聚二甲基硅氧烷微薄膜電容式生物傳感器制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及生物傳感器制造領域，具體是一種聚二甲基硅氧烷微薄膜電容式生物傳感器制備方法。傳感器以硅片作為襯底，采用濺射工藝制備鉻膜和金膜共同作為傳感器的底電極和頂電極，以Sylgard?184（Dow?Corning公司產(chǎn)品）為原始材料、采用分步旋涂工藝制備聚二甲基硅氧烷微薄膜作為傳感層，干法和濕法結合刻蝕和腐蝕聚二甲基硅氧烷以進行犧牲層釋放并最終形成微薄膜懸空結構，傳感器功能化直接在頂電極的金膜上完成。本發(fā)明提出的結構和涉及的工藝簡單，得到的傳感器靈敏度高，響應快速，穩(wěn)定性和重復性好，能夠實現(xiàn)微型化、低成本、批量化生產(chǎn)。
【專利說明】聚二甲基硅氧烷微薄膜電容式生物傳感器制備方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及生物傳感器制造領域，具體是一種聚二甲基硅氧烷微薄膜電容式生物傳感器制備方法。
【背景技術】
[0002]表面應力生物傳感器是一種新型傳感器，它利用分子間化學鍵的結合能，然后轉化為可測量的光信號、電信號或機械信號等。此測試傳感方法可以從分子量級對分析物進行探測分析，具有更高的探測分析精度，這就為實現(xiàn)高精度的人體細胞檢測、食品農(nóng)藥或重金屬污染檢測、環(huán)境污染監(jiān)測、生化污染檢測等提供了一個良好的理論和技術支持，并為實現(xiàn)此類測試平臺提供了應用基礎研究支持，具有廣闊的應用前景和巨大的社會經(jīng)濟效益。
[0003]細胞是構成人體的基本結構單元，當人體的某個組織發(fā)生病變時，首先是作為基本單元的細胞發(fā)生了某些病變。因此，通過基于表面應力的生物傳感器可對人體細胞進行高精度的探測分析，以了解人體組織的狀態(tài)，并可進行病變監(jiān)控、病理分析、藥物功效分析
坐寸ο
[0004]微懸臂梁和微薄膜是兩種基于表面應力的基本傳感結構。微懸臂梁式表面應力生物傳感器在初期得到了大量的研究，但是此結構有著一定的局限性，例如由探測系統(tǒng)(尤其是常用于此結構的光探測系統(tǒng))造成的結構尺寸局限性、信號的丟失以及有限的動態(tài)范圍等，更為主要的缺點是生物傳感器常用于液體探測，當整個微懸臂梁沉浸在液體介質中時，微懸臂梁的背面將不可避免的吸附一些探測分析物或其他非特性吸附，這將導致探測頻率的偏移或探測信噪比的降低，影響信號的性能。微薄膜傳感結構可以克服這些缺點，而且該結構便于進行電信號輸出，如電容信號，這將有助于探測系統(tǒng)的集成，形成生物集成芯片。
[0005]在相同的材料和結構尺寸下，微薄膜結構的探測靈敏度要比微懸臂梁結構的低，故開發(fā)基于新材料的微薄膜式表面應力生物傳感器具有重要意義，這將為開發(fā)高靈敏度便攜式生物傳感器奠定基礎。
[0006]聚二甲基硅氧烷是一種新型的薄膜材料，具有良好的生物適應特性，與其他常用薄膜材料(娃、氮化娃、氮化招等)相比，具有相對較小的楊氏模量(12kPa - 2.5Mpa),且楊氏模量大小與其加工工藝有著一定的關系，可通過工藝研究使其探測靈敏度最大化。
