫度應(yīng)力的狀態(tài)下IC是否正常工作并根據(jù)該檢測(cè)結(jié)果對(duì)IC進(jìn)行分類(lèi)的裝置，把被測(cè)試IC從裝載多個(gè)成為檢測(cè)對(duì)象的被測(cè)試IC的托架(以下稱(chēng)為常規(guī)托架KST，參照?qǐng)D4)重新放置到在該IC測(cè)試裝置1內(nèi)進(jìn)行運(yùn)送的IC載架CR上(參照?qǐng)D23)，來(lái)實(shí)施在施加了這樣的溫度應(yīng)力的狀態(tài)下的工作檢測(cè)。
由此，如圖19和圖20所示的那樣，本實(shí)施例的IC測(cè)試裝置1包括IC存儲(chǔ)部1100，存儲(chǔ)在此進(jìn)行檢測(cè)的被測(cè)試IC，并且，對(duì)檢測(cè)后的IC進(jìn)行分類(lèi)放置；裝載部1200，把從IC存儲(chǔ)部1100所送來(lái)的被測(cè)試IC送入檢測(cè)室部1300；檢測(cè)室部1300，包含檢測(cè)頭；卸載部1400，把在檢測(cè)室部1300中進(jìn)行了檢測(cè)的檢測(cè)后的IC進(jìn)行分類(lèi)并取出。
IC存儲(chǔ)部1100在IC存儲(chǔ)部1100申設(shè)置存儲(chǔ)檢測(cè)前的被測(cè)試IC的檢測(cè)前IC儲(chǔ)料器1101和存儲(chǔ)根據(jù)檢測(cè)結(jié)果所分類(lèi)的被測(cè)試IC的檢測(cè)后IC儲(chǔ)料器1102。
與在第一實(shí)施例中引用的圖3所示的相同，這些檢測(cè)前IC儲(chǔ)料器1101和檢測(cè)后IC儲(chǔ)料器1101包括框狀的托架支承框203和能夠從該托架支承框203的下部進(jìn)入并向著上部升降的升降器204。在托架支承框203上層疊支承多個(gè)如圖4的放大圖所示那樣的常規(guī)托架KST，由升降器204使該層疊的常規(guī)托架KST上下移動(dòng)。
接著，在檢測(cè)前IC儲(chǔ)料器1101中層疊保持著在此進(jìn)行檢測(cè)的被測(cè)試IC所放置的常規(guī)托架KST，另一方面，在檢測(cè)后IC儲(chǔ)料器1102中層疊保持著把完成檢測(cè)后的被測(cè)試IC進(jìn)行適當(dāng)分類(lèi)的常規(guī)托架KST。
這些檢測(cè)前IC儲(chǔ)料器1101和檢測(cè)后IC儲(chǔ)料器1102具有相同的構(gòu)造，因此，可以根據(jù)各自需要的數(shù)量來(lái)適當(dāng)設(shè)置檢測(cè)前IC儲(chǔ)料器1101和檢測(cè)后IC儲(chǔ)料器1102。
在圖19和圖20所示的例子中，在檢測(cè)前IC儲(chǔ)料器1101中設(shè)置一個(gè)儲(chǔ)料器LD，并且與其相鄰設(shè)置一個(gè)被送入卸載部1400的空儲(chǔ)料器EMP，同時(shí)，在檢測(cè)后IC儲(chǔ)料器1102中設(shè)置5個(gè)儲(chǔ)料器UL1、UL2、…、UL5，根據(jù)檢測(cè)結(jié)果來(lái)最大分成5類(lèi)并存儲(chǔ)。即，除了優(yōu)等品和劣等品之外，在優(yōu)等品中還可以區(qū)分為工作速度為高速、中速、低速的產(chǎn)品，或者在劣等品中區(qū)分為需要再次進(jìn)行檢測(cè)的產(chǎn)品等。
裝載部300上述常規(guī)托架KST通過(guò)設(shè)在IC存儲(chǔ)部1100與裝置基板1201之間的托架移送桿(未圖示)而從裝置基板1201的下側(cè)運(yùn)送到裝載部1200的窗口部1202中。接著，在該裝載部1200中，通過(guò)第一運(yùn)送裝置1204把疊裝在常規(guī)托架KST上的被測(cè)試IC暫時(shí)移送到間距變換臺(tái)1203上，在此修正被測(cè)試IC的相互位置，然后，使用第二運(yùn)送裝置1205把移送到該間距變換臺(tái)1203上的被測(cè)試IC重新層疊在停在檢測(cè)室部1300內(nèi)的位置CR1(參照?qǐng)D22)上的IC載架CR上。
