1.一種用于并行測(cè)試系統(tǒng)的介質(zhì)經(jīng)時(shí)擊穿測(cè)試裝置，其特征在于，包括多個(gè)介質(zhì)樣品測(cè)試支路單元，其并聯(lián)設(shè)置在由同一電源供電的電路單元中，各介質(zhì)樣品測(cè)試支路單元串聯(lián)設(shè)有開關(guān)、電感元件及介質(zhì)樣品接口；
其中，在進(jìn)行介質(zhì)經(jīng)時(shí)擊穿測(cè)試時(shí)，當(dāng)某一介質(zhì)樣品測(cè)試支路單元因其串接的介質(zhì)樣品被擊穿而產(chǎn)生電流瞬間變大時(shí)，通過(guò)其設(shè)有的電感元件立即產(chǎn)生反向電壓，以防止因該介質(zhì)樣品測(cè)試支路單元電流突變而造成的其他介質(zhì)樣品測(cè)試支路單元壓降，使電源有一定的弛豫時(shí)間來(lái)探測(cè)到該介質(zhì)樣品測(cè)試支路單元的介質(zhì)樣品擊穿并斷開該介質(zhì)樣品測(cè)試支路單元的開關(guān)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于并行測(cè)試系統(tǒng)的介質(zhì)經(jīng)時(shí)擊穿測(cè)試裝置，其特征在于，所述電源為一電壓電流源。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于并行測(cè)試系統(tǒng)的介質(zhì)經(jīng)時(shí)擊穿測(cè)試裝置，其特征在于，所述開關(guān)和/或電感元件設(shè)置在介質(zhì)樣品接口任意一端的介質(zhì)樣品測(cè)試支路單元中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于并行測(cè)試系統(tǒng)的介質(zhì)經(jīng)時(shí)擊穿測(cè)試裝置，其特征在于，所述介質(zhì)樣品包括由MOS晶體管器件前后道工藝中涉及的任一電介質(zhì)形成的樣品。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于并行測(cè)試系統(tǒng)的介質(zhì)經(jīng)時(shí)擊穿測(cè)試裝置，其特征在于，所述電感元件的規(guī)格根據(jù)不同的測(cè)試條件進(jìn)行匹配。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于并行測(cè)試系統(tǒng)的介質(zhì)經(jīng)時(shí)擊穿測(cè)試裝置，其特征在于，通過(guò)在各介質(zhì)樣品測(cè)試支路單元串聯(lián)電流表，或通過(guò)使各介質(zhì)樣品測(cè)試支路單元共用一電流表并采用矩陣開關(guān)進(jìn)行切換，以單獨(dú)讀取各介質(zhì)樣品測(cè)試支路單元中的電流。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于并行測(cè)試系統(tǒng)的介質(zhì)經(jīng)時(shí)擊穿測(cè)試裝置，其特征在于，所述介質(zhì)樣品接口由用于扎在介質(zhì)樣品上的探針卡形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的用于并行測(cè)試系統(tǒng)的介質(zhì)經(jīng)時(shí)擊穿測(cè)試裝置，其特征在于，還包括一接線端子盒，其設(shè)有電源接口、開關(guān)、介質(zhì)樣品接口、電感元件接口和電流表接口。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于并行測(cè)試系統(tǒng)的介質(zhì)經(jīng)時(shí)擊穿測(cè)試裝置，其特征在于，所述接線端子盒設(shè)置的各接口為插槽。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于并行測(cè)試系統(tǒng)的介質(zhì)經(jīng)時(shí)擊穿測(cè)試裝置，其特征在于，所述接線端子盒制作于一晶圓基板上。