具有微探針的半導體裝置及其制法
【專利摘要】一種具有微探針的半導體裝置及其制法，該半導體裝置包括：基板，其具有相對的第一表面與第二表面；第一線路層，其形成于該基板的第一表面上；第一介電層，其形成于該基板的第一表面與該第一線路層上，并具有外露該第一線路層的第一開孔；第二線路層，其形成于該第一介電層上與該第一開孔中；絕緣緩沖層，其形成于該第一介電層與該第二線路層上，且具有至少一外露該第二線路層的絕緣緩沖層開孔；第三線路層，其形成于該絕緣緩沖層上與該絕緣緩沖層開孔中；第二介電層，其形成于該絕緣緩沖層與該第三線路層上，且具有至少一外露該第三線路層的第二開孔；以及微探針，設于該第二介電層的第二開孔中。本發(fā)明可有效緩沖微探針所受外力并避免彈性疲勞。
【專利說明】具有微探針的半導體裝置及其制法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明關于一種半導體裝置及其制法，更詳言之，本發(fā)明為一種具有耐彈性疲勞微探針的半導體裝置及其制法。
【背景技術】
[0002]現(xiàn)今，隨著科技發(fā)展的進步，電子產(chǎn)品的業(yè)者紛紛開發(fā)出各種不同型態(tài)的用以測試電子產(chǎn)品的測試探針卡。傳統(tǒng)探針卡的制法因探針尺寸備受限制且制作成本較高，所以在制作探針的過程中需克服許多瓶頸。而目前半導體芯片的尺寸趨勢趨于微小化且該半導體芯片輸出接點愈來愈多，又測試探針結構皆由一根根細小探針布線而成，因此，須不斷的改進與克服探針結構的工藝技術，以與微小化的半導體芯片配合，并克服傳統(tǒng)探針結構于操作時易產(chǎn)生疲勞與探針尺寸受限的問題，以符合現(xiàn)代科技產(chǎn)品的趨勢。
[0003]第8001685B2號美國專利揭露一種探針卡的制法，請參閱第IA至IK圖，為現(xiàn)有探針卡的制法的剖面示意圖。
[0004]如圖1A至圖1C所示，提供一多層陶瓷板10，并于該多層陶瓷板10的頂面形成第一導電層12,而于該第一導電層12上形成第一阻層14,且先于該第一導電層12上移除部份該第一阻層14，并外露部分該第一導電層12，再將外露的部份該第一導電層12移除，接著再移除該第一阻層14，上述工藝定義為步驟I。
[0005]如圖1A’至圖1C’所示，提供一半導體芯片10’，且于該半導體芯片10’的頂面形成光阻層12’，再圖案化該光阻層12’以于該半導體芯片10’的頂面形成多個開口 121’，接著，利用高分子彈性體14’將各該開口 121’填滿，上述工藝定義為步驟2。
[0006]如圖1D所示，將步驟2的圖1C’的結構的該高分子彈性體14’轉貼在步驟I的圖1C的結構上，使得該高分子彈性體14’設于該多層陶瓷板10的頂面，且該高分子彈性體14’具有外露該多層陶瓷板10的頂面的第一導電層12的第一開孔122。
[0007]如圖1E所不,于該第一導電層12上形成第一金屬層15,且該第一金屬層15的底層為鎮(zhèn)層151，而頂層為金層152。
[0008]如圖1F所示，于該高分子彈性體14’與該金層152上形成第二導電層16，且于該第二導電層16上設有第二阻層141。
[0009]如圖1G所示，圖案化該第二阻層141以形成外露部分該第二導電層16的開孔，再于該第二導電層16上形成第二金屬層18。
[0010]如圖1H所示，于該第二阻層141與該第二金屬層18上設有第三阻層142，并圖案化該第三阻層142以形成外露該第二金屬層18的開口，接著，于該第二金屬層18上形成第三金屬層181。
[0011]如圖1I所示，于該第三阻層142與該第三金屬層181上設有第四阻層143，并圖案化該第四阻層143以形成外露該第三金屬層181的開口，接著，于該第三金屬層181上形成第四金屬層182。