設(shè)在窗口部1202與檢測(cè)室部1300之間的裝置基板1201上的間距變換臺(tái)1203具有比較深的凹部，是具有用傾斜面圍繞該凹部的周緣的形狀的IC位置修正和間距變更裝置，當(dāng)使吸附在第一X-Y運(yùn)送裝置1204上的被測(cè)試IC落入該凹部中時(shí)，用傾斜面來(lái)修正被測(cè)試IC的落下位置。由此，正確地決定例如4個(gè)被測(cè)試IC的相互位置，同時(shí)，即使常規(guī)托架KST與IC載架CR的裝載間距不同，通過(guò)用第二X-Y運(yùn)送裝置1205吸附進(jìn)行了位置修正和間距變更的被測(cè)試IC，并層疊到IC載架CR上，就能把被測(cè)試IC高精度地重新層疊到在IC載架CR上所形成的IC容納凹部1014中。
如圖21所示的那樣，把被測(cè)試IC從常規(guī)托架KST重新層疊到間距變換臺(tái)1203上的第一運(yùn)送裝置1204包括架設(shè)在裝置基板1201的上部的導(dǎo)軌1204a、能夠通過(guò)該導(dǎo)軌1204a而在常規(guī)托架KST與間距變換臺(tái)1203之間往復(fù)移動(dòng)(其方向?yàn)閅方向)的可動(dòng)桿1204b、由該可動(dòng)桿1204b所支承而能夠沿著可動(dòng)桿1204b在X方向上移動(dòng)的可動(dòng)頭1204c。
在該第一運(yùn)送裝置1204的可動(dòng)頭1204c中向下裝有吸附頭1204d，該吸附頭1204d一邊抽吸空氣一邊移動(dòng)，由此，從常規(guī)托架KST上吸附被測(cè)試IC，而使該被測(cè)試IC落入間距變換臺(tái)1203中。這樣的吸附頭1204d可以在可動(dòng)頭1204c上安裝例如4個(gè)，就能一次使4個(gè)被測(cè)試IC落入間距變換臺(tái)1203中。
另一方面，把被測(cè)試IC從間距變換臺(tái)1203重新層疊到檢測(cè)室部1300內(nèi)的IC載架CR1的第二運(yùn)送裝置1205具有相同的構(gòu)成，如圖19和圖21所示的那樣，包括架設(shè)在裝置基板1201的上部的導(dǎo)軌1205a、能夠通過(guò)該導(dǎo)軌1205a而在間距變換臺(tái)1203與IC載架CR1之間往復(fù)移動(dòng)的可動(dòng)桿1205b、由該可動(dòng)桿1205b所支承而能夠沿著可動(dòng)桿1205b在X方向上移動(dòng)的可動(dòng)頭1205c。
在該第二運(yùn)送裝置1205的可動(dòng)頭1205c中向下裝有吸附頭1205d，該吸附頭1205d一邊抽吸空氣一邊移動(dòng)，由此，從間距變換臺(tái)1203上吸附被測(cè)試IC，通過(guò)檢測(cè)室部1300的入口1303而把該被測(cè)試IC重新層疊到IC載架CR1上。這樣的吸附頭1205d可以在可動(dòng)頭1205c上安裝例如4個(gè)，就能一次把4個(gè)被測(cè)試IC重新層疊到IC載架CR1上。
檢測(cè)室部1300本實(shí)施例所涉及的檢測(cè)室部1300具有給層疊在IC載架CR上的被測(cè)試IC施加作為目的的高溫或低溫的溫度應(yīng)力的恒溫功能，使處于施加了熱應(yīng)力的狀態(tài)下的被測(cè)試IC在恒溫狀態(tài)下與檢測(cè)頭1302的接觸部1302a相接觸。