[0007]敏感單元材料確定后，在具體實施過程中，以聚二甲基硅氧烷微薄膜結構為敏感單元材料的電容式生物傳感器制備方法，還面臨著諸如如何獲得性能優(yōu)異、質地均勻、表面粗糙度良好、膜厚僅1.8 μ m的聚二甲基硅氧烷微薄膜，如何實現(xiàn)空腔的無損釋放，如何提高傳感器的靈敏度、穩(wěn)定性，在確保傳感器性能的情況下如何最大程度的提高加工成功率，減少加工步驟，降低加工成本以滿足大批量生產(chǎn)的要求等。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明為了解決目前基于表面應力的生物傳感器存在的上述問題，提供了一種聚二甲基硅氧烷微薄膜電容式生物傳感器制備方法。[0009]本發(fā)明是采用如下技術方案實現(xiàn)的:
一種聚二甲基硅氧烷微薄膜電容式生物傳感器制備方法，包括如下步驟:
(I)在硅片襯底上濺射金屬膜；
(2)在金屬膜上旋涂光刻膠，曝光和顯影光刻膠后，濕法腐蝕金屬膜，去光刻膠后在硅片襯底上形成底電極結構(包括電極和引線);
(3)在具有底電極結構的硅片襯底上旋涂光刻膠，曝光和顯影光刻膠，在底電極結構上方形成犧牲層結構；
(4)在具有底電極和犧牲層結構的硅片襯底上旋涂聚二甲基硅氧烷微薄膜；
(5)在聚二甲基硅氧烷微薄膜上濺射金屬膜；
(6)在步驟(5)的金屬膜上旋涂光刻膠，曝光和顯影光刻膠后，濕法腐蝕金屬膜，去光刻膠后在聚二甲基硅氧烷微薄膜上形成頂電極結構(包括電極和引線)；所述頂電極結構和所述底電極結構相對(電極相對，引線方向相反);
(7)在具有頂電極結構的聚二甲基硅氧烷微薄膜上濺射銅膜；
(8)在步驟(7)的銅膜上旋涂光刻膠，曝光和顯影光刻膠后，濕法腐蝕銅，去膠后形成銅膜作掩膜的、聚二甲基硅氧烷掩蓋的釋放孔和底電極引線孔；
(9)去掉掩蓋釋放孔和底電極引線孔的聚二甲基硅氧烷微薄膜，形成釋放孔和底電極引線孔，所述釋放孔部分暴露出犧牲層，所述底電極引線孔部分暴露出底電極結構；
(10)濕法腐蝕掉剩余的銅膜；
(II)在丙酮溶液中浸泡，犧牲層的光刻膠經(jīng)釋放孔被全部洗去后，在頂電極結構和底電極結構之間形成空腔，然后熱板上烘干后即形成生物傳感器。
[0010]聚二甲基硅氧烷是一種新型的薄膜材料，具有良好的生物適應特性，與其他常用薄膜材料(娃、氮化娃、氮化招等)相比，具有相對較小的楊氏模量(12kPa - 2.5Mpa),且楊氏模量大小與其加工工藝有著一定的關系，可通過工藝研究使其探測靈敏度最大化。
[0011]本發(fā)明選擇聚二甲基硅氧烷作為傳感層薄膜，傳感器為微薄膜、電容式傳感器，發(fā)明提出的結構和涉及的工藝均較為簡單，解決了微懸臂梁結構存在的尺寸局限、信號易丟失、噪聲大靈敏度低、動態(tài)范圍有限、信號讀出系統(tǒng)集成困難等問題，加工得到的芯片滿足靈敏度高，響應快速，穩(wěn)定性、重復性和生物相容性好，噪聲小等生物檢測領域的實際要求，輸出的電容信號可通過目前許多成熟的微電容測量電路進行檢測，操作簡單，這為微型化、低成本、大批量生產(chǎn)提供了極大便捷，具有廣闊的應用前景。
[0012]上述生物傳感器的使用方法和工作原理:首先對傳感器表面的頂電極進行修飾，形成對待測生物細胞敏感的自組裝膜，修飾物可選擇抗體或大分子有機物，如11-巰基十一烷酸。可以將2個生物傳感器(以下分別稱為活性薄膜和參照薄膜)組成I個傳感測試芯片，通過微流體裝置將含有待測人體細胞的培養(yǎng)液滴加到芯片活性薄膜結構中，將不含待測人體細胞的同濃度培養(yǎng)液等量滴加到芯片參照薄膜結構中?；钚员∧そY構中待測人體細胞會與傳感器的自組裝膜發(fā)生電子的轉移、交換或者共有，形成共價鍵(特異性結合)進而帶來薄膜的形變，而參照薄膜微腔中沒有待測人體細胞，薄膜的形變主要是滴加培養(yǎng)液的重力和范德華力等(非特異性結合)導致的，特異性結合會產(chǎn)生較強的結合能，而非特異性結合作用力很弱。通過目前成熟的微電容測量電路進行活性薄膜電容信號與參照薄膜電容信號的測量，差分即可獲得僅由于待測生物細胞表面應力導致的薄膜形變電容信號，同時也可消除環(huán)境因素的干擾，實現(xiàn)人體細胞的高精度探測分析。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1是進行步驟(1)后的剖面示意圖。