[0012]如圖1J所示，于該第四阻層143與該第四金屬層182上設有第五阻層144，并圖案化該第四阻層143以形成外露該第四金屬層182的開口，接著，于該第四金屬層182上形成探針凸塊183。
[0013]如圖1K所示，將該第二阻層141、第三阻層142、第四阻層143及第五阻層144移除，而完成探針卡。
[0014]不過，前述現(xiàn)有的探針卡的制法需要步驟I的結構轉貼至步驟2的結構，同時使用半導體芯片工藝及多層陶瓷板工藝，造成整體工藝較復雜、良率較差及制作時間拉長，導致成本提高等問題，況且，現(xiàn)有的探針卡因結構細小且探針基底部分懸浮而沒有緩沖層保護，故于操作移動時易產(chǎn)生彈性疲勞或損傷等缺失。
[0015]因此，如何克服現(xiàn)有技術的種種問題，實為一重要課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0016]為解決上述現(xiàn)有技術的種種問題，本發(fā)明的主要目的在于揭露一種具有微探針的半導體裝置及其制法，可有效緩沖微探針所受外力并避免彈性疲勞。
[0017]本發(fā)明的具有微探針的半導體裝置包括:基板，具有相對的第一表面與第二表面；第一線路層，形成于該基板的第一表面上；第一介電層，形成于該基板的第一表面與該第一線路層上，并具有外露該第一線路層的第一開孔；第二線路層，形成于該第一介電層上與該第一開孔中；絕緣緩沖層，形成于該第一介電層與該第二線路層上，且具有至少一外露該第二線路層的絕緣緩沖層開孔；第三線路層，形成于該絕緣緩沖層上與該絕緣緩沖層開孔中；第二介電層，形成于該絕緣緩沖層與該第三線路層上，且具有至少一外露該第三線路層的第二開孔；以及微探針，設于該第二介電層的第二開孔中，且突出于該第二介電層。
[0018]本發(fā)明又提供一種具有微探針的半導體裝置的制法，包括:于一具有相對的第一表面和第二表面的基板的第一表面上形成第一線路層；于該基板的第一表面與該第一線路層上形成第一介電層，該第一介電層并具有外露該第一線路層的第一開孔；形成第二線路層于該第一介電層上與該第一開孔中；于該第一介電層與該第二線路層上形成一絕緣緩沖層，該絕緣緩沖層并具有至少一外露該第二線路層的絕緣緩沖層開孔；形成第三線路層于該絕緣緩沖層上與該絕緣緩沖層開孔中；于該絕緣緩沖層與該第三線路層上形成第二介電層，該第二介電層并具有至少一外露該第三線路層的第二開孔；以及于該第二介電層的第二開孔中形成微探針，且該微探針突出于該第二介電層。
[0019]前述的具有微探針的半導體裝置的制法中，該第一線路層、該第二線路層與該第三線路層及該微探針是借由電鍍方式形成。
[0020]前述的具有微探針的半導體裝置的制法中，該絕緣緩沖層開孔的位置未對應該第一開孔的位置，而該第二開孔的位置未對應該絕緣緩沖層開孔，又該第一開孔的位置是對應該第二開孔的位置。
[0021]前述的具有微探針的半導體裝置的制法中，該絕緣緩沖層具有二個該絕緣緩沖層開孔，且二該絕緣緩沖層開孔是借由該第三線路層連接，該微探針電性連接該第三線路層。
[0022]前述的具有微探針的半導體裝置的制法中，還包括于該第二開孔中形成有第四線路層，且該微探針電性連接該第四線路層。
[0023]前述的具有微探針的半導體裝置的制法中，該絕緣緩沖層的材質為BCB(苯并環(huán)丁烯，Benzocyclo-buthene)、聚酸亞胺(PI)或聚苯并惡唑(polybenzoxazole, ΡΒ0)。[0024]前述的具有微探針的半導體裝置的制法中，該微探針的材質為鎢(W)、錸(Re)、鈹(Be)、鈀(Pd)、鈦鎢合金(TiW)、錸鎢合金(ReW)或鈹銅合金(BeCu)。
