本發(fā)明涉及X射線光柵相襯成像領(lǐng)域，具體涉及一種X射線光柵相襯成像裝置和成像方法。

背景技術(shù)：

X射線相位襯度成像方法，相對(duì)于傳統(tǒng)基于吸收的成像方法，因其對(duì)于人體軟組織等低原子序數(shù)物質(zhì)有明顯優(yōu)勢(shì)，自提出以來(lái)引起了各方面的廣泛關(guān)注。從上世紀(jì)90年代開(kāi)始，X射線相襯成像主要有晶體干涉儀方法、衍射增強(qiáng)方法、同軸方法以及光柵干涉儀方法。由于X射線相移探測(cè)要求X射線光源有比較高的相干性，所以剛開(kāi)始都是在同步輻射上完成的[1]。在2006年，Pfeiffer等人從可見(jiàn)光的相位測(cè)量得到啟發(fā)，在原有的基于兩塊光柵的Talbot干涉儀基礎(chǔ)上增加了一塊源光柵，提出了可以使用普通光源的Talbot-Lau干涉儀[2]。由于該方法擺脫了龐大而昂貴的同步輻射光源以及低功率的微焦點(diǎn)光源，真正使X射線相襯成像應(yīng)用于醫(yī)學(xué)成像、無(wú)損檢測(cè)等成為了可能。2009年，清華大學(xué)工程物理系的黃志峰等人基于幾何投影方法，也提出了一套基于非相干光照明的三塊光柵組成的相襯成像裝置[3]。與Talbot-Lau干涉儀相比，該裝置進(jìn)一步降低了對(duì)光源相干性以及光柵的要求，成為了另外一種應(yīng)用潛力巨大的相襯成像方法。光柵相襯成像方法，其最大特點(diǎn)就是可以同時(shí)獲取被檢物體的吸收，折射以及散射圖像，三種信息可以反映物質(zhì)的不同特征，且相互補(bǔ)充。

使用常規(guī)光源的光柵相襯成像裝置和普通的X射線吸收襯度成像裝置相比，除了普通的X光機(jī)、平板探測(cè)器以及樣品臺(tái)等外，增加了三塊透射光柵，分別是源光柵G0，分束光柵G1和分析光柵G2。目前采用常規(guī)光源的光柵相襯成像方法有基于相干光照明的Talbot-Lau干涉儀和由非相干光照明的三塊吸收光柵的相襯成像裝置兩種方法。兩種光柵相襯成像裝置的源光柵G0和分析光柵G2都是吸收光柵，不同的是分束光柵G1，前 者是相移為π或π/2的相位光柵，而后者是吸收光柵。X射線波段的吸收光柵一般包含作為襯底的硅片和作為吸收材料的周期性結(jié)構(gòu)。在現(xiàn)有的光柵相襯成像裝置中，吸收光柵都是周期性結(jié)構(gòu)正對(duì)著X光源，即從X光源出射的光子先入射到吸收光柵中的周期性結(jié)構(gòu)后再進(jìn)入硅片襯底。這樣的放置導(dǎo)致入射X光經(jīng)過(guò)吸收光柵之后，光子的吸收絕大部分被周期性結(jié)構(gòu)承擔(dān)。這些結(jié)構(gòu)是由一個(gè)個(gè)很小的單元組成，每一個(gè)的尺寸一致，一般來(lái)說(shuō)寬度較小，高度較大，擁有比較大的高寬比，極不穩(wěn)定，長(zhǎng)期如此照射，吸收結(jié)構(gòu)會(huì)發(fā)熱震動(dòng)甚至變形，嚴(yán)重影響光場(chǎng)的穩(wěn)定性和光柵的壽命。

[1]Bravin A，Coan P，Suortti P.X-ray phase-contrast imaging：from pre-clinical applications towards clinics[J].Physics in medicine and biology，2012，58(1)：R1.

[2]F.Pfeiffer，T.Weitkamp，O.Bunk，C.David，Phase retrieval and differential phase-contrast imaging with low-brilliance X-ray sources，Nature Physics，2(2006)258-261.

[3]Huang Z F，Kang K J，Zhang L，et al.Alternative method for differential phase-contrast imaging with weakly coherent hard x rays[J].Physical Review A，2009，79(1)：013815.