[0014]圖2是進行步驟(2)后的剖面示意圖。
[0015]圖3是圖2的俯視圖。
[0016]圖4是進行步驟(3)后的剖面示意圖。
[0017]圖5是圖4的俯視圖。
[0018]圖6是進行步驟(4)后的剖面示意圖。
[0019]圖7是圖6的俯視圖。
[0020]圖8是進行步驟(5)后的剖面示意圖。
[0021]圖9是進行步驟(6)后的剖面示意圖。
[0022]圖10是圖9的俯視圖。
[0023]圖11是進行步驟(7)后的剖面示意圖。
[0024]圖12是進行步驟(8)后的剖面示意圖。
[0025]圖13是圖12的俯·視圖。
[0026]圖14是進行步驟(10)后的剖面示意圖。
[0027]圖15是圖14的俯視圖。
[0028]圖16是進行步驟(11)后的剖面示意圖。
[0029]圖17是圖16的俯視圖。
【具體實施方式】
[0030]下面結合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】進行詳細說明。
[0031]一種聚二甲基硅氧烷微薄膜電容式生物傳感器制備方法，包括如下步驟:
(I)在硅片襯底上濺射金屬膜，如圖1所示；
按照體積比例(濃硫酸:過氧化氫=4:1)配備清洗液，將標準的四英寸硅片放入，使用清洗機在125°C下清洗15min，清洗結束后使用去離子水沖洗硅片，并用氮氣吹干。將硅片放入濺射儀中，首先在硅片上濺射IOnm厚的鉻膜，技術參數(shù)為:本底真空:1.0X10_3Pa、氬氣流量:60sccm、濺射壓力:0.15Pa、濺射功率:300W、射頻匹配(C2/C1) =550/120射時間:19s、自偏壓:130V。然后在鉻膜上濺射40nm厚的金膜，技術參數(shù)為:本底真空:1.0父10-^1、氬氣流量:608(^111、濺射壓力:0.2Pa、濺射功率:300W、射頻匹配(C2/C1):600/110、濺射時間:20s、自偏壓:130V。
[0032](2)在金屬膜上旋涂光刻膠，曝光和顯影光刻膠后，濕法腐蝕金屬膜，去光刻膠后在硅片襯底上形成底電極結構，所述底電極結構包括圓形底電極和與其連接的引線電極，如圖2、3所示，所述圓形底電極的直徑為500μπι;
用涂膠機在金膜上旋涂型號為ΕΡΙ680、厚度為2 μ m的正性光刻膠。將光刻膠滴在硅片上后旋涂過程分為3個階段。第I階段轉速從O~IOOrpm，加速時間為5s，維持IOs后進入第2階段；第2階段轉速從100~200rpm，加速時間為5s，不停留直接進入第3階段；第3階段轉速從200~3200rpm，加速時間為8s，維持32s后涂膠結束。涂膠完成后需在溫度為110°C熱板的上進行前烘，時間為80s。本發(fā)明中曝光使用的掩膜版均為明版，即結構部分不透光，其余全部透光。光強和接觸方式分別設置為llmW/cm2和軟接觸，曝光時間為8.6s。曝光完成后將硅片放入型號為TMAH的顯影液里顯影55s，去離子水沖洗后用氮氣吹干。
[0033]按照比例(碘:碘化鉀:去離子水=65g:113g:200ml)配備金腐蝕液，將硅片浸入約5~6s，去離子水沖洗后用氮氣吹干。按照比例(硝酸鈰銨:乙酸:去離子水=22g:8 ml:70 ml)配備鉻腐蝕液，將硅片浸入約10~12s，去離子水沖洗后用氮氣吹干。在丙酮溶液中浸泡將光刻膠洗去，在酒精溶液中浸泡將丙酮洗去，去離子水沖洗后用氮氣吹干，至此底電極結構完成。
