本說(shuō)明書(shū)所公開(kāi)的技術(shù)涉及一種半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置以及半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)方法，例如涉及利用多個(gè)探針而對(duì)半導(dǎo)體裝置的電氣特性進(jìn)行評(píng)價(jià)的半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置以及半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)方法。

背景技術(shù)：

在對(duì)處于半導(dǎo)體晶片狀態(tài)或者半導(dǎo)體芯片狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置的電氣特性進(jìn)行測(cè)定時(shí)，通常使用通過(guò)真空吸附使半導(dǎo)體裝置的1個(gè)面與卡盤(pán)臺(tái)的表面接觸而進(jìn)行固定的方法。

就電流沿半導(dǎo)體裝置的縱向、即面外方向流動(dòng)的縱向型構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置而言，對(duì)半導(dǎo)體裝置的1個(gè)面進(jìn)行固定的卡盤(pán)臺(tái)的表面成為1個(gè)測(cè)定電極。因此，半導(dǎo)體裝置與卡盤(pán)臺(tái)的表面之間的密接性對(duì)接觸電阻造成影響，其結(jié)果，對(duì)半導(dǎo)體裝置的電氣特性造成影響。

作為使半導(dǎo)體裝置與卡盤(pán)臺(tái)的表面之間的密接性惡化的原因，想到下述情況等，即，經(jīng)常隨半導(dǎo)體裝置一起帶入的異物被夾持于半導(dǎo)體裝置與卡盤(pán)臺(tái)的表面之間，或者由半導(dǎo)體裝置自身的平坦度引起密接性惡化，例如在半導(dǎo)體晶片存在翹曲。

另外，在異物被夾持于半導(dǎo)體裝置與卡盤(pán)臺(tái)的表面之間的情況下，對(duì)半導(dǎo)體裝置的電氣特性造成影響。不僅如此，在異物被夾持于半導(dǎo)體裝置與卡盤(pán)臺(tái)的表面之間的情況下，有時(shí)在半導(dǎo)體裝置的與該異物的接觸部分、或者半導(dǎo)體裝置的與該異物的接觸部分的附近產(chǎn)生裂紋等缺陷，半導(dǎo)體裝置的一部分發(fā)生破損。

例如在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中，公開(kāi)了一種降低由半導(dǎo)體晶片的平坦度的差異引起的電極電位的測(cè)定誤差的評(píng)價(jià)裝置。

專(zhuān)利文獻(xiàn)1所公開(kāi)的評(píng)價(jià)裝置通過(guò)在半導(dǎo)體晶片支撐臺(tái)處具有與各個(gè)功率半導(dǎo)體元件的數(shù)量相對(duì)應(yīng)的探針電極，從而能夠抑制各功率半導(dǎo)體元件與相對(duì)應(yīng)的探針電極在水平方向上的相對(duì)距離的波動(dòng)，降低測(cè)定誤差。探針電極經(jīng)由受到通斷控制的選擇開(kāi)關(guān)組而與評(píng)價(jià)裝置連接。

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)平5-333098號(hào)公報(bào)

然而，專(zhuān)利文獻(xiàn)1中示出的半導(dǎo)體晶片支撐臺(tái)處的探針電極不能夠應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體晶片的翹曲或者異物。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本說(shuō)明書(shū)所公開(kāi)的技術(shù)用于解決上述問(wèn)題，涉及一種能夠應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體裝置的設(shè)置面處的翹曲等、且能夠降低接觸電阻的半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置以及半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)方法。

本說(shuō)明書(shū)所公開(kāi)的技術(shù)的一個(gè)方式涉及的半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置具有：卡盤(pán)臺(tái)，其在表面形成多個(gè)探針孔，并且該卡盤(pán)臺(tái)對(duì)半導(dǎo)體裝置進(jìn)行吸附；以及多個(gè)卡盤(pán)內(nèi)探針，其一端插入至各所述探針孔，另一端從所述卡盤(pán)臺(tái)的所述表面凸出，并且與在所述卡盤(pán)臺(tái)設(shè)置的所述半導(dǎo)體裝置的設(shè)置面接觸，至少1個(gè)所述卡盤(pán)內(nèi)探針的從所述卡盤(pán)臺(tái)的所述表面凸出的高度與其他所述卡盤(pán)內(nèi)探針的從所述卡盤(pán)臺(tái)的所述表面凸出的高度不同。

本說(shuō)明書(shū)所公開(kāi)的技術(shù)的一個(gè)方式涉及的半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)方法，其是使用評(píng)價(jià)裝置進(jìn)行的，該評(píng)價(jià)裝置具有：卡盤(pán)臺(tái)，其在表面形成多個(gè)探針孔，并且該卡盤(pán)臺(tái)對(duì)半導(dǎo)體裝置進(jìn)行吸附；以及多個(gè)卡盤(pán)內(nèi)探針，其一端插入至各所述探針孔，另一端從所述卡盤(pán)臺(tái)的所述表面凸出，并且與在所述卡盤(pán)臺(tái)設(shè)置的所述半導(dǎo)體裝置的設(shè)置面接觸，在所述評(píng)價(jià)方法中，至少1個(gè)所述卡盤(pán)內(nèi)探針的從所述卡盤(pán)臺(tái)的所述表面凸出的高度與其他所述卡盤(pán)內(nèi)探針的從所述卡盤(pán)臺(tái)的所述表面凸出的高度不同。

發(fā)明的效果

根據(jù)本說(shuō)明書(shū)所公開(kāi)的技術(shù)的一個(gè)方式涉及的半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置，由于至少1個(gè)卡盤(pán)內(nèi)探針的從卡盤(pán)臺(tái)的表面凸出的高度不同，因此例如即使半導(dǎo)體裝置的設(shè)置面呈翹曲的形狀，也能夠使卡盤(pán)內(nèi)探針的凸出高度與半導(dǎo)體裝置的設(shè)置面相對(duì)應(yīng)。由此，在對(duì)半導(dǎo)體裝置的電氣特性進(jìn)行評(píng)價(jià)時(shí)，能夠降低半導(dǎo)體裝置的設(shè)置面與卡盤(pán)內(nèi)探針之間的接觸電阻。其結(jié)果，能夠通過(guò)減少電損耗而提高半導(dǎo)體裝置的電氣特性的評(píng)價(jià)精度。

根據(jù)本說(shuō)明書(shū)所公開(kāi)的技術(shù)的一個(gè)方式涉及的半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)方法，由于卡盤(pán)內(nèi)探針的從卡盤(pán)臺(tái)的表面凸出的高度不同，因此即使半導(dǎo)體裝置的設(shè)置面呈翹曲的形狀，也能夠使卡盤(pán)內(nèi)探針的凸出高度與半導(dǎo)體裝置的設(shè)置面相對(duì)應(yīng)。由此，在對(duì)半導(dǎo)體裝置的電氣特性進(jìn)行評(píng)價(jià)時(shí)，能夠降低半導(dǎo)體裝置的設(shè)置面與卡盤(pán)內(nèi)探針之間的接觸電阻。

本說(shuō)明書(shū)所公開(kāi)的技術(shù)涉及的目的、特征、方案和優(yōu)點(diǎn)，通過(guò)以下的詳細(xì)說(shuō)明和附圖而變得更明確。

附圖說(shuō)明

圖1是概略地例示出實(shí)施方式涉及的用于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置的結(jié)構(gòu)的圖。

圖2是概略地例示出實(shí)施方式涉及的用于實(shí)現(xiàn)卡盤(pán)臺(tái)的結(jié)構(gòu)的圖。

圖3是例示出圖1所例示的實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置之中的表面?zhèn)忍结樑c其周邊部的結(jié)構(gòu)的圖。

圖4是例示出圖1所例示的實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置之中的卡盤(pán)內(nèi)探針與其周邊部的結(jié)構(gòu)的圖。

圖5是概略地例示出實(shí)施方式涉及的用于實(shí)現(xiàn)卡盤(pán)臺(tái)的結(jié)構(gòu)的圖。

圖6是圖5所例示的實(shí)施方式涉及的卡盤(pán)臺(tái)的A-A部的剖視圖。

圖7是例示出實(shí)施方式涉及的卡盤(pán)臺(tái)處的配線(xiàn)的情況的透視圖。

圖8是例示出實(shí)施方式涉及的卡盤(pán)臺(tái)處的配線(xiàn)的情況的透視圖。

圖9是例示出實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置之中的卡盤(pán)內(nèi)探針與其周邊部的結(jié)構(gòu)的圖。

圖10是例示出實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置之中的卡盤(pán)內(nèi)探針與其周邊部的結(jié)構(gòu)的圖。

圖11是例示出實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置之中的卡盤(pán)內(nèi)探針與其周邊部的結(jié)構(gòu)的圖。

圖12是例示出實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置之中的卡盤(pán)內(nèi)探針與其周邊部的結(jié)構(gòu)的圖。

圖13是例示出實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置之中的卡盤(pán)內(nèi)探針與其周邊部的結(jié)構(gòu)的圖。

