本發(fā)明涉及測(cè)量檢測(cè)領(lǐng)域，具體涉及一種磁彈性傳感器檢測(cè)裝置。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有磁彈性傳感器檢測(cè)裝置采用雙線圈結(jié)構(gòu)，一個(gè)線圈為激勵(lì)線圈，另一個(gè)為檢測(cè)線圈。這種線圈結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)在于為了不讓兩個(gè)線圈產(chǎn)生互感干擾，有兩種做法，第一種激勵(lì)線圈為超大線圈，檢測(cè)線圈為小線圈，這樣檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)比較大。第二種兩個(gè)線圈可以做成一樣大小，但是線圈在繞線時(shí)就必須成8字繞線，即做成8字線圈的結(jié)構(gòu)，這樣繞線比較復(fù)雜。另外，這兩種結(jié)構(gòu)均不存在差分結(jié)構(gòu)，也就是對(duì)噪聲的抑制能力不強(qiáng)，受干擾大。而且傳統(tǒng)線圈都是原線圈，不方便固定也是缺點(diǎn)。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于激勵(lì)線圈為平板線圈，方便固定，繞線也方便。并且存在差分結(jié)構(gòu)有助于濾除共模信號(hào)干擾。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于此，本發(fā)明的目的是提供一種磁彈性傳感器檢測(cè)裝置。

本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的，一種磁彈性傳感器檢測(cè)裝置，包括兩個(gè)檢測(cè)線圈1和呈方形的激勵(lì)線圈3，所述激勵(lì)線圈為雙層線圈，所述激勵(lì)線圈包括上層線圈31、下層線圈32和連接上層線圈與下層線圈的連接塊4，所述上層線圈與下層線圈間距有一定距離，上層線圈、下層線圈和連接塊圍成一個(gè)腔體，其中一個(gè)檢測(cè)線圈設(shè)置有上層線圈的上方，另一個(gè)檢測(cè)線圈設(shè)置于下層線圈的下方，兩個(gè)檢測(cè)線圈呈對(duì)角設(shè)置。

進(jìn)一步，還包括設(shè)置于上層線圈表面的上托盤(pán)21和設(shè)置于上層線圈表面的下托盤(pán)22，兩個(gè)檢測(cè)線圈分別固定于上托盤(pán)與下托盤(pán)上。

進(jìn)一步，所述上層線圈包括上層pcb板和敷設(shè)于上層pcb板上的銅導(dǎo)線。

進(jìn)一步，所述下層線圈包括下層pcb板和敷設(shè)于下層pcb板上的銅導(dǎo)線。

進(jìn)一步，所述連接塊包括公排針與母排針，公排針與上層pcb板連接，母排針與下層pcb板連接。

由于采用了上述技術(shù)方案，本發(fā)明具有如下的優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明比圓形線圈更好使用，方便固定，兩個(gè)檢測(cè)線圈形成的差分結(jié)構(gòu)能夠幫助提高檢測(cè)信號(hào)的信噪比。

附圖說(shuō)明

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)描述，其中：

圖1為去掉托盤(pán)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)圖；

圖2為包括托盤(pán)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)圖；

圖3為本發(fā)明的分解圖；

圖4為本發(fā)明另一視角的結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

以下將結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的描述；應(yīng)當(dāng)理解，優(yōu)選實(shí)施例僅為了說(shuō)明本發(fā)明，而不是為了限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。

如圖1～4所示，一種磁彈性傳感器檢測(cè)裝置，包括兩個(gè)檢測(cè)線圈1和呈方形的激勵(lì)線圈3，所述激勵(lì)線圈為雙層線圈，所述激勵(lì)線圈包括上層線圈31、下層線圈32和連接上層線圈與下層線圈的連接塊4，所述上層線圈與下層線圈間距有一定距離，上層線圈、下層線圈和連接塊圍成一個(gè)腔體，其中一個(gè)檢測(cè)線圈設(shè)置有上層線圈的上方，另一個(gè)檢測(cè)線圈設(shè)置于下層線圈的下方，兩個(gè)檢測(cè)線圈呈對(duì)角設(shè)置，兩個(gè)檢測(cè)線圈形成的差分結(jié)構(gòu)。

作為對(duì)本實(shí)施例的改進(jìn)，該傳感器檢測(cè)裝置還包括設(shè)置于上層線圈表面的上托盤(pán)21和設(shè)置于上層線圈表面的下托盤(pán)22，兩個(gè)檢測(cè)線圈分別固定于上托盤(pán)與下托盤(pán)上。

作為對(duì)本實(shí)施例的改進(jìn)，所述上層線圈包括上層pcb板和敷設(shè)于上層pcb板上的銅導(dǎo)線，所述下層線圈包括下層pcb板和敷設(shè)于下層pcb板上的銅導(dǎo)線。

作為對(duì)本實(shí)施例的改進(jìn)，所述連接塊包括公排針與母排針，公排針與上層pcb板連接，母排針與下層pcb板連接。通過(guò)使用公母排針的設(shè)置，在使用本發(fā)明進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，更加方便。

在使用過(guò)程中，激勵(lì)線圈在激勵(lì)傳感器芯片的過(guò)程中，會(huì)對(duì)檢測(cè)線圈進(jìn)行激勵(lì)，當(dāng)傳感器工作時(shí)，檢測(cè)線圈上的電信號(hào)包含感應(yīng)激勵(lì)信號(hào)的電信號(hào)和傳感器的信號(hào)，由于傳感器信號(hào)比較微弱，而上下兩個(gè)檢測(cè)線圈的結(jié)構(gòu)(一個(gè)有傳感器芯片，另一個(gè)沒(méi)有)，他們分別感應(yīng)到的由激勵(lì)線圈產(chǎn)生電信號(hào)是反相的，這樣當(dāng)檢測(cè)信號(hào)進(jìn)行疊加后，余下的信號(hào)就是傳感器信號(hào)。這樣就提高了信號(hào)的信噪比，濾出了系統(tǒng)噪聲，在對(duì)后面的信號(hào)放大比較方便。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并不用于限制本發(fā)明，顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種磁彈性傳感器檢測(cè)裝置，包括兩個(gè)檢測(cè)線圈(1)和呈方形的激勵(lì)線圈(3)，所述激勵(lì)線圈為雙層線圈，所述激勵(lì)線圈包括上層線圈(31)、下層線圈(32)和連接上層線圈與下層線圈的連接塊(4)，所述上層線圈與下層線圈間距有一定距離，上層線圈、下層線圈和連接塊圍成一個(gè)腔體，其中一個(gè)檢測(cè)線圈設(shè)置有上層線圈的上方，另一個(gè)檢測(cè)線圈設(shè)置于下層線圈的下方，兩個(gè)檢測(cè)線圈呈對(duì)角設(shè)置。本發(fā)明比圓形線圈更好使用，方便固定，兩個(gè)檢測(cè)線圈形成的差分結(jié)構(gòu)能夠幫助提高檢測(cè)信號(hào)的信噪比。

技術(shù)研發(fā)人員：羅洪艷;廖彥劍;凌宇飛;張輝;鄭小林;楊軍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：重慶大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.15
技術(shù)公布日：2017.07.14