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生物免疫電化學(xué)阻抗集成芯片傳感器的制作方法與流程

文檔序號:11946041閱讀:1006來源:國知局
生物免疫電化學(xué)阻抗集成芯片傳感器的制作方法與流程
本發(fā)明涉及生物電化學(xué)免疫傳感器
技術(shù)領(lǐng)域
,特別是導(dǎo)電玻璃電極的生物免疫電化學(xué)阻抗集成芯片傳感器的制作
技術(shù)領(lǐng)域
。
背景技術(shù)
:電化學(xué)免疫傳感器是一種研究最早、種類最多的免疫傳感器,它是一種將電化學(xué)檢測技術(shù)與免疫學(xué)技術(shù)相結(jié)合而發(fā)展起來的一種新型免疫傳感器。這種傳感器是將各種各樣的特異性抗原——抗體固定到電極的表面,通過固定化的分子識別物質(zhì)和分析物(或借助某些標(biāo)記物,如:酶或其他電活性化合物等)之間的免疫反應(yīng),把抗原和抗體這種特異性結(jié)合的信息轉(zhuǎn)換為可檢測的電化學(xué)信號(電流或電位等)。根據(jù)測量信號的不同,電化學(xué)免疫傳感器大致可以分為電導(dǎo)型、電流型、電位型、電容型和阻抗型等多種類型的免疫傳感器。電化學(xué)阻抗譜分析方法(EIS)是可以用來檢測修飾有生物分子的電極界面的生物學(xué)反應(yīng)特性的電化學(xué)技術(shù),是一種測量電極界面性質(zhì)的有效工具。阻抗型免疫傳感器的分析原理是基于抗原/抗體之間的特異性結(jié)合而降低了電活性探針分子同電極之間的電子轉(zhuǎn)移速率,即增加了電子轉(zhuǎn)移阻抗。通過測量免疫反應(yīng)前后電子轉(zhuǎn)移阻抗之差(Rct)可以實現(xiàn)高靈敏檢測的目的。電化學(xué)交流電阻抗譜法是電化學(xué)測試技術(shù)中一類重要的方法,該方法具有頻率范圍寬、對體系擾動小的特點,是研究電極過程動力學(xué)、電極界面現(xiàn)象以及測定固體電解質(zhì)電導(dǎo)率的有效工具。近年來,由于電化學(xué)阻抗生物傳感器具有制備簡便、成本低廉、易于封裝、快速實時和小型化監(jiān)測等特點,所以在微生物檢測、醫(yī)療診斷、藥物殘留、工業(yè)生產(chǎn)、環(huán)境檢測、食品分析等領(lǐng)域得到廣泛研究。在生物免疫電化學(xué)阻抗傳感器的制備過程中,選擇何種電極對生物免疫電化學(xué)阻抗傳感器的準(zhǔn)確性、重現(xiàn)性、一致性、選擇性、成本高低等都影響其實用性。在傳統(tǒng)的電化學(xué)免疫阻抗傳感器研究中,大多是使用體積較大的固體電極,如金電極、鉑電極、玻碳電極、熱解石墨電極、銀電極等。這些電極不僅價格昂貴,使用前還需要復(fù)雜的預(yù)處理,不但難以保證電極的一致性,而且對目標(biāo)物的檢測結(jié)果重現(xiàn)性較差,是生物免疫電化學(xué)阻抗傳感器制備中的突出問題之一。技術(shù)實現(xiàn)要素:本發(fā)明目的是提出成本低、測定結(jié)果準(zhǔn)確的生物免疫電化學(xué)阻抗集成芯片傳感器的制作方法。本發(fā)明采用導(dǎo)電層為氧化銦錫的導(dǎo)電玻璃作為基質(zhì),通過激光刻蝕,去除基質(zhì)上的部分氧化銦錫層,形成工作電極、對電極和參比電極。本發(fā)明制備的導(dǎo)電玻璃電極具有易微型化,集成化,檢測時耗樣量小、操作簡單,實際應(yīng)用性強(qiáng),一般無需預(yù)處理,測定結(jié)果準(zhǔn)確可靠等諸多優(yōu)點而使生物免疫電化學(xué)阻抗傳感器商品化成為可能。