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

(一)要解決的技術(shù)問(wèn)題

本發(fā)明所要解決的主要問(wèn)題是在三塊光柵的Talbot-Lau裝置以及基于投影成像的相襯成像裝置中，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性和延長(zhǎng)光柵使用壽命。

(二)技術(shù)方案

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提出一種X射線相位襯底成像裝置，包括X射線管、源光柵、樣品臺(tái)、分束光柵、分析光柵和X射線探測(cè)器，各部件的中心都在水平方向上共軸，所述源光柵、分束光柵和分析光柵的襯底面均正對(duì)著所述X射線管。

優(yōu)選地，所述源光柵、分束光柵和分析光柵均通過(guò)光學(xué)精密位移臺(tái)固定于光學(xué)平臺(tái)之上。

優(yōu)選地，所述分析光柵與光學(xué)精密位移臺(tái)之間安裝有壓電陶瓷精密位移電機(jī)，用以完成該分析光柵的步進(jìn)運(yùn)動(dòng)。

優(yōu)選地，所述源光柵、分束光柵和分析光柵中均為吸收光柵。

優(yōu)選地，所述吸收光柵包括依次疊置的襯底、導(dǎo)電層和周期結(jié)構(gòu)層。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電層包含鈦和金。

優(yōu)選地，所述周期結(jié)構(gòu)層為金。

優(yōu)選地，所述周期結(jié)構(gòu)層的槽中保留有光刻膠。

本發(fā)明還提出與使用上述X射線相位襯底成像裝置進(jìn)行X射線相位襯底成像的方法。

利用本發(fā)明的X射線光柵相位襯度成像裝置進(jìn)行成像的方法包括以下步驟：

1.X射線探測(cè)器校正

X射線探測(cè)器校正又包括暗場(chǎng)校正和增益校正。具體校正過(guò)程為；

將X射線管和X射線探測(cè)器之間的光學(xué)元件均移出光路，打開(kāi)X射線探測(cè)器采集50張圖像，對(duì)其取平均后記為I_offset，是為暗場(chǎng)校正圖像。再將X射線管打開(kāi)，采集50張圖像，對(duì)其求取平均后記為I_gain，是為增益校正圖像。

待X射線相位襯度成像裝置運(yùn)行采集圖像之后，運(yùn)用以下公式完成校正：

其中(m，n)為校正點(diǎn)的圖像像素坐標(biāo)，I(m，n)為校正后的圖像，I₀(m，n)為原始圖像，M為探測(cè)器的行像素?cái)?shù)，N為探測(cè)器的列像素?cái)?shù)，mean表示對(duì)圖像內(nèi)所有像素值求平均值。

2.儀器光路校準(zhǔn)

將光學(xué)元件移回光路，使得三塊光柵的襯底這一面正對(duì)著光源而周期性結(jié)構(gòu)這一面背對(duì)著光源，打開(kāi)X射線管和X射線探測(cè)器，微調(diào)分束光柵，觀察X射線探測(cè)器上的摩爾條紋，待條紋均勻且周期區(qū)域無(wú)窮大時(shí)認(rèn)為光路校準(zhǔn)完成。

3.樣品圖像采集

將被測(cè)樣品放入樣品臺(tái)并調(diào)整至視場(chǎng)合適范圍內(nèi)，沿著垂直于光柵刻線方向移動(dòng)分析光柵，在其一個(gè)光柵周期內(nèi)均勻移動(dòng)五步，為了提高圖像質(zhì)量，每步可取多張圖像求取平均，經(jīng)過(guò)校正后，記第k步最終獲得的圖像為

4.背景圖像采集

將被測(cè)樣品移出視場(chǎng)(樣品臺(tái))，并將分析光柵移回原位，然后按照采集樣品折射圖像同樣的步驟采集背景圖像，記第k步最終獲得的圖像為

5.吸收信息提取

樣品的吸收信息可由以下公式計(jì)算，

其中，A(m，n)為吸收像，坐標(biāo)(m，n)表示探測(cè)器上像素點(diǎn)的位置坐標(biāo)，N代表相位步進(jìn)的總步數(shù)(本發(fā)明取5)，下標(biāo)k表示當(dāng)前圖像為N步步進(jìn)的第k步，上標(biāo)s表示有樣品存在的樣品相位步進(jìn)投影圖像，上標(biāo)b表示無(wú)樣品存在的圖像，即背景圖像。