[0034]( 3 )在具有底電極結構的硅片襯底上旋涂光刻膠，曝光和顯影光刻膠，在底電極結構上方形成犧牲層結構，如圖4、5所示；
用涂膠機在底電極結構上旋涂型號為EPI680、厚度為3 μ m的正性光刻膠作為犧牲層。將光刻膠滴在硅片上后旋涂過程分為3個階段。第I階段轉速從O~IOOrpm，加速時間為5s，維持IOs后進入第2階段；第2階段轉速從100~200rpm，加速時間為5s，不停留直接進入第3階段；第3階段轉速從200~1800rpm，加速時間為4s，維持36s后涂膠結束。涂膠完成后需在溫度為110°C熱板的上進行前烘，時間為80s。曝光時光強和接觸方式分別設置為llmW/cm2和軟接觸，曝光時間為9.6s。曝光完成后將硅片放入型號為TMAH的顯影液里顯影75s，去離子水沖洗后用氮氣吹干，至此犧牲層結構完成。
[0035](4)在具有底電極和犧牲層結構的硅片襯底上旋涂聚二甲基硅氧烷微薄膜，如圖6、7所示； 聚二甲基硅氧烷微薄膜的制備是加工工藝中最關鍵的一步。以Sylgard 184 (DowCorning公司產(chǎn)品，包括基液與固化劑兩個部分)為制備聚二甲基硅氧烷薄膜的原始材料，以正己烷為稀釋劑。首先在玻璃器皿中按照質量比例(基液:固化劑=10:1)配備約2g的聚二甲基硅氧烷溶液，攪拌至氣泡均勻分布在溶液中后分3次抽真空，每次5min直至溶液中無氣泡存在，然后添加基液質量5倍的正己烷以稀釋聚二甲基硅氧烷，即最終配得的溶液質量比為基液:固化劑:稀釋劑=10:1:50，因正己烷易揮發(fā)，所以應迅速攪拌，至溶液混合均勻后滴在犧牲層上。
[0036]使用涂膠機進行旋涂，過程分為5個階段，第I階段轉速從O~lOOOrpm，加速時間為5s，維持2s后進入第2階段?’第2階段轉速從1000~4000rpm，加速時間為5s，維持3s后進入第3階段；第3階段轉速從4000~8500rpm，加速時間為5s，維持150s進入第4階段；第4階段轉速從8500~4000rpm，降速時間為10s，維持5s ;第5階段轉速從4000~1500rpm,降速時間為10s，維持150s后停止。迅速取出硅片放入溫度為110°C的電熱鼓風干燥箱中進行聚二甲基硅氧烷微薄膜的固化，時間為30min，得到性能優(yōu)異、質地均勻、表面粗糙度良好、厚度為1.8μπι的聚二甲基硅氧烷微薄膜。
[0037](5)在聚二甲基硅氧烷微薄膜上濺射金屬膜；
在聚二甲基硅氧烷薄膜上濺射20nm厚的鉻膜和40nm厚的金膜，如圖8所示，本步工藝與第I步工藝類似。將硅片放入濺射儀中，首先在微薄膜上濺射20nm厚的鉻膜，技術參數(shù)僅濺射時間調(diào)整為38s。然后在鉻膜上濺射40nm厚的金膜，技術參數(shù)與第I步工藝中完全一樣。[0038](6)在步驟(5)的金屬膜上旋涂光刻膠，曝光和顯影光刻膠，濕法腐蝕金屬膜，去光刻膠后在聚二甲基硅氧烷微薄膜上形成頂電極結構；所述頂電極結構包括圓形頂電極和與其連接的引線電極，所述頂電極結構的圓形頂電極和所述底電極結構的圓形底電極相對；所述頂電極結構的引線方向與所述底電極結構的引線方向相反，如圖9、10所示，圓形頂電極局部覆蓋圓形底電極(其面積為圓形底電極的90%)，有限元分析軟件ANSYS下的仿真結果表明，該形狀、尺寸和覆蓋比例為最佳值，能夠提供最大的應力形變；
本步工藝與第2步工藝類似，唯一的調(diào)整就是腐蝕鉻的時間改為20?24 S，至此頂電極結構完成。
[0039](7)在具有頂電極結構的聚二甲基硅氧烷微薄膜上濺射銅膜，如圖11所示；