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有以下有益效果:1、本發(fā)明方法簡單,只需通過電腦控制激光儀器,對導(dǎo)電玻璃進(jìn)行刻蝕,即可制作成三電極體系的導(dǎo)電玻璃電極;2、制成的導(dǎo)電玻璃電極可以根據(jù)需要制作出不同的尺寸;3、用該導(dǎo)電玻璃電極制成的生物免疫電化學(xué)阻抗集成芯片傳感器的檢測方法簡單、操作方便。附圖說明圖1是導(dǎo)電玻璃電極的示意圖。圖2是導(dǎo)電玻璃的阻抗圖。圖3是在導(dǎo)電玻璃上滴加修飾物后的阻抗變化圖。圖4是IgG抗原濃度與阻抗的相對變化值的線性圖。具體實施方式一、生物免疫電化學(xué)阻抗集成芯片傳感器電極的制作1、導(dǎo)電玻璃電極制作的預(yù)處理:將氧化銦錫導(dǎo)電玻璃切割至以下尺寸:長度為30mm、寬度為10mm。將切割好的導(dǎo)電玻璃依次用丙酮、乙醇、去離子水洗滌后,再將導(dǎo)電玻璃浸泡在1mol/L的鹽酸中,浸泡10min后用去離子水清洗。隨后,將導(dǎo)電玻璃浸泡在由體積比為1:1:5的H2O2、NH4OH和H2O組成的混合液中,浸泡時間為60min。最后將導(dǎo)電玻璃置于60℃烘箱中干燥,取得基質(zhì)材料——導(dǎo)電層為氧化銦錫的導(dǎo)電玻璃。2、導(dǎo)電玻璃電極的制作:先在電腦上使用autocad軟件繪制出導(dǎo)電玻璃的示意圖(如圖1所示),再用電腦(根據(jù)示意圖)控制激光儀器,對導(dǎo)電玻璃表面的部分氧化銦錫刻蝕,形成工作電極、對電極和參比電極,取得生物免疫電化學(xué)阻抗集成芯片傳感器電極。二、生物免疫電化學(xué)阻抗集成芯片傳感器電極的性能研究:電化學(xué)阻抗譜(EIS)是研究電極修飾過程中電極界面變化的一種有效的檢測手段。電化學(xué)阻抗譜圖是由半圓和直線兩部分組成,處于高頻的半圓部分對應(yīng)電子轉(zhuǎn)移的過程,即電極表面電子轉(zhuǎn)移的阻抗(Rct)等于半圓的直徑,而處于低頻的直線部分則對應(yīng)于擴(kuò)散過程,故可以用它來描述電極的界面性質(zhì)。將本發(fā)明制成的生物免疫電化學(xué)阻抗集成芯片傳感器電極置于含0.1mol/L氯化鉀的0.005mol/L鐵氰化鉀/亞鐵氰化鉀溶中,開路電位:0V,取得導(dǎo)電玻璃的阻抗圖,如圖2所示。從圖2中可以看出采用本發(fā)明制成的導(dǎo)電玻璃電極的電化學(xué)阻抗譜圖由半圓和直線兩部分組成,這說明了導(dǎo)電玻璃電極是適合用于電化學(xué)阻抗測定的。三、以人免疫球蛋白(IgG)為例,對本發(fā)明以上工藝制作的生物免疫電化學(xué)阻抗集成芯片傳感器進(jìn)行測定:原料說明:本發(fā)明使用的鐵氰化鉀(AR)、亞鐵氰化鉀(AR)、磷酸氫二鈉(AR)、磷酸二氫鈉(AR)、硝酸鉀(AR)購自國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司。鏈霉親和素化的磁珠、生物素化的IgG抗體、IgG抗原購自江蘇省蘇北人民醫(yī)院。實驗中所用的水均為去離子水,autolab電化學(xué)工作站購自荷蘭autolab公司。1、溶液的配制:配制含0.1mol/L氯化鉀的0.005mol/L鐵氰化鉀/亞鐵氰化鉀混合溶液:先將鐵氰化鉀和亞鐵氰化鉀混合,形成鐵氰化鉀含量為0.005mol/L的鐵氰化鉀和亞鐵氰化鉀混合溶液。再將氯化鉀加入鐵氰化鉀和亞鐵氰化鉀混合溶液中,形成氯化鉀含量為0.1mol/L的氯化鉀/鐵氰化鉀/亞鐵氰化鉀混合溶液。配制0.01mol/L磷酸緩沖溶液(PBS)(pH=7)。分別配制不同濃度的IgG(0.741、7.41、14.82、74.1、741、1482、11280ng/mL)。2、選用正面具有氧化銦錫的導(dǎo)電玻璃,先在超聲波中超洗干凈,并干燥,取得潔凈的導(dǎo)電玻璃基體。然后在導(dǎo)電玻璃基體的背面粘上一塊磁鐵,用來吸附磁珠與抗體的復(fù)合物。