在本實(shí)施例的IC測(cè)試裝置中，在給被測(cè)試IC施加低溫的溫度應(yīng)力的情況下，用下述的熱板1401進(jìn)行除熱，而在給被測(cè)試IC施加高溫的溫度應(yīng)力的情況下，通過(guò)自然散熱來(lái)進(jìn)行除熱。但是，也可以另外設(shè)置除熱槽或除熱區(qū)，則當(dāng)施加高溫時(shí)，通過(guò)給被測(cè)試IC送風(fēng)進(jìn)行冷卻而返回到室溫下，當(dāng)施加低溫時(shí)，用熱風(fēng)或者加熱器等對(duì)被測(cè)試IC進(jìn)行加熱，返回到不會(huì)發(fā)生結(jié)露的溫度下。
具有接觸部1302a的檢測(cè)頭1302設(shè)置在檢測(cè)室1301的中央下側(cè)，在該檢測(cè)頭1302的兩側(cè)設(shè)置IC載架CR的靜止位置CR5。通過(guò)第三移送裝置1304把放置在被送到該位置CR5上的IC載架CR中的被測(cè)試IC直接運(yùn)送到檢測(cè)頭1302之上，通過(guò)使被測(cè)試IC與接觸部1302a電接觸來(lái)進(jìn)行檢測(cè)。
完成了檢測(cè)的被測(cè)試IC不再返回到IC載架CR上，而是重新放置到在檢測(cè)頭1302兩側(cè)的位置CR5出沒(méi)移動(dòng)的退出載架EXT上，而被運(yùn)送到檢測(cè)室部1300之外。在施加高溫的溫度應(yīng)力的情況下，在從該檢測(cè)室部1300運(yùn)出之后，自然地進(jìn)行除熱。
本實(shí)施例的IC載架CR在檢測(cè)室部1300內(nèi)進(jìn)行循環(huán)運(yùn)送。在圖22中表示了該取回的樣子，而在本實(shí)施例中，首先，疊放了從裝載部1200所送來(lái)的被測(cè)試IC的IC載架CR1位于檢測(cè)室部1300的檢測(cè)室入口1303附近和檢測(cè)室部1300深處，該位置CR1的IC載架CR通過(guò)圖外的水平運(yùn)送裝置運(yùn)送到水平方向的位置CR2上。
其中，通過(guò)圖外的垂直運(yùn)送裝置向著垂直方向的下方以分幾段層疊的狀態(tài)進(jìn)行運(yùn)送，在位置CR5的IC載架為空的之前待機(jī)，然后，從最下段的位置CR3運(yùn)送到與檢測(cè)頭1302大致相同的水平位置CR4上。作為主要處理，給被測(cè)試IC施加高溫或低溫的溫度應(yīng)力。
接著，從該位置CR4向著檢測(cè)頭1302側(cè)運(yùn)送到水平方向的位置CR5，在此，僅把被測(cè)試IC送到檢測(cè)頭1302的接觸部1302a(參照?qǐng)D20)上。被測(cè)試IC被送到接觸部1302a后的IC載架CR從該位置CR5運(yùn)送到水平方向的位置CR6，然后，向著垂直方向的上方運(yùn)送，返回到原來(lái)的位置CR1上。
這樣，由于IC載架CR僅在檢測(cè)室部1300內(nèi)循環(huán)運(yùn)送，即使進(jìn)行短時(shí)的升溫或降溫，IC載架本身的溫度仍維持其原狀，其結(jié)果，能夠提高檢測(cè)室部1300中的熱效率。
圖23是表示在本實(shí)施例中所使用的IC載架CR的構(gòu)造的透視圖，在薄長(zhǎng)方形的板1011的上表面形成凹部1012，在該凹部1012中固定方塊1013，該方塊1013形成了用于放置被測(cè)試IC的IC容納部1014。在此，形成16個(gè)用于放置被測(cè)試IC的IC容納部1014，等間隔地設(shè)置其間距。
為了防止容納在該IC載架CR的IC容納部1014中的被測(cè)試IC的位置偏移和飛出，在IC載架CR的上表面設(shè)置活門(mén)1015。該活門(mén)1015通過(guò)彈簧1016而使板1011開(kāi)閉自如，當(dāng)把被測(cè)試IC容納在IC容納部1014中時(shí)或者從IC容納部1014取出時(shí)，使用圖外的活門(mén)釋放機(jī)構(gòu)來(lái)按該圖的兩點(diǎn)劃線所示的那樣開(kāi)啟該活門(mén)1015，由此，進(jìn)行被測(cè)試IC的容納或取出。
