專(zhuān)利名稱(chēng)：化合物半導(dǎo)體微波功率芯片結(jié)溫測(cè)試裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種測(cè)試裝置，尤其是一種化合物半導(dǎo)體微波功率芯片結(jié)溫測(cè)試裝置，屬于微波、毫米波元器件的測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
GaAs, GaN及SiC等化合物半導(dǎo)體材料具有禁帶寬、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等優(yōu)良特性，因此它們大量應(yīng)用在半導(dǎo)體微波功率器件制作中。GaAs,GaN及SiC等化合物半導(dǎo)體材料可制作成微波功率芯片，微波功率芯片經(jīng)過(guò)適當(dāng)裝配后成為器件。工程師通常使用紅外測(cè)試系統(tǒng)對(duì)微波功率芯片的發(fā)熱區(qū)進(jìn)行溫度測(cè)試，以便為器件的后續(xù)裝配提供應(yīng)用依據(jù)。他們?cè)跍y(cè)試過(guò)程中遇到一個(gè)問(wèn)題微波功率芯片的厚度很薄，通常只有80微米 100微米之間，為了測(cè)試結(jié)溫，通常需要將其燒結(jié)在載體或其它形式的封裝里，并通過(guò)載體或其它形式的封裝對(duì)器件加電工作，載體越薄，熱阻計(jì)算越接近微波功率芯片的熱阻，但實(shí)際對(duì)微波功率芯片的結(jié)溫特性進(jìn)行測(cè)試時(shí)，需外接微波測(cè)試轉(zhuǎn)接端口(如同軸接口)、連接線(xiàn)纜、儀表等，需要大大加厚微波功率芯片的轉(zhuǎn)配載體或其它形式的封裝，導(dǎo)致實(shí)際測(cè)得的結(jié)溫偏離目的結(jié)溫，從而影響最終微波功率芯片熱阻計(jì)算的準(zhǔn)確度。目前，通常的結(jié)溫測(cè)試方法是制作簡(jiǎn)單的測(cè)試底座，將器件安裝在底座上，根據(jù)器件的實(shí)際微波端口情況，在測(cè)試底座上安裝微帶同軸轉(zhuǎn)換接頭和直流饋電端子。測(cè)試時(shí)，將整個(gè)測(cè)試底座放在紅外結(jié)溫測(cè)試臺(tái)上，微帶同軸轉(zhuǎn)換接頭通過(guò)線(xiàn)纜與微波測(cè)試儀器或負(fù)載相連，直流饋電端子與直流電源相連測(cè)試。由于測(cè)試底座非常厚，通常有10毫米以上，從紅外結(jié)溫恒溫臺(tái)到器件的發(fā)熱區(qū)距離很長(zhǎng)。測(cè)試完成后，再把整個(gè)測(cè)試底座從恒溫臺(tái)上卸下來(lái)。這種解決方法存在如下缺點(diǎn)首先在測(cè)試時(shí)增加了跟直流電源及測(cè)試儀表的連接程序， 降低了測(cè)試工作效率；其次，在測(cè)試完成后，還要再有一道卸載程序把被測(cè)件取下，降低工作效率；最后，由于測(cè)試底座很厚，使被測(cè)件的熱阻受到影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種能夠提高測(cè)試精度和測(cè)試效率的化合物半導(dǎo)體微波功率芯片結(jié)溫測(cè)試裝置。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是一種化合物半導(dǎo)體微波功率芯片結(jié)溫測(cè)試裝置，包括對(duì)稱(chēng)設(shè)置的兩個(gè)底座，在每個(gè)底座上分別固定設(shè)有同軸微帶轉(zhuǎn)接頭和帶線(xiàn)，所述兩個(gè)底座通過(guò)對(duì)稱(chēng)分布的兩個(gè)橫梁固定連接；所述每個(gè)橫梁上分別設(shè)有螺栓；所述每個(gè)帶線(xiàn)的帶線(xiàn)金屬上均焊接有接觸式壓片；所述兩個(gè)底座之間設(shè)有芯片載體； 所述接觸式壓片與芯片載體的射頻端口連接。所述每個(gè)橫梁上設(shè)有的螺栓的數(shù)量為2個(gè)，橫梁上設(shè)有與螺栓相適配的螺紋孔。所述帶線(xiàn)與水平面間的夾角為30° 60°。使用上述裝置對(duì)微波功率芯片進(jìn)行結(jié)溫測(cè)試時(shí)，將整個(gè)裝置底座放置在恒溫臺(tái)上，然后將待測(cè)微波功率芯片放置于相應(yīng)的芯片載體上，將芯片載體置于兩個(gè)底座之間、四個(gè)橫梁螺栓之下，旋轉(zhuǎn)橫梁螺栓，使芯片載體的底面與恒溫臺(tái)良好接觸并固定，將測(cè)試線(xiàn)纜的一端與測(cè)試儀表連接，另一端與兩個(gè)同軸微帶轉(zhuǎn)接頭連接，這樣即可實(shí)現(xiàn)待測(cè)微波功率芯片與測(cè)試儀表的電氣連接。測(cè)試完成后，旋轉(zhuǎn)四個(gè)橫梁螺栓即可將芯片載體與測(cè)試裝置分離，操作簡(jiǎn)單，使用方便。本發(fā)明的有益效果如下本發(fā)明所述的測(cè)試裝置能夠準(zhǔn)確、高效地實(shí)現(xiàn)對(duì)微波功率芯片的結(jié)溫測(cè)試，該裝置不需要通過(guò)反復(fù)裝卸線(xiàn)纜來(lái)整體更換芯片和測(cè)試底座，因而能夠提高測(cè)試精度和測(cè)試效率；芯片載體在滿(mǎn)足機(jī)械強(qiáng)度要求和芯片熱膨脹系數(shù)相匹配的前提之下，可以制作的非常薄，因而測(cè)得熱阻更接近于芯片的熱阻，保證了測(cè)試準(zhǔn)確度；將帶線(xiàn)與水平面呈30° 60°角可以減小底座厚度，同時(shí)減小接觸式壓片的長(zhǎng)度，提高射頻傳輸性能。


