技術(shù)總結(jié)
一種p?n結(jié)型ZnO?CoTiO3室溫氣敏薄膜的制備方法，將TiO2靶材和Co3O4靶材放入磁控濺射儀兩個射頻靶位中，將Zn靶放入直流濺射靶位；接著將Si基片放在磁控濺射儀的鍍膜樣品臺上，再抽真空，通入Ar氣，然后進行預(yù)濺射，通O2氣，最后向Si基片上濺射鍍膜，得到前驅(qū)體薄膜；將前驅(qū)體薄膜進行煅燒，控制煅燒溫度在300℃～700℃，煅燒時間0.5h～3h，然后隨爐冷卻至室溫，得到p?n結(jié)型ZnO?CoTiO3室溫氣敏薄膜。該方法能夠有效地調(diào)控薄膜的組成，成膜性好，操作方便，生產(chǎn)周期短，制備的p?n結(jié)型ZnO?CoTiO3氣敏薄膜分布均勻，具有優(yōu)異的室溫氣敏特性并能有效地降低其工作溫度。

技術(shù)研發(fā)人員：盧靖;張亞賓;黃劍鋒;曹麗云;郭榮;郭根根
受保護的技術(shù)使用者：陜西科技大學(xué)
文檔號碼：201410225645
技術(shù)研發(fā)日：2014.05.26
技術(shù)公布日：2017.07.28