當(dāng)解除活門(mén)釋放機(jī)構(gòu)時(shí)，相應(yīng)的活門(mén)1015通過(guò)彈簧1016的彈力恢復(fù)為原來(lái)的狀態(tài)，因此，所容納的被測(cè)試IC不會(huì)產(chǎn)生位置偏移和飛出而被保持住。
這樣，本實(shí)施例所涉及的IC載架CR沒(méi)有復(fù)雜的形狀、構(gòu)造，僅通過(guò)活門(mén)1015的開(kāi)閉來(lái)進(jìn)行被測(cè)試IC的容納及取出，因此，其作業(yè)時(shí)間顯著縮短。
其中，在本實(shí)施例的檢測(cè)頭1302中以一定的間距P2設(shè)置8個(gè)接觸部1302a，以相同的間距P2設(shè)置接觸桿的吸附頭。在IC載架CR中以間距P1容納16個(gè)被測(cè)試IC，此時(shí)，具有P2=2·P1的關(guān)系。
暫時(shí)連接在檢測(cè)頭1302上的被測(cè)試IC，如圖24所示的那樣，相對(duì)于排列成1行×16列的被測(cè)試IC，同時(shí)檢測(cè)每一列的被測(cè)試IC(由斜線表示的部分)。
即，在第一次的檢測(cè)中，把配置在1、3、5、7、9、11、13、15列中的8個(gè)被測(cè)試IC連接到檢測(cè)頭1302的接觸部1302a上來(lái)進(jìn)行檢測(cè)，在第二次的檢測(cè)中，把IC載架CR移動(dòng)一列間距P1，來(lái)同樣地檢測(cè)配置在2、4、6、8、10、1 2、14、16列中的被測(cè)試IC。由此，雖然沒(méi)有圖示，設(shè)置移動(dòng)裝置，該移動(dòng)裝置把被移送到檢測(cè)頭1302的兩側(cè)的位置CR5的IC載架CR沿其縱向移動(dòng)間距P1。
該檢測(cè)的結(jié)果與加在IC載架CR上的例如識(shí)別編號(hào)一起被存儲(chǔ)在由在該IC載架CR內(nèi)部所分配的被測(cè)試IC的編號(hào)所決定的地址。
在本實(shí)施例的IC測(cè)試裝置1中，為了向檢測(cè)頭1302的接觸部1302a移送被測(cè)試IC來(lái)進(jìn)行檢測(cè)，而把第三移送裝置1304設(shè)置在檢測(cè)頭1304附近。在圖25中表示了沿圖21的ⅩⅩⅤ-ⅩⅩⅤ線的斷面圖，而該第三移送裝置1304包括沿著IC載架CR的靜止位置CR5和檢測(cè)頭1302的延伸方向(Y方向)所設(shè)置的導(dǎo)軌1304a、能夠通過(guò)該導(dǎo)軌1304a而在檢測(cè)頭1302與IC載架CR的靜止位置CR5之間往復(fù)移動(dòng)的可動(dòng)頭1304b、向下設(shè)置在該可動(dòng)頭1304b上的吸附頭1304c。吸附頭1304c可以通過(guò)未圖示的驅(qū)動(dòng)裝置(例如液壓缸)而在上下方向上移動(dòng)。通過(guò)該吸附頭1304c的上下移動(dòng)，能夠吸附被測(cè)試IC，同時(shí)，能夠把被測(cè)試IC壓到接觸部1302a上。
在本實(shí)施例的第三移送裝置1304中，在一個(gè)導(dǎo)軌1304a上設(shè)置兩個(gè)可動(dòng)頭1304b，其間隔被設(shè)定為與檢測(cè)頭1302和IC載架CR的靜止位置CR5的間隔相等。這兩個(gè)可動(dòng)頭1304b由一個(gè)驅(qū)動(dòng)源(例如滾珠絲桿裝置)而同時(shí)向Y方向移動(dòng)，另一方面，各個(gè)吸附頭1304c分別通過(guò)獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)裝置在上下方向上移動(dòng)。
如上述那樣，各個(gè)吸附頭1304c能夠一次吸附并保持8個(gè)被測(cè)試IC，其間隔被設(shè)定為與接觸部1302a的相隔相等。該第三移送裝置1304的動(dòng)作的細(xì)節(jié)將在以下描述。