圖14是例示出實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置之中的卡盤(pán)內(nèi)探針與其周邊部的結(jié)構(gòu)的圖。

圖15是例示出實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置之中的卡盤(pán)內(nèi)探針與其周邊部的結(jié)構(gòu)的圖。

圖16是例示出圖15所例示的卡盤(pán)內(nèi)探針的、柱塞部被壓入后的狀態(tài)的圖。

圖17是例示出實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置之中的卡盤(pán)內(nèi)探針與其周邊部的結(jié)構(gòu)的圖。

圖18是例示出圖17所例示的卡盤(pán)內(nèi)探針的結(jié)構(gòu)的圖。

圖19是概略地例示出卡盤(pán)內(nèi)探針的高度或者配置的分布的圖。

圖20是概略地例示出卡盤(pán)內(nèi)探針的高度或者配置的分布的圖。

圖21是概略地例示出卡盤(pán)內(nèi)探針的高度或者配置的分布的圖。

圖22是概略地例示出卡盤(pán)內(nèi)探針的高度或者配置的分布的圖。

圖23是概略地例示出卡盤(pán)臺(tái)的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖24是概略地例示出卡盤(pán)臺(tái)的結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖25是例示出實(shí)施方式涉及的卡盤(pán)臺(tái)處的配線(xiàn)的情況的透視圖。

標(biāo)號(hào)的說(shuō)明

2探針基體，3卡盤(pán)臺(tái)，4評(píng)價(jià)及控制部，5半導(dǎo)體裝置，6信號(hào)線(xiàn)，7卡盤(pán)內(nèi)探針，9移動(dòng)臂，8A、8B、31A、31B連接部，10表面?zhèn)忍结槪?1、111、111A接觸部，12、112、112A、112B柱塞部，13壓入部，14筒部，15、115電連接部，16絕緣板，17、17A彈簧部，18A、18B連接焊盤(pán)，19柱塞厚部，20、20A、20B、20C、20D、20E柱塞凸出部，21探針收容孔，22、22A、22B、22C配線(xiàn)，23主體部，24中框部，25外框部，26吸氣口，27吸附機(jī)構(gòu)，28真空吸附孔，29吸附空間，30真空吸附槽，32A、32B O型環(huán)槽，33筒部件，34墊片，35接觸凸部，36接觸凹部，37锪孔部，38連結(jié)槽，128锪孔吸附孔。

具體實(shí)施方式

下面，參照附圖對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。此外，附圖是概略性示出的圖，在不同的附圖分別示出的圖像的大小和位置的相互關(guān)系并非一定是準(zhǔn)確地記載的，可以適當(dāng)進(jìn)行變更。另外，在以下所示的說(shuō)明中，對(duì)相同的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注相同的標(biāo)號(hào)而進(jìn)行圖示，它們的名稱(chēng)和功能也相同。由此，有時(shí)省略針對(duì)它們的詳細(xì)說(shuō)明。

另外，在以下所示的說(shuō)明中，即便有時(shí)使用“上”、“下”、“側(cè)”、“底”、“表”或者“背”等表示特定的位置和方向的用語(yǔ)，但這些用語(yǔ)是為方便起見(jiàn)而進(jìn)行使用的，以易于理解實(shí)施方式的內(nèi)容，這些用語(yǔ)與實(shí)際實(shí)施時(shí)的方向無(wú)關(guān)。

＜實(shí)施方式＞

下面，對(duì)本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置以及半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)方法進(jìn)行說(shuō)明。

＜評(píng)價(jià)裝置的結(jié)構(gòu)＞

圖1是概略地例示出本實(shí)施方式涉及的用于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置的結(jié)構(gòu)的圖。在圖1中，將縱軸方向設(shè)為Z軸方向，將橫軸方向設(shè)為X軸方向。

如圖1所例示的那樣，半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置具有：卡盤(pán)臺(tái)3，其用于配置半導(dǎo)體裝置5；連接部8B，其安裝于卡盤(pán)臺(tái)3的側(cè)面；吸氣口26，其形成于卡盤(pán)臺(tái)3的側(cè)面；吸附機(jī)構(gòu)27，其經(jīng)過(guò)吸氣口26而進(jìn)行半導(dǎo)體裝置5的吸附；探針基體2；以及評(píng)價(jià)及控制部4。

評(píng)價(jià)及控制部4經(jīng)過(guò)信號(hào)線(xiàn)6而與探針基體2連接。另外，評(píng)價(jià)及控制部4經(jīng)過(guò)信號(hào)線(xiàn)6而與連接部8B連接。

探針基體2具有：表面?zhèn)忍结?0，其與半導(dǎo)體裝置5的表面接觸；絕緣板16，其保持表面?zhèn)忍结?0；連接部8A，其安裝于絕緣板16；以及各表面?zhèn)忍结?0與連接部8A之間的配線(xiàn)(這里，未圖示)。

圖2是概略地例示出本實(shí)施方式涉及的用于實(shí)現(xiàn)卡盤(pán)臺(tái)的結(jié)構(gòu)的圖。在圖2中，將縱軸方向設(shè)為Z軸方向，將橫軸方向設(shè)為X軸方向。

如圖2所例示的那樣，卡盤(pán)臺(tái)具有：外框部25；中框部24，其配置于外框部25的上表面；主體部23，其配置于中框部24的上表面；以及卡盤(pán)內(nèi)探針7?？ūP(pán)臺(tái)是用于將作為被測(cè)定物的半導(dǎo)體裝置5固定于主體部23的上表面的基座，作為進(jìn)行固定的方法，設(shè)想為例如真空吸附。

在圖2所例示的情況下，在卡盤(pán)臺(tái)3的主體部23設(shè)置多個(gè)卡盤(pán)內(nèi)探針7。通過(guò)形成這種結(jié)構(gòu)，從而能夠在半導(dǎo)體裝置5的設(shè)置面與卡盤(pán)內(nèi)探針7直接接觸的狀態(tài)下實(shí)施半導(dǎo)體裝置5的電氣特性的評(píng)價(jià)。

此外，作為被測(cè)定物的半導(dǎo)體裝置5是大電流沿半導(dǎo)體裝置5的縱向、即面外方向流動(dòng)的縱向型構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置。

在對(duì)縱向型構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置5實(shí)施電氣特性的評(píng)價(jià)時(shí)，用于使半導(dǎo)體裝置5與外部進(jìn)行電連接的1個(gè)電極，成為與在半導(dǎo)體裝置5的上表面設(shè)置的連接焊盤(pán)接觸的表面?zhèn)忍结?0。而且，用于使半導(dǎo)體裝置5與外部進(jìn)行電連接的另1個(gè)電極，成為與在半導(dǎo)體裝置5的下表面即設(shè)置面設(shè)置的連接焊盤(pán)接觸的卡盤(pán)內(nèi)探針7。

表面?zhèn)忍结?0配置于絕緣板16。在絕緣板16安裝連接部8A，并且經(jīng)過(guò)信號(hào)線(xiàn)6而將評(píng)價(jià)及控制部4連接至連接部8A。各表面?zhèn)忍结?0與評(píng)價(jià)及控制部4分別進(jìn)行電連接。此外，對(duì)于各表面?zhèn)忍结?0與連接部8A之間，這里并未詳細(xì)地進(jìn)行圖示，但例如通過(guò)在絕緣板16之上設(shè)置的金屬板等配線(xiàn)而進(jìn)行電連接。

卡盤(pán)內(nèi)探針7與卡盤(pán)臺(tái)3的內(nèi)部的配線(xiàn)連接。在卡盤(pán)臺(tái)3的外框部25的側(cè)面設(shè)置連接部8B，配線(xiàn)在連接部8B處進(jìn)一步與信號(hào)線(xiàn)6連接。信號(hào)線(xiàn)6與評(píng)價(jià)及控制部4連接。各卡盤(pán)內(nèi)探針7與評(píng)價(jià)及控制部4分別進(jìn)行電連接。

此外，在上述情況下，設(shè)想到施加大電流(例如，大于或等于5A左右)而將表面?zhèn)忍结?0設(shè)置多個(gè)。在該情況下，為了使向各表面?zhèn)忍结?0施加的電流密度大致一致，優(yōu)選在經(jīng)由各表面?zhèn)忍结?0的情況下的、連接部8A與連接部8B之間的配線(xiàn)距離無(wú)論在經(jīng)由哪個(gè)表面?zhèn)忍结?0的情況下都大致一致的位置處，設(shè)置連接部8A以及連接部8B。例如，連接部8A與連接部8B優(yōu)選分別配置于隔著表面?zhèn)忍结?0而相對(duì)的位置。

探針基體2由移動(dòng)臂9保持，從而能夠向任意方向移動(dòng)。這里，示出僅通過(guò)1個(gè)移動(dòng)臂9進(jìn)行保持的情況，但并不限定于此，也可以為通過(guò)多個(gè)移動(dòng)臂穩(wěn)定地進(jìn)行保持的情況。另外，也可以不使探針基體2移動(dòng)，而是使半導(dǎo)體裝置5、即卡盤(pán)臺(tái)3側(cè)移動(dòng)。