[0025]依上所述，本發(fā)明利用具有微探針的半導體裝置具有三段式的弓型基底結構及絕緣緩沖層以降低微探針結構于操作移動時易受彈性疲勞或損傷的問題，本發(fā)明更可制作出高密度(例如各微探針的間距小于40微米)與微小化的微探針結構，以擴大測試面積，增加測試接點針數(shù)(大于10000微探針數(shù))。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1A至圖1K用于顯示現(xiàn)有微探針卡的制法的剖面示意圖，而圖1A至圖1C用于顯示現(xiàn)有微探針卡的步驟I制法的剖面示意圖，圖1A’至圖1C’用于顯示現(xiàn)有微探針卡的步驟2制法的剖面示意圖。
[0027]圖2A至圖2U為本發(fā)明的具有微探針的半導體裝置及其制法的第一實施例的剖面示意圖。
[0028]圖3為本發(fā)明的具有微探針的半導體裝置及其制法的第二實施例的剖面示意圖。
[0029]圖4為本發(fā)明的具有微探針的半導體裝置及其制法的第三實施例的剖面示意圖。
[0030]圖5為本發(fā)明的具有微探針的半導體裝置及其制法的第四實施例的剖面示意圖。
[0031]主要組件符號說明
[0032]10多層陶瓷板
[0033]10’半導體芯`片
[0034]12,214 第一導電層
[0035]122,212 第一開孔
[0036]12’光阻層
[0037]121，開口
[0038]14、202 第一阻層
[0039]141、23 第二阻層
[0040]142,26 第三阻層
[0041]143、29 第四阻層
[0042]144、31第五阻層
[0043]14’高分子彈性體
[0044]15第一金屬層
[0045]151鎳層
[0046]152金層
[0047]16,244 第二導電層
[0048]18第二金屬層
[0049]181第三金屬層
[0050]182第四金屬層
[0051]183探針凸塊
[0052]20基材
[0053]20a第一表面[0054]20b第二表面
[0055]201第一金屬層
[0056]201’第一線路層
[0057]2020第一阻層開孔
[0058]203導電通孔
[0059]204高分子材料層
[0060]205第三開孔
[0061]206焊接凸塊
[0062]21第一介電層
[0063]22第二金屬層
[0064]22’第二線路層
[0065]24絕緣緩沖層
[0066]242絕緣緩沖層開孔
[0067]25第三金屬層
[0068]25’第三線路層
[0069]27第二介電層
[0070]272第二開孔
[0071]274第三導電層
[0072]28第四金屬層
[0073]28’第四線路層
[0074]30微探針
[0075]32焊線。
【具體實施方式】
[0076]以下借由特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點及功效。
[0077]須知， 本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供本領域技術人員的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實施的限定條件，故不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關系的改變或大小的調整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本發(fā)明所揭示的技術內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時，本說明書中所引用的如“上”、“頂”、“底”、“一”及“二”等的用語，也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實施的范圍，其相對關系的改變或調整，在無實質變更技術內(nèi)容下，當亦視為本發(fā)明可實施的范疇。
[0078]第一實施例
[0079]以下將配合圖2A至圖2U以詳細說明本發(fā)明的具有微探針的半導體裝置及其制法的第一實施例的剖面示意圖。