特別是，在本實(shí)施例的IC載架CR中，在IC容納部1014(相當(dāng)于本發(fā)明的被測(cè)試IC的保持媒體)中設(shè)置被測(cè)試IC的輸入輸出端子，即，如果是BGA型IC，設(shè)置與焊錫球HB接觸并進(jìn)行定位的導(dǎo)向裝置。
圖27是表示被測(cè)試IC的導(dǎo)向裝置的實(shí)施例的斷面圖，圖28和圖29分別是表示被測(cè)試IC的導(dǎo)向裝置的另一實(shí)施例的斷面圖。
在圖27所示的實(shí)施例中，在IC載架CR的IC容納部1014中形成與BGA型IC的焊錫球HB中的最外周的焊錫球HB相接觸的錐面CRb，通過(guò)該錐面CRb來(lái)使被測(cè)試IC的焊錫球HB進(jìn)行定位。
在圖28所示的實(shí)施例中，在IC載架CR的IC容納部1014中形成與BGA型IC的焊錫球間相嵌合的導(dǎo)向銷(xiāo)CRc，通過(guò)該導(dǎo)向銷(xiāo)CRc來(lái)使被測(cè)試IC的焊錫球HB進(jìn)行定位。
在圖29所示的實(shí)施例中，在IC載架CR的IC容納部1014中形成與BGA型IC的焊錫球HB中的最外周的焊錫球HB相嵌合的錐狀凹部CRd，通過(guò)該導(dǎo)向銷(xiāo)CRc能夠使被測(cè)試IC的焊錫球HB進(jìn)行定位。
在本實(shí)施例的IC測(cè)試裝置1中，由于直接使被測(cè)試IC的輸入輸出端子HB進(jìn)行定位的導(dǎo)向裝置CRb、CRc、CRd設(shè)在IC載架CR上，則當(dāng)由第三移送裝置1304把被測(cè)試IC壓向檢測(cè)頭1302的接觸部1302a時(shí)，能夠顯著提高焊錫球HB和觸針的位置精度，而能夠防止對(duì)球HB產(chǎn)生損傷。
卸載部1400一方面，在卸載部1400中設(shè)置用于從檢測(cè)室部1300取出上述檢測(cè)后的IC的退出載架EXT。如圖21和圖25所示的那樣，該退出載架EXT能夠在檢測(cè)頭1302兩側(cè)的各自位置EXTI與卸載部1400的位置EXT2之間沿X方向往復(fù)移動(dòng)。在檢測(cè)頭1302兩側(cè)的位置EXT1上，如圖25所示的那樣，為了避免與IC載架CR的干擾，處于IC載架的靜止位置CR5的稍稍上側(cè)，與第三移送裝置1304的吸附頭1304c的稍稍下側(cè)重疊出沒(méi)。
退出載架EXT的具體構(gòu)造沒(méi)有特別的限定，可以如圖23所示的IC載架CR那樣，由形成多個(gè)(在此為8個(gè))能夠容納被測(cè)試IC的板構(gòu)成。
該退出載架EXT在檢測(cè)頭1302的兩側(cè)分別設(shè)置兩個(gè)，一方面在向檢測(cè)室1301的位置EXT1移動(dòng)期間，另一方面在向卸載部1400的位置EXT2移動(dòng)期間，大致對(duì)稱(chēng)地動(dòng)作。
在退出載架EXT的位置EXT2附近設(shè)置熱板1401。該熱板1401用于在給被測(cè)試IC施加低溫的溫度應(yīng)力時(shí)進(jìn)行加熱而到達(dá)不會(huì)產(chǎn)生結(jié)露的溫度上，而在施加高溫的溫度應(yīng)力時(shí)，不需要使用該熱板1401。
與下述第四移送裝置1404的吸附頭1404d依次能夠保持8個(gè)被測(cè)試IC相對(duì)應(yīng)，本實(shí)施例的熱板1401能夠容納3列×16行共計(jì)32個(gè)被測(cè)試IC。與第四移送裝置1404的吸附頭1404d相對(duì)應(yīng)，把熱板1401分成四個(gè)區(qū)域，把吸附保持的8個(gè)被測(cè)試IC從退出載架EXT2依次放置到這些區(qū)域中，用該吸附頭1404d原封不動(dòng)地吸附最長(zhǎng)加熱的8個(gè)被測(cè)試IC，移動(dòng)到緩沖部1402中。
