技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種表面增強(qiáng)拉曼散射SERS基底及其制備方法。本發(fā)明的SERS基底由從下到上的第一SiO2層、具有空隙圓環(huán)的Ag層、第二SiO2層和2個(gè)等邊三角形銀片構(gòu)成，其中，所述第二SiO2層由兩部分構(gòu)成：一部分位于具有空隙圓環(huán)的Ag層的表面，另一部分位于空隙圓環(huán)與第一SiO2層的連接面上；2個(gè)等邊三角形銀片位于空隙圓環(huán)內(nèi)徑區(qū)域的第二SiO2層上，且1個(gè)等邊三角形銀片的頂點(diǎn)與另1個(gè)等邊三角形的頂點(diǎn)的最小距離在1nm～15nm。本發(fā)明的SERS基底的最大拉曼信號(hào)增強(qiáng)倍數(shù)可達(dá)到1013，平均拉曼信號(hào)增強(qiáng)倍數(shù)可達(dá)到106，具有較好的拉曼增強(qiáng)效果。

技術(shù)研發(fā)人員：程鑫;陳巍元;姜有為;李維昊
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南方科技大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.28
技術(shù)公布日：2017.07.14