下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。圖I是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖2是圖I的俯視其中，I、底座，2、同軸微帶轉(zhuǎn)接頭，3、帶線(xiàn)，4、螺栓，5、橫梁，6、芯片載體，7、芯片，8、接觸式壓片。
具體實(shí)施例方式如圖I、圖2所示的實(shí)施例可知，本發(fā)明所述的化合物半導(dǎo)體微波功率芯片結(jié)溫測(cè)試裝置，包括對(duì)稱(chēng)設(shè)置的兩個(gè)底座1，在每個(gè)底座I上分別固定設(shè)有同軸微帶轉(zhuǎn)接頭2和帶線(xiàn)3，所述兩個(gè)底座I通過(guò)對(duì)稱(chēng)分布的兩個(gè)橫梁5固定連接；所述每個(gè)橫梁5上分別設(shè)有螺栓4 ;所述每個(gè)帶線(xiàn)3的帶線(xiàn)金屬上均焊接有接觸式壓片8 ;所述兩個(gè)底座I之間設(shè)有芯片載體6 ;所述接觸式壓片8與芯片載體6的射頻端口連接。所述每個(gè)橫梁5上設(shè)有的螺栓4 的數(shù)量為2個(gè)，橫梁5上設(shè)有與螺栓4相適配的螺紋孔。所述帶線(xiàn)3與水平面間的夾角為 30° 60°。上述接觸式壓片8探出帶線(xiàn)的部分下翹，以便于和芯片載體6的射頻端口連接。使用上述裝置對(duì)微波功率芯片進(jìn)行結(jié)溫測(cè)試時(shí)，將整個(gè)裝置底座I放置在恒溫臺(tái)上，然后將待測(cè)微波功率芯片放置于相應(yīng)的芯片載體6上，將芯片載體6置于兩個(gè)底座I之間、四個(gè)橫梁螺栓4之下，旋轉(zhuǎn)橫梁螺栓4，使芯片載體6的底面與恒溫臺(tái)良好接觸并固定， 將測(cè)試線(xiàn)纜的一端與測(cè)試儀表連接，另一端與兩個(gè)同軸微帶轉(zhuǎn)接頭2連接，這樣即可實(shí)現(xiàn)待測(cè)微波功率芯片與測(cè)試儀表的電氣連接。測(cè)試完成后，旋轉(zhuǎn)四個(gè)橫梁螺栓4即可將芯片載體6與測(cè)試裝置分離，操作簡(jiǎn)單，使用方便。
權(quán)利要求
1.一種化合物半導(dǎo)體微波功率芯片結(jié)溫測(cè)試裝置，其特征在于，包括對(duì)稱(chēng)設(shè)置的兩個(gè)底座(1)，在每個(gè)底座(I)上分別固定設(shè)有同軸微帶轉(zhuǎn)接頭(2)和帶線(xiàn)(3)，所述兩個(gè)底座(I)通過(guò)對(duì)稱(chēng)分布的兩個(gè)橫梁(5)固定連接；所述每個(gè)橫梁(5)上分別設(shè)有螺栓(4);所述每個(gè)帶線(xiàn)(3)的帶線(xiàn)金屬上均焊接有接觸式壓片(8);所述兩個(gè)底座(I)之間設(shè)有芯片載體(6);所述接觸式壓片(8)與芯片載體(6)的射頻端口連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的化合物半導(dǎo)體微波功率芯片結(jié)溫測(cè)試裝置，其特征在于，所述每個(gè)橫梁(5)上設(shè)有的螺栓(4)的數(shù)量為2個(gè)，橫梁(5)上設(shè)有與螺栓(4)相適配的螺紋孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的化合物半導(dǎo)體微波功率芯片結(jié)溫測(cè)試裝置，其特征在于，所述帶線(xiàn)(3)與水平面間的夾角為30° 60°。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種化合物半導(dǎo)體微波功率芯片結(jié)溫測(cè)試裝置，包括對(duì)稱(chēng)設(shè)置的兩個(gè)底座，在每個(gè)底座上分別固定設(shè)有同軸微帶轉(zhuǎn)接頭和帶線(xiàn)，所述兩個(gè)底座通過(guò)對(duì)稱(chēng)分布的兩個(gè)橫梁固定連接；所述每個(gè)橫梁上分別設(shè)有螺栓；所述每個(gè)帶線(xiàn)的帶線(xiàn)金屬上均焊接有接觸式壓片；所述兩個(gè)底座之間設(shè)有芯片載體；所述接觸式壓片與芯片載體的射頻端口連接。本發(fā)明的有益效果如下本發(fā)明所述測(cè)試裝置不需要通過(guò)反復(fù)裝卸線(xiàn)纜來(lái)整體更換芯片和測(cè)試底座，因而能夠提高測(cè)試精度和測(cè)試效率；芯片載體可以制作的非常薄，因而測(cè)得熱阻更接近于芯片的熱阻，保證了測(cè)試準(zhǔn)確度；將帶線(xiàn)與水平面呈30°～60°角可以減小底座厚度，同時(shí)減小接觸式壓片的長(zhǎng)度，提高射頻傳輸性能。
文檔編號(hào)G01N25/20GK102607710SQ201210085230
公開(kāi)日2012年7月25日 申請(qǐng)日期2012年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月28日
發(fā)明者王會(huì)智 申請(qǐng)人:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所