＜卡盤(pán)臺(tái)的結(jié)構(gòu)＞

圖5是概略地例示出本實(shí)施方式涉及的用于實(shí)現(xiàn)卡盤(pán)臺(tái)的結(jié)構(gòu)的俯視圖。為了簡(jiǎn)單，在圖5中省略卡盤(pán)內(nèi)探針的圖示。在圖5中，將縱軸方向設(shè)為Y軸方向，將橫軸方向設(shè)為X軸方向。

在主體部23的上表面形成真空吸附槽30。另外，在真空吸附槽30的一部分的底面形成用于進(jìn)行真空吸附的真空吸附孔28。通過(guò)從真空吸附孔28對(duì)半導(dǎo)體裝置5進(jìn)行真空吸附，從而半導(dǎo)體裝置5被固定于主體部23的上表面。

這里，示出以同心圓狀設(shè)置2條真空吸附槽30的例子，但形成真空吸附槽30的方式并不限定于此，也可以進(jìn)一步設(shè)置多個(gè)真空吸附槽30。另外，對(duì)半導(dǎo)體裝置5進(jìn)行固定的方法并不限定于真空吸附，例如也可以是靜電吸附等。

圖6是圖5所例示的本實(shí)施方式涉及的卡盤(pán)臺(tái)的A-A部的剖視圖。在圖6中，將縱軸方向設(shè)為Z軸方向，將橫軸方向設(shè)為X軸方向。下面，參照?qǐng)D6對(duì)卡盤(pán)臺(tái)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。

為了穩(wěn)定地對(duì)半導(dǎo)體裝置5進(jìn)行固定，主體部23、中框部24以及外框部25優(yōu)選為剛體，例如由金屬或者聚苯硫醚樹(shù)脂(polyphenylene sulfide resin即PPS)等具有足夠的強(qiáng)度的樹(shù)脂等進(jìn)行制作。

主體部23是框體，具有：探針收容孔21，其對(duì)卡盤(pán)內(nèi)探針7進(jìn)行收容；真空吸附槽30；以及真空吸附孔28，其形成于真空吸附槽30的一部分的底面。

在由金屬制作主體部23的情況下，探針收容孔21等各部位通過(guò)切削加工而形成。另外，在由樹(shù)脂制作主體部23的情況下，探針收容孔21等各部位通過(guò)成型加工而同時(shí)形成。

為了對(duì)卡盤(pán)內(nèi)探針7進(jìn)行保持，而使主體部23被中框部24封閉。將主體部23與中框部24連接的連接部31A例如是固定螺釘。為了避免半導(dǎo)體裝置5的真空吸附時(shí)的真空泄漏，優(yōu)選在主體部23設(shè)置O型環(huán)槽32A，經(jīng)由O型環(huán)實(shí)現(xiàn)與中框部24的連接。但是，避免真空吸附時(shí)的真空泄漏的方法并不限定于上述經(jīng)由O型環(huán)的方法，例如也可以是經(jīng)由銅密封件等的方法。

中框部24與外框部25連接。將中框部24與外框部25連接的連接部31B例如是固定螺釘。為了避免半導(dǎo)體裝置5的真空吸附時(shí)的真空泄漏，優(yōu)選在外框部25設(shè)置O型環(huán)槽32B，經(jīng)由O型環(huán)實(shí)現(xiàn)與中框部24的連接。此外，在圖5中，連接部31B配置有4個(gè)，也可以進(jìn)一步增加數(shù)量而加強(qiáng)避免真空泄漏的效果。

外框部25的內(nèi)部是中空的吸附空間29。吸附空間29是在半導(dǎo)體裝置5的吸附時(shí)受到減壓的空間。在吸附空間29設(shè)置多個(gè)配線(xiàn)22。多個(gè)配線(xiàn)22成為各卡盤(pán)內(nèi)探針7與在卡盤(pán)臺(tái)3的外部設(shè)置的評(píng)價(jià)及控制部4之間的電連接部。

真空吸附孔28是以達(dá)到至卡盤(pán)臺(tái)3的內(nèi)部即吸附空間29的方式貫穿主體部23與中框部24而形成的。而且，真空吸附孔28經(jīng)過(guò)在外框部25的側(cè)面設(shè)置的吸氣口26而與吸附機(jī)構(gòu)27連接，具體而言與調(diào)節(jié)器或者真空源等連接。

圖7是例示出本實(shí)施方式涉及的卡盤(pán)臺(tái)處的配線(xiàn)的情況的透視圖。在圖7中，將縱軸方向設(shè)為Z軸方向，將橫軸方向設(shè)為X軸方向。

在將與各卡盤(pán)內(nèi)探針7連接的各配線(xiàn)22A分別向連接部8B連接的情況下，如果各配線(xiàn)22A的長(zhǎng)度不同，則在設(shè)置于半導(dǎo)體裝置5內(nèi)的各半導(dǎo)體芯片處，產(chǎn)生與配線(xiàn)22A的長(zhǎng)度相對(duì)應(yīng)的不同的電壓降。由于在各半導(dǎo)體芯片處產(chǎn)生不同的電壓降，因此產(chǎn)生測(cè)定誤差。因此，為了維持測(cè)定精度，優(yōu)選使各配線(xiàn)22A的長(zhǎng)度以某種程度統(tǒng)一。

圖7所例示的配線(xiàn)22A呈下述結(jié)構(gòu)，即，在吸附空間29的中央附近，各配線(xiàn)22A在1個(gè)部位集中，并且將集中后的配線(xiàn)22A向連接部8B連接。如果是這種結(jié)構(gòu)，則與將各個(gè)配線(xiàn)22A分別向連接部8B進(jìn)行連接的情況相比，能夠降低電壓降的波動(dòng)。

圖8是例示出本實(shí)施方式涉及的卡盤(pán)臺(tái)處的配線(xiàn)的情況的透視圖。在圖8中，將縱軸方向設(shè)為Z軸方向，將橫軸方向設(shè)為X軸方向。

圖8所例示的配線(xiàn)22B與圖7所例示的配線(xiàn)22A不同，配線(xiàn)22B進(jìn)行集中的部位被設(shè)置多個(gè)。在圖8所例示的情況下，進(jìn)行集中的部位為2個(gè)部位。而且，在2個(gè)部位進(jìn)行了集中的配線(xiàn)22B進(jìn)一步在吸附空間29的中央附近在1個(gè)部位集中，集中后的配線(xiàn)22B向連接部8B進(jìn)行連接。如果是這種結(jié)構(gòu)，則與圖7所例示的情況相比，由于能夠進(jìn)一步使各配線(xiàn)22B的長(zhǎng)度統(tǒng)一，因此能夠降低電壓降的波動(dòng)。

圖25是例示出本實(shí)施方式涉及的卡盤(pán)臺(tái)處的配線(xiàn)的情況的透視圖。在圖25中，將縱軸方向設(shè)為Z軸方向，將橫軸方向設(shè)為X軸方向。

圖25所例示的配線(xiàn)22C與圖7所例示的配線(xiàn)22A不同，配線(xiàn)22C進(jìn)行集中的部位被設(shè)置多個(gè)。在圖25所例示的情況下，進(jìn)行集中的部位為2個(gè)部位。而且，將在2個(gè)部位進(jìn)行了集中的配線(xiàn)22C的從各集中部位至連接部8B為止的配線(xiàn)的長(zhǎng)度設(shè)為相同程度。如果是這種結(jié)構(gòu)，則與圖7所例示的情況相比，由于進(jìn)一步使配線(xiàn)22C的長(zhǎng)度統(tǒng)一，因此能夠降低電壓降的波動(dòng)。

此外，在上述各圖雖未進(jìn)行例示，但為了對(duì)溫度發(fā)生變化的情況下的半導(dǎo)體裝置的電氣特性進(jìn)行評(píng)價(jià)，也可以在卡盤(pán)臺(tái)3的吸附空間29設(shè)置例如加熱器等升溫機(jī)構(gòu)。在設(shè)置升溫機(jī)構(gòu)的情況下，如果考慮導(dǎo)熱性，則優(yōu)選卡盤(pán)臺(tái)3的各部分、特別是主體部23與中框部24為金屬材料。另一方面，在卡盤(pán)臺(tái)3的各部分、特別是主體部23與中框部24為樹(shù)脂材料的情況下，由于不具有導(dǎo)電性，因此在對(duì)半導(dǎo)體裝置5的電氣特性進(jìn)行評(píng)價(jià)時(shí)，能夠防止電流繞至其他半導(dǎo)體芯片。