[0080]如圖2A所示，提供一具有相對的第一表面20a與第二表面20b的基板20，于該第一表面20a上形成第一金屬層201。
[0081]還請參閱圖2B，其延續(xù)自圖2A，于該第一金屬層201上形成第一阻層202，該第一阻層202具有外露部分該第一金屬層201的第一阻層開孔2020。
[0082]如圖2C所示，其接續(xù)自圖2B的工藝，移除該第一阻層開孔2020中的第一金屬層201，以構成第一線路層201’，并移除該第一阻層202。
[0083]如圖2D所示，其接續(xù)自圖2C的工藝，于該基板20的第一表面20a與該第一線路層201’上形成第一介電層21,而該第一介電層21并具有外露該第一線路層201’的第一開孔 212。
[0084]如圖2E所示，其接續(xù)自圖2D的工藝，于該第一介電層21上與該第一線路層201’上以例如濺鍍銅/鎳/金的方式形成第一導電層214。
[0085]如圖2F所示，其接續(xù)自圖2E的工藝，于該第一導電層214上以例如銅電鍍或鋁電鍍的方式形成第二金屬層22。
[0086]如圖2G所示，其接續(xù)自圖2F的工藝，于該第二金屬層22上形成外露部分該第二金屬層22的第二阻層23。
[0087]如圖2H所示，其接續(xù)自圖2G的工藝，移除未被該第二阻層23所覆蓋的該第二金屬層22與第一導電層214，以構成電性連接該第一線路層201’的第二線路層22’，再移除該第二阻層23。
[0088]如圖21所示，其接續(xù)自圖2H的工藝，于該第一介電層21與該第二線路層22’上形成一絕緣緩沖層24，該絕緣緩沖層24并具有至少一外露該第二線路層22’上的絕緣緩沖層開孔242，其中，該絕緣緩沖層開孔242的位置未對應該第一開孔212的位置，且該絕緣緩沖層24的材質為BCB (苯并環(huán)丁烯,Benzocyclo-buthene)、聚酰亞胺(PI)或聚苯并惡唑(polybenzoxazole, ΡΒ0)ο
[0089]如圖2J所示，其接續(xù)自圖21的工藝，于該絕緣緩沖層24與該第二線路層22’上以例如濺鍍銅/鎳/金的方式形成第二導電層244。
[0090]如圖2K所示，其接續(xù)自圖2J的工藝，于該第二導電層244上以電鍍方式形成第三金屬層25。
[0091]如圖2L所示，其接續(xù)自圖2K的工藝，于該第三金屬層25上形成外露部分該第三金屬層25的第三阻層26。
[0092]如圖2M所示，其接續(xù)自圖2L的工藝，移除未被該第三阻層26所覆蓋的部份該第三金屬層25與第二導電層244，以構成電性連接該第二線路層22’的第三線路層25’，并外露部分該絕緣緩沖層24，再移除該第三阻層26。
[0093]如圖2N所示，其接續(xù)自圖2M的工藝，于該絕緣緩沖層24與該第三線路層25’上形成第二介電層27，該第二介電層27并具有至少一外露該第三線路層25’的第二開孔272，其中，該第二開孔272的位置是對應該第一開孔212的位置，而該第二開孔272的位置未對應該絕緣緩沖層開孔242。
[0094]如圖20所示，其接續(xù)自圖2N的工藝，于該第二介電層27上與該第三線路層25’上以例如濺鍍銅/鎳/金的方式形成第三導電層274。
[0095]如圖2P所示，其接續(xù)自圖20的工藝，于該第三導電層274上以電鍍方式形成第四金屬層28。
[0096]如圖2Q所示，其接續(xù)自圖2P的工藝，于該第四金屬層28上形成第四阻層29，并外露該第二開孔272中的第四金屬層28。[0097]如圖2R所示，其接續(xù)自圖2Q的工藝，于該第四金屬層28上以電鍍方式形成微探針30，而該微探針30的材質為鎢(W)、錸(Re)、鈹(Be)、鈀(Pd)、鈦鎢合金(TiW)、錸鎢合金(Reff)或鈹銅合金(BeCu )。
[0098]如圖2S所示，其接續(xù)自圖2R的工藝，移除該第四阻層29。