3、用移液槍分別移取120μL鏈霉親和素化的磁珠和120μL生物素化的IgG抗體到離心管中,在38℃的恒溫水浴槽中,溫浴30min,將鏈霉親和素化的磁珠與生物素化的IgG抗體結(jié)合,取得磁珠與抗體的復(fù)合物。將磁珠與抗體的復(fù)合物滴在導(dǎo)電玻璃基體的正面,用PBS緩沖液清洗電極表面,去除磁珠未吸附的抗體,將上述電極浸于氯化鉀/鐵氰化鉀/亞鐵氰化鉀混合溶液中,開路電位設(shè)為0V,頻率設(shè)為0.01~1000000Hz。用autolab電化學(xué)工作站測量阻抗R0。4、將上述處理的電極放置在1wt%BSA溶液中溫育60min,用于封閉電極上的非特異性活性位點。用PBS緩沖液清洗電極,將上述電極浸于含0.1mol/L氯化鉀的0.005mol/L鐵氰化鉀/亞鐵氰化鉀溶中,開路電位設(shè)為0V,頻率設(shè)為0.01-1000000HZ,用autolab電化學(xué)工作站測量阻抗R1。5、用移液槍移取10μLIgG(0.741ng/mL)抗原滴在工作電極上,在38℃的恒溫水浴槽中,溫浴60min。用PBS緩沖液清洗電極,將上述電極浸于含0.1mol/L氯化鉀的0.005mol/L鐵氰化鉀/亞鐵氰化鉀溶中,開路電位設(shè)為0V,頻率設(shè)為0.01-1000000Hz,用autolab電化學(xué)工作站測量其阻抗R2。同理,依次完成對其它濃度(7.41、14.82、74.1、741、1482、11280ng/mL)的電化學(xué)阻抗測定。6、計算加IgG抗原前后阻抗變化的相對值,公式如下:上式中:△:變化值。R1:1wt%BSA滴加在磁珠和IgG抗體復(fù)合物修飾的電極后的電化學(xué)阻抗值。R2:IgG抗原滴加在由1wt%BSA,磁珠-IgG抗體修飾后電極后的電化學(xué)阻抗值。7、在含0.1mol/L氯化鉀的0.005mol/L鐵氰化鉀/亞鐵氰化鉀溶的阻抗圖,開路電位:0V(a)裸電極的阻抗圖,(b)在電極滴加上磁珠和IgG抗體復(fù)合物后的阻抗圖(c)滴加1%BSA后的阻抗圖(d)滴加IgG抗原后的阻抗圖。取得圖3的在導(dǎo)電玻璃上滴加修飾物后的阻抗變化圖。從圖3的電化學(xué)阻抗圖譜中可以看出電極的逐步修飾過程。裸導(dǎo)電玻璃電極的阻抗譜(曲線a)Rct很小,說明氧化還原探針在裸玻碳電極表面的Rct很小。固定上鏈霉親和素的磁珠和生物素化的IgG抗體復(fù)合物之后,Rct明顯增加(曲線b),這是由于抗體的分子結(jié)構(gòu)阻礙了電子的傳遞,它同時也證明鏈霉親和素的磁珠和生物素化的IgG抗體復(fù)合物成功地固定到了電極上。當(dāng)封閉了牛血清蛋白后,Rct變大(曲線c)。隨后,當(dāng)IgG抗原結(jié)合到單克隆抗體的修飾電極表面時,與曲線c相比,電化學(xué)反應(yīng)阻抗Rct(曲線d)明顯增大。這個結(jié)果可以說明IgG抗原與導(dǎo)電玻璃電極表面的單克隆抗體成功結(jié)合,形成了無活性電子和傳質(zhì)封閉層,極大地阻礙了鐵氰化物在玻碳電極表面的擴(kuò)散過程。8、圖4是使用original軟件,以IgG抗原濃度為橫坐標(biāo),阻抗的相對變化值為縱坐標(biāo)作圖而得,通過線性擬合,得出下表。方程y=a+b*x權(quán)重不作權(quán)重殘差平方和43.34719校正的相關(guān)系數(shù)平方0.99976數(shù)值標(biāo)準(zhǔn)誤差截距(b)43.823911.01804斜率(a)0.041452.26903×10-4用該導(dǎo)電玻璃電極制作的電化學(xué)阻抗免疫傳感器檢測IgG的線性范圍是0.0741~11280ng/mL,線性相關(guān)系數(shù)0.99976,方程為y=43.82391+0.04145x。當(dāng)前第1頁1 2 3 
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