＜表面?zhèn)忍结樀慕Y(jié)構(gòu)＞

圖3是例示出圖1所例示的本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置之中的表面?zhèn)忍结樑c其周邊部的結(jié)構(gòu)的圖。此外，圖3中的(a)部是例示出表面?zhèn)忍结樑c半導(dǎo)體裝置的上表面接觸之前的階段的圖，圖3中的(b)部是例示出表面?zhèn)忍结樑c半導(dǎo)體裝置的上表面接觸后的階段的圖，圖3中的(c)部是例示出表面?zhèn)忍结樑c半導(dǎo)體裝置的上表面接觸、且進(jìn)一步對(duì)表面?zhèn)忍结樳M(jìn)行按壓的階段的圖。在圖3中，將縱軸方向設(shè)為Z軸方向，將橫軸方向設(shè)為X軸方向。參照?qǐng)D3對(duì)表面?zhèn)忍结樳M(jìn)行說(shuō)明。

表面?zhèn)忍结?0具有：筒部14，其與絕緣板16接觸；接觸部11，其與在半導(dǎo)體裝置5的表面設(shè)置的連接焊盤(pán)18A機(jī)械且電接觸；柱塞部12；以及電連接部15。

接觸部11的表面呈朝向連接焊盤(pán)18A的凸形狀。但是，接觸部11的表面的形狀并不限定于此，例如也可以為平面狀。

柱塞部12是在端部安裝有接觸部11的部件。另外，柱塞部12的與安裝有接觸部11的端部相反側(cè)的端部處于插入至筒部14內(nèi)的狀態(tài)。柱塞部12具有壓入部13。壓入部13是能夠通過(guò)組裝于內(nèi)部的彈簧等彈簧部件而在將筒部14與接觸部11連結(jié)的方向上伸縮的部件。

電連接部15在筒部14內(nèi)與柱塞部12電連接。另外，電連接部15成為向表面?zhèn)忍结?0外部的輸出端。

評(píng)價(jià)用表面?zhèn)忍结?0由具有導(dǎo)電性的例如銅、鎢、或者鎢錸合金等金屬材料而制作。但是，金屬材料并不限定于上述材料，特別是，對(duì)于接觸部11，從提高導(dǎo)電性或者提高耐久性等的角度出發(fā)，也可以由其他部件例如金、鈀、鉭、或者鉑等進(jìn)行包覆。

參照?qǐng)D3對(duì)表面?zhèn)忍结?0的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。

表面?zhèn)忍结?0從圖3中的(a)部的狀態(tài)起，朝向在Z軸的下方向的半導(dǎo)體裝置5的表面設(shè)置的連接焊盤(pán)18A而下降。然后，如圖3中的(b)部所例示那樣，連接焊盤(pán)18A與接觸部11接觸。

然后，如果表面?zhèn)忍结?0進(jìn)一步下降，則如圖3中的(c)部所例示那樣，壓入部13借助于彈簧部件而被壓入至筒部14內(nèi)。通過(guò)成為這種狀態(tài)，從而使半導(dǎo)體裝置5的表面處的連接焊盤(pán)18A與表面?zhèn)忍结?0之間的接觸變得可靠。

這里，對(duì)壓入部13在內(nèi)部具有沿Z軸方向伸縮的彈簧部件而進(jìn)行了說(shuō)明，但并不限定于這種方式，例如也可以是在外部具有彈簧部件。另外，壓入部13并不限定于彈簧式的情況，也可以是懸臂式、層疊探針或者線(xiàn)探針等。

＜卡盤(pán)內(nèi)探針的結(jié)構(gòu)＞

圖4是例示出圖1所例示的本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置之中的卡盤(pán)內(nèi)探針與其周邊部的結(jié)構(gòu)的圖。在圖4中，將縱軸方向設(shè)為Z軸方向，將橫軸方向設(shè)為X軸方向。參照?qǐng)D4對(duì)本實(shí)施方式涉及的卡盤(pán)內(nèi)探針進(jìn)行說(shuō)明。

卡盤(pán)內(nèi)探針7處于插入至在卡盤(pán)臺(tái)3的主體部23設(shè)置的探針收容孔21的狀態(tài)。探針收容孔21在主體部23的表面附近處的內(nèi)徑比除此以外的部分的內(nèi)徑小。

卡盤(pán)內(nèi)探針7具有：接觸部111，其與在半導(dǎo)體裝置5的設(shè)置面設(shè)置的連接焊盤(pán)18B機(jī)械且電接觸；柱塞部112；電連接部115；以及彈簧部17。

卡盤(pán)內(nèi)探針7不具有與筒部14相對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)。這是因?yàn)槟軌蛴商结樖杖菘?1代替該結(jié)構(gòu)。由于不必具有筒部，因此能夠減少部件數(shù)量。

柱塞部112是在端部安裝有接觸部111的部件。柱塞部112在長(zhǎng)度方向的中途具有柱塞厚部19。柱塞厚部19是在柱塞部112的長(zhǎng)度方向上與其他部分相比直徑較大的部分。柱塞厚部19的直徑比探針收容孔21的在主體部23的表面附近處的內(nèi)徑大。因此，柱塞厚部19卡掛于探針收容孔21的內(nèi)徑小的部位，防止柱塞部112從主體部23的表面拔出。

彈簧部17沿柱塞部112的長(zhǎng)度方向而配置，一端與柱塞厚部19接觸，并且另一端與中框部24接觸。通過(guò)彈簧部17沿柱塞部112的長(zhǎng)度方向進(jìn)行伸縮，從而能夠使得柱塞厚部19移動(dòng)，卡盤(pán)內(nèi)探針7在柱塞部112的長(zhǎng)度方向上移動(dòng)。配線(xiàn)22通過(guò)焊料等與柱塞部112的凸出至吸附空間29內(nèi)的端部連接。

柱塞部112的安裝有接觸部111一側(cè)的端部位于從主體部23的表面凸出的位置。將柱塞部112從主體部23的表面凸出的部分設(shè)為柱塞凸出部20。

柱塞凸出部20的在柱塞部112的長(zhǎng)度方向上的長(zhǎng)度大致設(shè)為0.5mm左右，如后述所示，該長(zhǎng)度可變。

接觸部111的表面是朝向半導(dǎo)體裝置5的凸形狀。接觸部111的表面是這種形狀，由此，即使在半導(dǎo)體裝置5的設(shè)置面不平坦的情況下，也能夠使卡盤(pán)內(nèi)探針7進(jìn)行電接觸而不進(jìn)行局部切觸。但是，接觸部111的表面的形狀并不限定于此，例如也可以如后述的圖11所例示的那樣為平面狀。

半導(dǎo)體裝置5設(shè)置于主體部23，如果進(jìn)行真空吸附，則伴隨著半導(dǎo)體裝置5與主體部23的密接，彈簧部17收縮。而且，半導(dǎo)體裝置5的連接焊盤(pán)18B與卡盤(pán)內(nèi)探針7之間的電連接以及機(jī)械連接變得可靠。

圖11是例示出本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置之中的卡盤(pán)內(nèi)探針與其周邊部的結(jié)構(gòu)的圖。在圖11中，將縱軸方向設(shè)為Z軸方向，將橫軸方向設(shè)為X軸方向。

如圖11所例示的那樣，接觸部111A的表面為平面狀，由此接觸部111A與連接焊盤(pán)18B的接觸面積擴(kuò)大。由此，能夠抑制施加大電流時(shí)的發(fā)熱。

圖9是例示出本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置之中的卡盤(pán)內(nèi)探針與其周邊部的結(jié)構(gòu)的圖。在圖9中，將縱軸方向設(shè)為Z軸方向，將橫軸方向設(shè)為X軸方向。

如圖9所例示的那樣，對(duì)柱塞部112A的與柱塞厚部19相比更靠接觸部111側(cè)的長(zhǎng)度進(jìn)行變更，由此能夠?qū)χ钩霾?0A的在柱塞部112A的長(zhǎng)度方向上的長(zhǎng)度進(jìn)行變更。

圖10是例示出本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置之中的卡盤(pán)內(nèi)探針與其周邊部的結(jié)構(gòu)的圖。在圖10中，將縱軸方向設(shè)為Z軸方向，將橫軸方向設(shè)為X軸方向。

如圖10所例示的那樣，對(duì)柱塞部112B的與柱塞厚部19相比更靠電連接部115側(cè)的長(zhǎng)度進(jìn)行變更，由此能夠?qū)χ钩霾?0B的在柱塞部112B的長(zhǎng)度方向上的長(zhǎng)度進(jìn)行變更。此外，伴隨著柱塞部112B的與柱塞厚部19相比更靠電連接部115側(cè)的長(zhǎng)度的變更，彈簧部17A的在柱塞部112B的長(zhǎng)度方向上的長(zhǎng)度也適當(dāng)變更。

圖11是例示出本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置之中的卡盤(pán)內(nèi)探針與其周邊部的結(jié)構(gòu)的圖。在圖11中，將縱軸方向設(shè)為Z軸方向，將橫軸方向設(shè)為X軸方向。