使用濺射儀濺射500nm的銅膜，技術參數(shù)為:本底真空:1.0X 10_3Pa、氬氣流量:120sccm、濺射壓力:2.0Pa、濺射功率:180W、射頻匹配(C2/C1):550/110、濺射時間:1316s、自偏壓:80V。
[0040]( 8 )在步驟(7 )的銅膜上旋涂光刻膠，曝光和顯影光刻膠后，濕法腐蝕銅，去光刻膠后形成銅膜作掩膜的、聚二甲基硅氧烷掩蓋的釋放孔和底電極引線孔，如圖12、13所示；
用涂膠機在金膜上旋涂型號為EPI680、厚度為2μπι的正性光刻膠，并曝光和顯影，方法同第2步工藝。按照質量比例(過硫酸銨:去離子水=1:5)配備銅腐蝕液，將硅片浸入約lmin，去離子水沖洗后用氮氣吹干。在丙酮溶液中浸泡將光刻膠洗去，在酒精溶液中浸泡將丙酮洗去，去離子水沖洗后用氮氣吹干。至此銅膜作掩膜的、聚二甲基硅氧烷掩蓋的釋放孔和底電極引線孔出現(xiàn)。
[0041](9)去掉掩蓋釋放孔和底電極孔的聚二甲基硅氧烷微薄膜，形成釋放孔和底電極引線孔，所述釋放孔部分暴露出犧牲層，所述底電極引線孔部分暴露出底電極引線；
干法和濕法結合刻蝕和腐蝕聚二甲基硅氧烷微薄膜，解決了干法刻蝕不完全反應和濕法腐蝕速率過慢的問題。首先采用使用反應離子刻蝕機進行聚二甲基硅氧烷微薄膜的干法刻蝕，選擇真空度為36Pa，刻蝕功率270W，按照體積流量比例(四氟化碳:氧氣=3:1)通入混合氣體刻蝕聚二甲基硅氧烷微薄膜15min，會有約20?50nm厚的聚二甲基硅氧烷微薄膜剩余。然后進行濕法腐蝕，按照質量比例(四丁基氟化銨(晶體):去離子水=1:3)配備四丁基氟化銨溶液，再按照體積比(四丁基氟化銨(溶液):N-甲基吡咯烷酮=1:3)配備聚二甲基硅氧烷腐蝕液，腐蝕2?5min，濕法腐蝕存在腐蝕不均勻的現(xiàn)象，應注意隨時觀察。
[0042](10)濕法腐蝕掉剩余的銅膜，如圖14、15所示；
將硅片浸入銅腐蝕液中，Imin后取出，去離子水沖洗后用氮氣吹干。
[0043](11)將硅片浸入丙酮溶液中浸泡3 h，確保形成犧牲層的光刻膠經(jīng)釋放孔被全部洗去，在頂電極結構和底電極結構之間形成空腔，在酒精溶液中浸泡將丙酮洗去，由于結構為懸空結構，不應使用之前的去離子水沖洗和氮氣吹的方法洗去酒精和烘干，在酒精溶液中浸泡后應直接放在溫度為60°C的熱板上烘干，如圖16、17所示。
[0044]最后進行劃片，具體使用時，可以將2個生物傳感器組成I個傳感測試芯片。
【權利要求】
1.一種聚二甲基硅氧烷微薄膜電容式生物傳感器制備方法，其特征在于:包括如下步驟: (I)在硅片襯底上濺射金屬膜； (2)在金屬膜上旋涂光刻膠，曝光和顯影光刻膠后，濕法腐蝕金屬膜，去光刻膠后在硅片襯底上形成底電極結構； (3)在具有底電極結構的硅片襯底上旋涂光刻膠，曝光和顯影光刻膠，在底電極結構上方形成犧牲層結構； (4)在具有底電極和犧牲層結構的硅片襯底上旋涂聚二甲基硅氧烷微薄膜； (5)在聚二甲基硅氧烷微薄膜上濺射金屬膜； (6)在步驟(5)的金屬膜上旋涂光刻膠，曝光和顯影光刻膠后，濕法腐蝕金屬膜，去膠后在聚二甲基硅氧烷微薄膜上形成頂電極結構；所述頂電極結構和所述底電極結構相對； (7)在具有頂電極結構的聚二甲基硅氧烷微薄膜上濺射銅膜； (8)在步驟(7)的銅膜上旋涂光刻膠，曝光和顯影光刻膠后，濕法腐蝕銅，去膠后形成銅膜作掩膜的、聚二甲基硅氧烷掩蓋的釋放孔和底電極引線孔； (9)去掉掩蓋釋放孔和底電極引線孔的聚二甲基硅氧烷微薄膜，形成釋放孔和底電極引線孔，所述釋放孔部分暴露出犧牲層，所述底電極引線孔部分暴露出底電極結構； (10)濕法腐蝕掉剩余的銅膜； (II)在丙酮溶液 中浸泡，犧牲層的光刻膠經(jīng)釋放孔被全部洗去后，在頂電極結構和底電極結構之間形成空腔，然后熱板上烘干后即形成生物傳感器。
