技術(shù)編號：12456150
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本說明書所公開的技術(shù)涉及一種半導(dǎo)體裝置的評價(jià)裝置以及半導(dǎo)體裝置的評價(jià)方法，例如涉及利用多個(gè)探針而對半導(dǎo)體裝置的電氣特性進(jìn)行評價(jià)的半導(dǎo)體裝置的評價(jià)裝置以及半導(dǎo)體裝置的評價(jià)方法。背景技術(shù)在對處于半導(dǎo)體晶片狀態(tài)或者半導(dǎo)體芯片狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置的電氣特性進(jìn)行測定時(shí)，通常使用通過真空吸附使半導(dǎo)體裝置的1個(gè)面與卡盤臺的表面接觸而進(jìn)行固定的方法。就電流沿半導(dǎo)體裝置的縱向、即面外方向流動(dòng)的縱向型構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置而言，對半導(dǎo)體裝置的1個(gè)面進(jìn)行固定的卡盤臺的表面成為1個(gè)測定電極。因此，半導(dǎo)體裝置與卡盤臺的表面之間的密...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。