就圖11所例示的卡盤(pán)內(nèi)探針而言，在彈簧部17與中框部24之間設(shè)置墊片34。通過(guò)采用這種結(jié)構(gòu)，由此能夠?qū)χ钩霾?0C的在柱塞部112的長(zhǎng)度方向上的長(zhǎng)度進(jìn)行變更。此外，設(shè)置墊片34的位置并不限定于圖11所例示的情況，例如也可以是彈簧部17與柱塞厚部19之間。另外，墊片34也可以設(shè)置于彈簧部17與中框部24之間、和彈簧部17與柱塞厚部19之間這兩處。柱塞凸出部20C的在柱塞部112的長(zhǎng)度方向上的長(zhǎng)度能夠通過(guò)對(duì)墊片34的厚度進(jìn)行變更而自由地變更。

圖12是例示出本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置之中的卡盤(pán)內(nèi)探針與其周邊部的結(jié)構(gòu)的圖。在圖12中，將縱軸方向設(shè)為Z軸方向，將橫軸方向設(shè)為X軸方向。

圖12所例示的卡盤(pán)內(nèi)探針在彈簧部17與中框部24之間具有接觸凸部35。通過(guò)采用這種結(jié)構(gòu)，由此能夠?qū)χ钩霾?0D的在柱塞部112的長(zhǎng)度方向上的長(zhǎng)度進(jìn)行變更。這里，接觸凸部35與上述墊片34不同，僅設(shè)置于彈簧部17與中框部24接觸的部位的附近就足夠。在中框部24由金屬制作的情況下，由于在存留有接觸凸部35的狀態(tài)下對(duì)中框部24的表面進(jìn)行加工通常是困難的，因此優(yōu)選在結(jié)束包含中框部24在內(nèi)的其他結(jié)構(gòu)部件的加工之后，通過(guò)粘接劑等而安裝接觸凸部35。另外，接觸凸部35由于彈簧部17的伸縮而受到機(jī)械性的壓力，因此優(yōu)選由不易磨損的不銹鋼等金屬進(jìn)行制作。

圖13是例示出本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置之中的卡盤(pán)內(nèi)探針與其周邊部的結(jié)構(gòu)的圖。在圖13中，將縱軸方向設(shè)為Z軸方向，將橫軸方向設(shè)為X軸方向。

圖13所例示的卡盤(pán)內(nèi)探針在彈簧部17與中框部24之間具有接觸凹部36。通過(guò)采用這種結(jié)構(gòu)，由此能夠?qū)χ钩霾?0E的在柱塞部112的長(zhǎng)度方向上的長(zhǎng)度進(jìn)行變更。這里，接觸凹部36與上述墊片34不同，僅設(shè)置于彈簧部17與中框部24接觸的部位的附近就足夠。在由金屬制作中框部24的情況下，能夠通過(guò)锪孔加工而制作接觸凹部36。

圖14是例示出本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置之中的卡盤(pán)內(nèi)探針與其周邊部的結(jié)構(gòu)的圖。在圖14中，將縱軸方向設(shè)為Z軸方向，將橫軸方向設(shè)為X軸方向。

就圖14所例示的卡盤(pán)內(nèi)探針而言，沿探針收容孔21的內(nèi)壁而設(shè)置金屬制的筒部件33。在由具有絕緣性的樹(shù)脂而制作主體部23的情況下，與由金屬而制作主體部23的情況相比，容易由于柱塞部112在長(zhǎng)度方向上的動(dòng)作而產(chǎn)生探針收容孔21的內(nèi)壁的磨損以及損傷。因此，有時(shí)探針收容孔21本身的形狀發(fā)生變化。

在圖14所例示的情況下，為了抑制探針收容孔21本身的形狀的變化，在探針收容孔21的內(nèi)壁設(shè)置筒部件33。筒部件33能夠通過(guò)將金屬的板材彎曲成圓而進(jìn)行制作。在制作主體部23后，能夠?qū)⑼膊考?3通過(guò)嵌入至探針收容孔21而進(jìn)行設(shè)置。

圖15是例示出本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置之中的卡盤(pán)內(nèi)探針與其周邊部的結(jié)構(gòu)的圖。在圖15中，將縱軸方向設(shè)為Z軸方向，將橫軸方向設(shè)為X軸方向。

就圖15所例示的卡盤(pán)內(nèi)探針而言，在主體部23的表面處的探針收容孔21的周?chē)O(shè)置锪孔部37。

如果在半導(dǎo)體裝置5的設(shè)置面與卡盤(pán)臺(tái)3的表面之間夾持有異物，則對(duì)半導(dǎo)體裝置的電氣特性造成影響。不僅如此，在半導(dǎo)體裝置5與卡盤(pán)臺(tái)3的表面之間夾持有異物的情況下，有時(shí)在半導(dǎo)體裝置5的與該異物的接觸部分、或者半導(dǎo)體裝置5的與該異物的接觸部分的附近處產(chǎn)生裂紋等缺陷，半導(dǎo)體裝置5的一部分破損。另外，異物有時(shí)還咬入至柱塞部112與探針收容孔21之間。

為了避免這些問(wèn)題，設(shè)置上述锪孔部37。通過(guò)設(shè)置锪孔部37，從而至少將在卡盤(pán)內(nèi)探針7的周?chē)嬖诘漠愇锸杖萦陲量撞?7內(nèi)。由此，能夠抑制因異物引起的對(duì)半導(dǎo)體裝置5的電氣特性的影響，另外還抑制半導(dǎo)體裝置5的破損。

這里，出于防止異物咬入至探針收容孔21與柱塞部112的側(cè)面之間的目的，锪孔部37呈越朝向徑向的外側(cè)，則底面越下降的錐形形狀。

圖16是例示出圖15所例示的卡盤(pán)內(nèi)探針的、柱塞部112被壓入后的狀態(tài)的圖。在圖16中，將縱軸方向設(shè)為Z軸方向，將橫軸方向設(shè)為X軸方向。為了簡(jiǎn)單，在圖16中，省略半導(dǎo)體裝置的圖示。

在圖16所例示的狀態(tài)下，柱塞部112被壓入至呈凸形狀的接觸部111的周邊與锪孔部37的底面相連的位置。這樣，異物向錐形形狀的下方移動(dòng)，因此有效地抑制異物咬入至探針收容孔21與柱塞部112的側(cè)面之間。

圖17是例示出本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置之中的卡盤(pán)內(nèi)探針與其周邊部的結(jié)構(gòu)的圖。在圖17中，將縱軸方向設(shè)為Z軸方向，將橫軸方向設(shè)為X軸方向。

圖17所例示的卡盤(pán)內(nèi)探針在锪孔部37的至少1個(gè)部位設(shè)置锪孔吸附孔128。

圖18是例示出圖17所例示的卡盤(pán)內(nèi)探針的結(jié)構(gòu)的圖。在圖18中，將縱軸方向設(shè)為Y軸方向，將橫軸方向設(shè)為X軸方向。

锪孔吸附孔128與锪孔部37相連地形成，由此能夠在通過(guò)吸附而將半導(dǎo)體裝置5固定的同時(shí)將異物排出。即，通過(guò)锪孔吸附孔128而提高卡盤(pán)內(nèi)探針7的附近處的吸附力，由此卡盤(pán)內(nèi)探針7與半導(dǎo)體裝置5的接觸變得可靠。

與此相伴，通過(guò)形成锪孔部37，從而能夠至少將在卡盤(pán)內(nèi)探針7的周?chē)嬖诘漠愇锸杖萦陲量撞?7內(nèi)，抑制對(duì)半導(dǎo)體裝置5的電氣特性的影響。

圖19是概略地例示出卡盤(pán)內(nèi)探針的高度或者配置的分布的圖。在圖19中，將縱軸方向設(shè)為Z軸方向，將橫軸方向設(shè)為X軸方向。

在圖2所例示的例子中，關(guān)于卡盤(pán)內(nèi)探針7，柱塞凸出部20的在柱塞部112的長(zhǎng)度方向上的長(zhǎng)度是大致以0.5mm左右為基準(zhǔn)，以±0.2mm左右隨機(jī)地分配的。

對(duì)此，在圖19所例示的分布例中，對(duì)柱塞凸出部20的在柱塞部112的長(zhǎng)度方向上的長(zhǎng)度進(jìn)行變更，以使得任意的卡盤(pán)內(nèi)探針都能夠與具有平坦度局部地變化的設(shè)置面的半導(dǎo)體裝置5進(jìn)行接觸。

具體而言，在圖19所例示的分布例中，卡盤(pán)臺(tái)3的周邊部的柱塞凸出部20的在柱塞部112的長(zhǎng)度方向上的長(zhǎng)度，比卡盤(pán)臺(tái)3的其他區(qū)域的柱塞凸出部20的在柱塞部112的長(zhǎng)度方向上的長(zhǎng)度長(zhǎng)。在圖19所例示的例子中，設(shè)想的是卡盤(pán)內(nèi)探針7與設(shè)置面向下凸出的半導(dǎo)體裝置適當(dāng)?shù)亟佑|的情況。