2.根據(jù)權利要求1所述的聚二甲基硅氧烷微薄膜電容式生物傳感器制備方法，其特征在于: 步驟(1)中，在硅片襯底上先后濺射IOnm厚的鉻膜和40nm厚的金膜； 步驟(2)中，所述底電極結構包括圓形底電極和與其相連的引線電極； 步驟(3)中，所述犧牲層的厚度為3 μ m ; 步驟(5)中，聚二甲基硅氧烷微薄膜上先后濺射20 nm厚的鉻膜和40 nm厚的金膜； 步驟(6)中，所述頂電極結構包括圓形頂電極和與其相連的引線電極；所述頂電極結構中的圓形頂電極與底電極結構中的圓形底電極正對； 步驟(7)中，所述銅膜的厚度為500nm ； 步驟(9 )中，所述釋放孔部分暴露出犧牲層，所述底電極引線孔部分暴露出底電極結構中的引線電極。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的聚二甲基硅氧烷微薄膜電容式生物傳感器制備方法，其特征在于:步驟(4)中，以Dow Corning公司的Sylgard 184為制備聚二甲基硅氧烷微薄膜的原始材料，以正己烷為稀釋劑，分步旋涂聚二甲基硅氧烷微薄膜的具體方法如下: 首先，在玻璃器皿中按照基液:固化劑=10:1的質量比例配備聚二甲基硅氧烷溶液，攪拌至氣泡均勻分布在溶液中后分3次抽真空，每次5 min直至溶液中無氣泡存在，然后添加基液質量5倍的正己烷以稀釋聚二甲基硅氧烷，即最終配得的溶液質量比為基液:固化劑:稀釋劑=10:1:50，混合均勻后滴在犧牲層上； 然后，使用涂膠機進行旋涂，過程分為5個階段，第I階段轉速從O~1000rpm，加速時間為5s，維持2s后進入第2階段?’第2階段轉速從1000~4000rpm，加速時間為5s，維持3s后進入第3階段；第3階段轉速從4000~8500rpm，加速時間為5s，維持150s進入第4階段?’第4階段轉速從8500~4000rpm，降速時間為10s，維持5s ;第5階段轉速從4000~1500rpm,降速時間為10s，維持150s后停止；迅速取出硅片放入溫度為110°C的電熱鼓風干燥箱中進行聚二甲基硅氧烷微薄膜的固化，時間為30min，即得到厚度為1.8 μ m的聚二甲基硅氧烷微薄膜。
4.根據(jù)權利要求3所述的聚二甲基硅氧烷微薄膜電容式生物傳感器制備方法，其特征在于:步驟(9)中，干法和濕法結合刻蝕和腐蝕聚二甲基硅氧烷微薄膜，具體如下: 首先，采用使用反應離子刻蝕機進行聚二甲基硅氧烷的干法刻蝕，:選擇真空度為36Pa，刻蝕功率270W，按照四氟化碳:氧氣=3:1的體積流量比例通入混合氣體刻蝕聚二甲基硅氧烷15min ； 然后，進行濕法腐蝕:按照四丁基氟化銨:去離子水=1:3的質量比例配備四丁基氟化銨溶液，再按照四丁基氟化銨溶液:N-甲基吡咯烷酮=1:3的體積比例配備聚二甲基硅氧烷腐蝕液，腐蝕2~5 min后即形成釋放孔和底電極引線孔。
5.根據(jù)權利要求2所述的聚二甲基硅氧烷微薄膜電容式生物傳感器制備方法，其特征在于:所述圓形底電極的直徑為500 μ m,所述圓形頂電極的面積為圓形底電極面積的90%。
【文檔編號】G01N27/22GK103713022SQ201310665274
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年12月7日 優(yōu)先權日:2013年12月7日
【發(fā)明者】桑勝波, 張文棟, 樊驍, 菅傲群, 段倩倩, 李朋偉, 胡杰, 李剛 申請人:太原理工大學