[0099]如圖2T所示，其接續(xù)自圖2S的工藝，于該微探針30上形成該第五阻層31。
[0100]如圖2U所示，其接續(xù)自圖2T的工藝，移除未被該第五阻層31所覆蓋的第四金屬層28與第三導電層274，以構成第四線路層28’，并移除該第五阻層31，使得該微探針30外露；又，該第四線路層28’形成于該第二開孔272中，且該微探針30電性連接該第四線路層28，。
[0101]第二實施例
[0102]請參閱圖3，其為本發(fā)明的具有微探針的半導體裝置的第二實施例的剖面示意圖。本實施例與上述實施例的差異在于:部分該第一線路層201’沿該微探針的半導體裝置側部(未圖標)向外延伸，可于外露于大氣的該第一線路層201’上電性連接焊線32，以供對外的電性連接。至于其它相關工藝均類似，故不再贅述。
[0103]第三實施例
[0104]請參閱圖4，其為本發(fā)明的具有微探針的半導體裝置的第三實施例的剖面示意圖。本實施例與第一實施例的差異在于:該基板20還具有貫穿該第一表面20a與第二表面20b且電性連接該第一線路層201’的導電通孔203，并于該基板20的第二表面20b上以聚酰亞胺(PI)材質形成高分子材料層204，且該高分子材料層204具有對應外露該導電通孔203的第三開孔205，而于該導電通孔203上設置焊接凸塊206以與外界電性連接。至于其它相關工藝均類似，故不再贅述。
[0105]第四實施例
[0106]請參閱圖5，其為本發(fā)明的具有微探針的半導體裝置的第四實施例的剖面示意圖。本實施例與第一實施例的差異在于:該絕緣緩沖層24中具有二個該絕緣緩沖層開孔242，該第三線路層25’連接二該絕緣緩沖層開孔242，而該微探針30電性連接該第三線路層25’，又至少一該第二開孔262位于二該絕緣緩沖層開孔242之間，此外，二該絕緣緩沖層開孔242是相對于該第二開孔272地非對稱設置，或者，二該絕緣緩沖層開孔242是相對于該第二開孔262地對稱設置(對稱于微探針30，未圖標此情況)。至于其它相關工藝均類似，故不再贅述。
[0107]本發(fā)明還提供一種具有微探針的半導體裝置，包括:基板20、第一線路層201’、第一介電層21、第二線路層22’、絕緣緩沖層24、第三線路層25’、第二介電層27以及微探針30。
[0108]該基板20具有相對第一表面20a與第二表面20b,于該基板20的第一表面20a上形成有該第一線路層201’，而該基板20的第一表面20a與該第一線路層201’上形成有第一介電層21,該第一介電層21并具有外露該第一線路層201’的第一開孔212。
[0109]該第二線路層22’形成于該第一介電層21上與該第一開孔212中，又于該第一介電層21與該第二線路層22’上以BCB (苯并環(huán)丁烯,Benzocyclo-buthene)、聚酰亞胺(PI)或聚苯并惡唑(polybenzoxazole, ΡΒ0)材質形成有該絕緣緩沖層24,且該絕緣緩沖層24具有至少一外露該第二線路層22’的絕緣緩沖層開孔242。[0110]該第三線路層25’形成于該絕緣緩沖層24上與該絕緣緩沖層開孔242中，并于該絕緣緩沖層24與該第三線路層25’上形成有該第二介電層27，且該第二介電層27具有至少一外露該第三線路層25’的第二開孔272，而該第二開孔272的位置未對應該絕緣緩沖層開孔242，以及于該第二介電層27的第二開孔272中形成材質例如為鎢(W)、錸(Re)、鈹(Be)、鈀(Pd)、鈦鎢合金(TiW)、錸鎢合金(ReW)或鈹銅合金(BeCu)的該微探針30，且該微探針30突出于該第二介電層27。
[0111]根據(jù)前述的具有微探針的半導體裝置，該絕緣緩沖層開孔242的位置未對應該第一開孔212的位置，又該第二開孔272的位置未對應該絕緣緩沖層開孔242，但該第一開孔212的位置是對應該第二開孔272的位置。