圖20是概略地例示出卡盤(pán)內(nèi)探針的高度或者配置的分布的圖。在圖20中，將縱軸方向設(shè)為Z軸方向，將橫軸方向設(shè)為X軸方向。

在圖20所例示的分布例中，卡盤(pán)臺(tái)3的周邊部的柱塞凸出部20的在柱塞部112的長(zhǎng)度方向上的長(zhǎng)度，比卡盤(pán)臺(tái)3的其他區(qū)域的柱塞凸出部20的在柱塞部112的長(zhǎng)度方向上的長(zhǎng)度短。在圖20所例示的例子中，設(shè)想的是卡盤(pán)內(nèi)探針7與設(shè)置面向上凸出的半導(dǎo)體裝置適當(dāng)?shù)亟佑|的情況。

圖21是概略地例示出卡盤(pán)內(nèi)探針的高度或者配置的分布的圖。在圖21中，將縱軸方向設(shè)為Z軸方向，將橫軸方向設(shè)為X軸方向。

在圖21所例示的分布例中，柱塞凸出部20的在柱塞部112的長(zhǎng)度方向上的長(zhǎng)度以同心圓狀交替地不同。在圖21所例示的例子中，設(shè)想的是任意的卡盤(pán)內(nèi)探針7與平坦度局部地變化的半導(dǎo)體裝置接觸的情況。

圖22是概略地例示出卡盤(pán)內(nèi)探針的高度或者配置的分布的圖。在圖22中，將縱軸方向設(shè)為Z軸方向，將橫軸方向設(shè)為X軸方向。

在圖22所例示的分布例中，使卡盤(pán)內(nèi)探針7的面內(nèi)分布變化，以使得在卡盤(pán)臺(tái)3的外周附近，卡盤(pán)內(nèi)探針7分布得密。在圖22所例示的例子中，設(shè)想的是在異物的影響比較大的半導(dǎo)體裝置5的外周部，卡盤(pán)內(nèi)探針7可靠地與半導(dǎo)體裝置5接觸。

卡盤(pán)內(nèi)探針7的高度或者配置的分布并不限定于這些圖所例示的情況，還包含下述情況，即，例如將幾個(gè)例子組合，以使得形成圖22所例示的卡盤(pán)內(nèi)探針7的面內(nèi)分布，且柱塞凸出部20的在柱塞部112的長(zhǎng)度方向上的長(zhǎng)度以如圖19所例示的方式變化。

＜卡盤(pán)內(nèi)探針的形態(tài)＞

圖23是概略地例示出卡盤(pán)臺(tái)的結(jié)構(gòu)的俯視圖。為了簡(jiǎn)單，在圖23中，省略卡盤(pán)內(nèi)探針的圖示。在圖23中，將縱軸方向設(shè)為Y軸方向，將橫軸方向設(shè)為X軸方向。

在圖5所例示的例子中，在設(shè)置有多個(gè)的各個(gè)真空吸附槽30分別形成有真空吸附孔28。與此相對(duì)，在圖23中示出了下述例子，即，并非在所有的真空吸附槽30都設(shè)置真空吸附孔28，通過(guò)連結(jié)槽38將不具有真空吸附孔28的真空吸附槽30與具有真空吸附孔28的真空吸附槽30連結(jié)。

通過(guò)利用連結(jié)槽38而連結(jié)多個(gè)真空吸附槽30，從而能夠減少真空吸附孔28的數(shù)量。由此，能夠降低評(píng)價(jià)裝置的制造成本。

另外，通過(guò)如圖23所例示的那樣將真空吸附槽30在卡盤(pán)臺(tái)3的表面的外周配置得密，從而能夠使得卡盤(pán)內(nèi)探針7與設(shè)置面向下凸出的半導(dǎo)體裝置適當(dāng)?shù)亟佑|。

圖24是概略地例示出卡盤(pán)臺(tái)的結(jié)構(gòu)的俯視圖。為了簡(jiǎn)單，在圖24中，省略卡盤(pán)內(nèi)探針的圖示。在圖24中，將縱軸方向設(shè)為Y軸方向，將橫軸方向設(shè)為X軸方向。

通過(guò)如圖24所例示的那樣將真空吸附槽30在卡盤(pán)臺(tái)3的表面的中央部配置得密，從而能夠使得卡盤(pán)內(nèi)探針7與設(shè)置面向上凸出的半導(dǎo)體裝置適當(dāng)?shù)亟佑|。

此外，真空吸附槽30的個(gè)數(shù)或位置、以及真空吸附孔28的個(gè)數(shù)或位置并不限定于這些例子，例如也可以是將真空吸附槽30均等地配置，通過(guò)連結(jié)槽38而連結(jié)各個(gè)真空吸附槽30的結(jié)構(gòu)。

＜評(píng)價(jià)裝置的動(dòng)作＞

下面，對(duì)本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置的動(dòng)作流程進(jìn)行說(shuō)明。

在具有多個(gè)表面?zhèn)忍结?0的情況下，在評(píng)價(jià)半導(dǎo)體裝置的電氣特性之前，預(yù)先統(tǒng)一表面?zhèn)忍结?0的接觸部11的平行度。即，預(yù)先使壓入部13的在Z軸方向上的長(zhǎng)度一致。

關(guān)于卡盤(pán)內(nèi)探針7的柱塞凸出部20，對(duì)各柱塞凸出部20的在柱塞部112的長(zhǎng)度方向上的長(zhǎng)度進(jìn)行調(diào)整，以使得能夠與進(jìn)行電氣特性評(píng)價(jià)的半導(dǎo)體裝置5的設(shè)置面的形態(tài)、即設(shè)置面的翹曲或起伏等相匹配地進(jìn)行適當(dāng)?shù)慕佑|。

以使得半導(dǎo)體裝置5的設(shè)置面接觸至卡盤(pán)臺(tái)3之上、即半導(dǎo)體裝置5的設(shè)置面與卡盤(pán)內(nèi)探針7的柱塞凸出部20接觸的方式，將半導(dǎo)體裝置5設(shè)置于卡盤(pán)臺(tái)3之上。然后，半導(dǎo)體裝置5通過(guò)真空吸附而密接、固定于卡盤(pán)臺(tái)3之上。

作為半導(dǎo)體裝置5，例如想到由多個(gè)半導(dǎo)體芯片構(gòu)成的半導(dǎo)體晶片、或者半導(dǎo)體芯片本身等，但并不限定于這些，只要是通過(guò)真空吸附等而被固定于卡盤(pán)臺(tái)3之上的半導(dǎo)體裝置即可。

在將半導(dǎo)體裝置5固定于卡盤(pán)臺(tái)3之上后，使表面?zhèn)忍结?0與連接焊盤(pán)18A接觸。然后，實(shí)施半導(dǎo)體裝置5的所希望的電氣特性的評(píng)價(jià)。

＜效果＞

下面，例示出通過(guò)上述實(shí)施方式實(shí)現(xiàn)的效果。此外，在下文中，記載基于上述實(shí)施方式所例示的具體結(jié)構(gòu)而得到的效果，但在產(chǎn)生相同效果的范圍，也可以置換為本說(shuō)明書(shū)所例示的其他的具體結(jié)構(gòu)。

根據(jù)上述實(shí)施方式，半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置具有卡盤(pán)臺(tái)3和多個(gè)卡盤(pán)內(nèi)探針7。

卡盤(pán)臺(tái)3在表面形成多個(gè)探針孔，并且對(duì)半導(dǎo)體裝置5進(jìn)行吸附。

這里，探針收容孔21與探針孔相對(duì)應(yīng)。

卡盤(pán)內(nèi)探針7的一端插入至各探針收容孔21，另一端從卡盤(pán)臺(tái)3的表面凸出，并且與在卡盤(pán)臺(tái)3設(shè)置的半導(dǎo)體裝置5的設(shè)置面接觸。

另外，至少1個(gè)卡盤(pán)內(nèi)探針7的從卡盤(pán)臺(tái)3的表面凸出的高度與其他卡盤(pán)內(nèi)探針7的從卡盤(pán)臺(tái)3的表面凸出的高度不同。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，至少1個(gè)卡盤(pán)內(nèi)探針7的從卡盤(pán)臺(tái)3的表面凸出的高度不同，因此即使例如半導(dǎo)體裝置5的設(shè)置面呈翹曲的形狀，也能夠使卡盤(pán)內(nèi)探針7的凸出高度與半導(dǎo)體裝置5的設(shè)置面相對(duì)應(yīng)。由此，在對(duì)半導(dǎo)體裝置5的電氣特性進(jìn)行評(píng)價(jià)時(shí)，能夠降低半導(dǎo)體裝置5的設(shè)置面與卡盤(pán)內(nèi)探針7之間的接觸電阻。其結(jié)果，能夠通過(guò)減少電損耗，從而提高半導(dǎo)體裝置5的電氣特性的評(píng)價(jià)精度。