在熱板1401附近分別設(shè)置具有升降臺(tái)(未圖示)的兩個(gè)緩沖部1402。各個(gè)緩沖部1402的升降臺(tái)在與退出載架EXT2和熱板1401相同水平位置(Z方向)與其上側(cè)的水平位置具體地說(shuō)裝置基板1201的水平位置之間沿Z方向移動(dòng)。該緩沖部1402的具體構(gòu)成沒(méi)有特別的限制，例如可以與IC載架CR和退出載架EXT相同那樣，由形成多個(gè)(在此為8個(gè))能夠容納被測(cè)試IC的凹部的板構(gòu)成。
這一對(duì)升降臺(tái)進(jìn)行在一方在上升位置靜止期間，另一方則在下降位置靜止這樣的大致對(duì)稱(chēng)的動(dòng)作。
在從上述退出載架EXT2到緩沖部1402的范圍中的卸載部1400中，設(shè)置第四移送裝置1404。如圖19和圖21所示的那樣，該第四移送裝置1404包括架設(shè)在裝置基板1201上部的導(dǎo)軌1404a、能夠通過(guò)該導(dǎo)軌1404a在退出載架EXT2與緩沖部1402之間沿Y方向移動(dòng)的可動(dòng)桿1404b、由該可動(dòng)桿1404b所支撐能夠相對(duì)于可動(dòng)桿1404b沿Z方向上下移動(dòng)的吸附頭1404c，該吸附頭1404c一邊抽吸空氣一邊向Z方向和Y方向移動(dòng)，由此，從退出載架EXT吸附被測(cè)試IC，使該被測(cè)試IC落入熱板1401中，同時(shí)，從熱板1401吸附被測(cè)試IC，使該被測(cè)試IC落入緩沖部1402中。本實(shí)施例中，在可動(dòng)桿1404b上裝有8個(gè)吸附頭1404c，則一次能夠移送8個(gè)被測(cè)試IC。
雖然省略了圖示，可動(dòng)桿1404b和吸附頭1404c被設(shè)定在能夠通過(guò)緩沖部1402的升降臺(tái)的上升位置與下降位置之間的水平位置的位置上，由此，即使一方的升降臺(tái)上升，也不會(huì)發(fā)生干擾，而能夠把被測(cè)試IC移送到另一方的升降臺(tái)上。
而且，在卸載部1400中設(shè)置第五移送裝置1406和第六移送裝置1407，通過(guò)這些第五移送裝置1406和第六移送裝置1407把運(yùn)出到緩沖部1402中的檢測(cè)后的被測(cè)試IC重新層疊到常規(guī)托架KST上。
由此，在裝置基板1201上總共開(kāi)設(shè)4個(gè)窗口部1403，該窗口部1403用于把從IC存儲(chǔ)部1100的空托架EMP運(yùn)送的空的常規(guī)托架KST接近到裝置基板1201的上面。
如圖19和圖21所示的那樣，第五移送裝置1406包括架設(shè)在裝置基板1201上部的導(dǎo)軌1406a、能夠通過(guò)該導(dǎo)軌1406a在緩沖部1402與窗口部1403之間沿Y方向移動(dòng)的可動(dòng)桿1406b、由該可動(dòng)桿1406b所支撐能夠相對(duì)于可動(dòng)桿1406b沿X方向移動(dòng)的可動(dòng)頭1406c、向下安裝在該可動(dòng)頭1406c上能夠沿Z方向移動(dòng)的吸附頭1406d。該吸附頭1406d一邊抽吸空氣一邊向X、Y和Z方向移動(dòng)，由此，從緩沖部1402吸附被測(cè)試IC，把該被測(cè)試IC移送到對(duì)應(yīng)種類(lèi)的常規(guī)托架KST中。本實(shí)施例中，在可動(dòng)頭1406c上裝有2個(gè)吸附頭1406d，則一次能夠移送2個(gè)被測(cè)試IC。
本實(shí)施例的第五移送裝置1406形成較短的可動(dòng)桿1406b，以便于僅把被測(cè)試IC移送到設(shè)在右端的兩個(gè)窗口部1403中的常規(guī)托架KST中，在這些右端的兩個(gè)窗口部1403中設(shè)置發(fā)生頻率高的種類(lèi)的常規(guī)托架KST。