[0112]于本發(fā)明的具有微探針的半導體裝置中，部分該第一線路層201’外露于大氣，以供對外的電性連接，該基板20還具有貫穿該第一表面20a與第二表面20b且電性連接該第一線路層201’的導電通孔203。
[0113]依前所述的半導體裝置，該絕緣緩沖層開孔242具有二個該絕緣緩沖層開孔242，且二該絕緣緩沖層開孔242是借由該第三線路層25’連接，而該微探針30電性連接該第三線路層25’，而至少一該第二開孔272位于二該絕緣緩沖層開孔242之間，二該絕緣緩沖層開孔242是相對于一該第二開孔272地非對稱或對稱設置。上述實施例，該第一金屬層201、第二金屬層22、第三金屬層25及第四金屬層28的材料為銅或招,該第一介電層21及該第二介電層27的材料為BCB (苯并環(huán)丁烯，BenzocycloBu-thene)、聚酰亞胺(PI)或聚苯惡(Polybenzoxazole, ΡΒ0),該基材20的材料為娃(silicon)、絕緣層娃(silicon oninsulator, SOI)、砷化鎵(GaAs)、玻璃(glass)、鍺(Ge)、娃鍺(SiGe)或碳化娃(SiC)。
[0114]綜上所述，本發(fā)明的具有微探針的半導體裝置具有三段式的弓型基底結構，并以材質例如為BCB (苯并環(huán)丁烯，Benzocyclo-buthene)、聚酰亞胺(PI)或聚苯并惡唑(polybenzoxazole, ΡΒ0)的絕緣緩沖層做為緩沖及包覆弓型基底以提供較佳彈力，故可減少微探針操作移動時易受損傷、及彈性疲勞的問題，且本發(fā)明的微探針又具有細微間距(小于40微米)與龐大數(shù)量(大于10000微探針數(shù));此外，如圖5的三段式雙弓型緩沖結構更進一步提供較佳的彈力；又該微探針表面的材質可為耐磨的鈦鎢合金(TiW)、錸鎢合金(ReW)或鈹銅合金(BeCu)，以增加微探針的使用壽命；此外，本發(fā)明的具有微探針的半導體裝置的構造簡單，而易于制作，沒有現(xiàn)有探針制作的缺點:卽同時需使用半導體芯片工藝及多層陶瓷板工藝，造成整體工藝較復雜、良率較差及制作時間拉長，導致成本提高等問題。
[0115]上述該些實施例僅例示性說明本發(fā)明的功效，而非用于限制本發(fā)明，任何本領域技術人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述該些實施例進行修飾與改變。此外，在上述該些實施例中的組件的數(shù)量僅為例示性說明，亦非用于限制本發(fā)明。因此本發(fā)明的權利保護范圍應如權利要求書所列。
【權利要求】
1.一種具有微探針的半導體裝置的制法，包括: 于一具有相對的第一表面和第二表面的基板的第一表面上形成第一線路層； 于該基板的第一表面與該第一線路層上形成第一介電層，該第一介電層并具有外露該第一線路層的第一開孔； 形成第二線路層于該第一介電層上與該第一開孔中； 于該第一介電層與該第二線路層上形成一絕緣緩沖層，該絕緣緩沖層并具有至少一外露該第二線路層的絕緣緩沖層開孔； 形成第三線路層于該絕緣緩沖層上與該絕緣緩沖層開孔中； 于該絕緣緩沖層與該第三線路層上形成第二介電層，該第二介電層并具有外露該第三線路層的至少一第二開孔；以及 于該第二介電層的第二開孔中形成微探針，且該微探針突出于該第二介電層。
2.根據(jù)權利要求1所述的具有微探針的半導體裝置的制法，其特征在于，該第一線路層、該第二線路層或該第三線路層是借由電鍍方式形成。
3.根據(jù)權利要求1所述的具有微探針的半導體裝置的制法，其特征在于，該微探針是借由電鍍方式形成。
4.根據(jù)權利要求1所述的具有微探針的半導體裝置的制法，其特征在于，該絕緣緩沖層開孔的位置未對應該第一開孔的位置。
5.根據(jù)權利要求1所述的具有微探針的半導體裝置的制法，其特征在于，該第二開孔的位置未對應該絕緣緩沖層開孔。