此外，對(duì)于這些結(jié)構(gòu)以外的本說(shuō)明書(shū)所例示的其他結(jié)構(gòu)，能夠適當(dāng)省略。即，僅通過(guò)這些結(jié)構(gòu)就能夠產(chǎn)生上述效果。但是，即使在將本說(shuō)明書(shū)所例示的其他結(jié)構(gòu)之中的至少1個(gè)適當(dāng)?shù)刈芳又辽鲜鼋Y(jié)構(gòu)的情況下，即，在將未作為上述結(jié)構(gòu)而進(jìn)行記載的、本說(shuō)明書(shū)所例示的其他結(jié)構(gòu)追加至上述結(jié)構(gòu)的情況下，同樣地能夠產(chǎn)生上述效果。

另外，根據(jù)上述實(shí)施方式，卡盤(pán)臺(tái)3的周邊部處的卡盤(pán)內(nèi)探針7從卡盤(pán)臺(tái)3的表面凸出的高度，比卡盤(pán)臺(tái)3的其他部分處的卡盤(pán)內(nèi)探針7的從卡盤(pán)臺(tái)3的表面凸出的高度高。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，針對(duì)呈相對(duì)于卡盤(pán)臺(tái)3而向下凸出的翹曲形狀的半導(dǎo)體裝置5的設(shè)置面，能夠使卡盤(pán)內(nèi)探針7適當(dāng)?shù)亟佑|。

另外，根據(jù)上述實(shí)施方式，卡盤(pán)臺(tái)3的周邊部處的卡盤(pán)內(nèi)探針7的從卡盤(pán)臺(tái)3的表面凸出的高度，比卡盤(pán)臺(tái)3的其他部分處的卡盤(pán)內(nèi)探針7的從卡盤(pán)臺(tái)3的表面凸出的高度低。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，針對(duì)相對(duì)于卡盤(pán)臺(tái)3而向上凸出的翹曲形狀的半導(dǎo)體裝置5的設(shè)置面，能夠使卡盤(pán)內(nèi)探針7適當(dāng)?shù)亟佑|。

另外，根據(jù)上述實(shí)施方式，卡盤(pán)內(nèi)探針7的從卡盤(pán)臺(tái)3的表面凸出的高度對(duì)應(yīng)于卡盤(pán)臺(tái)3之上的從中心算起的距離而不同。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，針對(duì)平坦度局部地變化的形狀的半導(dǎo)體裝置5的設(shè)置面，能夠使卡盤(pán)內(nèi)探針7適當(dāng)?shù)亟佑|。

另外，根據(jù)上述實(shí)施方式，卡盤(pán)內(nèi)探針7在卡盤(pán)臺(tái)3之上均等地配置。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠使卡盤(pán)內(nèi)探針7均等地與半導(dǎo)體裝置5的設(shè)置面進(jìn)行接觸。

另外，根據(jù)上述實(shí)施方式，卡盤(pán)臺(tái)3的周邊部處的卡盤(pán)內(nèi)探針7比卡盤(pán)臺(tái)3的其他部分處的卡盤(pán)內(nèi)探針7配置得密。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在被認(rèn)為異物的影響大的半導(dǎo)體裝置5的設(shè)置面的周邊部，能夠使卡盤(pán)內(nèi)探針7適當(dāng)?shù)亟佑|。

另外，能夠適當(dāng)?shù)貞?yīng)對(duì)在半導(dǎo)體裝置5形成的半導(dǎo)體元件的尺寸等。

另外，根據(jù)上述實(shí)施方式，卡盤(pán)臺(tái)3由金屬部件構(gòu)成。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在對(duì)半導(dǎo)體裝置5的溫度特性進(jìn)行評(píng)價(jià)時(shí)，能夠從卡盤(pán)臺(tái)3側(cè)適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行升溫。

另外，根據(jù)上述實(shí)施方式，卡盤(pán)臺(tái)3由樹(shù)脂部件構(gòu)成。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在對(duì)半導(dǎo)體裝置5的電氣特性進(jìn)行評(píng)價(jià)時(shí)，能夠抑制電流繞至其他元件。

另外，根據(jù)上述實(shí)施方式，半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置具有金屬制的筒部件33，該筒部件33在各探針收容孔21的內(nèi)壁的至少一部分處形成。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠抑制探針收容孔21的內(nèi)壁的磨損以及損傷。

另外，根據(jù)上述實(shí)施方式，各卡盤(pán)內(nèi)探針7具有棒狀的柱塞部112和沿各柱塞部112而設(shè)置的彈簧部17。

各柱塞部112具有直徑比其他部分大的柱塞厚部19。各彈簧部17的一端與各柱塞厚部19接觸，另一端與各探針收容孔21的底部接觸。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，彈簧部17進(jìn)行伸縮，由此柱塞部112能夠沿長(zhǎng)度方向移動(dòng)，因此能夠與半導(dǎo)體裝置5的設(shè)置面的形狀相匹配地使卡盤(pán)內(nèi)探針7適當(dāng)?shù)亟佑|。

另外，根據(jù)上述實(shí)施方式，至少1個(gè)彈簧部17A的長(zhǎng)度與其他彈簧部17A的長(zhǎng)度不同。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，至少1個(gè)彈簧部17A的長(zhǎng)度與其他彈簧部17A的長(zhǎng)度不同，由此能夠與半導(dǎo)體裝置5的設(shè)置面的形狀相匹配地使卡盤(pán)內(nèi)探針7適當(dāng)?shù)亟佑|。

另外，根據(jù)上述實(shí)施方式，至少1個(gè)柱塞部112A的長(zhǎng)度與其他柱塞部112A的長(zhǎng)度不同。

另外，根據(jù)上述實(shí)施方式，至少1個(gè)柱塞部112B的長(zhǎng)度與其他柱塞部112B的長(zhǎng)度不同。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，至少1個(gè)柱塞部的長(zhǎng)度與其他柱塞部的長(zhǎng)度不同，由此能夠與半導(dǎo)體裝置5的設(shè)置面的形狀相匹配地使卡盤(pán)內(nèi)探針7適當(dāng)?shù)亟佑|。

另外，根據(jù)上述實(shí)施方式，各柱塞厚部19在各柱塞部的長(zhǎng)度方向上的設(shè)置位置能夠變更。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，對(duì)柱塞厚部19在柱塞部的長(zhǎng)度方向上的位置進(jìn)行變更，由此與彈簧部的上端接觸的部位的在柱塞部的長(zhǎng)度方向上的位置改變，因此能夠調(diào)整卡盤(pán)內(nèi)探針7的從卡盤(pán)臺(tái)3的表面凸出的高度。

另外，根據(jù)上述實(shí)施方式，半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置具有墊片34，該墊片34配置在彈簧部17的一端或兩端。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在彈簧部17的一端或兩端處設(shè)置墊片34，由此能夠調(diào)整卡盤(pán)內(nèi)探針7的從卡盤(pán)臺(tái)3的表面凸出的高度。

另外，根據(jù)上述實(shí)施方式，在柱塞部的與半導(dǎo)體裝置5接觸的端部處設(shè)置的接觸部111呈凸形狀。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，即使在半導(dǎo)體裝置5的設(shè)置面不平坦的情況下，也能夠使卡盤(pán)內(nèi)探針7進(jìn)行電接觸，而不進(jìn)行局部切觸。

另外，根據(jù)上述實(shí)施方式，在柱塞部的與半導(dǎo)體裝置5接觸的端部處設(shè)置的接觸部111A呈平面形狀。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，由于能夠擴(kuò)大柱塞部與半導(dǎo)體裝置5的設(shè)置面的接觸面積，因此即使在施加了大電流時(shí)也能夠抑制發(fā)熱。

另外，根據(jù)上述實(shí)施方式，各柱塞部112的與接觸于半導(dǎo)體裝置5的端部相反側(cè)的端部，與外部的配線(xiàn)22電連接。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，由于直接將配線(xiàn)22連接至柱塞部112，因此，在探針的構(gòu)造上抑制接觸電阻的發(fā)生。

另外，根據(jù)上述實(shí)施方式，多個(gè)配線(xiàn)22A在卡盤(pán)臺(tái)3的下方在1個(gè)部位集中。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，配線(xiàn)22A的長(zhǎng)度以某種程度統(tǒng)一，從而能夠抑制不均勻的電壓降，維持測(cè)定精度。

另外，根據(jù)上述實(shí)施方式，多個(gè)配線(xiàn)22B在卡盤(pán)臺(tái)3的下方在多個(gè)部位集中，然后進(jìn)一步在1個(gè)部位集中。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，配線(xiàn)22B的長(zhǎng)度以某種程度統(tǒng)一，從而能夠抑制不均勻的電壓降，維持測(cè)定精度。

另外，根據(jù)上述實(shí)施方式，在卡盤(pán)臺(tái)3的表面具有锪孔部37，該锪孔部37形成為在俯視觀(guān)察時(shí)將探針收容孔21包圍。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，通過(guò)設(shè)置锪孔部37，從而至少將在卡盤(pán)內(nèi)探針7的周?chē)嬖诘漠愇锸杖萦陲量撞?7內(nèi)。由此，能夠抑制由異物引起的對(duì)半導(dǎo)體裝置5的電氣特性的影響，另外，還抑制半導(dǎo)體裝置5的破損。