如圖19和圖21所示的那樣，第六移送裝置1406包括架設(shè)在裝置基板1201上部的兩根導(dǎo)軌1407a,1407a、能夠通過(guò)該導(dǎo)軌1407a,1407a在緩沖部1402與窗口部1403之間沿Y方向移動(dòng)的可動(dòng)桿1407b、由該可動(dòng)桿1407b所支撐能夠相對(duì)于可動(dòng)桿1407b沿X方向移動(dòng)的可動(dòng)頭1407c、向下安裝在該可動(dòng)頭1407c上能夠沿Z方向上下移動(dòng)的吸附頭1407d。該吸附頭1407d一邊抽吸空氣一邊向X、Y和Z方向移動(dòng)，由此，從緩沖部1402吸附被測(cè)試IC，把該被測(cè)試IC移送到對(duì)應(yīng)種類(lèi)的常規(guī)托架KST中。本實(shí)施例中，在可動(dòng)頭1407c上裝有2個(gè)吸附頭1407d，則一次能夠移送2個(gè)被測(cè)試IC。
上述第五移送裝置1406把被測(cè)試IC僅移送到設(shè)置在右端的兩個(gè)窗口部1403上的常規(guī)托架KST中，與此相對(duì)，第六移送裝置1407把被測(cè)試IC運(yùn)送到全部設(shè)置在窗口部1403中的常規(guī)托架KST中。因此，發(fā)生頻率高的種類(lèi)的被測(cè)試IC使用第五移送裝置1406和第六移送裝置1407來(lái)進(jìn)行分類(lèi)，同時(shí)，發(fā)生頻率低的種類(lèi)的被測(cè)試IC僅由第六移送裝置1407進(jìn)行分類(lèi)。
如圖19所示的那樣，這兩個(gè)導(dǎo)軌1406a,1407a設(shè)置在不同的高度上，以使兩個(gè)移送裝置1406,1407的吸附頭1406d,1407d不會(huì)相互干擾，即使兩個(gè)吸附頭1406d,1407d同時(shí)動(dòng)作，也幾乎不會(huì)干擾。在本實(shí)施例中，把第五移送裝置1406設(shè)置在低于第六移送裝置1407的位置上。
雖然圖中省略，但在各個(gè)窗口部1403的裝置基板1201的下側(cè)設(shè)置用于使常規(guī)托架KST升降的升降臺(tái)，承載重新層疊檢測(cè)后的被測(cè)試IC并裝滿(mǎn)的常規(guī)托架KST而下降，使該裝滿(mǎn)的托架移到托架移送桿上，通過(guò)該托架移送桿來(lái)運(yùn)到IC存儲(chǔ)部1100的相應(yīng)儲(chǔ)料器UL1～UL5。在常規(guī)托架KST被取空的窗口部1403中，通過(guò)托架移送桿從空托架EMP運(yùn)送空的常規(guī)托架KST，重新放置在升降臺(tái)上，并設(shè)置在窗口部1403中。
在本實(shí)施例的一個(gè)緩沖部1402中可以容納16個(gè)被測(cè)試IC，并且，設(shè)置分別存儲(chǔ)在緩沖部1402的各個(gè)IC容納位置中所容納的被測(cè)試IC的種類(lèi)的存儲(chǔ)器。
在每個(gè)被測(cè)試IC上存儲(chǔ)在緩沖部1402中所存放的被測(cè)試IC的種類(lèi)和位置，從IC存儲(chǔ)部1100(UL1～UL5)調(diào)出在緩沖部1402中所存放的被測(cè)試IC所屬種類(lèi)的常規(guī)托架KST，在與上述第三和第六移送裝置1406,1407中對(duì)應(yīng)的常規(guī)托架KST中容納檢測(cè)后的IC。
如上述那樣，即使在這樣的檢測(cè)室型IC測(cè)試裝置1中，在IC載架CR中設(shè)置直接對(duì)被測(cè)試IC的焊錫球HB進(jìn)行定位的導(dǎo)向裝置CRb,CRc,CRd，因此，當(dāng)由第三移送裝置1304把被測(cè)試IC壓到檢測(cè)頭1302的接觸部1302a上時(shí)，顯著提高了焊錫球HB和觸針的位置精度，能夠防止對(duì)焊錫球HB的損傷。