6.折射信息提取

樣品的折射信息可由以下公式提取

其中α(m，n)代表折射像，P₂表示分析光柵G₂的周期，d為相位光柵G₁和分析光柵G₂之間的距離。

(三)有益效果

本發(fā)明的光柵放置方法與傳統(tǒng)的方法相比，調(diào)轉(zhuǎn)了三塊光柵的放置方向，其他的校正步驟、采集方法以及信息分離方法與現(xiàn)有技術(shù)完全一致，就能將傳統(tǒng)方法中吸收光柵周期性結(jié)構(gòu)的吸收部分承擔(dān)的能量沉積轉(zhuǎn)移一部分到襯底部分，使得襯底受到的輻照劑量、能量沉積和熱分布更加均 勻，減小相應(yīng)的熱效應(yīng)帶來(lái)的光柵振動(dòng)乃至變形，提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性，延長(zhǎng)光柵使用壽命。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的X射線相位襯底成像裝置的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明的X射線相位襯底成像裝置的一個(gè)吸收光柵的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為現(xiàn)有技術(shù)的儀器光路示意圖；

圖4為本發(fā)明的儀器光路示意圖；

圖5為本發(fā)明驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)所使用的樣品示意圖；

圖6a為本發(fā)明實(shí)施例提供現(xiàn)有技術(shù)得到的樣品吸收?qǐng)D像；

圖6b為本發(fā)明實(shí)施例提供現(xiàn)有技術(shù)得到的樣品折射圖像；

圖7a為本發(fā)明實(shí)施例提供的本發(fā)明得到的樣品吸收?qǐng)D像；

圖7b為本發(fā)明實(shí)施例提供的本發(fā)明得到的樣品折射圖像；

圖8a為本發(fā)明實(shí)施例利用現(xiàn)有技術(shù)與本發(fā)明得到吸收像斷面對(duì)比示意圖。

圖8b為本發(fā)明實(shí)施例利用現(xiàn)有技術(shù)與本發(fā)明得到折射像斷面對(duì)比示意圖。

具體實(shí)施方式

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提出了一種用于X射線光柵相位襯度成像裝置，該裝置包括：X射線管、光源光柵、分束光柵、分析光柵、X射線探測(cè)器。

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。

圖1是本發(fā)明的X射線相位襯底成像裝置的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，該裝置10包括X射線管11、源光柵12、樣品臺(tái)4、分束光柵13、分析光柵15、X射線探測(cè)器16。所有的部件中心都在水平(圖中z軸)方向共軸，X射線管11距離源光柵12距離為z₀，分束光柵13距離源光柵12和分析光柵15距離分別為z₁和z₂，理論上樣品14緊貼在分束 光柵13后面(或者前面)，X射線探測(cè)器16緊貼在分析光柵15后面。X射線管11產(chǎn)生的X射線一般具有mm量級(jí)的大焦點(diǎn)，可以覆蓋若干個(gè)源光柵12若干個(gè)周期p₀。源光柵12的周期為p₀，分束光柵13的周期為p₁，分析光柵15的周期為p₂，它們需要滿足如下幾何關(guān)系：p₀/p₂＝z₁/z₂，p₁/p₂＝z₁/(z₁+z₂)。X光經(jīng)過(guò)樣品14之后出射會(huì)有一定的折射角，如圖1中的虛線相對(duì)于實(shí)線的方向。

所述X射線管11用于產(chǎn)生X射線，所述源光柵12用于分光，把X射線管產(chǎn)生的大焦點(diǎn)光束分成狹小的線光源，所述分束光柵13用于在分析光柵15處產(chǎn)生投影條紋，所述分析光柵15用于與分析光柵13在此處的投影條紋產(chǎn)生摩爾條紋以放大變化的信息，所述X射線探測(cè)器7用于記錄產(chǎn)生的投影像。