另外，根據(jù)上述實(shí)施方式，锪孔部37的底部的形狀呈隨著遠(yuǎn)離探針收容孔21而變深的錐形形狀。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠防止異物咬入至探針收容孔21與柱塞部112的側(cè)面之間。

另外，根據(jù)上述實(shí)施方式，卡盤(pán)臺(tái)3具有主體部23、中框部24和外框部25。

主體部23與卡盤(pán)臺(tái)3的表面相對(duì)應(yīng)。中框部24與在卡盤(pán)臺(tái)3的表面形成的探針收容孔21的底部相對(duì)應(yīng)。

外框部25的內(nèi)部是中空的，并且該外框部25與中框部24連結(jié)。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠通過(guò)簡(jiǎn)易的構(gòu)造，抑制進(jìn)行吸附時(shí)的真空泄漏。

另外，通過(guò)將吸附機(jī)構(gòu)27，具體而言調(diào)節(jié)器或真空源等連接至外框部25，從而能夠在半導(dǎo)體裝置的自重的基礎(chǔ)上，通過(guò)真空吸附而確保半導(dǎo)體裝置與卡盤(pán)內(nèi)探針7之間的密接性以及接觸性。

另外，根據(jù)上述實(shí)施方式，半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置具有锪孔吸附孔128。

锪孔吸附孔128形成于锪孔部37的底部的至少1個(gè)部位處。另外，锪孔吸附孔128將主體部23以及中框部24貫穿。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，锪孔吸附孔128與锪孔部37相連地形成，由此能夠在通過(guò)吸附而固定半導(dǎo)體裝置5的同時(shí)，將異物排出。即，通過(guò)利用锪孔吸附孔128而提高卡盤(pán)內(nèi)探針7的附近處的吸附力，從而使卡盤(pán)內(nèi)探針7與半導(dǎo)體裝置5的接觸變得可靠。

并且，通過(guò)形成锪孔部37，從而能夠至少將在卡盤(pán)內(nèi)探針7的周?chē)嬖诘漠愇锸杖萦陲量撞?7內(nèi)，抑制對(duì)半導(dǎo)體裝置5的電氣特性的影響。

另外，由于能夠取代在卡盤(pán)臺(tái)3的表面形成的真空吸附槽30，減少真空吸附槽30的個(gè)數(shù)，因此卡盤(pán)內(nèi)探針7的設(shè)置位置的自由度提高。

另外，根據(jù)上述實(shí)施方式，半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)裝置具有吸附孔和多個(gè)吸附槽。這里，真空吸附槽30與吸附槽相對(duì)應(yīng)。另外，真空吸附孔28與吸附孔相對(duì)應(yīng)。

真空吸附槽30形成于卡盤(pán)臺(tái)3的表面。真空吸附孔28在各真空吸附槽30的底面至少形成1個(gè)。另外，真空吸附孔28將主體部23以及中框部24貫穿。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，與通過(guò)多個(gè)真空吸附孔28吸附半導(dǎo)體裝置5，而不形成真空吸附槽30的情況相比，能夠減少真空吸附孔28的個(gè)數(shù)。由此，能夠?qū)⒅圃斐杀疽种频幂^低。

另外，根據(jù)上述實(shí)施方式，多個(gè)真空吸附槽30至少在1個(gè)部位處被連結(jié)。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，與在各個(gè)真空吸附槽30形成真空吸附孔28，而并未將真空吸附槽30連結(jié)的情況相比，能夠減少真空吸附孔28的個(gè)數(shù)。由此，能夠?qū)⒅圃斐杀疽种频幂^低。

另外，根據(jù)上述實(shí)施方式，卡盤(pán)臺(tái)3的周邊部處的真空吸附槽30比卡盤(pán)臺(tái)3的其他部分處的真空吸附槽30配置得密。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠適當(dāng)?shù)匚匠氏鄬?duì)于卡盤(pán)臺(tái)3而向下凸出的翹曲形狀的半導(dǎo)體裝置5的設(shè)置面。由此，能夠使卡盤(pán)內(nèi)探針7適當(dāng)?shù)嘏c半導(dǎo)體裝置5的設(shè)置面接觸。

另外，根據(jù)上述實(shí)施方式，卡盤(pán)臺(tái)3的周邊部處的真空吸附槽30比卡盤(pán)臺(tái)3的其他部分處的真空吸附槽30配置得疏。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠適當(dāng)?shù)匚匠氏鄬?duì)于卡盤(pán)臺(tái)3而向上凸出的翹曲形狀的半導(dǎo)體裝置5的設(shè)置面。由此，能夠使卡盤(pán)內(nèi)探針7適當(dāng)?shù)嘏c半導(dǎo)體裝置5的設(shè)置面接觸。

另外，根據(jù)上述實(shí)施方式，在半導(dǎo)體裝置的評(píng)價(jià)方法中，至少1個(gè)卡盤(pán)內(nèi)探針7的從卡盤(pán)臺(tái)3的表面凸出的高度與其他卡盤(pán)內(nèi)探針7的從卡盤(pán)臺(tái)3的表面凸出的高度不同，其中，該評(píng)價(jià)方法是使用下述評(píng)價(jià)裝置進(jìn)行的，該評(píng)價(jià)裝置具有：卡盤(pán)臺(tái)3，其在表面形成多個(gè)探針收容孔21，并且對(duì)半導(dǎo)體裝置5進(jìn)行吸附；以及多個(gè)卡盤(pán)內(nèi)探針7，其一端插入至各探針收容孔21，另一端從卡盤(pán)臺(tái)3的表面凸出，并且與在卡盤(pán)臺(tái)3設(shè)置的半導(dǎo)體裝置5的設(shè)置面接觸。

根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，由于至少1個(gè)卡盤(pán)內(nèi)探針7的從卡盤(pán)臺(tái)3的表面凸出的高度不同，因此即使例如半導(dǎo)體裝置5的設(shè)置面呈翹曲的形狀，也能夠使卡盤(pán)內(nèi)探針7的凸出高度與半導(dǎo)體裝置5的設(shè)置面相對(duì)應(yīng)。由此，在對(duì)半導(dǎo)體裝置5的電氣特性進(jìn)行評(píng)價(jià)時(shí)，能夠降低半導(dǎo)體裝置5的設(shè)置面與卡盤(pán)內(nèi)探針7之間的接觸電阻。其結(jié)果，通過(guò)減少電損耗，從而能夠提高半導(dǎo)體裝置5的電氣特性的評(píng)價(jià)精度。

此外，對(duì)于上述結(jié)構(gòu)以外的、本說(shuō)明書(shū)所例示的其他結(jié)構(gòu)，能夠適當(dāng)省略。即，僅通過(guò)上述結(jié)構(gòu)就能夠產(chǎn)生上述效果。但是，在將本說(shuō)明書(shū)所例示的其他結(jié)構(gòu)中的至少1個(gè)適當(dāng)追加至上述結(jié)構(gòu)的情況下，即，在將并未作為上述結(jié)構(gòu)而記載的、本說(shuō)明書(shū)所例示的其他結(jié)構(gòu)追加至上述結(jié)構(gòu)的情況下，同樣也能夠產(chǎn)生上述效果。

＜變形例＞

在上述實(shí)施方式中，有時(shí)還記載了各結(jié)構(gòu)要素的材質(zhì)、材料、尺寸、形狀、相對(duì)配置關(guān)系或?qū)嵤┑臈l件等，但這些在所有方案中都為例示，并不限定于本說(shuō)明書(shū)所記載的內(nèi)容。由此，在本說(shuō)明書(shū)所公開(kāi)的技術(shù)的范圍內(nèi)，可想到未例示的無(wú)數(shù)變形例。例如，包含對(duì)至少1個(gè)結(jié)構(gòu)要素進(jìn)行變形的情況、進(jìn)行追加的情況或進(jìn)行省略的情況。

另外，只要不產(chǎn)生矛盾，在上述實(shí)施方式中記載為具有“1個(gè)”的結(jié)構(gòu)要素也可以具有“大于或等于1個(gè)”。并且，各結(jié)構(gòu)要素為概念性的單位，包含1個(gè)結(jié)構(gòu)要素由多個(gè)構(gòu)造物構(gòu)成的情況、1個(gè)結(jié)構(gòu)要素與某構(gòu)造物的一部分相對(duì)應(yīng)的情況、以及多個(gè)結(jié)構(gòu)要素設(shè)置于1個(gè)構(gòu)造物的情況。另外，對(duì)于各結(jié)構(gòu)要素，只要發(fā)揮相同的功能，則也包含具有其他構(gòu)造或形狀的構(gòu)造物。

另外，關(guān)于本說(shuō)明書(shū)中的說(shuō)明，是為了與本技術(shù)相關(guān)的全部目的而進(jìn)行參照的，均未承認(rèn)是現(xiàn)有技術(shù)。

另外，在上述實(shí)施方式中，在未特別指定地記載了材料名等的情況下，只要不產(chǎn)生矛盾，則該材料包括含有其他添加物的例如合金等。