以上說(shuō)明的實(shí)施例是為了容易理解本發(fā)明而進(jìn)行描述的，本發(fā)明并不僅限于此。因此，上述實(shí)施例中所揭示的各個(gè)要素包含屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍的全部設(shè)計(jì)變更和等同物。
例如，第二實(shí)施例的導(dǎo)向裝置66b～66c除加熱板66之外可以設(shè)置在緩沖部68,68中。
根據(jù)上述的本發(fā)明，不對(duì)IC封裝模塊進(jìn)行定位，用導(dǎo)向裝置來(lái)對(duì)壓到接觸部上的輸入輸出端子本身進(jìn)行定位，因此，在被測(cè)試IC的保持媒體與被測(cè)試IC之間不會(huì)產(chǎn)生誤差，顯著提高被測(cè)試IC的輸入輸出端子對(duì)接觸部的定位精度。其結(jié)果，不需要在壓到接觸部之前進(jìn)行被測(cè)試IC的位置修正的工序，能夠縮短IC測(cè)試裝置的轉(zhuǎn)位時(shí)間。
權(quán)利要求
1．一種IC測(cè)試裝置，把被測(cè)試IC的輸入輸出端子壓到檢測(cè)頭的接觸部上，來(lái)進(jìn)行檢測(cè)，其特征在于，在上述被測(cè)試IC的保持媒體上設(shè)置與上述被測(cè)試IC的輸入輸出端子相接觸來(lái)對(duì)其進(jìn)行定位的導(dǎo)向裝置。
2．根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC測(cè)試裝置，其特征在于，上述保持媒體是用于把上述被測(cè)試IC從上述被測(cè)試IC的裝載部向上述檢測(cè)頭運(yùn)送的檢測(cè)托架。
3．根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC測(cè)試裝置，其特征在于，上述保持媒體是用于在把上述被測(cè)試IC壓到上述接觸部之前對(duì)上述被測(cè)試IC施加熱應(yīng)力的加熱板。
4．根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC測(cè)試裝置，其特征在于，上述保持媒體是在檢測(cè)室內(nèi)進(jìn)行循環(huán)運(yùn)送的IC載架，是承載被移入上述檢測(cè)室內(nèi)的上述被測(cè)試IC而移送到上述檢測(cè)頭附近的IC載架。
5．根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的IC測(cè)試裝置，其特征在于，上述被測(cè)試IC的輸入輸出端子是球狀端子。
6．根據(jù)權(quán)利要求5所述的IC測(cè)試裝置，其特征在于，上述導(dǎo)向裝置是與球狀端子相嵌合的孔。
7．根據(jù)權(quán)利要求5所述的IC測(cè)試裝置，其特征在于，上述導(dǎo)向裝置是與兩個(gè)球狀端子之間相嵌合的突起。
8．根據(jù)權(quán)利要求5所述的IC測(cè)試裝置，其特征在于，上述導(dǎo)向裝置是與上述球狀端子相接合的錐形面。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提高向被測(cè)試IC的接觸部的定位精度。該IC測(cè)試裝置把被測(cè)試IC的輸入輸出端子HB壓到檢測(cè)頭的觸針51上來(lái)進(jìn)行檢測(cè),在被測(cè)試IC的檢測(cè)托架的插入器19中設(shè)置與被測(cè)試IC的焊錫球HB相嵌合的孔23。
文檔編號(hào)G01R1/04GK1230691SQ9910479
公開(kāi)日1999年10月6日 申請(qǐng)日期1999年4月2日 優(yōu)先權(quán)日1998年4月2日
發(fā)明者中村浩人, 齊藤登 申請(qǐng)人:株式會(huì)社愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試