本發(fā)明的X射線相位襯底成像裝置還可包括光學(xué)精密位移臺(tái)、樣品臺(tái)、光學(xué)平臺(tái)以及控制計(jì)算機(jī)等。三塊光柵12、13、15均通過(guò)光學(xué)精密位移臺(tái)固定于光學(xué)平臺(tái)之上，其中分析光柵15與光學(xué)精密位移臺(tái)之間安裝有壓電陶瓷精密位移電機(jī)，用以完成分析光柵15的步進(jìn)運(yùn)動(dòng)。

現(xiàn)有技術(shù)的X射線相位襯底成像裝置示意圖如圖3所示，本發(fā)明的X射線相位襯底成像裝置示意圖如圖4所示。本發(fā)明的裝置所有包含的部分和圖3一致，但與圖3的區(qū)別是三塊光柵12、13、15放置方向，即各襯底面均正對(duì)著所述X射線管11，周期性結(jié)構(gòu)背對(duì)著所述X射線管11。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，X射線管11參數(shù)設(shè)置：焦點(diǎn)s＝1.0mm，電壓50KV，電流22.5mA，曝光時(shí)間2s。三塊光柵12、13、15參數(shù)：源光柵12周期p₀＝120μm，占空比1∶2；分束光柵13周期p₁＝60μm，占空比1∶2；分析光柵15周期p2＝120μm，占空比1∶1。X射線探測(cè)器16像素p＝200μm，總共1024×1024像素。源光柵12距離光源11Z₀＝6.5cm左右，與分束光柵13距離z₁＝55cm，分束光柵13和分析光柵15距離z₂＝55cm，樣品14在分束光柵13后面10cm，分析光柵15緊貼X射線探測(cè)器16(實(shí)際距離X射線探測(cè)器的閃爍體10cm左右，前面有保護(hù)的X射線探測(cè)器的玻璃板)。

樣品14如圖5所示，由兩個(gè)有機(jī)玻璃的圓柱體組成，從左到右分別是直徑2cm的PMMA圓柱棒51、直徑1cm的POM圓柱棒52。

該實(shí)施例的源光柵12為吸收光柵(實(shí)際上本實(shí)施例的實(shí)驗(yàn)裝置的三個(gè)光柵都是吸收光柵，都可以做如下計(jì)算，但源光柵離光源最近，受到的照射最強(qiáng)，所以以其來(lái)分析)，圖2是源光柵12的示意圖，如圖2所示，其從下往上依次是襯底21、導(dǎo)電層(包含鈦22和金23)和周期結(jié)構(gòu)層24。該實(shí)施例中，襯底11是硅襯底，高度H₁＝650μm；導(dǎo)電層中鈦22，高度H₂＝10nm；導(dǎo)電層中金23，高度H₃＝50nm，周期結(jié)構(gòu)層24為金，高度H₄＝164μm。為了使光柵更穩(wěn)定，在周期結(jié)構(gòu)層24的槽中保留了光刻膠(SU8)25，光柵周期P₀＝120μm，占空比1∶1，所以金的寬度和光刻膠的寬度都是60μm。

本方法不會(huì)改變光場(chǎng)而影響最終的結(jié)果，下面通過(guò)實(shí)驗(yàn)對(duì)比來(lái)驗(yàn)證本發(fā)明的正確性。

現(xiàn)有技術(shù)如圖3所示，當(dāng)吸收光柵12、13、15的光刻膠25和金24正對(duì)著光源11時(shí)的我們稱(chēng)為正入射；本發(fā)明如圖3所示，當(dāng)吸收光柵12、13、15的光刻膠25和金24背對(duì)著光源11時(shí)的我們稱(chēng)為背入射。

為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，以正對(duì)著光源中心的一個(gè)源光柵周期P₀為例，分別計(jì)算正入射和背入射源光柵10之后的光場(chǎng)以及源光柵10的能量沉積情況。由于這個(gè)周期正對(duì)著光源中心且光柵周期很小，光束發(fā)散角度極小，可認(rèn)為是平行光入射。

正入射情況，設(shè)入射到此周期P₀的光通量為I₀，通過(guò)之后的光場(chǎng)為I₁，各物質(zhì)的吸收系數(shù)為μ_sU8、μ_Au、μ_Ti、μ_si則有