6.根據(jù)權利要求1所述的具有微探針的半導體裝置的制法，其特征在于，該第一開孔的位置對應該第二開孔的位置。
7.根據(jù)權利要求1所述的具有微探針的半導體裝置的制法，其特征在于，部分該第一線路層沿該微探針的半導體裝置側部向外延伸，以供對外的電性連接。
8.根據(jù)權利要求1所述的具有微探針的半導體裝置的制法，其特征在于，該基板還具有貫穿該第一表面與第二表面且電性連接該第一線路層的導電通孔。
9.根據(jù)權利要求1所述的具有微探針的半導體裝置的制法，其特征在于，該絕緣緩沖層的材質為BCB、聚酰亞胺或聚苯并惡唑。
10.根據(jù)權利要求1所述的具有微探針的半導體裝置的制法，其特征在于，該微探針的材質為鈦鎢合金、錸鎢合金或鈹銅合金。
11.根據(jù)權利要求1所述的具有微探針的半導體裝置的制法，其特征在于，該微探針的材質為鶴、錸、鈹或鈕。
12.根據(jù)權利要求1所述的具有微探針的半導體裝置的制法，其特征在于，該制法還包括于該第二開孔中形成有第四線路層，且該微探針電性連接該第四線路層。
13.根據(jù)權利要求1所述的具有微探針的半導體裝置的制法，其特征在于，該絕緣緩沖層具有二個該絕緣緩沖層開孔，且二該絕緣緩沖層開孔是借由該第三線路層連接，而該微探針電性連接該第三線路層。
14.一種具有微探針的半導體裝置，包括: 基板，具有相對的第一表面與第二表面； 第一線路層，形成于該基板的第一表面上；第一介電層，形成于該基板的第一表面與該第一線路層上，并具有外露該第一線路層的第一開孔； 第二線路層，形成于該第一介電層上與該第一開孔中； 絕緣緩沖層，形成于該第一介電層與該第二線路層上，且具有至少一外露該第二線路層的絕緣緩沖層開孔； 第三線路層，形成于該絕緣緩沖層上與該絕緣緩沖層開孔中； 第二介電層，形成于該絕緣緩沖層與該第三線路層上，且具有至少一外露該第三線路層的第二開孔；以及 微探針，設于該第二介電層的第二開孔中，且突出于該第二介電層。
15.根據(jù)權利要求14所述的具有微探針的半導體裝置，其特征在于，該絕緣緩沖層開孔的位置未對應該第一開孔的位置。
16.根據(jù)權利要求14所述的具有微探針的半導體裝置，其特征在于，該第二開孔的位置未對應該絕緣緩沖層開孔。
17.根據(jù)權利要求14所述的具有微探針的半導體裝置，其特征在于，該第一開孔的位置是對應該第二開孔的位置。
18.根據(jù)權利要求14所述的具有微探針的半導體裝置，其特征在于，部分該第一線路層外露于大氣，以供對外的電性連接。
19.根據(jù)權利要求14所述的具有微探針的半導體裝置，其特征在于，該基板還具有貫穿該第一表面與第二表面且電性連接該第一線路層的導電通孔。
20.根據(jù)權利要求14所述的具有微探針的半導體裝置，其特征在于，該絕緣緩沖層的材質為BCB、聚酰亞胺或聚苯并惡唑。
21.根據(jù)權利要求14所述的具有微探針的半導體裝置，其特征在于，該微探針的材質為鈦鶴合金、錸鶴合金或鈹銅合金。
22.根據(jù)權利要求14所述的具有微探針的半導體裝置，其特征在于，該微探針的材質為鶴、錸、鈹或鈕。
23.根據(jù)權利要求14所述的具有微探針的半導體裝置，其特征在于，該絕緣緩沖層具有二個該絕緣緩沖層開孔，且二該絕緣緩沖層開孔是借由該第三線路層連接，而該微探針電性連接該第三線路層。
24.根據(jù)權利要求14所述的具有微探針的半導體裝置，其特征在于，該半導體裝置還包括于該第二開孔中形成有第四線路層，且該微探針電性連接該第四線路層。
【文檔編號】G01R3/00GK103675376SQ201210394101
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年10月16日 優(yōu)先權日:2012年9月19日
【發(fā)明者】程呂義, 邱啟新, 邱世冠 申請人:矽品精密工業(yè)股份有限公司