同理背入射時(shí)，通過(guò)源光柵之后的光場(chǎng)為I₂，則有

從式子(1)(2)可以得出I₁＝I₂，正入射和背入射只是改變了光束依次穿過(guò)的物質(zhì)，并不改變通過(guò)源光柵之后的光強(qiáng)和光場(chǎng)分布，即通過(guò)單個(gè)源光柵周期的光束與正入射和背入射無(wú)關(guān)，這兩種放置源光柵的方法都可以進(jìn)行后續(xù)的光柵相襯成像數(shù)據(jù)采集，不影響結(jié)果。

下面以西門(mén)子官網(wǎng)的X光機(jī)光譜模擬應(yīng)用來(lái)演算上面的結(jié)果，并計(jì)算正入射和背入射兩種情況下的能量沉積，應(yīng)用網(wǎng)址：http：//www.oem-products.siemens.com/x-ray-spectra-simulation。

計(jì)算之前，需要做幾個(gè)近似：1.導(dǎo)電層的鈦12和金13都非常薄，其厚度與其他結(jié)構(gòu)層相比，相差4個(gè)數(shù)量級(jí)，吸收非常弱，所以計(jì)算時(shí)忽略；2.光刻膠SU8 15在實(shí)驗(yàn)的X射線能量段吸收系數(shù)遠(yuǎn)小于其他的金屬，故也可以忽略；3.在上面近似1和2的基礎(chǔ)上，光柵透過(guò)的部分只需要考慮作為襯底的硅11，這部分的情況與正入射和背入射無(wú)關(guān)，因此最終只需要考慮作為吸收層部分的金14和硅11的影響。

下面計(jì)算普通鎢靶X光機(jī)電壓從30kV-80kV，相對(duì)電壓擾動(dòng)5％，最終空氣比釋動(dòng)能1mGy的透過(guò)率以及各部分能量沉積情況，為了與我們實(shí)驗(yàn)使用的X光機(jī)YXLON Y.TU 160-D06對(duì)比，考慮了0.8mm鈹和3mm鋁的濾波片。

表1.吸收光柵在使用已有方法和本發(fā)明得到不同電壓下的平均能量和透過(guò)率對(duì)比

表2.吸收光柵在使用已有方法和本發(fā)明得到不同電壓下的能量沉積對(duì)比

從上面的計(jì)算結(jié)果表1可以看出，在同一電壓下(電流等其他參數(shù)都一樣)X光機(jī)出射的能譜不管在正入射還是背入射得到的平均能量和光子透過(guò)率都是一致的，從而證明了兩種放置源光柵10的方法得到的光場(chǎng)都是一致的，不影響后續(xù)的數(shù)據(jù)采集和實(shí)驗(yàn)結(jié)果。如表2，再比較在光柵10各部分的能量沉積情況，隨著電壓的升高，光柵10上面沉積的能量比例越大，比較金14和硅11在正入射和背入射情況下的各自的能量差值，發(fā)現(xiàn)與正入射相比，在背入射情況下，金14沉積的能量減小了4％-6％，相應(yīng)的硅11沉積的能量增加了，即這部分能量在金14和硅11之間發(fā)生了轉(zhuǎn)移。

因此，源光柵10采用背入射的擺放方式會(huì)減小X射線在作為光柵吸收主體金層14的光子吸收和能量沉積，而把這一部分轉(zhuǎn)移到襯底硅11上面。X射線吸收光柵作為高精密的光學(xué)器件，作為吸收層的金是最重要的部分。吸收光柵上的金是由一個(gè)個(gè)很小的單元組成，每一個(gè)的尺寸一致，一般來(lái)說(shuō)寬度較小，高度較大，擁有比較大的高寬比，極不穩(wěn)定，因此加工困難，易受溫度等的影響發(fā)生振動(dòng)乃至變形失效。而源光柵背入射的擺放方式相比于現(xiàn)有的正入射方式可以減少4-6％左右的不必要的能量沉積，這無(wú)疑可以減小光柵在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中的熱振動(dòng)，從而延長(zhǎng)使用壽命。雖然金的導(dǎo)熱性315-317w/mK，硅的導(dǎo)熱性150w/mK，金擁有更好的導(dǎo)熱性，但是襯底硅作為一塊整體的薄片，擁有遠(yuǎn)大于單位周期內(nèi)金的面積和高度， 因此受到的輻照劑量、能量沉積和熱分布更加均勻，不容易發(fā)生形變和金屬疲勞。

具體實(shí)施的步驟如下：

1.探測(cè)器校正

探測(cè)器校正又包括暗場(chǎng)校正和增益校正。具體校正過(guò)程為；

將X射線管11和探測(cè)器16之間的光學(xué)元件均移出光路，打開(kāi)探測(cè)器16采集50張圖像，對(duì)其取平均后記為I_offset，是為暗場(chǎng)校正圖像。再將X射線管11打開(kāi)，采集50張圖像，對(duì)其求取平均后記為I_gain，是為增益校正圖像。

待儀器運(yùn)行采集圖像之后，運(yùn)用以下公式完成校正：

其中(m，n)為校正點(diǎn)的圖像像素坐標(biāo)，I(m，n)為校正后的圖像，I₀(m，n)為原始圖像，M為探測(cè)器的行像素?cái)?shù)，N為探測(cè)器的列像素?cái)?shù)，mean表示對(duì)圖像內(nèi)所有像素值求平均值。

2.儀器光路校準(zhǔn)

將光學(xué)元件移回光路，使得三塊光柵12、13、15的襯底21這一面正對(duì)著光源11而周期性結(jié)構(gòu)14和光刻膠15這一面背對(duì)著光源11，打開(kāi)X射線管11和X射線探測(cè)器16，微調(diào)分束光柵13，觀察探測(cè)器16上的摩爾條紋，待條紋均勻且周期區(qū)域無(wú)窮大時(shí)認(rèn)為光路校準(zhǔn)完成。

(3)圖像采集

將樣品14豎直固定于樣品臺(tái)上，關(guān)閉實(shí)驗(yàn)防護(hù)門(mén)，打開(kāi)X射線管11，管電壓設(shè)置為50KV，初始化并設(shè)置探測(cè)器16參數(shù)后，移動(dòng)樣品臺(tái)至視野中央?？刂品治龉鈻?5進(jìn)行相位步進(jìn)，垂直于分析光柵15柵線方向分五步均勻移動(dòng)分析光柵15一個(gè)周期p2，由之前的參數(shù)描述可知，即每步步進(jìn)，對(duì)于每一步，我們均采集50步求取平均后輸出一張保存，記為。

樣品圖像采集完成后，控制樣品臺(tái)電機(jī)，將樣品14移出視野，并將分析光柵15移回原位置，按照同樣的操作流程，獲取背景圖像，記為。

(4)信息提取

樣品的吸收信息可由以下公式計(jì)算，

計(jì)算得到的吸收?qǐng)D如圖7a所示；

樣品的折射信息可由以下公式提取

計(jì)算得到的折射圖如圖7b右所示；

為了與已有的方法對(duì)比，按照?qǐng)D3擺放的實(shí)驗(yàn)裝置使用同樣的條件對(duì)同樣的樣品進(jìn)行成像，得到的吸收、折射像如圖7a、7b所示，與本方法相比，兩者的結(jié)果看不出差別。再比較傳已有方法和本發(fā)明得到的有機(jī)玻璃棒子橫斷面對(duì)比圖，如圖8a的吸收?qǐng)D、8b的折射圖符合的非常好，從以上結(jié)果可以說(shuō)明本發(fā)明得到的結(jié)果是正確的，本發(fā)明完全可行。

如前所述，本發(fā)明可應(yīng)用于源光柵12、分束光柵13和分析光柵15均為吸收光柵的無(wú)干涉的X射線光柵相襯成像裝置，但本發(fā)明不限于此。一種實(shí)施方式是，源光柵12和分析光柵15是吸收光柵，分束光柵13是相位光柵的基于傳統(tǒng)Talbot-Lau光柵干涉儀的X-ray相襯成像裝置。另一種實(shí)施方式是，只需要后面兩塊吸收光柵(分束光柵13和分析光柵15)的編碼孔徑方法的X射線光柵相襯成像裝置。

以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。